套刻标记的对位方法与流程

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种套刻标记的对位方法。

背景技术：

光刻(photolithography)是半导体领域制造工艺中的一个重要步骤。光刻是通过对准、曝光等一系列步骤将掩模板(mask)上的掩膜图形转移到晶圆(wafer)上的工艺过程，在半导体芯片的制造过程中，要通过多层光刻工艺才能完成整个制造过程。

随着半导体制造技术的发展以及集成电路设计及制造的发展，光刻成像技术随之发展，半导体器件的特征尺寸也不断缩小。为了实现良好的产品性能以及高产率，如何控制当层光刻图形(晶圆上的图形)与前层光刻图形(晶圆上的图形)的位置对准，以满足套刻精度(overlayaccuracy)的要求是多层光刻工艺中至关重要的步骤，套刻精度是指晶圆的层与层的光刻图形的位置对准误差，套刻精度的大小反映不同层之间光刻图形的位置对准偏差的大小。

现有技术测量套刻精度通过在测试设备上建立坐标系，在不同的掩模板上设置套刻标记(overlaymark)，确定不同掩模板上的套刻标记之间的对准偏差以完成测量。但是现有的形成于各掩膜板的套刻标记在图案设计阶段的位置和实际形成在各掩膜板的位置之间具有一定的偏差，导致在使用实际形成在各掩膜板上的套刻标记，并利用各套刻标记的对准偏差来测量套刻精度时，会存在套刻精度误差大的情况，从而影响产品的良率和性能。

技术实现要素：

鉴于此，本申请提供了一种套刻标记的对位方法，以解决现有技术中由于形成于各掩膜板的套刻标记在图案设计阶段的位置和实际形成在各掩膜板的位置之间具有一定的偏差，导致在使用实际形成在各掩膜板上的套刻标记，并利用各套刻标记的对准偏差来测量套刻精度时，会存在套刻精度误差大的情况，从而影响产品的良率和性能的问题。

本申请提供一种套刻标记的对位方法，包括：

提供多个掩膜板，其中，多个所述掩膜板分别应用于电子设备的多个工艺步骤中；

设计每一所述掩膜板的标记图案，以使多个所述掩膜板分别对应的多个所述标记图案的几何中心在不同的工艺步骤中均重叠；以及，

在每一所述掩膜板上形成与所述掩膜板的标记图案对应的套刻标记。

一种可能的实施方式中，所述设计每一所述掩膜板的标记图案包括：

将多个所述掩膜板分类为允许堆叠设置的第一类型掩膜板和不允许堆叠设置的第二类型掩膜板；以及，

基于每一所述掩膜板的类型来设计所述掩膜板的标记图案。

一种可能的实施方式中，所述在每一所述掩膜板上形成与所述掩膜板的标记图案对应的套刻标记包括：

根据每一归类于所述第一类型掩膜板的第一标记图案，在所述掩膜板上形成与所述第一标记图案对应的套刻标记，以及，

根据每一归类于所述第二类型掩膜板的第二标记图案或第三标记图案，在所述掩膜板上形成与所述第二标记图案或第三标记图案对应的套刻标记。

一种可能的实施方式中，所述第三标记图案与所述第二标记图案的形状相同，且所述第三标记图案为所述第二标记图案旋转预设度数得到。

一种可能的实施方式中，所述预设度数为90°。

一种可能的实施方式中，各所述第二类型掩膜板的套刻标记沿第一方向间隔的距离大于或等于1um。

一种可能的实施方式中，各所述第二类型掩膜板的套刻标记沿第二方向间隔的距离大于或等于1um，其中，所述第二方向与所述第一方向垂直。

一种可能的实施方式中，每一所述掩膜板的套刻标记均包括第一部分和连接于所述第一部分的一端的第二部分，所述第一部分沿第一方向延伸，所述第二部分沿第二方向延伸。

一种可能的实施方式中，多个所述第一类型掩膜板的套刻标记堆叠设置。

一种可能的实施方式中，多个所述掩膜板的套刻标记的形状均相同。

本申请的技术方案通过使多个掩膜板分别对应的多个套刻标记的标记图案的几何中心在不同的工艺步骤中均重叠设置，可以使得从俯视多个掩膜板的角度看，不同的掩膜板的套刻标记所对应的标记图案的几何中心均为同一中心点。此同一中心点的设置使得后续实际形成与各标记图案对应的套刻标记时，标记图案的位置和实际形成套刻标记的位置无偏差而保持一致，进而使得测量不同掩膜板上的的套刻标记之间的对准偏差大体等同于实际值。一方面能够令测量数据更为真实和精确，使掩膜车间可以通过此精确的测量数据而调整掩膜工艺来提高套刻精度。另一方面，通过改善掩膜板的套刻精度，进而能够改善晶圆的套刻精度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以如这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中的设计阶段和实际形成的套刻标记的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的一种套刻标记的对位方法的流程示意图；

