套刻偏差的补偿系统及方法与流程

1.本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种套刻偏差的补偿系统及方法。


背景技术：

2.套刻精度(overlay，ovl)是指在光刻制造工艺中当层图形和前层图形的叠对位置精度。由于集成电路芯片的制造是通过多层电路层叠加而成，如果当层和前层没有对准的话，芯片将无法正常工作。因此，在形成当层的过程中，减小套刻精度、确保套刻精度在偏差范围内是极为重要的一件事情。
3.在现有技术中，通常通过若干次的套刻偏差补偿处理，不断提高当前批次的晶圆的套刻精度。所述套刻偏差补偿处理包括：在前一批次的晶圆中获取待测晶圆；对待测晶圆进行套刻精度检测，获取前一批次套刻精度信息；根据前一批次套刻精度信息，获取套刻偏差模型；根据套刻偏差模型，对当前批次的晶圆进行套刻偏差补偿。
4.然而，现有技术中的套刻偏差补偿处理仍存在诸多问题。


技术实现要素：

5.本发明解决的技术问题是提供一种套刻偏差的补偿系统及方法，能够有效降低成本支出，同时提升产能。
6.为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供一种套刻偏差的补偿方法，包括：提供若干历史处理晶圆；根据若干所述历史处理晶圆获取晶圆预测补偿数据库，所述晶圆预测补偿数据库包括：每个所述历史处理晶圆对应的第一制程路径、以及与每个所述历史处理晶圆对应第一偏差补偿值；提供待补偿晶圆；获取所述待补偿晶圆的第二制程路径；根据所述待补偿晶圆的第二制程路径与所述晶圆预测补偿数据库进行对比，获取所述待补偿晶圆的第二偏差补偿值。
7.可选的，所述晶圆预测补偿数据库还包括：每个所述历史处理晶圆对应的晶圆组。
8.可选的，根据所述待补偿晶圆的第二制程路径与所述晶圆预测补偿数据库进行对比，获取所述待补偿晶圆的第二偏差补偿值的方法包括：当获取的所述待补偿晶圆的第二制程路径与所述晶圆预测补偿数据库中的一个历史处理晶圆a的第一制程路径相同时，则所述待补偿晶圆的第二偏差补偿值为所述历史处理晶圆a的第一偏差补偿值。
9.可选的，获取所述晶圆预测补偿数据库的方法包括：对若干所述历史处理晶圆进行分组处理，获取若干晶圆组，每个所述晶圆组中包括至少一个所述历史处理晶圆；获取所述晶圆组中的每个所述历史处理晶圆的第一制程路径，并将所述第一制程路径与所述晶圆组进行关联；获取每个所述晶圆组中的历史处理晶圆所对应的第一偏差补偿值。
10.可选的，对若干所述历史处理晶圆进行分组处理的方法包括：对若干所述历史处理晶圆进行归一化处理，获取若干归一化晶圆；对若干所述归一化晶圆进行补偿值剥离处理，获取若干初始态晶圆；对若干所述初始态晶圆进行再补偿处理，获取每个所述初始态晶圆对应的纯粹补偿值；根据所述纯粹补偿值对若干所述历史处理晶圆进行分组处理。
11.可选的，所述历史处理晶圆中包括若干第一测量点，每个所述第一测量点上对应有第一测量值。
12.可选的，获取所述归一化晶圆的方法包括：提供数据拟合模型；根据所述数据拟合模型对所述第一测量点和所述第一测量值进行数据拟合运算，获取所述归一化晶圆，所述归一化晶圆中包括若干第二测量点，每个所述第二测量点上对应有第二测量值。
13.可选的，获取所述初始态晶圆的方法包括：获取每个所述归一化晶圆在每个所述第二测量点上对应的历史补偿值；将所述归一化晶圆上每个所述第二测量值减去对应的所述历史补偿值，获取所述初始态晶圆，所述初始态晶圆中包括若干第三测量点，所述第三测量点与所述第二测量点对应，每个所述第三测量点上对应有初始偏差值。
14.可选的，获取每个所述初始态晶圆对应的纯粹补偿值的方法包括：提供再补偿模型；根据所述再补偿模型获取每个所述初始态晶圆对应的纯粹补偿值。
