一种阵列基板、显示装置及其驱动方法与流程

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示装置及其驱动方法。

背景技术：

液晶显示装置(liquidcrystaldisplay，lcd)具有功耗低、显示效果好等优点而得到广泛的应用。由于液晶本身不发光，因此液晶显示装置还需要光源以显示图像，根据采用光源类型的不同，液晶显示装置可分为透射式液晶显示装置、反射式液晶显示装置和半透半反式液晶显示装置。其中，半透半反式液晶装置兼具透射式液晶显示装置和反射式液晶显示装置的优点。现有技术中，由于反射层和背光源均不透光，实现半透半反的方法是将显示装置的像素一分为二，像素的一半实现透射，另一半实现反射。具体地，如图1、2所示，显示装置包括第一基板1、第二基板2、氧化铟锡(ito)电极3、以及反射层4，图1中，透光区位于像素边缘，不透光区位于像素中间，图2中，不透光区位于像素边缘，透光区位于像素中间，透光区在反射模式下无法进行反射，而不透光区在透射模式无法进行透射，即无论是透射模式还是反射模式，并不能使得整个像素进行透射或反射。综上，现有的半透半反显示装置设置方式，透射率和反射率低。

技术实现要素：

本申请实施例提供了一种阵列基板、显示装置及其驱动方法，用以提高显示产品的出光效率。

本申请实施例提供的一种阵列基板，所述阵列基板的显示区包括：反射层，以及位于所述反射层之上的多个子像素和多个电致发光光源；所述电致发光光源位于所述子像素的间隙处，包括：第一电极，与所述第一电极连接的无机发光功能层，位于所述无机发光功能层之上且与所述无机发光功能层连接的透明电极。

本申请实施例提供的阵列基板，子像素和电致发光光源设置在反射层之上，即反射层整层设置。将本申请实施例提供的阵列基板应用于液晶显示产品，相比于现有技术半透半反式显示产品，在反射模式下，阵列基板中整层设置的反射层作为反射区，相比于现有技术半透半反式显示产品，反射区面积增大，从而可以提高反射效率，进而提高反射模式下的出光效率。由于电致发光光源设置在反射层之上，当电致发光光源工作时，电致发光光源产生的光线大部分直接出射到人眼方向，少部分光线经过反射层的反射可以重新入射到人眼方向，相比于现有技术半透半反式显示产品，可以提高光源工作时的出光效率以及光源利用率。并且，显示产品无需额外设置背光源，从而可以减薄显示产品的厚度。将本申请实施例提供的阵列基板应用于液晶显示产品，由于阵列基板包括电致发光光源，相比于反射式液晶显示产品，增加了显示产品的显示模式，可以提高显示产品的对比度，提升用户体验。

可选地，所述电致发光光源为条状；所述电致发光光源位于相邻两列子像素之间的区域，或位于相邻两行子像素之间的区域。

可选地，还包括：与各行子像素一一对应连接的栅线，与各列子像素一一对应连接的数据线；所述电致发光光源位于所述栅线与未连接的行子像素之间的区域，或者，所述电致发光光源位于所述数据线与未连接的列子像素之间的区域。

电致发光光源位于栅线gate与未连接的行子像素之间的区域，或者，电致发光光源位于数据线source与未连接的列子像素之间的区域，从而可以实现在阵列基板设置光源的同时简化布线难度，并且可以提高阵列基板的空间利用率。

可选地，所述子像素包括：位于不同膜层的像素电极和公共电极；所述像素电极位于上层时，所述第一电极与所述公共电极同层设置，所述透明电极与所述像素电极同层设置，或者，所述公共电极位于上层时，所述第一电极与所述像素电极同层设置，所述透明电极与所述公共电极同层设置。

可选地，所述子像素包括：薄膜晶体管各膜层，以及位于不同膜层的像素电极和公共电极；所述第一电极与所述薄膜晶体管的源极和漏极同层设置；所述透明电极与所述像素电极同层设置，或者，所述透明电极与所述公共电极同层设置。

可选地，所述子像素包括：薄膜晶体管各膜层，以及位于不同膜层的像素电极和公共电极；所述第一电极与所述薄膜晶体管的栅极同层设置；所述透明电极与所述像素电极同层设置，或者，所述透明电极与所述公共电极同层设置。

可选地，所述无机发光功能层包括：绝缘层，位于所述绝缘层之上的半导体层；所述第一电极与所述绝缘层连接，所述透明电极与所述半导体层连接。

可选地，所述阵列基板还包括：衬底基板，以及缓冲层；所述反射层位于所述衬底基板之上，所述缓冲层位于所述反射层与所述子像素之间。

本申请实施例提供的一种显示装置，所述显示装置包括：本申请实施例提供的上述阵列基板，与所述阵列基板相对设置的第一基板，以及位于所述阵列基板和所述第一基板之间的液晶层。