图3为本申请实施例提供的多个掩膜板的结构示意图；

图4为图3所示的第一类型掩膜板的套刻标记所对应的标记图案的位置的俯视示意图；

图5为图3所示的第二类型掩膜板的套刻标记所对应的标记图案的位置的俯视示意图；

图6为图3所示的多个掩膜板的套刻标记所对应的标记图案的位置的一种俯视示意图；

图7为本申请实施例提供的多个掩膜板的套刻标记所对应的标记图案的位置的另一种俯视示意图。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本发明的具体实施方式。虽然附图中显示了本发明的示例性实施方式，但应当理解的是，还可以采用不同于在此描述的其他方式来实施本发明，因此，本发明不受下面这些实施方式的限制。

光刻(photolithography)是半导体领域制造工艺中的一个重要步骤。光刻是通过对准、曝光等一系列步骤将掩模板(mask)上的掩膜图形转移到晶圆(wafer)上的工艺过程，在半导体芯片的制造过程中，要通过多层光刻工艺才能完成整个制造过程。

而如何控制当层光刻图形(晶圆上的图形)与前层光刻图形(晶圆上的图形)的位置对准，以满足套刻精度(overlayaccuracy)的要求是多层光刻工艺中至关重要的步骤，套刻精度是指晶圆的层与层的光刻图形的位置对准误差，套刻精度的大小反映不同层之间光刻图形的位置对准偏差的大小。

目前，测量套刻精度是通过在测试设备上建立坐标系，在不同的掩模板上设置套刻标记(overlaymark)，确定不同掩模板上的套刻标记之间的对准偏差以完成测量。如图1所示，现有的形成于各掩膜板的套刻标记在图案设计阶段的位置和实际形成在各掩膜板的位置之间具有一定的偏差，导致在使用实际形成在各掩膜板上的套刻标记，并利用各套刻标记的对准偏差来测量套刻精度时，会存在套刻精度误差大的情况，从而影响产品的良率和性能。

鉴于此，本申请提供一种套刻标记的对位方法，请参阅图2，图2为本申请实施例提供的一种套刻标记的对位方法的流程示意图。如图2所示，三维存储器的制备方法至少可以包括s100、s200及s300，详细描述如下：

s100：提供多个掩膜板，其中，多个所述掩膜板分别应用于电子设备的多个工艺步骤中。

s200：设计每一所述掩膜板的标记图案，以使多个所述掩膜板分别对应的多个所述标记图案的几何中心在不同的工艺步骤中均重叠。

s300：在每一所述掩膜板上形成与所述掩膜板的标记图案对应的套刻标记。

以下将对各个步骤分别进行进一步的描述。

请参阅图3，图3为本申请实施例提供的多个掩膜板的结构示意图。

s100：提供多个掩膜板10，其中，多个所述掩膜板分别应用于电子设备的多个工艺步骤中。

可以理解的是，在半导体领域的制造工艺中，形成电子设备需要进行多层的堆叠，其涉及了多层的光刻和对准过程，且往往利用光刻工艺将掩模版上的图像转换成各层上的图形结构。由此，需要多个掩膜板10以完成多层结构的光刻。换言之，多个掩膜板10应用于电子设备的多个工艺步骤中。电子设备可以是三维存储器，也可以是半导体领域中需多层结构的光刻而制造形成的其他设备。本申请的实施例中，以三维存储器的制造过程作为举例说明，多个工艺步骤可以是形成沟道孔、形成栅缝隙等工艺步骤。

s200：设计每一掩膜板10的标记图案，以使多个掩膜板10分别对应的多个标记图案的几何中心在不同的工艺步骤中均重叠。

本申请的实施例中，在提供多个掩膜板10之后，根据工艺要求将多个掩膜板10分类为允许堆叠设置的第一类型掩膜板11和不允许堆叠设置的第二类型掩膜板12。可以理解的是，第一类型掩膜板11的工艺要求为多个第一类型掩膜板11所对应的多个套刻标记20的相对位置均相同，其两两之间具有一定的重叠面积。第二类型掩膜板12的工艺要求为多个第二类型掩膜板12所对应的多个套刻标记20的相对位置不相同，其两两之间具有一定的间隔距离。