15.可选的，根据所述纯粹补偿值对若干所述历史处理晶圆进行分组处理的方法包括：将每个所述初始态晶圆对应的纯粹补偿值生成对应的可视化图像；对若干所述可视化图像进行图像识别处理，根据所述图像识别处理对若干所述历史处理晶圆进行分组处理。
16.可选的，获取每个所述晶圆组中的历史处理晶圆所对应第二偏差补偿值的方法包括：提供权重分配模型；根据所述权重分配模型对所述晶圆组中的每个所述历史处理晶圆的纯粹补偿值进行运算处理，获取所述第二偏差值。
17.可选的，在获取所述第一制程路径的过程中，还包括：去除所述第一制程路径中第一干扰制程路径。
18.可选的，所述第一干扰制程路径包括：在所述待补偿晶圆进行半导体制程时不会产生套刻偏差的第一制程路径。
19.可选的，在获取所述第二制程路径的过程中，还包括：去除所述第二制程路径中第二干扰制程路径。
20.可选的，所述第二干扰制程路径包括：在所述历史处理晶圆进行半导体制程时不会产生套刻偏差的所述第二制程路径。
21.可选的，在获取所述待补偿晶圆的第一偏差补偿值之后，还包括：采用是第一偏差补偿值对所述待补偿晶圆进行偏差补偿处理，获取补偿晶圆。
22.相应的，本发明还提供了一种套刻偏差的补偿系统，包括：数据库获取单元，根据若干历史处理晶圆获取晶圆预测补偿数据库，所述晶圆预测补偿数据库包括：每个所述历史处理晶圆对应的第一制程路径、以及与每个所述历史处理晶圆对应第一偏差补偿值，用于为待补偿晶圆提供预测偏差补偿值；第二路径获取单元，用于获取所述待补偿晶圆的第二制程路径；处理单元，用于将所述待补偿晶圆的第二制程路径与所述晶圆预测补偿数据库进行对比，获取所述待补偿晶圆的第二偏差补偿值。
23.可选的，所述晶圆预测补偿数据库还包括：每个所述历史处理晶圆对应的晶圆组。
24.可选的，所述处理单元包括：对比模块，用于对比所述待补偿晶圆与所述晶圆预测补偿数据库，当获取的所述待补偿晶圆的第二制程路径与所述晶圆预测补偿数据库中的一个历史处理晶圆a的第一制程路径相同时，产生数据提取信号；查找模块，用于接收所述提取信号，查找所述历史处理晶圆a所对应的第一偏差补偿值，并将所述历史处理晶圆a的第一偏差补偿值作为所述待补偿晶圆的第二偏差补偿值输出。
25.可选的，所述数据库获取单元包括：分组单元，用于对若干所述历史处理晶圆进行分组处理，获取若干晶圆组，每个所述晶圆组中包括至少一个所述历史处理晶圆；第一路径获取单元，用于获取所述晶圆组中的每个所述历史处理晶圆的第一制程路径，并将所述第一制程路径与所述晶圆组进行关联；偏差补偿值获取单元，用于获取每个所述晶圆组中的历史处理晶圆所对应第一偏差补偿值。
26.可选的，所述分组单元包括：归一化处理模块，用于对若干所述历史处理晶圆进行归一化处理，获取若干归一化晶圆；补偿值剥离模块，用于对若干所述归一化晶圆进行补偿值剥离处理，获取若干初始态晶圆；纯粹补偿值获取模块，用于对若干所述初始态晶圆进行再补偿处理，获取每个所述初始态晶圆对应的纯粹补偿值。
27.可选的，所述历史处理晶圆中包括若干第一测量点，每个所述第一测量点上对应有第一测量值。
28.可选的，所述归一化处理模块包括：数据拟合模型，用于对所述第一测量点和所述第一测量值进行数据拟合运算，获取所述归一化晶圆，所述归一化晶圆中包括若干第二测量点，每个所述第二测量点上对应有第二测量值。
29.可选的，所述补偿值剥离模块包括：历史补偿值获取模块，用于获取每个所述归一化晶圆在每个所述第二测量点上对应的历史补偿值；运算模块，用于将所述归一化晶圆上每个所述第二测量值减去对应的所述历史补偿值，获取所述初始态晶圆，所述初始态晶圆中包括若干第三测量点，所述第三测量点与所述第二测量点对应，每个所述第三测量点上对应有初始偏差值。
30.可选的，所述纯粹补偿值获取模块包括：再补偿模型，用于获取每个所述初始态晶圆对应的纯粹补偿值。
31.可选的，所述分组单元还包括：图像生成模块，用于将每个所述初始态晶圆对应的纯粹补偿值生成对应的可视化图像；图像识别处理模块，用于对若干所述可视化图像进行图像识别处理，根据所述图像识别处理对若干所述历史处理晶圆进行分组处理。
