用于极紫外线微影术的光罩的制作方法

本揭示内容是关于一种用于极紫外线微影术的光罩。

背景技术：

光微影操作为半导体制造制程中的关键操作中的一种。光微影技术包括紫外线微影术、深紫外线微影术及极紫外线微影术(extremeultravioletlithography,euvl)。光罩为光微影操作中的重要部件。制造无缺陷的euv光罩是关键的。

技术实现要素：

根据本申请案的一个态样，一种用于极紫外线(euv)微影术的光罩包括基板，基板具有前表面及与前表面相对的后表面；多层mo/si堆叠，多层mo/si堆叠安置在基板的前表面上；封盖层，封盖层安置在多层mo/si堆叠上；吸收层，吸收层安置在封盖层上；以及背侧导电层，背侧导电层安置在基板的后表面上。背侧导电层由硼化钽制成。

附图说明

当结合附图阅读时得以自以下详细描述最佳地理解本揭示案。应强调，根据行业中的标准实务，各种特征未按比例绘制并仅用于说明目的。实际上，为了论述清楚可任意地增大或减小各种特征的尺寸。

图1a及图1b图示根据本揭示案的一个实施例的euv光罩坯料；

图2a、图2b、图2c、图2d、图2e、图2f及图2g示意性地图示根据本揭示案的实施例的用于制造euv光罩的方法；

图3图示根据本揭示案的一个实施例的euv光罩的蚀刻操作的示意图；

图4图示根据本揭示案的另一实施例的euv光罩的蚀刻操作的示意图；

图5图示根据本揭示案的另一实施例的euv光罩的蚀刻操作的示意图；

图6图示根据本揭示案的另一实施例的euv光罩的蚀刻操作的示意图；

图7图示根据本揭示案的实施例的线形突起或线形o形环；

图8图示经由装载闸腔室将待蚀刻的euv光罩装载至蚀刻腔室中的操作。

【符号说明】

5euv光罩坯料

10基板

15多层mo/si堆叠

20封盖层

25吸收层

30硬遮罩层

35第一光阻剂层

40图案

41图案

42图案

45背侧导电层

50图案

51图案

55第二光阻剂层

200台

210基座

220捕捉环

222第一部分/平坦部分

225突起

227o形环

230阴极

235突节

具体实施方式

应理解，以下揭示内容提供了用于实施本发明的不同特征的许多不同实施例或实例。以下描述部件及布置的特定实施例或实例以简化本揭示案。当然，此些仅为实例且并不意欲为限制性的。举例而言，元件的尺寸并不限于所揭示的范围或值，而是可取决于制程条件及/或装置的所需性质而定。此外，在如下描述中第一特征在第二特征上方或之上形成可包括第一特征及第二特征形成为直接接触的实施例，且亦可包括额外特征可形成为插入第一特征及第二特征而使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。为了简化及清楚，可以不同比例任意地绘制各种特征。

另外，为了描述简单起见，可在本文中使用诸如“在……之下”、“低于”、“下部”、“在……上方”、“上部”以及其类似术语的空间相对术语，以描述如诸图中所图示的一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。除了诸图中所描绘的定向以外，该等空间相对术语意欲亦涵盖装置在使用中或操作中的不同定向。装置可以其他方式定向(旋转90度或以其他定向)，且可同样相应地解释本文中所使用的空间相对描述词。另外，术语“由……制成”可意谓“包括”或“由……组成”。在本揭示案中，用语“a、b及c中的一者”意谓“a、b及/或c(a、b、c、a及b、a及c、b及c，或a、b及c)”，且不意谓来自a的一个元件、来自b的一个元件以及来自c的一个元件，除非另外描述。

本揭示案的实施例提供一种制造euv光罩的方法。更特定而言，本揭示案提供用以防止或抑制对euv光罩的背侧导电层的损坏的技术。

euv微影术(euvlithography,euvl)采用使用极紫外线(extremeultraviolet,euv)区中的光的扫描器，该光的波长为约1nm至约100nm(例如，13.5nm)。遮罩为euvl系统的关键部件。因为光学材料为不透euv辐射的，所以euv光罩为反射性遮罩。euv光罩需要极低的表面粗糙度且必须无可辨析的缺陷。

