具有光子集成电路(PIC)芯片的半导体封装的制作方法

相关申请案的交叉参考

本申请案含有与奥马尔j.贝希尔(omarj.bchir)的标题为“具有电光衬底的半导体装置(semiconductordeviceshavingelectro-opticalsubstrates)”的同时申请的美国专利申请案相关的标的物。所述相关申请案的揭示内容以引用方式并入本文中。

本发明一般来说涉及具有光学接口的半导体封装，且更特定来说涉及包含电耦合到一或多个存储器裸片的光子集成电路(pic)芯片的存储器封装。

背景技术：

存储器封装或模块通常包含安装在衬底上的多个存储器装置。存储器装置广泛用于存储与各种电子装置(例如，计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等等)相关的信息。信息是通过将存储器单元的不同状态编程来存储。存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)及其它。

在一些例子中，例如在数据中心或高性能计算机中，许多存储器封装操作地耦合在一起(例如，在服务器机架中)。更具体来说，个别存储器封装可经由导电(例如，铜)电缆或迹线电耦合在一起。在一些例子中，导电电缆或迹线进一步耦合到将电信号转换成光学信号的光学收发器，光学信号可以高速度及带宽(举例来说)在数据中心中的不同位置之间路由。此些光学收发器可相对昂贵。然而，在高数据带宽下，导电电缆或迹线中的电信号可仅传播小距离(例如，小于1米)直到需要额外中继器芯片以提升信号。此些中继器芯片消耗额外电力—增加操作数据中心、高性能计算机或包含许多互连存储器封装的其它装置的成本。

技术实现要素：

在一个方面中，本申请案提供一种半导体封装，其包括：衬底；半导体裸片，其耦合到所述衬底；第一光子集成电路(pic)芯片，其耦合到所述衬底且电耦合到所述半导体裸片；光源，其电耦合到所述半导体裸片；及第二pic芯片，其耦合到所述衬底且光学耦合到所述光源；第一光纤，其光学耦合到所述第一pic芯片；及第二光纤，其光学耦合到所述第二pic芯片。

在另一方面中，本申请案进一步提供一种存储器封装，其包括：衬底；多个存储器，其耦合到所述衬底；及多个光纤，其中至少一个光纤光学耦合到所述存储器中的个别者，且其中所述存储器经配置以(a)经由所述光纤接收光学信号，(b)经由所述光纤发射光学信号，或(c)经由所述光纤既接收又发射光学信号。

在又一方面中，本申请案进一步提供一种半导体封装，其包括：衬底；半导体裸片堆叠，其耦合到所述衬底；多个第一光子集成电路(pic)芯片，其耦合到所述衬底，其中所述半导体裸片中的个别者电耦合到至少一个第一pic芯片，且其中所述第一pic芯片经配置以(a)从所述半导体封装外部接收第一光学信号，(b)将所述第一光学信号转换成第一电信号，及(c)将所述第一电信号发射到所述半导体裸片；及多个第二pic芯片，其耦合到所述衬底，其中所述半导体裸片中的个别者电耦合到至少一个第二pic芯片，且其中所述第二pic芯片经配置以(a)从所述半导体裸片接收第二电信号且(b)将所述第二电信号转换成第二光学信号以供从所述半导体封装发射。