由于每一掩膜板10均具有其自身的工艺要求，而工艺要求的不同又导致了每一掩膜板10的使用方式不同。由此，将多个掩膜板10划分成允许堆叠的第一类型掩膜板11和不允许堆叠的第二类型掩膜板12这两类类型，能够清楚、简明且快速的了解其各自的结构特征和功能需求，有利于为后续对掩膜板10的工艺改进做准备，且能够多元化掩膜板10的使用性能，灵活性强，应用范围广泛。

可以理解的是，为了确定前文所述的各层之间光刻图形的位置对准偏差，需要在多个不同的掩膜板10上分别设置其各自的套刻标记20，并通过在测试设备上建立坐标系来确定不同的掩膜板10的套刻标记20之间的对准偏差，进而测量套刻精度。由此，需要在每一掩膜板10上设计套刻标记20。

本申请的实施例中，每一掩膜板10均为矩形板，其具有依次连接的四个角，而每一掩膜板10的套刻标记20均为四个，四个套刻标记20依次分布在掩膜板10的四角。可以理解的是，套刻标记20为掩膜板10的图案的一小部分，而将套刻标记20设置在掩膜板10的四个角落有利于保证掩膜板10上的大部分的其他图案的完整性不被破坏，且设置在四个角落更有利于在多个掩膜板10进行层叠设置时能够快速的进行套刻标记20的位移偏差测量。

可以理解的是，每一掩膜板10的四个套刻标记20的形状均相同，且多个掩膜板10所对应的多个套刻标记20的形状也均相同。具有相同形状的各套刻标记20一致性好，清晰醒目，能够快捷方便的进行定位和测量。

一种可能的实施方式中，套刻标记20的形状为l形，该l形具有相同尺寸的两个部分，分别为第一部分(图未标)和连接于第一部分的一端的第二部分(图未标)，第一部分沿第一方向延伸，第二部分沿第二方向延伸，其中，第一方向与第二方向垂直。如图3所示，第一方向用d1标识，第二方向用d2标识。第一部分和第一部分可以具有一定的重叠面积，从而保证沿第一方向延伸和沿第二方向延伸的尺寸相同。同一掩膜板10的四个套刻标记20的尺寸大小均相同。而不同掩膜板10所对应的其各自的套刻标记20的尺寸大小均不相同。换言之，同一掩膜板10上的套刻标记20尺寸大小相同，而不同掩膜板10间的套刻标记20尺寸大小不同。

另一种可能的实施方式中，套刻标记的形状可以为圆弧形，具体而言，其可以是近似四分之一整圆的圆弧形。当然，其他的实施方式中，套刻标记也可以是如长条形等其他形状，本申请在此不做限制。

本申请的实施例中，在将多个掩膜板10分类为允许堆叠设置的第一类型掩膜板11和不允许堆叠设置的第二类型掩膜板12之后，基于每一掩膜板10的类型来设计掩膜板10的标记图案。

可以理解的是，多个掩膜板10被分类为第一类型掩膜板11和第二类型掩膜板12这两个类型，由于其工艺要求不一致，所以其设计标记图案的使用场景和应用范围也不相同。而标记图案为后续形成的掩膜板10的套刻标记20的设计阶段，处于此阶段的标记图案与后续所形成的套刻标记20的形状、尺寸大小、位置等均一致。预先设计标记图案能够为后续形成套刻标记20提供预研方案，有利于减小实际形成过程中所造成的各种误差，保证应用掩膜板10的电子设备的良率。