32.可选的，所述偏差补偿值获取单元包括：权重分配模型，用于对所述晶圆组中的每个所述历史处理晶圆的纯粹补偿值进行运算处理，获取所述第二偏差值。
33.可选的，还包括：第一路径去除单元，用于去除所述第一制程路径中第一干扰制程路径。
34.可选的，所述第一干扰制程路径包括：在所述待补偿晶圆进行半导体制程时不会产生套刻偏差的所述第一制程路径。
35.可选的，还包括：第二路径去除单元，用于去除所述第二制程路径中第二干扰制程路径。
36.可选的，所述第二干扰制程路径包括：在所述历史处理晶圆进行半导体制程时不会产生套刻偏差的所述第二制程路径。
37.与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下有益效果：
38.本发明技术方案提供的套刻偏差的补偿方法中，获取所述待补偿晶圆的第二制程路径，根据所述待补偿晶圆的第二制程路径与所述晶圆预测补偿数据库进行对比，获取所述待补偿晶圆的第二偏差补偿值。通过所述晶圆预测补偿数据库能够提前预测所述待补偿晶圆的补偿值，有效提升了生产效率。另外，所述晶圆预测补偿数据库中将每个所述历史处
理晶圆的第一制程路径作为影响变量引入到套刻偏差的补偿中，有效提升了最终的补偿精度，降低了重新检测补偿的风险，进而降低了生产成本。
39.本发明技术方案提供的套刻偏差的补偿系统中，晶圆预测补偿数据库，通过若干历史处理晶圆获取，用于为待补偿晶圆提供预测偏差补偿值；第二路径获取单元，用于获取所述待补偿晶圆的第二制程路径；处理单元，用于将所述待补偿晶圆的第二制程路径与所述晶圆预测补偿数据库进行对比，获取所述待补偿晶圆的第二偏差补偿值。通过所述晶圆预测补偿数据库能够提前预测所述待补偿晶圆的补偿值，有效提升了生产效率。另外，所述晶圆预测补偿数据库中将每个所述历史处理晶圆的第一制程路径作为影响变量引入到套刻偏差的补偿中，有效提升了最终的补偿精度，降低了重新检测补偿的风险，进而降低了生产成本。
附图说明
40.图1是本发明一实施例的套刻偏差的补偿方法的流程示意图；
41.图2至图10是本发明一实施例的套刻偏差的补偿方法中各步骤的结构示意图；
42.图11是本发明一实施例的套刻偏差的补偿系统结构示意图。
具体实施方式
43.如背景技术所述，现有技术中的套刻偏差补偿处理仍存在诸多问题，以下将进行详细说明。
44.现有技术的套刻偏差的补偿方法仅简单的把前层光刻曝光机台与当层的光刻曝光机台作为关联组合，利用这些组合过往的测量记录的反馈，采用统一补偿量对所有的晶圆进行套刻偏差补偿。
45.由于，同一批次的晶圆进行半导体制程时会经过不同的制程路径，如热效应制程或刻蚀制程等，这些不同的制程路径会对所述晶圆自身形貌造成影响，这些影响也会造成一定的套刻偏差。然而，现有技术在进行补偿时并未将所述制程路径所造成的套刻偏差考虑进去，因此，当采用统一补偿量对该批次中所有的晶圆进行套刻偏差补偿时，会出现部分晶圆的套刻偏差补偿不能达到要求，进而需要进行重新检测补偿，此过程不但会造成高昂的成本支出，同时也会影响产能。
46.为解决所述技术问题，本发明实施例提供了一种套刻偏差的补偿方法，获取所述待补偿晶圆的第二制程路径，根据所述待补偿晶圆的第一制程路径与所述晶圆预测补偿数据库进行对比，获取所述待补偿晶圆的第二偏差补偿值。通过所述晶圆预测补偿数据库能够提前预测所述待补偿晶圆的补偿值，有效提升了生产效率。另外，所述晶圆预测补偿数据库中将每个所述历史处理晶圆的第一制程路径作为影响变量引入到套刻偏差的补偿中，有效提升了最终的补偿精度，降低了重新检测补偿的风险，进而降低了生产成本。
47.为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
48.图1是本发明一实施例的套刻偏差的补偿方法的流程示意图。