具有用于euv微影术的电路图案的euv光罩需要各种蚀刻操作，诸如电浆干式蚀刻。将待蚀刻的euv光罩置放在电浆蚀刻腔室中的遮罩台上。在一些实施例中，遮罩台包括电动卡盘机构以在电浆蚀刻期间保持euv光罩。euv光罩包括相对于电动卡盘机构的背侧导电层。然而，当euv光罩与台之间存在大缝隙时，电浆的活性物质可扩散至euv光罩的底部部分，从而导致对euv光罩的背侧导电层的损坏。对背侧导电层的损坏可引起各种问题，诸如在导电膜的边缘处产生粒子及/或树状侵蚀。背侧导电层中的此些粒子及/或缺陷可导致不充分卡紧及/或euv光罩的前侧上的电路图案上的缺陷。

本揭示案提供用以防止或抑制在电浆蚀刻期间由电浆的活性物质所引起的对euv光罩的背侧导电层的损坏的技术。

图1a及图1b图示根据本揭示案的实施例的euv光罩坯料。图1a为横截面图且图1b为自euv光罩的背侧观察的平面图。

在一些实施例中，具有电路图案的euv光罩由euv光罩坯料5形成。euv光罩坯料5包括基板10、硅及钼的多个交替层的多层mo/si堆叠15、封盖层20、吸收层25及硬遮罩层30。另外，如图1a中所图示，背侧导电层45形成于基板10的背侧上。

在一些实施例中，基板10由低热膨胀材料形成。在一些实施例中，基板为低热膨胀玻璃或石英，诸如，熔融二氧化硅或熔融石英。在一些实施例中，低热膨胀玻璃基板透射可见波长的光、可见光谱附近(近红外)的红外线波长的部分及紫外线波长的部分。在一些实施例中，低热膨胀玻璃基板吸收极紫外线波长以及极紫外线附近的深紫外线波长。在一些实施例中，基板10的大小为152mm×152mm，具有约20mm的厚度。

在一些实施例中，mo/si多层堆叠15包括自硅及钼中每一者的约30个交替层至硅及钼中每一者的约60个交替层。在某些实施例中，形成自约40个至约50个硅及钼中每一者的交替层。在一些实施例中，对于所关注波长(例如，13.5nm)而言，反射率高于约70％。在一些实施例中，通过化学气相沉积(chemicalvapordeposition,cvd)、电浆增强cvd(plasma-enhancedcvd,pecvd)、原子层沉积(atomiclayerdeposition,ald)、物理气相沉积(physicalvapordeposition,pvd)(溅射)或任何其他合适的形成方法来形成硅及钼层。硅及钼的每一层为约2nm至约10nm厚。在一些实施例中，硅及钼的层为约相同的厚度。在其他实施例中，硅及钼的层为不同厚度。在一些实施例中，硅及钼的每一层的厚度为约3nm至约4nm。

在其他实施例中，多层堆叠15包括交替的钼层及铍层。在一些实施例中，多层堆叠15中的层数目在自约20个至约100个的范围中，但只要维持足够反射率以使靶基板成像，则允许任一数目的层。在一些实施例中，对于所关注波长(例如，13.5nm)而言，反射率高于约70％。在一些实施例中，多层堆叠15包括约30个至约60个mo及be的交替层。在本揭示案的其他实施例中，多层堆叠15包括约40个至约50个mo及be的交替层。

在一些实施例中，将封盖层20安置在mo/si多层15之上以防止多层堆叠15的氧化。在一些实施例中，封盖层20由钌制成，具有自约2nm至约10nm的厚度。在某些实施例中，封盖层20的厚度为自约2nm至约4nm。在一些实施例中，通过化学气相沉积、电浆增强化学气相沉积、原子层沉积、物理气相沉积或任何其他合适的膜形成方法来形成封盖层20。在其他实施例中，将si层用作封盖层20。