附图说明

可参考以下图式更好地理解本发明技术的许多方面。所述图式中的组件未必按比例。而是，重点在于清晰地图解说明本发明技术的原理。

图1a及1b分别是根据本发明技术的实施例配置的半导体装置或封装的部分示意性横截面侧视图及俯视图。

图2是根据本发明技术的另一实施例配置的半导体装置或封装的部分示意性俯视图。

图3是根据本发明技术的另一实施例配置的半导体装置或封装的部分示意性俯视图。

图4是根据本发明技术的实施例配置的存储器装置的前视图。

图5a是根据本发明技术的另一实施例配置且具有电光衬底的存储器装置的部分示意性前视图。

图5b是图5a中展示的电光衬底的一部分的横截面图。

图6是包含根据本发明技术的实施例配置的半导体封装及/或存储器装置的系统的示意图。

具体实施方式

以下参考图1到6描述包含光子集成电路(pic)芯片的半导体封装以及相关联系统及方法的数个实施例的特定细节。在所述实施例中的数个实施例中，半导体封装是具有衬底及耦合到所述衬底的至少一个存储器裸片的存储器封装。第一pic芯片安装在衬底上且电耦合到存储器裸片。至少一个第一光纤光学耦合到第一pic芯片且经配置以从外部电路及/或装置接收第一光学信号。第一pic芯片将第一光学信号转换成第一电信号并将第一电信号发射到存储器裸片。存储器封装进一步包含：光源，其电耦合到存储器裸片；及第二pic芯片，其安装在衬底上且光学耦合到光源。存储器裸片包含用于产生第二电信号的驱动器电路，所述第二电信号驱动光源以调制(例如，产生)第二光学信号以供经由至少一个第二光纤发射到第二pic芯片并且从存储器封装发射到外部电路。

因此，本发明技术的实施例有利地将pic芯片及存储器裸片集成到同一封装中以提供具有光学输入/输出(i/o)接口的封装。即，所揭示存储器封装可在封装层级处将来自基于电的存储器裸片的电i/o数据信号转换为光学i/o数据信号。相比来说，许多常规存储器系统将电信号从存储器封装路由到定位在存储器封装外部(例如，在数据中心中的机箱或机架层级处)的电光收发器。因此，本发明技术可减少或消除对数据路径中的此些电光收发器的需要—减少成本、复杂性及/或电力消耗。此外，通过减少数据路径中的导电金属(例如，铜线、迹线等等)的量，本发明技术可减少对用于在高带宽下的数据发射期间提升信号强度及/或完整性的中继器芯片或其它组件的需要—进一步减少成本、复杂性及/或电力消耗。

论述了众多特定细节以提供对本发明技术的实施例的透彻及使能描述。然而，所属领域的技术人员将理解，所述技术可具有额外实施例且所述技术可在没有下文参考图1到6描述的实施例的细节中的数个细节的情况下实践。在其它例子中，通常与存储器装置相关联的众所周知的结构或操作未展示，或未详细描述，以避免使所述技术的其它方面模糊。一般来说，应理解，除本文中揭示的那些特定实施例以外，各种其它装置及系统也可在本发明技术的范围内。举例来说，在以下实施例中的许多实施例中，在dram及快闪(例如，nand及/或nor)存储媒体以及可与dram及快闪存储媒体兼容的dimm的上下文中描述存储器装置及系统。然而，根据本发明技术的其它实施例配置的存储器装置及系统可包含可与其它类型的存储媒体兼容的存储器模块，所述存储媒体包含pcm、rram、mram、只读存储器(rom)、可擦除可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eerom)、铁电、磁阻及其它存储媒体，包含静态随机存取存储器(sram)。另外，本发明技术可用于除存储器装置以外的半导体装置中。

如本文中所使用，术语“垂直”、“横向”、“上部”、“下部”、“上面”及“下面”可指鉴于图中所展示的定向的半导体装置中的特征的相对方向或位置。举例来说，“上部”或“最上部”可指经定位比另一特征更接近于页面的顶部的特征。然而，这些术语应广义地视为包含具有其它定向(例如反转或倾斜定向，其中取决于定向，顶部/底部、上方/下方、上面/下面、上/下及左/右可互换)的半导体装置。

除非上下文另外指示，否则本文中所揭示的结构可使用常规半导体制造技术形成，且用于形成所述结构的方法的阶段可在晶片层级处或在裸片层级处执行。材料可(举例来说)使用化学气相沉积、物理气相沉积、原子层沉积、旋涂及/或其它适合技术来沉积。类似地，材料可(举例来说)使用等离子体蚀刻、湿式蚀刻、化学机械平面化或其它适合技术来移除。