49.请参考图1，所述套刻偏差的补偿方法包括：
50.步骤s11，提供若干历史处理晶圆；
51.步骤s12，根据若干所述历史处理晶圆获取晶圆预测补偿数据库，所述晶圆预测补偿数据库包括：每个所述历史处理晶圆对应的第一制程路径、以及与每个所述历史处理晶圆对应第一偏差补偿值；
52.步骤s13，提供待补偿晶圆；
53.步骤s14，获取所述待补偿晶圆的第二制程路径；
54.步骤s15，根据所述待补偿晶圆的第二制程路径与所述晶圆预测补偿数据库进行对比，获取所述待补偿晶圆的第二偏差补偿值。
55.以下结合附图进行详细说明。
56.图2至图10是本发明实施例的套刻偏差的补偿方法中各步骤的结构示意图。
57.请参考图2，提供若干历史处理晶圆100。
58.在本实施例中，所述历史处理晶圆100为使用在本补偿方法之前的处理晶圆，所述历史处理晶圆100的补偿方法是把前层光刻曝光机台与当层的光刻曝光机台作为关联组合，利用这些组合过往的测量记录的反馈，采用统一补偿量对所有的晶圆进行套刻偏差补偿。
59.在本实施例中，所述历史处理晶圆100用于为后续获取晶圆预测补偿数据库提供数据样本。
60.在本实施例中，提供的所述第一历史处理晶圆100有4中不同的测量方式，进而对应有如图所示的4种晶圆形貌。
61.在提供若干历史处理晶圆100，根据若干所述历史处理晶圆100获取晶圆预测补偿数据库，所述晶圆预测补偿数据库包括：每个所述历史处理晶圆100对应的第一制程路径、以及与每个所述历史处理晶圆100对应第一偏差补偿值、每个所述历史处理晶圆100对应的晶圆组。获取所述晶圆预测补偿数据库的具体过程请参考图3至图8。
62.对若干所述历史处理晶圆进行分组处理，获取若干晶圆组，每个所述晶圆组中包括至少一个所述历史处理晶圆。获取所述晶圆组的具体过程请参考图3至图6。
63.请参考图3，对若干所述历史处理晶圆100进行归一化处理，获取若干归一化晶圆200。
64.在本实施例中，所述历史处理晶圆100中包括若干第一测量点，每个所述第一测量点上对应有第一测量值。其中，所述第一量测值为所述历史处理晶圆在进行偏差补偿之后的测量值。
65.由于若干所述历史处理晶圆100在进行测量时的选点方式可能有很多种，在本实施例中，选取4种不同测量点的晶圆形貌为例，如果不对选取不同测量点的所述历史处理晶圆100做归一化处理，就没办法运用后续的图像识别来对若干所述历史处理晶圆进行分组。因此，通过所述归一化处理，将若干所述历史处理晶圆的选点方式进行统一，使得每个所述历史处理晶圆100的选点位置和个数都保持一致，这样才能够便于后续通过的图像识别来进行分组。
66.在本实施例中，获取所述归一化晶圆200的方法包括：提供数据拟合模型；根据所述数据拟合模型对所述第一测量点和所述第一测量值进行数据拟合运算，获取所述归一化晶圆200，所述归一化晶圆200中包括若干第二测量点，每个所述第二测量点上对应有第二测量值。
67.请参考图4，对若干所述归一化晶圆200进行补偿值剥离处理，获取若干初始态晶圆300。
68.在本实施例中，由于所述第一量测值为所述历史处理晶圆100在进行偏差补偿之后的测量值，因此经过所述数据拟合运算获取的第二测量值也是进行偏差补偿之后的测量值。考虑到每个所述历史处理晶圆100在曝光时使用的补偿条件的多变性，最终获取的所述第一测量值本身差异性较小，不能反映补偿之前的差异。因此需要将每个所述历史处理晶圆100的补偿值剥离掉，还原每个历史处理晶圆100的初始状态，这才是每个历史处理晶圆100经过特定制程路径之后到曝光之前的真实状态。
69.在本实施例中，获取所述初始态晶圆300的方法包括：获取每个所述归一化晶圆200在每个所述第二测量点上对应的历史补偿值；将所述归一化晶圆200上每个所述第二测量值减去对应的所述历史补偿值，获取所述初始态晶圆300，所述初始态晶圆300中包括若干第三测量点，所述第三测量点与所述第二测量点对应，每个所述第三测量点上对应有初始偏差值。