即本申请实施例提供的显示装置为液晶显示装置，且该液晶显示装置无需设置背光源，可以在提高显示装置出光效率的同时，实现显示装置的减薄，提升用户体验。

一种根据本申请实施例提供的显示装置的驱动方法，所述方法包括：

确定所述显示装置的显示模式，所述显示模包括第一模式和第二模式；

当所述显示装置的显示模式为第一模式，控制所述电致发光光源发光；

当所述显示装置的显示模式为第二模式，控制所述电致发光光源不发光。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术提供的一种液晶显示装置的示意图；

图2为现有技术提供的另一种液晶显示装置的示意图；

图3为本申请实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；

图4为本申请实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；

图5为本申请实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；

图6为本申请实施例提供的ic的信号输入端口的示意图；

图7为本申请实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；

图8为本申请实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；

图9为本申请实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；

图10为本申请实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；

图11为本申请实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；

图12为本申请实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；

图13为本申请实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图。

具体实施方式

本申请实施例提供了一种阵列基板，如图3所示，所述阵列基板的显示区包括：反射层4，以及位于所述反射层4之上的多个子像素5和多个电致发光光源6；所述电致发光光源6位于所述子像素5的间隙处7，包括：第一电极8，与所述第一电极8连接的无机发光功能层9，位于所述无机发光功能层9之上且与所述无机发光功能层9连接的透明电极10。

本申请实施例提供的阵列基板，子像素和电致发光光源设置在反射层之上，即反射层整层设置。将本申请实施例提供的阵列基板应用于液晶显示产品，相比于现有技术半透半反式显示产品，在反射模式下，阵列基板中整层设置的反射层作为反射区，相比于现有技术半透半反式显示产品，反射区面积增大，从而可以提高反射效率，进而提高反射模式下的出光效率。由于电致发光光源设置在反射层之上，当电致发光光源工作时，电致发光光源产生的光线大部分直接出射到人眼方向，少部分光线经过反射层的反射可以重新入射到人眼方向，相比于现有技术半透半反式显示产品，可以提高光源工作时的出光效率以及光源利用率。并且，显示产品无需额外设置背光源，从而可以减薄显示产品的厚度。将本申请实施例提供的阵列基板应用于液晶显示产品，由于阵列基板包括电致发光光源，相比于反射式液晶显示产品，增加了显示产品的显示模式，可以提高显示产品的对比度，提升用户体验。

可选地，如图4、5所示，本申请实施例提供阵列基板中，所述电致发光光源6为条状；如图4所示，所述电致发光光源6位于相邻两列子像素之间的区域，或如图5所示，所述电致发光光源6位于相邻两行子像素之间的区域。

可选地，本申请实施例提供的如图4、5所示的阵列基板，还包括：与各行子像素5一一对应连接的栅线gate，与各列子像素一一对应连接的数据线source；如图4所示，所述电致发光光源6位于所述栅线gate与未连接的行子像素5之间的区域，或者，如图5所示，所述电致发光光源6位于所述数据线source与未连接的列子像素之间的区域。

电致发光光源位于栅线gate与未连接的行子像素之间的区域，或者，电致发光光源位于数据线source与未连接的列子像素之间的区域，从而可以实现在阵列基板设置光源的同时简化布线难度，并且可以提高阵列基板的空间利用率。

可选地，电致发光光源通过电极引线与驱动集成电路(ic)。电致发光光源位于数据线source与未连接的列子像素之间的区域时，可选地，电致发光光源与数据线连接同一ic。如图6所示，ic具有多个与引线连接的信号输入端口24(pad)，ic上方的区域25内信号输入端口24为电致发光光源提供信号，ic下方的区域26内信号输入端口24为source提供信号。电致发光光源位于栅线gate与未连接的行子像素之间的区域，若栅线与栅极驱动电路(goa)连接，则可单独设置驱动电致发光光源的ic，若栅线与ic连接，则电致发光光源与栅线连接同一ic。

可选地，所述子像素包括：位于不同膜层的像素电极和公共电极；所述像素电极位于上层时，所述第一电极与所述公共电极同层设置，所述透明电极与所述像素电极同层设置，或者，所述公共电极位于上层时，所述第一电极与所述像素电极同层设置，所述透明电极与所述公共电极同层设置。

本申请实施例提供的阵列基板，第一电极与公共电极同层设置，透明电极与像素电极同层设置，或者，第一电极与像素电极同层设置，透明电极与公共电极同层设置，从而可以实现在阵列基板设置光源的同时简化布线难度，还可以简化阵列基板制备的工艺难度。