图1a及1b分别是根据本发明技术的实施例配置的半导体装置或封装100(“封装100”)的部分示意性横截面侧视图及俯视图。一起参考图1a及1b，封装100包含半导体裸片110、第一光子集成电路(pic)芯片120及第二pic芯片130，其各自耦合到封装衬底102(例如，由所述封装衬底承载、安装于所述封装衬底上等等)。封装衬底102可包含中介层、印刷电路板、电介质间隔件、另一半导体裸片(例如，逻辑裸片)或另一适合衬底。在一些实施例中，半导体裸片110以及第一pic芯片120及第二pic芯片130可分别经由第一裸片附接材料103a到第三裸片附接材料103c耦合到封装衬底102。在一些实施例中，半导体裸片110及/或pic芯片120、130可经由线接合(图1a及1b中未展示)、导电互连件(例如，在倒装芯片布置中)或本技术领域中已知的其它适合结构电耦合到衬底。在某些实施例中，半导体裸片110及/或pic芯片120、130电耦合到封装衬底102以用于经由封装衬底102接收电力。如下文更详细描述，可经由独立于到封装衬底102的任何电连接的单独电光路径提供到半导体裸片110的输入-输出(i/o)数据通信。此外，虽然图1a及1b中半导体裸片110展示为横向定位于pic芯片120、130之间，但在其它实施例中，半导体裸片110及pic芯片120、130可以不同方式定位于封装衬底102上。举例来说，pic芯片120、130可定位为邻近于半导体裸片110的同一侧，pic芯片120、130可定位为邻近于半导体裸片110的正交侧，等等。

在所图解说明实施例中，半导体裸片110包含布置于半导体裸片110的相对侧上的第一接合垫112a及第二接合垫112b。第一pic芯片120包含接合垫122且第二pic芯片130包含接合垫132。半导体裸片110经由在第一pic芯片120的接合垫122与半导体裸片110的第一接合垫112a之间延伸并电连接所述接合垫的第一线接合104a而电耦合到(i)第一pic芯片120且经由在第二pic芯片130的接合垫132与半导体裸片110的第二接合垫112b之间延伸并电连接所述接合垫的第二线接合104b而电耦合到(ii)第二pic芯片130。在其它实施例中，接合垫112a、112b、122及/或132可具有不同配置、形状、放置等等，及/或半导体裸片110可经由其它适合方法电耦合到pic芯片120、130。在一些实施例中，举例来说，半导体裸片110可经由封装衬底102(例如，经由封装衬底102中及/或上的导电迹线)、经由直接芯片附接方法(例如，经由呈堆叠式布置的导电柱、螺柱等等)等等而电耦合到pic芯片120、130。

半导体裸片110包含集成电路114(示意性展示)，例如，可包含各种类型的半导体组件及功能特征(例如动态随机存取存储器(dram)、静态随机存取存储器(sram)、快闪存储器、其它形式的集成电路存储器、处理电路及/或其它半导体特征)的集成存储器电路及/或逻辑电路。在所图解说明实施例中，半导体裸片110进一步包含用于将半导体裸片110内的数字信号转换为模拟信号的模拟驱动器电路116(示意性展示)，如下文更详细地描述。在一些实施例中，模拟驱动器电路116可提供于与集成电路114分开的半导体裸片上(例如，如图3中图解说明)。

第一pic芯片120包含集成电路124(示意性展示)且第二pic芯片130包含集成电路134(示意性展示)，所述集成电路可形成于衬底(例如，硅衬底、磷化铟(inp)衬底、基于电光晶体的衬底等等)上及/或其中。一般来说，集成电路124、134包含可并入有多个光子功能及/或装置(例如，波分多路复用器(wdm)、阵列波导光栅(awg)、光学滤波器、光学放大器、光学调制器、光电二极管、光源(例如，激光器)、光学检测器等等)的光子集成电路。第二pic芯片进一步包含光源136(例如，激光器)，光源136可在外部驱动以调制由光源136产生的光。在一些实施例中，光源136可形成为集成电路134的一部分或以其它方式形成于第二pic芯片130上及/或其中，而在其它实施例中，光源136可为(i)直接(例如，经由第二线接合104b)及/或间接(例如，经由到第二pic芯片130的电连接)电耦合到半导体裸片110且(ii)光学耦合到第二pic芯片130的单独芯片或组件。在一些实施例中，举例来说，光源136可为焊接到第二pic芯片130的单独芯片或组件。