将吸收层25安置在封盖层20之上。在一些实施例中，吸收层25为ta基材料。在一些实施例中，吸收层25由tan、tao或tabn制成，具有自约25nm至约100nm的厚度。在某些实施例中，吸收层25的厚度范围为自约50nm至约75nm。在一些实施例中，通过化学气相沉积、电浆增强化学气相沉积、原子层沉积、物理气相沉积或任何其他合适的膜形成方法来形成吸收层25。

在一些实施例中，可选地将抗反射层(未图示)安置在吸收层25之上。在一些实施例中，该抗反射层由氧化硅制成，且具有自约2nm至约10nm的厚度。在其他实施例中，将具有自约12nm至约18nm的范围中的厚度的tabo层用作抗反射层。在一些实施例中，抗反射层20的厚度为自约3nm至约6nm。在一些实施例中，通过化学气相沉积、电浆增强化学气相沉积、原子层沉积、物理气相沉积或任何其他合适的膜形成方法来形成抗反射层。

在一些实施例中，将硬遮罩层30安置在吸收层25之上。在一些实施例中，硬遮罩层30是形成在抗反射层之上。在一些实施例中，硬遮罩层30由硅、硅基化合物、铬或铬基化合物制成，具有约4nm至约20nm的厚度。在一些实施例中，铬基化合物包括cron、氧化铬及/或氮化铬。在一些实施例中，通过化学气相沉积、电浆增强化学气相沉积、原子层沉积、物理气相沉积或任何其他合适的膜形成方法来形成硬遮罩层30。在其他实施例中，将tao、tan、ru、rub、rub、tab、tabn或tabo用作硬遮罩层30。

在一些实施例中，将背侧导电层45安置在与基板10的第一主表面相对的基板10的第二主表面上，在基板10的第一主表面上形成有mo/si多层15。在一些实施例中，背侧导电层45由tab(硼化钽)或其他基于ta的导电材料制成。

目前，已将cr基导电材料(crn或cron)用于背侧导电层。与cr基导电材料相比，tab具有较低的薄层电阻(较高电导率)及较平坦的表面，而tab具有类似于crn的足够刚度。在一些实施例中，背侧导电层45的薄层电阻等于或小于20ω/□。在某些实施例中，背侧导电层45的薄层电阻等于或大于0.1ω/□。在一些实施例中，背侧导电层45的表面粗糙度ra等于或小于0.25nm。在某些实施例中，背侧导电层45的表面粗糙度ra等于或大于0.05nm。另外，在一些实施例中，背侧导电层45的平坦度等于或小于50nm(在euv光罩内)。在一些实施例中，背侧导电层45的平坦度大于1nm。

在一些实施例中，硼化钽为晶体。结晶硼化钽包括tab、ta5b6、ta3b4及tab2。在某些实施例中，背侧导电层45为tab晶体。在其他实施例中，钽体为多晶体或非晶态的。

在一些实施例中，背侧导电层的厚度在自约50nm至约400nm的范围中。在其他实施例中，背侧导电层45具有约50nm至约100nm的厚度。在某些实施例中，该厚度在自约65nm至约75nm的范围中。

在一些实施例中，通过大气压化学气相沉积(cvd)、低压cvd、电浆增强cvd、激光增强cvd、原子层沉积(ald)、分子束磊晶(molecularbeamepitaxy,mbe)、物理气相沉积(包括热沉积、脉冲激光沉积、电子束蒸发、离子束辅助蒸发及溅射)或任何其他合适的膜形成方法来形成背侧导电层45。在cvd的情况下，在一些实施例中，源气体包括tacl5及bcl3。