进一步地，第一类型掩膜板11可以设计出应用于第一类型掩膜板11的第一标记图案，而第二类型掩膜板12可以设计出应用于第二类型掩膜板12的第二标记图案或第三标记图案。多个第一标记图案的相对位置均相同，其两两之间具有一定的重叠面积。多个第二标记图案或第三标记图案的相对位置均不相同，其两两之间具有一定的间隔距离。

s300：在每一所述掩膜板上形成与所述掩膜板的标记图案对应的套刻标记。

需说明的是，后文中仅以每一掩膜板10的一个套刻标记20为例进行进一步描述，在不冲突的情况下，这些描述均可应用于每一掩膜板10的其他三个套刻标记20。

本申请的实施例中，在每一掩膜板10上形成与掩膜板10的标记图案对应的套刻标记20，包括：根据每一归类于第一类型掩膜板11的第一标记图案，在该掩膜板10上形成与该第一标记图案对应的套刻标记20。

请一并参阅图3和图4，图3为本申请实施例提供的多个掩膜板的结构示意图，图4为图3所示的第一类型掩膜板的套刻标记所对应的标记图案的位置的俯视示意图。如图4所示，图4中所示意的三个标记图案为三个第一类型掩膜板11的套刻标记20所对应的标记图案，且三个标记图案堆叠设置，从而在形成套刻标记20后，三个套刻标记20也堆叠设置。

具体而言，三个第一类型掩膜板11分别为第一掩膜板13、第二掩膜板14和第三掩膜板15，而其分别设计的三个第一标记图案的大小不同形状相同，且三个第一标记图案分别为形状为l形的第一子标记图案31、第二子标记图案32和第三子标记图案33。第一掩膜板13、第二掩膜板14和第三掩膜板15依次层叠设置，从而使得第一子标记图案31、第二子标记图案32和第三子标记图案33也依次层叠排列。而从俯视角度看，第一子标记图案31、第二子标记图案32和第三子标记图案33的尺寸大小依次增大，且第一子标记图案31堆叠于第二子标记图案32之上，第一子标记图案31和第二子标记图案32又整体堆叠于第三子标记图案33之上。

可以理解的是，第一子标记图案31为后续在第一掩膜板13上所形成的第一套刻标记21的设计阶段，第二子标记图案32为后续在第二掩膜板14上所形成的第二套刻标记22的设计阶段，第三子标记图案33为后续在第三掩膜板15上所形成的第三套刻标记23的设计阶段。又由于第一子标记图案31、第二子标记图案32和第三子标记图案33依次层叠设置，从而使得第一套刻标记21、第二套刻标记22和第三套刻标记23也依次层叠排列。如图3所示，第一套刻标记21、第二套刻标记22和第三套刻标记23的尺寸大小依次增大，且第一套刻标记21堆叠于第二套刻标记22之上，第一套刻标记21和第二套刻标记22又整体堆叠于第三套刻标记23之上。

换言之，第一类型掩膜板11的套刻标记20在多个掩膜板10层叠时堆叠设置。堆叠设置的多个第一类型掩膜板11的套刻标记20从俯视角度看其各掩膜板10的套刻标记20均具有一定的公共重叠面积，具有公共重叠面积的该套刻标记20的集中程度高、能够较为便捷的堆叠在一定的区域内。

需说明的是，第一掩膜板13、第二掩膜板14和第三掩膜板15是不能组装起来量测套刻精度的，图3中仅以第一掩膜板13、第二掩膜板14和第三掩膜板15层叠设置来说明第一套刻标记21、第二套刻标记22和第三套刻标记23的位置关系，并不代表第一掩膜板13、第二掩膜板14和第三掩膜板15具有实际装配关系，其可以看做是每一掩膜板均代表一个不同的工艺步骤。

但还需说明的是，所有第一类型掩膜板11的套刻标记20所对应的标记图案的几何中心均重叠设置。也即为，所有第一类型掩膜板11的套刻标记20所对应的标记图案的几何中心均位于同一直线上。从俯视角度看，可以理解为所有第一类型掩膜板11的套刻标记20所对应的标记图案的几何中心均为同一中心点(x坐标和y坐标均相等)，从而使得后续形成的所有第一类型掩膜板11的套刻标记20的几何中心均为同一中心点(x坐标和y坐标均相等)。

在每一掩膜板10上形成与掩膜板10的标记图案对应的套刻标记20，还包括：根据每一归类于第二类型掩膜板12的第二标记图案或第三标记图案，在掩膜板上形成与第二标记图案或第三标记图案对应的套刻标记。