在所图解说明实施例中，第一光纤106a的阵列光学耦合到第一pic芯片120，且第二光纤106b的阵列光学耦合到第二pic芯片130。光纤106a、b经配置以将pic芯片120、130光学耦合到外部装置、系统等等，例如数据中心中的其它半导体装置。光纤106a、b可通过边缘连接、对接连接或本技术领域中已知的另一适合连接而光学耦合到pic芯片120、130。举例来说，在边缘连接配置中，pic芯片120、130的衬底可经蚀刻以包含沟槽或凹槽(例如，v形凹槽)，且光纤106a、b可定位于所述凹槽内，使得光纤106a、b光学耦合到集成电路124、134(例如，与集成电路124、134的波导对准)。在一些实施例中，可使用光学透明环氧树脂及/或折射率匹配的凝胶来封闭光纤106a、b与pic芯片120、130之间的任何间隙。在对接连接配置中，光纤106a、b可定位为大体垂直于pic芯片120、130且经由光学光栅(例如，垂直光栅耦合件)光学耦合到集成电路124、134。虽然图1b中展示四个第一光纤106a及四个第二光纤106b，但封装100可包含任何数目个光纤。举例来说，第一pic芯片120的集成电路124及/或第二pic芯片130的集成电路134可包含光学多路复用器(多路分用器)，使得单个第一光纤106a及/或单个第二光纤106b可用于从pic芯片120、130发射/接收光学信号(例如，如图3中展示)。同样地，封装100可包含多于四个光纤106a、b(例如，在半导体裸片110具有较高带宽的情况下)及/或封装100可包含多个的pic芯片120、130。

在操作中，第一pic芯片120及第一光纤106a包括封装100的接收侧或接收功能。具体来说，第一pic芯片120经配置以(i)经由第一光纤106a从封装100外部的源(例如，数据中心中在封装100外部的装置)接收光学信号(例如，数据信号)，(ii)将光学信号转换为电信号(例如，经由第一pic芯片120的集成电路124)，及(iii)将电信号发射到半导体裸片110(例如，经由第一线接合104a)。相反地，第二pic芯片130及第二光纤106b包括封装100的发射侧或发射功能。具体来说，半导体裸片110的模拟驱动器电路116经配置以将半导体裸片110内的数字电信号转换为模拟电信号且将模拟信号发射到第二pic芯片130(例如，经由第二线接合104b)。模拟电信号驱动光源136产生可经由第二光纤106b从封装100发射的光学信号(例如，数据信号)。换句话说，半导体裸片110的模拟驱动器电路116操作以调制由第二pic芯片130的光源136产生的光。

因此，封装100经配置以既接收光学信号又发射光学信号。相比来说，许多常规半导体封装经配置以接收且发射电信号(例如，经由提供到外部装置的电连接的封装触点)。将此类常规半导体封装并入到光学i/o系统(例如包含光学开关及服务器封装的数据中心或某种高性能计算机)需要经由导电线(例如铜线或迹线)将电光收发器连接到半导体封装。此类电光收发器需要额外电力来操作且可为相对昂贵的。同样地，在高数据带宽(例如，约28gbps或更大)下，来自半导体封装的电信号可在短发射距离(例如，小于约1米)内沿着导电线降级。因此，必须将中继器芯片及/或其它信号放大或提升组件添加到信号路径以保留电信号的完整性。再次，此些组件可为昂贵的且增加电力消耗。因此，与常规系统相比，本发明技术通过在封装层级处将电信号转换为光学信号而减少成本、复杂性及电力消耗。