在一些实施例中，背侧导电层45的面积小于基板的面积，且基板10的第二主表面的周边部分被暴露(未被背侧导电层45覆盖)，如图1b中所示。当基板10为6吋基板时(亦即，152mm×152mm)，在一些实施例中背侧导电层45的大小大于142mm×142mm且小于150mm×150mm。在其他实施例中，背侧导电层45的大小大于142mm×142mm且小于148mm×148mm。在一些实施例中，背侧导电层45的形状为正方形或矩形。在一些实施例中，当背侧导电层45的形状在交叉方向上(例如，垂直)具有第一侧lx及第二侧ly时，0.98≤lx/ly≤1.02。在一些实施例中，142mm<lx<150mm且142mm<ly<150mm，且在其他实施例中，144mm<lx<148mm且144mm<ly<148mm。在一些实施例中，背侧导电层45的侧lx或ly与基板10的一个侧的比率为自约0.93至约0.99。

在一些实施例中，自基板10的边缘至背侧导电层45的边缘(在该等边缘的中心处)的距离d1在自约1mm至约5mm的范围中，且在其他实施例中是在自约2mm至约4mm的范围中。在一些实施例中，切割背侧导电层45的拐角以形成八边形形状。如以下所解释，背侧导电层45将与电动卡紧机构的突节接触。在其他实施例中，仅将euv光罩置放在遮罩台的阴极上。在一些实施例中，突节布置的最大面积为约142mm×142mm，且因此背侧导电层45的面积大于142mm×142mm。

在其他实施例中，使用不同大小的基板。当基板10为5吋基板时(亦即，126.6mm×126.6mm)，在一些实施例中背侧导电层45的大小大于120mm×120mm且小于125mm×125mm，且在其他实施例中大于122mm×122mm且小于123.5mm×123.5mm。当基板10为7吋基板时(亦即，177.4mm×177.4mm)，在一些实施例中背侧导电层45的大小大于170mm×170mm且小于175mm×175mm，且在其他实施例中大于172mm×172mm且小于173.5mm×173.5mm。

在一些实施例中，使tab背侧导电层45形成在基板10的整个后表面上，且移除背侧导电层45的边缘部分以部分地暴露基板10的后表面。通过使用一或多种微影术及蚀刻操作来移除背侧导电层45。在其他实施例中，基板10的后表面的边缘部分被(例如)具有开口的硬盖覆盖，且经由硬盖的开口将用于tab的溅射材料沉积在基板10的后表面上。

图2a至图2g示意性地图示制造用在极紫外线微影术(euvl)中的euv光罩5的方法。应理解，可在图2a至图2g中所示的制程之前、期间以及之后提供额外操作，且可替代或消除以下所述的操作中的一些而获得该方法的额外实施例。操作/制程的次序可互换。

在euv光罩5的制造中，在euv光罩坯料的硬遮罩层30之上形成第一光阻剂层35，且将光阻剂层35选择性地暴露于光化辐射。在形成第一光阻剂层35之前，对ev光罩坯料进行检查。使选择性暴露的第一光阻剂层35显影，以在第一光阻剂层35中形成图案40。在一些实施例中，该光化辐射为电子束或离子束。在一些实施例中，图案40对应于半导体装置特征的图案，在后续操作中将使用euv光罩5来形成该图案。

接下来，如图2b中所示，将第一光阻剂层35中的图案40延伸至硬遮罩层30中，从而在硬遮罩层30中形成图案41，该图案41暴露了吸收层25的部分。在一些实施例中，通过使用对硬遮罩层30具有选择性的合适湿式蚀刻剂或干式蚀刻剂进行蚀刻而形成延伸至硬遮罩层30中的图案41。在通过硬遮罩层30形成图案41之后，通过光阻剂剥离器移除第一光阻剂层35，以暴露硬遮罩层30的上部表面，如图2c中所示。

接着，将硬遮罩层30中的图案41延伸至吸收层25中，从而在吸收层25中形成图案42，该图案42暴露了封盖层20的部分，如图2d中所示。在一些实施例中，通过使用对吸收层25具有选择性的合适湿式蚀刻剂或干式蚀刻剂进行蚀刻而形成延伸至吸收层25中的图案42。在一些实施例中，使用电浆干式蚀刻。