由于每一归类于第二类型掩膜板12均为不允许堆叠的掩膜板10，因此，多个第二类型掩膜板12层叠时，各第二类型掩膜板12的套刻标记20沿第一方向和第二方向均间隔设置，其中，第一方向与第二方向垂直。举例而言，第一方向可以为x方向，第二方向可以为y方向。

请一并参阅图3和图5，图3为本申请实施例提供的多个掩膜板的结构示意图，图5为图3所示的第二类型掩膜板的套刻标记所对应的标记图案的位置的俯视示意图。如图5所示，图5中所示意的三个标记图案为三个第二类型掩膜板12的套刻标记20所对应的标记图案，且三个标记图案两两之间间隔设置。

具体而言，三个第二类型掩膜板12分别为第四掩膜板16、第五掩膜板17和第六掩膜板18，而其分别设计的第四子标记图案34、第五子标记图案35和第六子标记图案36的大小不同形状相同，其中，第四子标记图案34和第六子标记图案36均为前文所述的第二标记图案，而第五子标记图案35为前文所述的第三标记图案，第三标记图案可以为第二标记图案旋转预设度数得到。举例而言，预设度数可以是90°。

另外，第四子标记图案34为后续在第四掩膜板16上所形成的第四套刻标记24的设计阶段，第五子标记图案35为后续在第五掩膜板17上所形成的第五套刻标记25的设计阶段，第六子标记图案36为后续在第六掩膜板18上所形成的第六套刻标记26的设计阶段。换言之，第四子标记图案34、第五子标记图案35和第六子标记图案36所形成的三个套刻标记20分别为第四套刻标记24、第五套刻标记25和第六套刻标记26。第四子标记图案34、第五子标记图案35和第六子标记图案36两两之间间隔设置，从而使得第四套刻标记24、第五套刻标记25和第六套刻标记26也两两之间间隔设置。而从俯视角度看，第四子标记图案34、第五子标记图案35和第六子标记图案36的尺寸大小均不相同，且第六子标记图案36位于第四子标记图案34的外围，且与第四子标记图案34均为正l形状，第五子标记图案35也位于第四子标记图案3的外围，且第五套刻标记25为倒l形状。

可以理解的是，第四子标记图案34、第五子标记图案35和第六子标记图案36均可位于同一侧且均为正l形状，但需满足第四子标记图案34、第五子标记图案35和第六子标记图案36之间依次均需具有至少1um的间隔距离，当其之间不满足至少1um的间隔距离时，需对第五子标记图案35的设计加以改进以使其满足间隔距离的条件。也即为，由于第五子标记图案35不满足与第四子标记图案34和第六子标记图案36在第一方向和第二方向上均间隔1um，因此，第五子标记图案35无法按照常规而设计的与第四子标记图案34和第六子标记图案36同侧。

由此，请继续参阅图5，图5为图3所示的第二类型掩膜板的套刻标记所对应的标记图案的位置的俯视示意图。在三个套刻标记的设计阶段，第四套刻标记24所对应的的第四子标记图案34和第六套刻标记26所对应的第六子标记图案36可不经旋转而直接形成第四套刻标记24和第六套刻标记26，而第五套刻标记25所对应的第五子标记图案35以其几何中心旋转过后才可形成第五套刻标记25，从而第五子标记图案35相对第四子标记图案34和第六子标记图案36而言为倒l的形状，而第四子标记图案34和第六子标记图案36相对第五子标记图案35而言为正l的形状，其中，旋转过的标记图案如第五套刻标记25的第五子标记图案35的预设度数为90°。进一步地，后续工艺步骤中会形成的第四套刻标记24、第五套刻标记25和第六套刻标记26中，第五套刻标记25相对第四套刻标记24和第六套刻标记26而言为倒l的形状，而第四套刻标记24和第六套刻标记26相对第五套刻标记25而言为正l的形状。

需说明的是，第四掩膜板16、第五掩膜板17和第六掩膜板18是不能组装起来量测套刻精度的，图3中仅以第四掩膜板16、第五掩膜板17和第六掩膜板18层叠设置来说明第四套刻标记24和第六套刻标记26相对第五套刻标记25的位置关系，并不代表第四掩膜板16、第五掩膜板17和第六掩膜板18具有实际装配关系，其可以看做是每一掩膜板均代表一个不同的工艺步骤。