在一些实施例中，经由pic芯片120、130而非(举例来说)从耦合到封装衬底102的电源提供到半导体裸片110的所有i/o数据信号。然而，在其它实施例中，封装100可仅包含第一pic芯片120及/或第二pic芯片130，使得封装100经配置以(i)接收光学信号(例如，经由第一pic芯片120)且发射电信号或(ii)接收电信号且发射光学信号(例如，经由第二pic芯片130)。此外，在一些实施例中，封装100可进一步包含其它结构或特征，例如：(i)外壳，例如将半导体裸片110、pic芯片120、130、线接合104a、b及/或光纤106a、b围封于壳体内的导热外壳；及/或(ii)囊封剂，其围绕半导体裸片110、pic芯片120、130、线接合104a、b及/或光纤106a、b、在其等上方及/或在其等之间沉积或以其它方式形成。

图2是根据本发明技术的另一实施例配置的半导体装置或封装200(“封装200”)的部分示意性俯视图。封装200可包含与上文详细描述的封装100的特征大体类似的特征。然而，在所图解说明实施例中，封装200包含由封装衬底202承载的半导体裸片110的堆叠205。多个第一pic芯片120耦合到封装衬底202且经由第一线接合204a电耦合到堆叠205中的半导体裸片110中的至少一者。同样地，多个第二pic芯片130耦合到封装衬底202且经由第二线接合204b电耦合到堆叠205中的半导体裸片110中的至少一者。

在一些实施例中，第一pic芯片120中的一者及第二pic芯片130中的一者可耦合到堆叠205中的半导体裸片110中的每一者(例如，半导体裸片110、第一pic芯片120及第二pic芯片130的数目可为相同的)。在所图解说明实施例中，举例来说，堆叠205可包含各自耦合到第一pic芯片120中的单一者及第二pic芯片130中的单一者的四个半导体裸片110。在其它实施例中，第一pic芯片120中的多于一者及/或第二pic芯片130中的多于一者可耦合到半导体裸片110中的个别者(例如，第一pic芯片120的数目及/或第二pic芯片130的数目可大于半导体裸片110的数目)，或者pic芯片120、130中的个别者可耦合到半导体裸片110中的多于一者(例如，半导体裸片110的数目可大于第一pic芯片120的数目及/或第二pic芯片130的数目)。

在操作中，封装200经配置以接收/发射光学信号，如上文参考图1a及1b详细描述。举例来说，第一pic芯片120可(i)经由第一光纤106a的阵列从外部源接收第一光学信号，(ii)将第一光学信号转换为电信号(例如，经由个别第一pic芯片120的集成电路124)，且(iii)将电信号发射到堆叠205中的半导体裸片110中的相应者(例如，经由第一线接合204a)。类似地，半导体裸片110的模拟驱动器电路116操作以将来自半导体裸片110的集成电路114的数字信号转换为模拟电信号且将模拟电信号发射到第二pic芯片130中的相应者(例如，经由第二线接合204b)。模拟电信号驱动第二pic芯片130的光源136以调制光信号以供经由第二光纤106b的阵列从封装200发射。

所属领域的技术人员将理解，图1a到2中图解说明的实施例的各种功能性、组件及/或装置可在不背离本发明技术的范围的情况下组合及/或分开。举例来说，图3是根据本发明技术的另一实施例配置的半导体装置或封装300(“封装300”)的部分示意性俯视图。封装300可包含上文详细描述的半导体封装100及200的特征大体类似的特征。举例来说，封装300包含：(i)多个第一半导体裸片310，其布置成封装衬底302上的堆叠305，(ii)多个第一pic芯片320，其耦合到封装衬底302且经由第一线接合304a电耦合到堆叠305中的第一半导体裸片310中的至少一者，及(iii)多个第二pic芯片330，其耦合到封装衬底302。类似地，第一光纤306a光学耦合到第一pic芯片320且第二光纤306b光学耦合到第二pic芯片330。

