光照射装置的制作方法

本发明涉及一种对基片照射光的光照射装置。

背景技术：

专利文献1中，记载了在半导体器件的制造工艺中依次进行：在基片的表面形成抗蚀剂膜的工序；进行曝光的工序；使抗蚀剂图案化的工序；对抗蚀剂的前表面照射波长200nm以下的光的工序；和进行抗蚀剂膜的下层膜的蚀刻的工序。照射波长200nm以下的光的工序(以下，简称为照射光的工序。)例如以改善抗蚀剂膜的粗糙度(凸凹)为目的而进行。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特许第3342856号公报

技术实现要素：

发明要解决的技术问题

在实施对直径300mm程度的基片照射上述光的工序的情况下，从缩短照射距离并保证照射强度的观点出发，将多个灯配置在基片上。因此，各灯是点光源，晶片中的照射范围形成为圆形。在照射范围为圆形的情况下，当以各灯的照射范围不重叠的方式配置各灯时，会产生光照射不到(或者照射强度变弱)的部分。另一方面，为了不产生照射强度变弱的部分，需要使各灯的照射范围的一部分重叠，在该情况下，重叠部分的照射强度变得非常强，这成为问题。如上所述，在用多个灯对基片照射光的结构中，难以对基片的照射面均匀地照射光。

因此，本发明说明一种能够提高基片的照射面中的光照射分布的均匀性的光照射装置。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一个方式的光照射装置，包括：多个光照射部，其向基片照射具有以光源为顶点的圆锥状的光路的真空紫外光；和遮光部，其以遮挡从多个光照射部照射的真空紫外光的照射范围的重叠部分的方式与各光照射部对应地设置，遮光部从真空紫外光的行进方向观察时形成为多边形。

在本发明的光照射装置中，具有圆锥状的光路向基片照射的多束真空紫外光的重叠部分，被与各光照射部对应地设置的多边形的遮光部遮挡。此处，从基片中的照射范围成为圆形的多个点光源对基片照射光的情况下，以各光的照射范围不重叠的方式配置各点光源时，照射范围为圆形，因此会产生光照射不到的部分(或者照射强度变弱的部分)。另一方面，为了不产生光照射不到的部分(或者照射强度变弱的部分)，需要使从各点光源照射的光的照射范围的一部分重叠，在该情况下，重叠部分的照射强度的变得非常强，这成为问题。如上所述，一直以来，在对基片从多个光源照射光的结构中，难以对基片的照射面均匀地照射光。关于这点，在本发明的光照射装置中，遮挡多束真空紫外光的重叠部分的遮光部从真空紫外光的行进方向观察时形成为多边形。由此，基片中的各真空紫外光的照射范围成为多边形。这样一来，与照射范围为圆形的情况不同，能够使照射范围不重叠并抑制产生光照射不到的部分(或者照射强度变弱的部分)。即，依照本发明的光照射装置，能够提高基片的照射面中的光照射分布的均匀性。

也可以为，遮光部具有在真空紫外光的行进方向上延伸而形成为筒状的筒状遮光部件。通过与光照射部对应地设置的遮光部在高度方向(真空紫外光的行进方向)上延伸而形成为筒状，能够适当地排除来自该遮光部所对应的光照射部以外的光照射部(例如相邻的光照射部)的真空紫外光的影响。即，能够适当地防止照射范围与其他光照射部的真空紫外光重叠，进一步提高基片的照射面中的光照射分布的均匀性。

也可以为，还包括调节遮光部与基片的间隔距离的间隔距离调节部。通过设置遮光部(特别是筒状的遮光部)，该遮光部的影子会投影到基片的照射面，存在因该影子而基片的照射面中的光照射分布的均匀性恶化的可能性。关于这点，通过用间隔距离调节部调节遮光部的高度(与基片的间隔距离)，例如，能够调节从相邻的遮光部去往基片的照射光的范围，能够消除因照射光彼此重叠等而成为影子的部分。