进一步地，如图3所示，第二类型掩膜板12的套刻标记20在多个掩膜板10层叠时不发生重叠。由此，从俯视角度看，各第二类型掩膜板12的套刻标记20沿第一方向间隔的距离大于或等于1um。且各第二类型掩膜板12的套刻标记20沿第二方向间隔的距离大于或等于1um。

但需说明的是，所有第二类型掩膜板12的套刻标记20所对应的标记图案的几何中心均重叠设置。也即为，所有第二类型掩膜板12的套刻标记20所对应的标记图案的几何中心均位于同一直线上。从俯视角度看，可以理解为所有第二类型掩膜板12的套刻标记20所对应的标记图案的几何中心均为x坐标和y坐标均相等的同一中心点(x，y)，从而使得后续形成的所有第二类型掩膜板12的套刻标记20的几何中心均为同一中心点(x坐标和y坐标均相等)。

为了方便理解，如图3所示，将第一掩膜板13、第二掩膜板14、第三掩膜板15、第四掩膜板16、第五掩膜板17和第六掩膜板18依次层叠设置来说明第一套刻标记21、第二套刻标记22、第三套刻标记23、第四套刻标记24、第五套刻标记25和第六套刻标记26的相对位置关系。但需说明的是，图3中所示意出的掩膜板的层叠关系并不代表第一掩膜板13、第二掩膜板14、第三掩膜板15、第四掩膜板16、第五掩膜板17和第六掩膜板18具有实际装配关系，其可以看做是每一掩膜板均代表一个不同的工艺步骤。

可以理解的是，在多个掩膜板10层叠设置如多个掩膜板10中后一个接前一个而使后一个层叠于前一个之上的时候，所有掩膜板10上的套刻标记20均能够在设计阶段通过改变对应的标记图案的方向以及改变对应的标记图案的尺寸大小，而使所有的掩膜板10的套刻标记20所对应的标记图案的几何中心均重叠设置，进而使所有的掩膜板10的套刻标记20的几何中心均重叠设置。举例而言，请一并参阅图3和图6，图3为本申请实施例提供的多个掩膜板的结构示意图，图6为图3所示的多个掩膜板的套刻标记所对应的标记图案的位置的俯视示意图。如图6所示，第一子标记图案31、第二子标记图案32、第三子标记图案33、第四子标记图案34、第五子标记图案35、第六子标记图案36的几何中心均重叠设置。也即为，所有掩膜板10(第一类型和第二类型)的标记图案的几何中心均位于同一直线上。从俯视角度看，可以理解为所有掩膜板10的标记图案的几何中心均为x坐标和y坐标相等的同一中心点(x，y)。进一步地，由于标记图案在后续工艺中会形成套刻标记20，且所有掩膜板10(第一类型和第二类型)的标记图案的几何中心均位于同一直线上，从而所有掩膜板10(第一类型和第二类型)的套刻标记的几何中心也均位于同一直线上。即从俯视角度看，可以理解为所有掩膜板10的套刻标记的几何中心均为x坐标和y坐标相等的同一中心点(x，y)

需说明的是，本申请的实施例中，是以掩膜板10的数量为六个，每一角落的套刻标记20为6个作为举例说明，但掩膜板10的实际数量即套刻标记20也并不以此为限，套刻标记20可以是如图7所示的7个或者8个、9个等，本申请对此不做具体限制。

由此，通过使多个掩膜板10分别对应的多个套刻标记20的标记图案的几何中心在不同的工艺步骤中均重叠设置，可以使得从俯视多个掩膜板10的角度看，不同的掩膜板10的套刻标记20所对应的标记图案的几何中心均为同一中心点(x，y)，且此中心点的x坐标和y坐标均相等。此同一中心点的设置使得后续实际形成与各标记图案对应的套刻标记时，标记图案的位置和实际形成套刻标记的位置无偏差而保持一致，进而使得测量不同掩膜板10上的的套刻标记20之间的对准偏差大体等同于实际值。一方面能够令测量数据更为真实和精确，使掩膜车间可以通过此精确的测量数据而调整掩膜工艺来提高套刻精度。另一方面，通过改善掩膜板10的套刻精度，进而能够改善晶圆的套刻精度。

以上是本发明的示例性实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对其做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。