技术特征：
1.一种高温热源色调制方法，其特征在于，包括以下步骤：s10，采用有限元差分法自编程，按照将高温热源的颜色调制为目标颜色，选择能够达到目标颜色调制的材料，进行一维光子晶体的设计；s20，通过模拟和计算，得到s10中材料的周期层数及每层的厚度；s30，根据s20中材料的周期层数及每层的厚度，采用物理方法在玻璃衬底上制备一维光子晶体；s40，对所制备的一维光子晶体进行表征及高温热源色调制效果检测。2.根据权利要求1所述的高温热源色调制方法，其特征在于，所述s10包括采用两种不同介电材料的薄膜周期性交叠，利用两种材料的不同介电特性，改变光的透射特征，设定两种材料的介电特性、薄膜的厚度以及层数，基于麦克斯韦方程组，进行求解计算，得到光子体的透射率随波长的关系，如果所得结果符合预设要求，即可确定所选材料。3.根据权利要求1所述的高温热源色调制方法，其特征在于，所述s10包括采用二氧化硅和二氧化钛薄膜组成的周期性一维光子晶体。4.根据权利要求3所述的高温热源色调制方法，其特征在于，所述s20中得到的二氧化硅和二氧化钛周期层数为8，每层二氧化硅或二氧化钛的厚度为80
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95nm。5.根据权利要求1所述的高温热源色调制方法，其特征在于，所述s30中的物理方法包括磁控溅射法、热蒸发法和原子层沉积法。6.根据权利要求4所述的高温热源色调制方法，其特征在于，所述s30具体包括以下步骤：s31，对玻璃衬底按照顺序分别进行丙酮、乙醇、去离子水超声清洗；s32，用氮气将清洗的衬底吹干，送入腔体内，准备光子晶体制备；s33，沉积第一层二氧化钛薄膜，厚度为80
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95nm；s34，在第一层二氧化钛的薄膜上沉积第一层二氧化硅薄膜，厚度为80
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95nm；第一层二氧化钛薄膜和二氧化硅薄膜形成第一个二氧化硅/二氧化钛周期；s35，以此类推，制备第二个到第八个二氧化硅/二氧化钛周期，完成一维二氧化硅/二氧化钛光子晶体的制备；s36，进行退火处理。7.根据权利要求6所述的高温热源色调制方法，其特征在于，所述s31中超声清洗时间为5
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15min。8.根据权利要求6所述的高温热源色调制方法，其特征在于，所述s36中退火温度为250
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900℃，退火时间为30
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60min。9.根据权利要求1所述的高温热源色调制方法，其特征在于，所述s40包括对制备的一维光子晶体截面扫描电镜图和测量一维光子晶体的透射率与波长的关系。
技术总结
本发明公开了一种高温热源色调制方法，包括S10，采用有限元差分法自编程，按照将高温热源的颜色调制为目标颜色，选择能够达到目标颜色调制的材料，进行一维光子晶体的设计；S20，通过模拟和计算，得到S10中材料的周期层数及每层的厚度；S30，根据S20中材料的周期层数及每层的厚度，采用物理方法在玻璃衬底上制备一维光子晶体。S40，对所制备一维光子晶体进行表征及高温热源色调制效果检测。本发明可将高温热源产生的光，通过本发明的调制方法转换为低温色，并且具备较好的耐高温性和稳定性。并且具备较好的耐高温性和稳定性。并且具备较好的耐高温性和稳定性。
技术研发人员：严文生
受保护的技术使用者：杭州电子科技大学
技术研发日：2021.07.12
技术公布日：2021/9/28