70.请参考图5，对若干所述初始态晶圆300进行再补偿处理，获取每个所述初始态晶圆300对应的纯粹补偿值400。
71.在本实施例中，采用统一的补偿模型，获取每个历史处理晶圆的纯粹补偿值400，所述纯粹补偿值400结果是将每个所述历史处理晶圆100尽可能的补偿到最佳状态，或是与最佳状态的差异维持在一个可以接受的很低的水平。
72.在本实施例中，获取每个所述初始态晶圆300对应的纯粹补偿值400的方法包括：提供再补偿模型；根据所述再补偿模型获取每个所述初始态晶圆300对应的纯粹补偿值400。
73.请参考图6，根据所述纯粹补偿值400对若干所述历史处理晶圆100进行分组处理。
74.在本实施例中，根据所述纯粹补偿值400对若干所述历史处理晶圆100进行分组处理的方法包括：将每个所述初始态晶圆300对应的纯粹补偿值400生成对应的可视化图像；对若干所述可视化图像进行图像识别处理，根据所述图像识别处理对若干所述历史处理晶圆100进行分组处理。
75.在本实施例中，不仅可以通过所述纯粹补偿值400进行分组处理，而且在后续还需要依据所述纯粹补偿值400获取每个所述晶圆组所述对应的第一偏差补偿值。
76.在本实施例中，根据所述纯粹补偿值400将若干所述历史处理晶圆100分为3组，即组1、组2和组3。
77.在本实施例中，将每个所述初始态晶圆300对应的纯粹补偿值400生成对应的可视化图像的方法包括：将所述纯粹补偿值400生产初始可视化图像；调整所述初始可视化图像的图片大小；去除所述初始可视化图像上的多余信息，只保留所述初始可视化图像上的线段及箭头；对所述初始可视化图像上的线段及箭头进行加粗处理，形成所述可视化图像。
78.在本实施例中，对若干所述可视化图像进行图像识别处理的方法包括：采用深度卷积嵌入(deep convolutional embedded clustering,dcec)的方法对所述可视化图像进行特征提取；采用dbscan(density-based spatial clustering of applications with noise，具有噪声的基于密度的聚类方法)的方法对提取的特征进行聚类分组。
79.请参考图7，获取所述晶圆组中的每个所述历史处理晶圆100的第一制程路径，并
将所述第一制程路径与所述晶圆组进行关联。
80.在本实施例中，所述历史处理晶圆100的第一制程路径指的是，所述历史处理晶圆在进行半导体制程中所进行了制程工艺，如热效应制程或刻蚀制程等，这些制程工艺也会造成一定的套刻偏差，因此通过将所述第一制程路径作为影响变量引入到套刻偏差的补偿中，有效提升了最终的补偿精度，降低了重新检测补偿的风险，进而降低了生产成本。
81.在本实施例中，将所述第一制程路径与所述晶圆组进行关联的方法包括：获取所述晶圆组中的每个所述历史处理晶圆100的第一制程路径；将占据多数的相同的历史处理晶圆100的第一制程路径作为所述晶圆组关联的第一制程路径，并将占据少数的不相同的历史处理晶圆100的第一制程路径所对应的历史处理晶圆100移除所述晶圆组。
82.通过所述关联方法，能够保证所述晶圆组和所述第一制程路径形成唯一对应的关系。
83.在本实施例中，组1中若干历史处理晶圆100的第一制程路径均为路径1，组2中若干历史处理晶圆100的第一制程路径均为路径2，组3中若干历史处理晶圆100的第一制程路径均为路径3。
84.在本实施例中，在获取所述第一制程路径的过程中，还包括：去除所述第一制程路径中第一干扰制程路径。
85.在本实施例中，所述第一干扰制程路径包括：在所述待补偿晶圆进行半导体制程时不会产生套刻偏差的第一制程路径。