如图2e中所示，在吸收层25上方形成第二光阻剂层55，以填充吸收层25中的图案42。将第二光阻剂层55选择性地暴露于光化辐射，诸如，电子束或uv辐射。使选择性暴露的第二光阻剂层55显影，以在第二光阻剂层55中形成图案50。图案50对应于环绕电路图案的黑色边框。黑色边框为通过移除电路图案区域周围的区域中的euv光罩上的所有多层而创建的框架形区域。其经创建以防止在将euv光罩列印于晶圆上时相邻场的曝光。在一些实施例中，黑色边框的宽度在自约1mm至约5mm的范围中。

接下来，将第二光阻剂层55中的图案50延伸至吸收层25、封盖层20及mo/si多层15中，从而在吸收层25、封盖层20及mo/si多层15中形成图案51，该图案51暴露了基板10的部分，如图2f中所示。在一些实施例中，通过使用对经蚀刻的层中每一者具有选择性的一或多种合适的湿式蚀刻剂或干式蚀刻剂进行蚀刻而形成图案51。在一些实施例中，使用电浆干式蚀刻。

接着，通过合适的光阻剂剥离器移除第二光阻剂层55，以暴露吸收层25的上部表面。在本揭示案的一些实施例中，吸收层25、封盖层20及mo/si多层15中的图案51限定了光罩5的黑色边框，如图2g中所示。在移除第二光阻剂层之后，光罩5经历清洁操作、检查，且视情况修复光罩5以提供完成的光罩5。

如所阐述，在制造euv光罩中存在各种蚀刻(电浆蚀刻)操作。

图3图示根据本揭示案的一个实施例的euv光罩的蚀刻操作的示意图。

在一些实施例中，蚀刻装置的台200包括由基座210支撑的捕捉环(capturering)220。另外，在一些实施例中，蚀刻装置包括电动卡盘机构，该电动卡盘机构包括阴极230，该阴极230具有突节235以保持euv光罩。将台200、基座210及阴极230安置在电浆蚀刻腔室内部。

当euv光罩5被传送至蚀刻腔室时，euv光罩5被置放在阴极230的突节235上，该等突节235在平面图中呈矩阵布置。图3图示当将euv光罩5置放在突节235上时的状态。在一些实施例中，背侧导电层45的底部的层级与捕捉环220的平坦部分222的上部表面之间的距离h1在自约0.5mm至1.5mm的范围中。由于自基板10的边缘至背侧导电层45的边缘的距离d1被设定得长(例如，在自约1mm至约5mm的范围中或在自约2mm至约4mm的范围中)，所以电浆pl的活性物质不到达背侧导电层45。在一些实施例中，当距离d1等于或大于3mm时，背侧导电层45大体上不受电浆的活性物质引起的损坏。

图4图示根据本揭示案的一个实施例的euv光罩的蚀刻操作的示意图。

在此实施例中，电动卡盘机构的台200及/或阴极230经配置而使得当euv光罩5被置放在电动卡盘机构的阴极230的突节235上时，背侧导电层45的底部的层级被定位为低于在台200的平坦部分222的上部表面。在一些实施例中，平坦部分222与基板10的底部之间的高度差h1在自约0nm(接触)至约100nm的范围中。根据此配置，可以防止在电浆蚀刻期间电浆pl的活性物质进入euv光罩5的背部。因此，可以防止对背侧导电层45的损坏。在一些实施例中，背侧导电层45的底部的层级比台200的上部表面平坦部分222低高度h3，如图4中所示。在一些实施例中，高度h3在自约0nm(共面)至约100nm的范围中，且在其他实施例中，h3在自约10nm至约50nm的范围中。在一些实施例中，捕捉环220的平坦部分222在基板10下方延伸，使得平坦部分222与euv光罩5重叠宽度w1。在一些实施例中，宽度w1在自约0nm(不重叠)至约50nm的范围中，且在其他实施例中，w1在自约10nm至约30nm的范围中。