也可以为，光照射部包括氘灯。通过使用氘灯，能够对基片照射波长在200nm以下的真空紫外光，以及波长比200nm大的近紫外光。如上所述，从氘灯照射的光的光谱的波长区域比较宽，例如在基片的表面形成有抗蚀剂图案的情况下，该抗蚀剂图案接收各种波长的光的能量。由此，在抗蚀剂图案的表面中发生各种反应而流动性变高，其结果，能够提高该表面的粗糙度的改善效果。

也可以为，氘灯产生波长在200nm以下，例如波长在160nm以下的真空紫外光。在氘灯中，例如160nm以下成为连续光谱的峰值的波长，因此，通过产生该160nm以下的真空紫外光，例如在基片的表面形成有抗蚀剂图案的情况下，能够进一步提高该表面的粗糙度的改善效果。

也可以为，多个光照射部中，照射的真空紫外光的照度值、照射的真空紫外光的光线角度以及与基片的间隔距离的至少一者彼此不同。如上所述，通过使多个光照射部的照度值、光线角度或者光照射部的高度(与基片的间隔距离)彼此不同，能够积极地调整照射分布，能够根据照射状况进一步提高基片的照射面中的光照射分布的均匀性。

也可以为，还包括在遮光部的上方使真空紫外光扩散的扩散部。照射光因光源(等)的内部电极结构而存在强度的不均。对于这一点，通过在遮光部的上方设置扩散部，能够使照射光的不均平均化，进一步提高基片的照射面中的光照射分布的均匀性。

也可以为，还包括在使基片的照射面与光照射部相对的状态下使晶片旋转的基片旋转部。由此，照射部位发生变化，因此能够进一步提高照射面中的光照射分布的均匀性。

也可以为，还包括使遮光部或基片在与基片的照射面平行的方向上往复移动的平行移动部。在该情况下，照射部位发生变化，因此能够进一步提高照射面中的光照射分布的均匀性。此外，在与照射面平行的方向上往复移动的方式中，与使基片旋转的方式不同，不容易产生照射部位不发生变化的部分(例如旋转中心)。另外，也可以为遮光部由真空紫外光的反射率在90％以下的材质构成。

也可以为，筒状遮光部件以遍及上述光照射部与上述基片之间的大致整个区域的方式在上述行进方向上延伸。由此，能够更适合地抑制照射范围与其他光照射部的真空紫外光重叠。

也可以为，筒状遮光部件在光照射部与基片之间设置在靠基片的位置。在使用真空紫外光的情况下，需要用真空泵进行抽真空以使处理室内成为低氧状态。在筒状遮光部件设置在光照射部与基片之间的大致整个区域的情况下，在处理室内难以利用真空泵进行排气，无法顺利地进行上述的抽真空。对于这一点，通过将筒状遮光部件(仅)设置在靠基片的区域，与将筒状遮光部件设置在光照射部与基片之间的大致整个区域的情况相比，能够容易地进行上述的抽真空。

也可以为，筒状遮光部件为上述光照射部与上述基片之间的全长的一半以下的长度。由此，能够更容易地进行处理室内的抽真空。

也可以为，遮光部具有形成为板状的板状遮光部件。如上所述，通过将板状的薄的部件作为遮光部件使用，能够不妨碍在处理室内利用真空泵排气，而适当地进行处理室内的抽真空。

也可以为，遮光部包括：筒状遮光部件，其在真空紫外光的行进方向上延伸而形成为筒状，并且在光照射部与基片之间设置在靠基片的位置；和形成为板状的板状遮光部件，板状遮光部件设置在上述筒状遮光部件的下方。如上所述，通过将筒状遮光部件和板状遮光部件组合使用，能够用筒状遮光部件适当地抑制真空紫外光的照射范围重叠，并且用设置于筒状遮光部件的下方的板状遮光部件来适当地限定真空紫外光的照射范围。另外，通过使用板状遮光部件，能够缩短筒状遮光部件的长度，能够适当地利用真空泵进行排气以适当地进行处理室内的抽真空。