86.根据制程经验可知，在进行半导体制程中，有些制程工艺明显不会产生套刻偏差，如果将这些不会产生套刻偏差的第一制程路径也考虑进去，这样需要数量庞大的历史处理晶圆100来支撑所述晶圆预测补偿数据库建立。因此，可将该制程工艺所对应的第一制程路径去除，进而能够降低建立所述晶圆预测补偿数据库所需要的历史处理晶圆100的数量，同时也使得建立所述晶圆预测补偿数据库的效率提升。
87.请参考图8，获取每个所述晶圆组中的历史处理晶圆100所对应的第一偏差补偿值。
88.由于每个所述晶圆组中的历史处理晶圆100的数量为若干，因此不能够将某一个所述历史处理晶圆100所对应的纯粹补偿值400作为最终的第一偏差补偿值。因此，在本实施例中，获取每个所述晶圆组中的历史处理晶圆100所对应第二偏差补偿值的方法包括：提供权重分配模型；根据所述权重分配模型对所述晶圆组中的每个所述历史处理晶圆100的纯粹补偿值400进行运算处理，获取所述第二偏差值。
89.在本实施例中，获取的所述晶圆预测补偿数据库如下表所示：
90.[0091][0092]
其中，wafer#01～wafer#07为所述历史处理晶圆100的编号，p1～p7为每个所述历史处理晶圆100的第一制程路径编号，g1～g7为每个所述历史处理晶圆100的晶圆组编号，s1～s7为每个所述历史处理晶圆100的第一偏差补偿值的编号。
[0093]
请参考图9，在获取所述晶圆预测补偿数据库之后，提供待补偿晶圆500。
[0094]
在本实施例中，所述待补偿晶圆500为经过半导体制程之后的晶圆，所述待补偿晶圆500上的每个测量点上具有套刻偏差，需要对其进行补偿，使其套刻精度在偏差范围内。
[0095]
请参考图10，获取所述待补偿晶圆500的第二制程路径。
[0096]
在本实施例中，所述待补偿晶圆500的第二制程路径指的是，所述待补偿晶圆500在进行半导体制程中所进行了制程工艺，如热效应制程或刻蚀制程等。
[0097]
在本实施例中，在获取所述第二制程路径的过程中，还包括：去除所述第二制程路径中第二干扰制程路径。
[0098]
在本实施例中，所述第二干扰制程路径包括：在所述历史处理晶圆进行半导体制程时不会产生套刻偏差的所述第二制程路径。
[0099]
由于在建立所述晶圆预测补偿数据库的过程中去除了第一干扰制程路径，因此，对应的也需要去除所述第二制程路径中第二干扰制程路径。
[0100]
在获取所述待补偿晶圆500的第二制程路径之后，根据所述待补偿晶圆500的第二制程路径与所述晶圆预测补偿数据库进行对比，获取所述待补偿晶圆500的第二偏差补偿值。
[0101]
在本实施例中，根据所述待补偿晶圆500的第二制程路径与所述晶圆预测补偿数据库进行对比，获取所述待补偿晶圆500的第二偏差补偿值的方法包括：当获取的所述待补偿晶圆500的第二制程路径与所述晶圆预测补偿数据库中的一个历史处理晶圆a的第二制程路径相同时，则所述待补偿晶圆500的第二偏差补偿值为所述历史处理晶圆a的第一偏差补偿值。
[0102]
在本实施例中，获取所述待补偿晶圆500的第二制程路径，根据所述待补偿晶圆500的第二制程路径与所述晶圆预测补偿数据库进行对比，获取所述待补偿晶圆的第二偏差补偿值。通过所述晶圆预测补偿数据库能够提前预测所述待补偿晶圆500的补偿值，有效提升了生产效率。另外，所述晶圆预测补偿数据库中将每个所述历史处理晶圆100的第一制程路径作为影响变量引入到套刻偏差的补偿中，有效提升了最终的补偿精度，降低了重新检测补偿的风险，进而降低了生产成本。
[0103]
在获取所述待补偿晶圆500的第一偏差补偿值之后，采用是第一偏差补偿值对所述待补偿晶圆500进行偏差补偿处理，获取补偿晶圆。
[0104]
相应的，本发明实施例中还提供了一种套刻偏差的补偿系统，请参考图11，包括：数据库获取单元100，根据若干历史处理晶圆获取晶圆预测补偿数据库，所述晶圆预测补偿数据库包括：每个所述历史处理晶圆对应的第一制程路径、以及与每个所述历史处理晶圆