图5图示根据本揭示案的一个实施例的euv光罩的蚀刻操作的示意图，用以在电浆蚀刻期间防止电浆的活性物质进入euv光罩的底部部分。

在一些实施例中，台200的捕捉环220的平坦部分222具有突起225，使得当euv光罩5被置放在电动卡盘机构的阴极230的突节235上时，基板10的底表面与捕捉环220的突起225接触，如图5中所示。在一些实施例中，在基板10的底表面与突起225之间存在小的缝隙。在某些实施例中，该缝隙在自约0mm至约0.1mm的范围中。

在一些实施例中，突起225为线形图案且沿着平坦部分222的整个周边形成。在其他实施例中，沿着平坦部分222的周边离散地设置多个突起225。在一些实施例中，突起225的突出量在自约0.1mm至约1.0mm的范围中。当使用突起225时，可以在euv光罩5的基板10与平坦部分222接触时，最小化捕捉环220的平坦部分222与euv光罩5的基板10的底表面的接触面积。在其他实施例中，在突起225与euv光罩5的基板10的底表面之间存在缝隙。在某些实施例中，该缝隙在自约0mm至约0.1mm的范围中。通过使用台200的平坦部分222上的突起225，可以在电浆蚀刻期间防止电浆pl的活性物质进入euv光罩5的背部。因此，可以防止对背侧导电层45的损坏。

图6图示根据本揭示案的一个实施例的euv光罩的蚀刻操作的示意图，用以防止在电浆蚀刻期间电浆的活性物质进入euv光罩的底部部分。

在此实施例中，替代于图5中所示的突起225，使用嵌入于形成在台200的捕捉环220的平坦部分222上的槽中的o形环227来与euv光罩5的基板10的底表面接触。o形环227由可挠性材料制成，此可挠性材料为例如但不限于橡胶(例如，丁二烯橡胶、丁基橡胶、乙烯丙烯二烯单体橡胶或丁腈橡胶)、聚四氟乙烯(ptfe)、全氟弹性体或硅树脂。类似于线形突起225，使用o形环227可最小化台200的平坦部分222与euv光罩5的基板10的底表面的接触面积。在一些实施例中，o形环的尺寸在自约1mm至约5mm的范围中。通过使用台200的平坦部分222上的o形环227，可以在电浆蚀刻期间防止电浆pl的活性物质进入euv光罩5的背部。因此，可以防止对背侧导电层45的损坏。

图7为图示根据本揭示案的实施例的线形突起225或线形o形环227的台平面图。

图8图示经由装载闸腔室将待蚀刻的euv光罩5装载至蚀刻腔室中的操作。在一些实施例中，待经受电浆蚀刻的euv光罩5被储存在smif(标准机械介面)舱中并由smif舱载运至蚀刻装置。将euv光罩5自smif舱传送至蚀刻装置的装载闸腔室。接着，将euv光罩5自装载闸腔室传送至蚀刻腔室，如图8中所示。在蚀刻腔室中，将euv光罩5置放在电动卡盘的阴极230的突节235上。在完成蚀刻操作之后，将euv光罩5自蚀刻腔室传送至装载闸腔室，且接着自装载闸腔室卸载至smif舱以进行下一操作，诸如，清洁。

应理解，未必已在本文中论述了所有优势，无特定优势为所有实施例或实例所必需的，且其他实施例或实例可提供不同优势。

举例而言，通过使用tab背侧导电层，可以获得适合于电动卡紧机构的较高的电性质和机械性质。另外，通过调整背侧导电层的大小(面积)，可以防止或抑制在电浆蚀刻期间由电浆的活性物质所引起的对背侧导电层的损坏。另外，通过使基板的底表面与台的捕捉环的平坦部分接触或将其紧密地定位，可以防止在电浆蚀刻期间电浆的活性物质进入euv光罩的背部。因此，可以防止对背侧导电层的损坏并防止粒子的产生或电动基板卡紧机构的不安全卡紧。