也可以为，板状遮光部件被设置成与筒状遮光部件的下端接触。由此，能够抑制从筒状遮光部件与板状遮光部件之间漏出真空紫外光，适当地抑制真空紫外光的照射范围重叠。

也可以为，板状遮光部件从行进方向观察时通过光的区域的大小比筒状遮光部件小。由此，能够用板状遮光部件适当地限定真空紫外光的照射范围。

也可以为，板状遮光部件被设置成与筒状遮光部件的下端隔开间隔。由此，能够更适当地利用真空泵进行抽真空。

发明效果

依照本发明，能够提高基片的照射面中的光照射分布的均匀性。

附图说明

图1是表示本实施方式的基片处理装置的示意图。

图2是图1的基片处理装置的光照射装置的示意图。

图3是表示光照射装置的照射范围的说明图。

图4是比较例的光照射装置的说明图。

图5是表示变形例的光照射装置的示意图。

图6是表示变形例的光照射装置的示意图。

图7是表示变形例的光照射装置的示意图。

图8是表示变形例的光照射装置的示意图。

图9是表示变形例的光照射装置的示意图。

图10是表示变形例的光照射装置的示意图。

图11是表示变形例的光照射装置的照射范围的说明图。

图12是表示变形例的光照射装置的示意图。

图13是表示变形例的照射部的示意图。

图14是表示变形例的光照射装置的示意图。

图15是表示变形例的光照射装置的示意图。

具体实施方式

参照附图，对本发明的实施方式进行说明，但是，以下的本实施方式是用于说明本发明的例示，并不意味着将本发明限定于以下的内容。在说明中，对相同要素或者具有相同功能的要素使用相同的附图标记，省略重复的说明。

[基片处理装置的结构]

图1是表示本实施方式的基片处理装置的示意图(纵断侧视图)。图1所示的基片处理装置1是对晶片w(基片)进行规定的处理的装置。晶片w呈圆板状，但是也可以使用圆形的一部分欠缺，或者呈多多边形等圆形以外的形状的晶片。晶片w可以为例如半导体基片、玻璃基片、掩模基片、fpd(flatpaneldisplay：平板显示器)基片其他各种基片。在本实施方式中，基片处理装置1作为通过对晶片w照射光，来改善形成于晶片w的表面的抗蚀剂图案的表面的粗糙度的装置进行说明。此外，该抗蚀剂图案是通过对形成于晶片w的抗蚀剂膜进行曝光、显影而形成的。

如图1所示，基片处理装置1包括处理容器21、载置台20、壳体43和光照射装置4。此外，在图1中，仅示出了光照射装置4所包含的结构的一部分。

处理容器21例如是设置于大气气氛中的真空容器，是收纳由输送机构(未图示)输送来的晶片的容器。在基片处理装置1中，在处理容器21内收纳有晶片w的状态下，进行对晶片w的处理。在处理容器21的侧壁形成有输送口22。输送口22是用于对处理容器21送入送出晶片w的开口。输送口22通过闸阀23开闭。

载置台20是设置于处理容器21内的圆形的台。载置台20以其中心与晶片w的中心重叠的方式将晶片w水平地载置。以将载置台20在厚度方向(垂直方向)上贯通的方式设置例如3个升降销(未图示)。该升降销其下端与升降机构(未图示)连接，能够通过升降机构在垂直方向上移动(升降)。升降销在通过升降机构上升了的状态下，其上端到达比载置台20的上表面靠上方处，在其与经由输送口22进入处理容器21内的输送机构(未图示)之间进行晶片w的交接。

壳体43设置于处理容器21的上部。壳体43收纳光照射装置4的多个氘灯40(光照射部)。光照射装置4是以改善抗蚀剂图案的表面的粗糙度(凸凹)为目的的、对晶片w的表面照射光的结构。下面，也参照图2和图3，对光照射装置4的详情进行说明。

[光照射装置的结构]

图2是表示图1的基片处理装置1的光照射装置4的示意图。图3是表示光照射装置4的照射范围的说明图(俯视观察照射范围的图)。如图2所示，光照射装置4包括多个氘灯40(光照射部)和多个多边形筒50(筒状遮光部件)。

氘灯40向晶片w照射波长在200nm以下的真空紫外光。更详细而言，氘灯40照射例如115nm～400nm的波长的光，即成为115nm～400nm的连续光谱的光。如上所述，从氘灯40照射的光中包含真空紫外光(vacuumultravioletlight：vuv光)，即波长为10nm～200nm的光。另外，从氘灯40照射的光除了真空紫外光(真空紫外线)之外，还包括波长比200nm长的近紫外光(近紫外线)。本实施方式的从氘灯40照射的光的连续光谱的峰值的波长例如在160nm以下、150nm以上。