在所图解说明实施例中，第一半导体裸片310中的个别者可包含集成电路114。然而，封装300进一步包含各自包含模拟驱动器电路116的多个第二半导体裸片340。即，与图1a到2中图解说明的实施例相比，模拟驱动器电路116与具有集成电路114的半导体裸片分开。如所图解说明实施例中进一步展示，第二半导体裸片340(a)经由第二线接合304b电耦合到第一半导体裸片310中的对应者且(b)经由第三线接合304c电耦合到第二pic芯片330中的对应者。在其它实施例中，第二半导体裸片340可经由封装衬底302(例如，经由导电迹线或封装衬底302中的线)电耦合到第一半导体裸片310及/或第二pic芯片330，及/或第二半导体裸片340可堆叠于第一半导体裸片310或第二pic芯片330上且经由焊料球或其它互连结构直接附接。在一些实施例中，通过将模拟驱动器电路116及集成电路114定位于单独半导体裸片上，第一半导体裸片310可制作为具有相对较小尺寸(例如，与半导体裸片110相比)，及/或第一半导体裸片310可为本技术领域中众所周知的标准半导体裸片(例如，常规dram存储器裸片)。

第一pic芯片320可具有集成电路324，且第二pic芯片330可具有集成电路334及光源336，其等分别大体类似于上文参考图1a到2详细描述的集成电路124、134及光源136。然而，在图3中图解说明的实施例中，集成电路324包含多路分用器(例如，粗略波分多路分用器)，使得来自外部源的光学信号可经由光纤306a中的仅单一者接收。类似地，第二pic芯片330的集成电路334包含多路复用器(例如，粗略波分多路复用器)，使得由光源336产生的光学信号可经由光纤306b中的仅单一者发射。在其它实施例中，多个经多路复用信号载运光纤可耦合到pic芯片320、330。

在一些实施例中，根据本发明技术配置的多个半导体封装可并入到较大半导体装置(例如，存储器装置)中以实现到半导体装置的光学i/o数据发射。举例来说，图4是根据本发明技术的实施例配置的存储器装置450的前视图。在所图解说明实施例中，存储器装置450可为包含衬底(例如，印刷电路板(pcb)等等)452的存储器模块，例如双列直插式存储器模块(dimm)。多个存储器400可经由(举例来说)电连接器(例如，焊料球)耦合到封装衬底452。存储器400可大体类似于上文参考图1a到3详细描述的半导体封装100、200及/或300。特定来说，存储器400可包含：一或多个半导体裸片(例如，半导体裸片110)，其各自包含集成电路(例如，集成电路114)及/或驱动器电路(例如，模拟驱动器电路116)；及一或多个pic芯片(例如，pic芯片120、130)，其电耦合到半导体裸片且经配置以(i)向存储器400发射及/或从存储器400接收光学信号并(ii)向半导体裸片发射及/或从半导体裸片接收电信号。在一些实施例中，存储器400可为dram存储器(例如，dram存储器裸片、dram存储器芯片、dram存储器封装等等)。在一些实施例中，存储器400可为相同的(例如，经制造为具有相同设计及规格的dram存储器封装)，而在其它实施例中，存储器400可彼此不同(例如，包含不同类型的存储器裸片或者控制器、逻辑及/或存储器裸片的不同组合)。

在所图解说明实施例中，存储器400布置成封装衬底452的第一侧或表面453上的行。在其它实施例中，存储器400可以不同方式布置及/或可包括不同数目。举例来说，比所图解说明八个多或少的存储器400(例如，四个、十个、十六个、二十个等等)可布置成任何数目个行及/或列，可大体不对准等等。在一些实施例中，相同或不同数目个存储器400可布置于封装衬底452的与第一表面453相对的第二表面(未展示)上。封装衬底452的第二表面上的存储器400中的任一者可具有与封装衬底452的第一表面453上的存储器400相同或大体类似的配置。在一些实施例中，存储器装置450可包含耦合到封装衬底452的其它电组件(例如，半导体组件、集成电路组件等等)。举例来说，存储器装置450可包含耦合到封装衬底452的一或多个电压调节器或电力管理集成电路(pmic)及/或一或多个注册时钟驱动器(rcd)。