所述像素电极位于上层时，如图3所示，子像素包括：像素电极21，公共电极22，薄膜晶体管的栅极15、栅绝缘层16、有源层17、漏极18、源极19、以及保护层20；公共电极22以及电致发光光源6的第一电极8位于栅绝缘层16之上，像素电极21与电致发光光源6的透明电极10位于保护层20之上。在具体实施时，可以将第一电极8与公共电极22同层设置，透明电极10与像素电极21同层设置。

所述公共电极位于上层时，如图7所示，子像素包括：像素电极21，公共电极22，薄膜晶体管的栅极15、栅绝缘层16、有源层17、漏极18、源极19、以及保护层20，像素电极21和公共电极22之间具有绝缘膜层23；像素电极21以及电致发光光源6的第一电极8位于保护层20之上，公共电极22与电致发光光源6的透明电极10位于绝缘膜层23之上。在具体实施时，可以将第一电极8与像素电极21同层设置，透明电极10与公共电极22同层设置。

需要说明的是，像素电极和公共电极一般采用透明材料，例如ito，当第一电极与公共电极同层设置，透明电极与像素电极同层设置，或者第一电极与像素电极同层设置，透明电极与公共电极同层设置时，即电致发光光源的第一电极也为透明电极。

可选地，本申请实施例提供的阵列基板，所述电致发光光源为透明电致发光光源。即第一电极为透明电极，无机发光功能层为透明无机发光功能层。

这样，由于子像素和电致发光光源设置在反射层之上，即反射层整层设置在电致发光光源下方，在反射模式下，电致发光光源在不工作时成透明状态，不会阻挡入射光线和反射光线，反射层可以反射入射进显示产品的全部光线，从而可以实现全反射模式。

需要说明的是，即便电致发光光源不是透明光源，在反射模式下，即便入射进显示产品的光线被反射层反射至电致发光光源区域，由于阵列基板中整层设置的反射层作为反射区，光线依然可以反射至反射层再出射，相比于现有技术半透半反式显示产品，相比于现有技术半透半反式显示产品，反射区面积依然增大，从而可以提高反射效率，进而提高反射模式下的出光效率。

可选地，所述子像素包括：薄膜晶体管各膜层，以及位于不同膜层的像素电极和公共电极；所述第一电极与所述薄膜晶体管的源极和漏极同层设置；所述透明电极与所述像素电极同层设置，或者，所述透明电极与所述公共电极同层设置。

本申请实施例提供的阵列基板，所述第一电极与所述薄膜晶体管的源极和漏极同层设置，所述透明电极与所述像素电极同层设置，或者，所述透明电极与所述公共电极同层设置，从而可以实现在阵列基板设置光源的同时简化布线难度，还可以简化阵列基板制备的工艺难度。

所述像素电极位于上层时，对于本申请实施例提供的如图3所示的阵列基板，还可以将第一电极8与源极19和漏极18同层设置，透明电极10与像素电极21同层设置。

所述公共电极位于上层时，如图8所示，子像素包括：薄膜晶体管的栅极15、栅绝缘层16、有源层17、漏极18、源极19、以及保护层20，像素电极21，绝缘膜层23，公共电极22；电致发光光源6的第一电极8位于栅绝缘层16之上，像素电极21与电致发光光源6的透明电极10位于保护层20之上。在具体实施时，可以将第一电极8与源极19和漏极18同层设置，透明电极10与像素电极21同层设置。当然，也可以是如图9所示，将第一电极8与源极19和漏极18同层设置，透明电极10与公共电极22同层设置。

当然，在不考虑增加工艺难度的情况下，图3、7、8中的第一电极和透明电极也可以采用额外工艺流程进行设置。

可选地，所述子像素包括：薄膜晶体管各膜层，以及位于不同膜层的像素电极和公共电极；所述第一电极与所述薄膜晶体管的栅极同层设置；所述透明电极与所述像素电极同层设置，或者，所述透明电极与所述公共电极同层设置。

所述像素电极位于上层时，如图10所示，反射层4与子像素之间还包括缓冲层14，子像素包括：像素电极21，公共电极22，薄膜晶体管的栅极15、栅绝缘层16、有源层17、漏极18、源极19、以及保护层20；第一电极8位于缓冲层14之上，公共电极22以及电致发光光源6的透明电极10位于栅绝缘层16之上。具体实施时，可以将第一电极8与所述薄膜晶体管的栅极15同层设置；所述透明电极与所述像素电极同层设置。当然，也可以是如图11所示，第一电极8位于缓冲层14之上，透明电极10与像素电极21位于保护层20之上，第一电极8与所述薄膜晶体管的栅极15同层设置，透明电极与像素电极同层设置。