如上所述，从氘灯40照射的光的光谱的波长区域比较宽，因此，晶片w表面的抗蚀剂图案能够接收各种光的能量，其结果，在该抗蚀剂图案的表面发生各种反应。具体而言，构成抗蚀剂膜的分子中的各种位置的化学键被切断而生成各种化合物，因此，在光照射前存在于抗蚀剂膜的分子所具有的取向性被消除，抗蚀剂膜的表面自由能降低，内部应力降低。即，通过使用氘灯40作为光源，而抗蚀剂图案的表面的流动性变高，作为其结果，能够提高晶片w的表面的粗糙度的改善效果。

在此，关于照射到抗蚀剂膜的光，波长越大则越容易达到抗蚀剂膜的深层。这一点，从氘灯40照射的光的光谱的峰值的波长如上所述包含于真空紫外光的波段(10nm～200nm)，因此关于从氘灯40照射的光，具有比较大的波长的光的强度小。因此，从氘灯40照射的光到达抗蚀剂膜的深层的情况较少，能够在抗蚀剂膜的深层中抑制上述的分子键的切断。即，通过使用氘灯40作为光源，而能够将在抗蚀剂图案中将通过光照射而反应的区域限定在表面侧。

氘灯40生成与高斯分布的光相比强度分布平坦的平顶(tophat)型的光。此外，即使是顶部发射型的光，强度分布也并非成为完全平坦的，而随着从中央侧(光源41的正下方)离开而光的强度变弱。氘灯40照射具有从作为点光源的光源41(参照图1)出射的宽度的光，具体而言，向晶片w照射具有以光源41为顶点的圆锥状的光路的真空紫外光。如上所述，从氘灯40照射的光在不进行遮挡的情况下，在照射面中照射范围形成为圆形，但是通过用后述的多边形筒50将一部分遮挡，而在晶片w的照射面中照射范围形成为多边形(本实施方式的例子中为六边形)(详情在后文说明)。此外，在图1和图2等中，用点划线表示真空紫外光的光路之中最外侧的光路。

光照射装置4包括多个氘灯40。各氘灯40以规定的间隔配置以使得晶片w的照射面中的光照射分布变得均匀。例如，如图3所示，在晶片w的中心的正上方设置一个氘灯40，并且沿圆板状的晶片w的圆周上(详细而言圆周的稍内侧)以等间隔地设置6个氘灯40。此外，可以在氘灯40和多边形筒50之间设置开闭件(未图示)。此外，使多个氘灯40彼此照射的真空紫外光的照度值、照射的真空紫外光的光线角度以及距晶片w的间隔距离相同。

多边形筒50是以遮挡从多个氘灯40照射的真空紫外光的照射范围的重叠的方式与各氘灯40对应地设置的遮光部。多边形筒50可以通过除去从氘灯40照射的真空紫外光的端部区域的发光(吸收、阻断)，将从多个氘灯40照射的真空紫外光的照射范围的重叠遮挡起来。多边形筒50与氘灯40对应地设置，是指多边形筒50与氘灯40一对一地对应，设置于氘灯40的光源41的正下方(参照图3)。具体而言，多边形筒50被设置成从真空紫外光的行进方向观察时，光源41位于其中心轴上。多边形筒50以遍及氘灯40与晶片w之间的大致整个区域的方式在真空紫外光的行进方向上延伸。氘灯40与晶片w之间的大致整个区域为至少氘灯40与晶片w之间的全长的一半以上的长度。多边形筒50遍及氘灯40与晶片w之间的大致整个区域地延伸，由此能够适当地抑制照射范围与其他氘灯40的真空紫外光重叠。