在所图解说明实施例中，单个第一(例如，接收)光纤406a及单个第二(例如，发射)光纤406b光学耦合到存储器400中的个别者。在一些实施例中，每一光纤406a、b可载运经多路复用光学信号。在其它实施例中，如上文详细陈述，第一光纤406a中的多者及/或第二光纤406b中的多者可光学耦合到存储器400中的个别者。举例来说，光纤406a、b的数目可取决于存储器400的带宽、存储器400的pic芯片是否经配置以多路复用(多路分用)来自/去往存储器400的光学信号、存储器400中的半导体裸片的数目等等而变化。一般来说，光纤406a、b经配置以将存储器400光学耦合到外部装置、电路等等。在所图解说明实施例中，光纤406a、b耦合到促进光纤406a、b到外部装置的容易耦合的光学连接器458。在一些实施例中，举例来说，光学连接器458可为多光纤推接(mpo)连接器或其它适合连接器。虽然图4中图解说明两个光学连接器458，但任何数目个光学连接器458可用于捆扎光纤406a、b。在其它实施例中，可省略光学连接器458，且光纤406a、b可从存储器装置450个别地布线并经由其它适合方法光学耦合到外部装置。

如图4中进一步展示，光纤406a、b可经捆扎且沿着封装衬底452的第一表面453布线到光学连接器458。在一些实施例中，环氧树脂454(例如，环氧树脂胶)或其它囊封剂可沉积于第一表面453及光纤406a、b的全部或一部分上方(例如，经由顶部包封(globtop)方法)以保护光纤406a、b免受损坏及/或防止光纤406a、b缠结、打结等等。在所图解说明实施例中，环氧树脂454不囊封(例如，不覆盖或环绕)存储器400，而在其它实施例中，环氧树脂454可囊封存储器400及/或覆盖封装衬底452的整个第一表面453。

存储器装置450进一步包含沿着封装衬底452的下部边缘的边缘连接器456。边缘连接器456包含用于将存储器400连接到外部电路(未展示)的多个触点457。在一些实施例中，举例来说，边缘连接器456可用于将存储器装置450以可释放方式固定于主机装置(例如，母板)中的对应dimm狭槽中。更特定来说，在一些实施例中，边缘连接器456可将存储器400电耦合到外部电力/接地源。然而，边缘连接器456不必将存储器400连接到主机装置以用于数据信号的i/o发射(例如，在存储器存取操作期间)，因为数据信号的i/o发射可经由通过光纤406a、b的发射以光学方式执行，如上文详细描述。在一些实施例中，去往/来自存储器400的数据发射仅经由光纤406a、b且不经由封装衬底452而执行。换句话说，在一些实施例中，封装衬底452可仅将存储器400电耦合到电力/接地。

在一些实施例中，根据本发明技术的存储器装置可包含可减少或消除对离散光纤(例如，光纤406a、b)的需要的集成波导。举例来说，图5a是根据本发明技术的另一实施例配置且具有电光衬底552的存储器装置550的部分示意性前视图。存储器装置550可包含与上文参考图4详细描述的存储器装置450的特征大体类似的特征。举例来说，存储器装置550包含耦合到电光衬底552的多个存储器500及边缘连接器556。

图5b是图5a中展示的电光衬底552的一部分的横截面侧视图。参考图5b，电光衬底包含电衬底(例如，pcb等等)562及电衬底562上的光学层(例如，光学布线层)564。电衬底562可包含导电材料565(例如，导电迹线、通孔等等)的一个或多个层及本技术领域中已知的电介质材料566。光学层564可包括由光学材料(例如，硅材料或化合物、聚合物、电介质材料等等)的一或多个层形成的波导(例如，聚合物波导)。举例来说，一起参考图5a及5b，光学层564可包含(i)第一(例如，接收)芯部分506a，(ii)第二(例如，发射)芯部分506b，及(iii)包层部分568。图5a中为了清晰起见示意性地展示芯部分506a、b。在一些实施例中，包层部分568可由一或多种材料形成，所述一或多种材料具有比用于形成芯部分506a、b的材料低的折射率，使得通过光学层564发射的光信号基本上局限于芯部分506a、b。在所图解说明实施例中，芯部分506a、b各自具有大体直线横截面形状，而在其它实施例中，芯部分506a、b可具有其它横截面形状(例如，圆形、多边形、不规则形、v形等等)。