对应第一偏差补偿值，用于为待补偿晶圆提供预测偏差补偿值；第二路径获取单元200，用于获取所述待补偿晶圆的第二制程路径；处理单元300，用于将所述待补偿晶圆的第二制程路径与所述晶圆预测补偿数据库进行对比，获取所述待补偿晶圆的第二偏差补偿值。
[0105]
在本实施例中，所述晶圆预测补偿数据库还包括：每个所述历史处理晶圆对应的晶圆组。
[0106]
在本实施例中，所述处理单元300包括：对比模块301，用于对比所述待补偿晶圆与所述晶圆预测补偿数据库，当获取的所述待补偿晶圆的第二制程路径与所述晶圆预测补偿数据库中的一个历史处理晶圆a的第一制程路径相同时，产生数据提取信号；查找模块302，用于接收所述提取信号，查找所述历史处理晶圆a所对应的第一偏差补偿值，并将所述历史处理晶圆a的第一偏差补偿值作为所述待补偿晶圆的第二偏差补偿值输出。
[0107]
在本实施例中，所述数据库获取单元100包括：分组单元101，用于对若干所述历史处理晶圆进行分组处理，获取若干晶圆组，每个所述晶圆组中包括至少一个所述历史处理晶圆；第一路径获取单元102，用于获取所述晶圆组中的每个所述历史处理晶圆的第一制程路径，并将所述第一制程路径与所述晶圆组进行关联；偏差补偿值获取单元103，用于获取每个所述晶圆组中的历史处理晶圆所对应第一偏差补偿值。
[0108]
在本实施例中，所述分组单元101包括：归一化处理模块1011，用于对若干所述历史处理晶圆进行归一化处理，获取若干归一化晶圆；补偿值剥离模块1012，用于对若干所述归一化晶圆进行补偿值剥离处理，获取若干初始态晶圆；纯粹补偿值获取模块1013，用于对若干所述初始态晶圆进行再补偿处理，获取每个所述初始态晶圆对应的纯粹补偿值。
[0109]
在本实施例中，所述历史处理晶圆中包括若干第一测量点，每个所述第一测量点上对应有第一测量值。
[0110]
在本实施例中，所述归一化处理模块1011包括：数据拟合模型，用于对所述第一测量点和所述第一测量值进行数据拟合运算，获取所述归一化晶圆，所述归一化晶圆中包括若干第二测量点，每个所述第二测量点上对应有第二测量值。
[0111]
在本实施例中，所述补偿值剥离模块1012包括：历史补偿值获取模块10121，用于获取每个所述归一化晶圆在每个所述第二测量点上对应的历史补偿值；运算模块10122，用于将所述归一化晶圆上每个所述第二测量值减去对应的所述历史补偿值，获取所述初始态晶圆，所述初始态晶圆中包括若干第三测量点，所述第三测量点与所述第二测量点对应，每个所述第三测量点上对应有初始偏差值。
[0112]
在本实施例中，所述纯粹补偿值获取模块1013包括：再补偿模型，用于获取每个所述初始态晶圆对应的纯粹补偿值。
[0113]
在本实施例中，所述分组单元101还包括：图像生成模块1014，用于将每个所述初始态晶圆对应的纯粹补偿值生成对应的可视化图像；图像识别处理模块1015，用于对若干所述可视化图像进行图像识别处理，根据所述图像识别处理对若干所述历史处理晶圆进行分组处理。
[0114]
在本实施例中，所述偏差补偿值获取单元103包括：权重分配模型，用于对所述晶圆组中的每个所述历史处理晶圆的纯粹补偿值进行运算处理，获取所述第二偏差值。
[0115]
在本实施例中，还包括：第一路径去除单元104，用于去除所述第一制程路径中第一干扰制程路径。
[0116]
在本实施例中，所述第一干扰制程路径包括：在所述待补偿晶圆进行半导体制程时不会产生套刻偏差的所述第一制程路径。
[0117]
在本实施例中，还包括：第二路径去除单元201，用于去除所述第二制程路径中第二干扰制程路径。
[0118]
在本实施例中，所述第二干扰制程路径包括：在所述历史处理晶圆进行半导体制程时不会产生套刻偏差的所述第二制程路径。
[0119]
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。