多边形筒50从真空紫外光的行进方向观察时形成为多边形，具体而言正六边形(参照图3)。如图3所示，多个多边形筒50从真空紫外光的行进方向观察时，相邻的多边形筒50彼此无间隙地紧贴设置。更详细而言，多个多边形筒50中与位于晶片w的中心的上方的氘灯40对应地设置的多边形筒50，被设置成正六边形的各边与其他多边形筒50(与沿晶片w的圆周上等间隔地设置的氘灯40对应地设置的6个多边形筒50)的相对的边接触。此外，多个多边形筒50之中与沿晶片w的圆周上等间隔地设置的氘灯40对应地设置的6个多边形筒50，一个边与中央的多边形筒50的相对的边接触，并且2个边与在上述圆周上相邻的多边形筒50的相邻的边接触。

另外，多边形筒50在真空紫外光的行进方向延伸地形成为筒状(参照图2)。多边形筒50可以由相对于真空紫外光而言反射率低且吸收(阻断)率高的任何材质构成。反射率低的材质是指例如真空紫外光的反射率在90％以下，例如60％以下的材质。具体而言，作为多边形筒50的材质，能够使用在sus或者铝等基材的表面涂敷使反射率降低的有机膜的材质、在上述的基材的表面实施了用于形成凹凸面的喷砂处理、粗糙化处理的材质等。此外，粗糙化处理例如是对作为基材的铝进行的阳极氧化处理等。当考虑为真空气氛时，可以将上述的sus或者铝等金属作为基材，不过也可以使用低释气的树脂材料等作为基材。多边形筒50从光源41的正下方延伸至接近晶片w的照射面的位置。如上所述，设置于氘灯40的正下方的多边形筒50延伸至接近晶片w的照射面的位置，由此从各氘灯40照射的真空紫外光从光源41到达晶片w的照射面为止通过对应的多边形筒50内，晶片w中的照射范围成为与多边形筒50的形状(参照图3)相应的范围。如上所述，多个多边形筒50连续(无间隙地紧贴)，因此通过彼此相邻的多边形筒50的真空紫外光的晶片w中的照射范围彼此连续并且不重复(或者重复范围小)。

此外，关于多边形筒50，可以以从氘灯40的光源41出射的真空紫外光的强度弱的部分(离开中心的部分)能够被遮挡的方式来决定形状。多边形筒50以能够保证例如强度最强的部分的70～80％，例如90％以上的强度的部分以外的光被遮挡的方式来决定形状。

[作用效果]

如上所述，本实施方式的基片处理装置1的光照射装置4包括：多个氘灯40，其向晶片w照射将波长在200nm以下的具有以光源41为顶点的圆锥状的光路的真空紫外光；和多边形筒50，其以遮挡从多个氘灯40照射的真空紫外光的照射范围的重叠部分的方式与各氘灯40对应地设置，多边形筒50从真空紫外光的行进方向观察时形成为多边形。

一直以来，在从晶片w中的照射范围为圆形的多个点光源对晶片w照射光的情况下，难以对晶片w的照射面均匀地照射光。对此，参照作为比较例的光照射装置的说明图的图4的(a)和图4的(b)进行说明。图4的(a)示意地表示设置有多个氘灯40的光照射装置。图4的(b)表示图4的(a)所示的光照射装置的照射强度，具体而言，虚线表示各氘灯40的照射强度，实线表示相邻的氘灯40的共计的照射强度。如图4的(a)和图4的(b)所示，在以各光的照射范围尽可能不重叠的方式配置了氘灯40的情况下(参照图4的(a)所示的中央的氘灯40和右侧的氘灯40)，因照射范围为圆形，所以会产生光的照射强度变弱的部分e2(参照图4的(b))。另一方面，为了不产生照射强度变弱的部分e2，需要使从各点氘灯40照射的光的照射范围充分重叠(参照图4的(a)所示的中央的氘灯40和左侧的氘灯40)，在该情况下，重叠的部分e1(参照图4的(b))的照射强度变得非常强，这成为问题。如上所述，一直以来，在从多个光源对晶片w照射光的结构中，难以对晶片w的照射面均匀地照射光。

关于这点，在本实施方式的光照射装置4中，具有圆锥状的光路向晶片w照射的多束真空紫外光的重叠部分，被与各氘灯40对应地设置的多边形筒50遮挡。由此，晶片w中的各真空紫外光的照射范围成为多边形。照射范围如图4所示的比较例那样不是圆形，而成为多边形(具体而言正六边形)，由此，能够使通过相邻的多边形筒50的真空紫外光的照射范围彼此连续并且不重复(或者减小重复范围)。即，利用本实施方式的光照射装置4，能够提高晶片w的照射面中的光照射分布的均匀性。