在一些实施例中，光学层564可通过光学光刻、激光直写、uv激光直接成像、纳米压印光刻、蚊式方法(mosquito)(例如，针型液体微施配)及/或本技术领域中已知的其它适合沉积及图案化方法来制作。在一些实施例中，光学层564可直接形成于电衬底562上—举例来说，通过将光学材料的一或多个层直接沉积到电衬底562上且经由uv激光直接成像或另一适合过程处理光学材料。在一些此类实施例中，光学层562加性地构建或形成于电衬底562上，使得所述光学层不包含任何其它衬底(例如，预成形衬底)。在其它实施例中，光学层564可为形成于单独衬底(例如，柔性衬底(例如，塑料膜片或卷)或刚性衬底(例如，玻璃或硅))上且胶合或以其它方式贴附到电衬底562的单独结构。

存储器500(i)光学耦合到光学层564的芯部分506a、b且(ii)电耦合到电衬底562的导电材料565。在所图解说明实施例中，光学连接器558也光学耦合到光学层564的芯部分506a、b。在操作中，芯部分506a、b界定存储器500的光学接收/发射路径，而电衬底562可将电力提供到存储器500。以此方式，光学层564可减少对存储器装置550中的离散光纤(例如，图4中展示的光纤406a、b)的需要。在一些实施例中，可使用短光纤来将存储器500及/或光学连接器558光学耦合到光学层564的芯部分506a、b。在其它实施例中，存储器500及/或光学连接器558可经由可形成于光学层564中的垂直光栅耦合件或经由其它适合结构或组件直接光学耦合到光学层564。在一些实施例中，可使用光学透明环氧树脂及/或折射率匹配的凝胶来封闭光学层564、存储器500及/或光学连接器558之间的间隙(例如，将离散组件光学耦合)。在其它实施例中，可省略光学连接器558，及/或光学层564可经延伸以提供到外部装置的光学耦合。举例来说，光学层564可包括聚合物波导，所述聚合物波导具有比电衬底562长的长度，使得所述波导延伸超过电衬底562以使得所述波导能够布线到且直接耦合到另一存储器装置或外部装置。

在一些实施例中，去往/来自存储器500的数据发射仅经由光学层564且不经由电衬底562而执行。换句话说，在一些实施例中，电衬底562仅将存储器500电耦合到电力/接地。

图6是包含根据本发明技术的实施例配置的半导体封装及/或存储器装置的系统的示意图。上文参考图1到5描述的前述半导体封装及/或存储器装置中的任一者可并入到大量较大及/或较复杂的系统中的任一者中，所述系统的代表性实例是图6中示意性地展示的系统690。系统690可包含存储器装置组合件600、电源692、驱动器694、处理器696及/或其它子系统及组件698。存储器装置组合件600可包含与上文参考图1到5描述的存储器装置及半导体封装的那些特征大体类似的特征。所得系统690可执行各种各样的功能(例如存储器存储、数据处理及/或其它适合功能)中的任一者。因此，代表性系统690可包含但不限于手持式装置(例如，移动电话、平板计算机、数字读取器及数字音频播放器)、计算机(例如，工作站、服务器等等)、交通工具、家用器具及其它产品。系统690的组件可装纳于单个单元中或分布于多个经互连单元上(例如，通过通信网络)。系统690的组件还可包含远程装置及各种各样的计算机可读媒体中的任一者。

依据前述内容，将了解，虽然本文中已出于图解说明的目的而描述本技术的特定实施例，但可在不背离本发明的情况下做出各种修改。因此，本发明不受所附权利要求书以外的限制。此外，还可在其它实施例中组合或消除在特定实施例的上下文中所描述的本发明新技术的特定方面。此外，尽管已在本新技术的特定实施例的上下文中描述与那些实施例相关联的优点，但其它实施例还可展现此些优点且并非所有实施例均必须展现此些优点以归属于本技术的范围内。因此，本发明及相关联技术可涵盖本文中未明确展示或描述的其它实施例。