根据本申请案的一个态样，一种用于极紫外线(euv)微影术的光罩包括基板，基板具有前表面及与前表面相对的后表面；多层mo/si堆叠，多层mo/si堆叠安置在基板的前表面上；封盖层，封盖层安置在多层mo/si堆叠上；吸收层，吸收层安置在封盖层上；以及背侧导电层，背侧导电层安置在基板的后表面上。背侧导电层由硼化钽制成。在前述及以下实施例中的一或多者中，背侧导电层的厚度在自50nm至400nm的范围中。在前述及以下实施例中的一或多者中，背侧导电层的厚度在自50nm至100nm的范围中。在前述及以下实施例中的一或多者中，背侧导电层的薄层电阻等于或小于20ω/□。在前述及以下实施例中的一或多者中，背侧导电层的表面粗糙度ra等于或小于0.25nm。在前述及以下实施例中的一或多者中，背侧导电层的平坦度等于或小于50nm。在前述及以下实施例中的一或多者中，背侧导电层具有矩形形状，矩形形状具有第一侧及与第一侧交叉的第二侧，且第一侧的长度lx及第二侧的长度ly满足142mm<lx<150mm且142mm<ly<150mm。在前述及以下实施例中的一或多者中，144mm<lx<148mm且144mm<ly<148mm。在前述及以下实施例中的一或多者中，0.98≤lx/ly≤1.02。在前述及以下实施例中的一或多者中，光罩进一步包括安置在吸收层上的硬遮罩层。

根据本揭示案的另一态样，一种用于极紫外线(euv)微影术的光罩包括基板，基板具有一前表面及与前表面相对的后表面；多层mo/si堆叠，多层mo/si堆叠安置在基板的前表面上；封盖层，封盖层安置在多层mo/si堆叠上；吸收层，吸收层安置在封盖层上；以及背侧导电层，背侧导电层安置在基板的后表面上。背侧导电层具有矩形形状，矩形形状具有第一侧及与第一侧交叉的第二侧，且第一侧的长度lx及第二侧的长度ly满足142mm<lx<150mm且142mm<ly<150mm。在前述及以下实施例中的一或多者中，144mm<lx<148mm且144mm<ly<148mm。在前述及以下实施例中的一或多者中，0.98≤lx/ly≤1.02。在前述及以下实施例中的一或多者中，光罩进一步包括安置在吸收层上的硬遮罩层。

根据本揭示案的另一态样，在一种制造用于极紫外线(euv)微影术的光罩的方法中，在基板的前表面上形成多层mo/si堆叠。在多层mo/si堆叠上形成封盖层。在封盖层上形成吸收层。在基板的与前表面相对的后表面上形成背侧导电层。背侧导电层由硼化钽制成。在前述及以下实施例中的一或多者中，背侧导电层的厚度在自50nm至400nm的范围中。在前述及以下实施例中的一或多者中，背侧导电层的厚度在自50nm至100nm的范围中。在前述及以下实施例中的一或多者中，背侧导电层的薄层电阻等于或小于20ω/□。在前述及以下实施例中的一或多者中，背侧导电层的表面粗糙度ra等于或小于0.25nm。在前述及以下实施例中的一或多者中，背侧导电层的平坦度等于或小于50nm。

前文概述了若干实施例或实例的特征，使得熟悉此项技艺者可较佳理解本揭示案的态样。熟悉此项技艺者应了解，他们可容易地使用本揭示案作为设计或修改用于实现相同目的及/或达成本文中所介绍的实施例或实例的相同优势的其它制程及结构的基础。熟悉此项技艺者亦应认识到，此等等效构造不脱离本揭示案的精神及范畴，且他们可在不脱离本揭示案的精神及范畴的情况下于本文中进行各种改变、代替及替换。