上述的多边形筒50在真空紫外光的行进方向上延伸而形成为筒状。与氘灯40对应地设置的多边形筒50在高度方向(真空紫外光的行进方向)延伸而形成为筒状，由此能够适当地排除来自该多边形筒50所对应的氘灯40以外的氘灯40(例如相邻的氘灯40)的真空紫外光的影响。即，能够适当地防止照射范围与其他氘灯40的真空紫外光重叠，进一步提高晶片w的照射面中的光照射分布的均匀性。

另外，上述的光照射装置4使用氘灯40作为光照射部，由此能够不仅对晶片w照射波长为200nm以下的真空紫外光之外，还照射波长比200nm大的近紫外光。这样一来，从氘灯40照射的光的光谱的波长区域比较宽，因此，例如在基片w的表面形成有抗蚀剂图案的情况下，该抗蚀剂图案接收各种波长的光的能量。由此，在抗蚀剂图案的表面发生各种反应而流动性变高，其结果，能够提高该表面的粗糙度的改善效果。

另外，上述的氘灯40产生波长在160nm以下的真空紫外光。在氘灯40中，例如160nm以下为连续光谱的峰值的波长，因此通过产生该160nm以下的真空紫外光，例如在晶片w的表面形成有抗蚀剂图案的情况下，能够进一步提高表面的粗糙度的改善效果。

[变形例]

以上，对本发明的一实施方式进行了说明，但是，本发明不限于上述实施方式。例如如图5所示，从多个光照射部中的一部分氘灯40x照射的真空紫外光的照度值，可以与从其他氘灯40照射的真空紫外光的照度值不同。在图5所示的例子中，从氘灯40x照射的真空紫外光的照度值比从氘灯40照射的真空紫外光的照度值大。另外，如图6所示，从多个光照射部中的一部分氘灯40y照射的真空紫外光的光线角度，可以与从其他氘灯40照射的真空紫外光的光线角度不同。在图6所示的例子中，从氘灯40y照射的真空紫外光的光线角度比从氘灯40照射的真空紫外光的光线角度大。另外，如图7所示，多个光照射部之中一部分的氘灯40z的与晶片w的间隔距离，可以与其他的氘灯40的晶片w的间隔距离不同，在图7所示的例子中，氘灯40z与晶片w的间隔距离，比氘灯40与晶片w的间隔距离小。如上所述，关于多个光照射部，通过使照度值、光线角度或者高度(与晶片w的间隔距离)彼此不同，能够积极地调整照射分布，能够根据来自光照射部的照射状况进一步提高晶片w的照射面中的光照射分布的均匀性。

另外，光照射装置还可以具有图8所示的间隔距离调节部60。间隔距离调节部60是调整与作为遮光部的多边形筒50的晶片w的间隔距离的机构。具体而言，间隔距离调节部60根据控制器(未图示)的控制使多边形筒50升降，调节多边形筒50与晶片w的间隔距离。如上所述，多边形筒50是以通过使照射范围为多边形来对晶片w的照射面均匀地照射光为目的的结构，但是考虑如下情况，即通过设置多边形筒50，该多边形筒50的影子会投影到晶片w的照射面，由于该影子而无法充分实现晶片w的照射面中的光照射分布的均匀性。关于这点，通过用间隔距离调节部60调节多边形筒50的高度(与晶片w的间隔距离)，能够调节例如从相邻的多边形筒50去往晶片w的照射光的宽度，能够通过使照射光彼此重叠等来消除成为影子的部分。此外，由间隔距离调节部60调节的多边形筒50的高度例如通过事先评价来自氘灯40的照射角和晶片w中的各部的照度等来决定。