所述公共电极位于上层时，如图12所示，反射层4与子像素之间还包括缓冲层14，子像素包括：像素电极21，公共电极22，薄膜晶体管的栅极15、栅绝缘层16、有源层17、漏极18、源极19、以及保护层20；第一电极8位于缓冲层14之上，公共电极22以及电致发光光源6的透明电极10位于栅绝缘层16之上。具体实施时，可以将第一电极8与所述薄膜晶体管的栅极15同层设置；所述透明电极10与所述像素电极21同层设置。当然，也可以是如图13所示，第一电极8与所述薄膜晶体管的栅极15同层设置，透明电极10与公共电极22同层设置。

当然，在不考虑增加工艺难度的情况下，图10～13中的第一电极和透明电极也可以采用额外工艺流程进行设置。

需要说明的是，本申请实施例提供的如图3、7-13所示的阵列基板，可以是图4中沿aa’的截面图，也可以是图5中沿bb’的截面图。

可选地，本申请实施例提供的如图3、7-13所示的阵列基板，所述无机发光功能层9包括：绝缘层11，位于所述绝缘层11之上的半导体层12；所述第一电极8与所述绝缘层11连接，所述透明电极10与所述半导体层12连接。

可选地，所述导体层的材料为氧化硅(sio2)，所述绝缘层的材料为硒化钼(mose2)。

可选地，无机发光功能层与第一电极层接触但无交叠。本申请实施例提供的如图3、7-13所示的阵列基板，无机发光层9与第一电极层8位于同一膜层之上，这样可以简化布线难度以及阵列基板制备工艺难度。

可选地，本申请实施例提供的如图3、7-13所示的阵列基板，所述阵列基板还包括：衬底基板13，以及缓冲层14；所述反射层4位于所述衬底基板13之上，所述缓冲层14位于所述反射层4与所述子像素之间。

可选地，所述电致发光光源与所述子像素一一对应。

这样相当于每个子像素都设置有光源，可以实现均匀发光。

本申请实施例提供的一种显示装置，所述显示装置包括：本申请实施例提供的上述阵列基板，与所述阵列基板相对设置的第一基板，以及位于所述阵列基板和所述第一基板之间的液晶层。

即本申请实施例提供的显示装置为液晶显示装置，且该液晶显示装置无需设置背光源，可以在提高显示装置出光效率的同时，实现显示装置的减薄，提升用户体验。

一种根据本申请实施例提供的显示装置的驱动方法，所述方法包括：

确定所述显示装置的显示模式，所述显示模包括第一模式和第二模式；

当所述显示装置的显示模式为第一模式，控制所述电致发光光源发光；

当所述显示装置的显示模式为第二模式，控制所述电致发光光源不发光。

第一模式下电致发光光源作为显示光源，电致发光光源产生的光线大部分直接出射到人眼方向，少部分光线经过反射层反射重新入射到人眼方向，从而可以提高光源工作模式下的光源的利用率；第二模式下，电致发光光源不工作，整层设置的反射层对入射进显示装置的光线进行反射。若电致发光光源为透明电致发光光源，则电致发光光源在不工作时成透明状态，不会阻挡入射光线和反射光线，反射层可以反射入射进显示装置的全部光线，从而可以实现全反射模式。

可选地，控制所述电致发光光源发光具体包括：为所述电致发光光源提供交流信号。这样在电致发光光源中正负电流不断切换，正负电荷在无机发光功能层中不断产生和积累，最终在无机发光功能层产生光线。具体的，若第一电极与公共电极同层设置，可以对第一电极施加公共电压信号，对透明电极施加交流电压信号。

综上所述，本申请实施例提供的阵列基板、显示装置及其驱动方法，本申请实施例提供的阵列基板，子像素和电致发光光源设置在反射层之上，即反射层整层设置。将本申请实施例提供的阵列基板应用于液晶显示产品，相比于现有技术半透半反式显示产品，在反射模式下，阵列基板中整层设置的反射层作为反射区，相比于现有技术半透半反式显示产品，反射区面积增大，从而可以提高反射效率，进而提高反射模式下的出光效率。由于电致发光光源设置在反射层之上，当电致发光光源工作时，电致发光光源产生的光线大部分直接出射到人眼方向，少部分光线经过反射层的反射可以重新入射到人眼方向，相比于现有技术半透半反式显示产品，可以提高光源工作时的出光效率以及光源利用率。并且，显示产品无需额外设置背光源，从而可以减薄显示产品的厚度。将本申请实施例提供的阵列基板应用于液晶显示产品，由于阵列基板包括电致发光光源，相比于反射式液晶显示产品，增加了显示产品的显示模式，可以提高显示产品的对比度，提升用户体验。

显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。