另外，光照射装置还可以包括图9所示的晶片旋转部70(基片旋转部)。晶片旋转部70是在使晶片w的照射面与氘灯40相对的状态下使晶片w旋转的机构。具体而言，晶片旋转部70经由旋转轴与载置晶片w的载置台20连接，根据控制器(未图示)的控制使旋转轴旋转从而使载置台20和载置于该载置台20的晶片w旋转。通过晶片w旋转，而氘灯40的照射部位发生变化，因此能够进一步提高晶片w的照射面中的光照射分布的均匀性。此外，光照射装置也可以是不使晶片w旋转，而使多边形筒50和氘灯40相对于晶片w旋转的装置。另外，光照射装置还可以具有使多边形筒50或者晶片w在与晶片w的照射面平行的方向(水平方向)上往复移动10mm程度的平行移动部。在该情况下，氘灯40的照射部位也发生变化，因此能够进一步提高晶片w的照射面中的光照射分布的均匀性。此外，在与照射面平行的方向上往复移动的方式中，与使晶片w旋转的方式不同，具有不易产生照射部位不变化的部分(例如旋转中心)这样的优点。例如通过使多个多边形筒50和氘灯40相对于晶片w旋转并且在并行的方向上进行扫描动作，即使不设置能够同时照射晶片w的整个面的数量的氘灯40，也能够对晶片w的整个面照射真空紫外光。如上所述，在使多边形筒50和氘灯40进行扫描动作的情况下，多边形筒50和氘灯40可以为较少个数(例如各一个等)。

另外，光照射装置还可以具有图10所示的扩散部80。扩散部80是在多边形筒50的上方使真空紫外光扩散的部件。在图10所示的例子中，扩散部80是网状的部件，具有使真空紫外光的一部分反射扩散的功能。此外，扩散部80只要是能够使真空紫外光的一部分反射扩散的部件即可，可以为棒状的部件等。在扩散部80中，使真空紫外光反射扩散的部分的面积比使真空紫外光向下方通过的部分的面积小。照射光因光源(灯)的内部电极结构而存在强度的不均时，通过在多边形筒50的上方设置扩散部80，能够使照射光的不均平均化，进一步提高晶片w的照射面中的光照射分布的均匀性。

另外，多边形筒50以从真空紫外光的行进方向观察时为正六边形的情形进行了说明，但是并不限于此，例如也可以如图11的(a)所示，多边形筒50x为四边形。此外，多边形筒50的数量不限于图3所示的例子，例如也可以如图11的(b)所示，设置共计13个多边形筒50y。

另外，以遮光部为多边形筒50的情形进行了说明，但是并不限于此，遮光部只要从真空紫外光的行进方向观察时形成为多边形即可，可以为在高度方向上延伸的筒状的部件。例如可以如图12所示，遮光部具有形成为板状的掩模200(板状遮光部件)。掩模200与多边形筒50同样从真空紫外光的行进方向观察时形成为多边形。具体而言，如图13的(a)所示，能够使用从真空紫外光的行进方向观察时为六边形的掩模200a或者四边形的掩模200b等。掩模200与多边形筒50不同，形成为厚度(真空紫外光的行进方向的厚度)较小的薄板状。通过设置这样的掩模200，晶片w中的各真空紫外光的照射范围成为多边形，也能够使得真空紫外光的照射范围不重叠并抑制产生光照射不到的部分(或者照射强度变弱的部分)。即，利用掩模200，能够提高晶片w的照射面中的光照射分布的均匀性。另外，掩模200如上所述形成为薄板状，因此与设置多边形筒50的情况相比，能够容易在处理室内用真空泵进行排气。由此，能够更加适当地进行处理室内的抽真空。

另外，如图14所示，遮光部可以具有：多边形筒250，其在真空紫外光的行进方向上延伸形成为筒状，并且在氘灯40与晶片w之间设置于靠晶片w的位置(即，靠下方的位置)；和形成为板状的掩模200。多边形筒250例如具有氘灯40与晶片w之间的全长的一半以下的长度。如上所述，多边形筒250与设置在氘灯40和晶片w之间的大致整个区域的多边形筒50(参照图2)相比小型且仅设置在接近晶片w的区域。掩模200设置于多边形筒250的下方，更详细而言，被设置成与多边形筒250的下端接触。掩模200从限定光的照射范围的观点出发可以设置在极接近晶片w的位置，不过从晶片w离开能够由输送臂输送晶片w的程度的距离(例如30mm)。掩模200从真空紫外光的行进方向观察时通过光的区域的大小比多边形筒250小。由此，能够用掩模200适当地限定真空紫外光的照射范围。

此处，对图14的基片处理装置的基本结构进行说明。如图14所示，该基片处理装置包括处理室210和光源室212。处理室210包括壳体214、旋转保持部216、闸阀218和真空泵222。壳体214是例如设置于大气气氛中的真空容器的一部分，能够收纳由未图示的输送机构输送来的晶片w。壳体214呈向上方开口的有底筒状体。在壳体214的壁面设置有贯通孔214a、214c。

旋转保持部216包括旋转部216a、轴216b和保持部216c。旋转部216a基于来自控制器(未图示)的动作信号，使轴216b旋转。旋转部216a例如是电动马达等动力源。保持部216c设置于轴216b的前端部。保持部216c能够以晶片w的姿态大致水平的状态保持晶片w。在保持部216c载置有晶片w的状态下旋转部216a旋转时，晶片w绕与其表面垂直的轴(旋转轴)旋转。

闸阀218配置于壳体214的侧壁的外表面。闸阀218构成为能够基于控制器(未图示)的指示进行动作，对壳体214的贯通孔214a进行封闭和开放。在用闸阀218使贯通孔214a开放的情况下，能够将晶片w送入送出壳体214。即，贯通孔214a也作为晶片w的出入口发挥作用。

真空泵222构成为能够从壳体214内排出气体，使壳体214内成为真空状态(低氧状态)。

光源室212包括壳体224、分隔壁226、开闭部件228和多个氘灯40。

壳体224例如是设置于大气气氛中的真空容器的一部分。壳体224呈向下方开口的有底筒状体。壳体224配置成壳体224的开放端与壳体214的开放端相对。

分隔壁226构成为配置在壳体214、224之间，能够将壳体214内的空间和壳体224内的空间分隔。换言之，分隔壁226作为壳体214的顶壁发挥作用，并且作为壳体224的底壁发挥作用。即，壳体224配置成在与晶片w的表面垂直的方向上与壳体214相邻。由分隔壁226分隔后的壳体224内的空间v，成为垂直方向上的高度比水平方向上的尺寸小的扁平空间。

在分隔壁226设置有多个贯通孔226a。多个贯通孔226a配置成在垂直方向上与开闭部件228重叠。多个贯通孔226a各自由可透射真空紫外光的窗材料填塞。窗材料例如为玻璃(例如氟化镁)。

开闭部件228构成为配置于空间v内，能够将氘灯40照射的真空紫外光遮挡和通过。开闭部件228例如呈圆板状。在开闭部件228设置有多个贯通孔。

通过将上述的多边形筒250和掩模200组合使用，能够用多边形筒250适当地抑制真空紫外光的照射范围重叠，并且用设置于多边形筒250的下方掩的模200适当地限定真空紫外光的照射范围。此外，通过使用掩模200，能够缩短多边形筒250的长度，能够适当地利用真空泵222进行排气而适当地进行处理室210内的抽真空。另外，通过将掩模200设置成与多边形筒250的下端接触，能够抑制从多边形筒250与掩模200之间漏出真空紫外光，适当地抑制真空紫外光的照射范围重叠。此外，也可以仅由设置于下方的小型的多边形筒250(即，不设置掩模200)形成遮光部。

此外，如图15所示，掩模200可以被设置成与多边形筒250的下端隔开间隔。由此，能够容易利用真空泵222进行排气，更适当地利用真空泵222进行抽真空。在图15的结构中，从真空紫外光的行进方向观察时，掩模200与通过多边形筒50的光的区域的大小可以为相同程度。此外，从容易进行抽真空的观点出发，可以在多边形筒50设置一个或者多个孔。

附图标记说明

4…光照射装置；40、40x、40y、40z…氘灯(光照射部)；41…光源；50、50x、50y…多边形筒(遮光部、筒状遮光部件)；60…间隔距离调节部；70…晶片旋转部(基片旋转部)；80…扩散部；200…掩模(遮光部、板状遮光部件)；w…晶片。