一种透明电致发光件的制作方法

1.本实用新型涉及电致发光领域，具体是一种透明电致发光件。


背景技术：

2.市面上的电致发光膜材，主要有两种生产方式。(1)采用导电玻璃作为基材，在基材表面采用真空蒸镀或磁控溅射等高端设备，将发光层材料及其它功能层材料，沉积在材料的表面，最终形成电致发光膜材。(2)采用导电柔性膜材作为基材，在基材表面通过丝网印刷，涂布，压印，旋涂的方式，将发光层材料及其它功能层材料，沉积在材料的表面，最终形成柔性电致发光膜材。
3.基于两种不同的生产方式，在产品本身上，还有如下缺陷：(1)采用导电玻璃作为基材，真空蒸镀或磁控溅射形成的电致发光膜材，该种技术存在严重弊端，除了技术受限于昂贵的生产设备外，制备的电致发光膜材并不具备透明性。(2)采用导电柔性膜材作为基材，通过印刷或者涂布的方式形成柔性电致的发光膜材，采用该种技术同样存在严重弊端，即制备的电致发光膜材同样不具备透明性。
4.综上，现有电致发光膜材的产品不能满足于透明性要求，造成电致发光膜材使用范围受限。


技术实现要素：

5.本实用新型的目的在于提供一种透明电致发光件，通过对电致发光层状结构的改进，能够使电致发光层具备透明性，以解决上述背景技术中提出的问题。
6.为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
7.一种透明电致发光件，包括依次叠置的上基材、下导电层以及下基材，所述上基材中设有竖直贯穿上基材的发光通道，所述发光通道包括依次叠置有发光层和上导电层，所述上导电层与下导电层之间设有绝缘层且两者通过外接电源串联，与发光层形成通电电路。
8.作为本实用新型进一步的方案：所述发光通道呈贯穿上基材的任意凹槽形式，所述发光通道的宽度为0.001
‑
0.5mm，其深度与上基材厚度相同，所述下基材为透明材料。
9.作为本实用新型进一步的方案：所述发光通道呈贯穿上基材的网格形式，所述网格的排列周期为0.003
‑
5mm。
10.作为本实用新型进一步的方案：所述发光通道中依次叠置有发光层、绝缘层和上导电层，所述发光层与下导电层接触相连。
11.作为本实用新型进一步的方案：所述上基材与下导电层之间平铺设有绝缘层，所述发光通道中依次叠置有发光层与上导电层，所述发光层与绝缘层接触相连。
12.与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型结构新颖，通过对电致发光件层状结构的改进，通过在电致发光件的上基材中设置宽度极细的发光通道，将不透明的发光材料集中填充至发光通道中，且配合透明的上基材的使用，能够使电致发光件整体
为透明状态，相较于现有技术中不透明发光材料平铺在电致发光膜中的形式，本实用新型的透明形式能够扩大电致发光膜的应用范围，同时本实用新型中电致发光件的制备方法难度低、成本低廉，方便大规模应用于工业化生产。
附图说明
13.图1为实施例1中一种透明电致发光件实现原理的简易示意图；
14.图2为实施例1中一种透明电致发光件的结构示意图；
15.图3为实施例2中一种透明电致发光件实现原理的简易示意图；
16.图4为实施例2中一种透明电致发光件的结构示意图；
17.图中：1
‑
上基材、10
‑
上导电层、11
‑
绝缘层、12
‑
发光层、2
‑
下导电层、3
‑
下基材、4
‑
导电材料、5
‑
外接电路、6
‑
电源。
具体实施方式
18.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
19.本实用新型实施例中，一种透明电致发光件，包括依次叠置的上基材、下导电层以及下基材，所述上基材包括竖向贯穿上基材的发光通道，所述发光通道包括依次叠置的发光层和上导电层，所述上导电层与下导电层之间设有绝缘层且两者通过外接电源串联，与发光层形成通电电路。
20.实施例1：
21.一种透明电致发光件，包括依次叠置的上基材、下导电层以及下基材，所述上基材包括竖向贯穿上基材的发光通道，所述发光通道包括依次叠置的发光层和上导电层，所述上导电层与下导电层之间设有绝缘层且两者通过外接电源串联，与发光层形成通电电路，所述发光层与下导电层接触相连。
22.现有的技术采用整面型叠加结构，由于发光层中的发光粉等材料的没有透明性，无法解决发光膜材透明问题。本实用新型在现有结构的基材上，将不透明的发光粉等材料填充到透明基材的凹槽内部，实现材料可透视性能。
23.所述电源可以为交流电源或直流电源，电源类型的选择取决于发光层中发光材料的特性。
24.所述上基材中的发光通道宽度为0.001
‑
0.5mm，所述通道深度为上基材厚度，发光通道竖向贯穿上基材，所述发光通道为上基材中开设的凹槽，可以为但不仅限于网格状的发光通道。
25.上基材中的呈网格状的发光通道，其中网格的交叉角度范围为0
‑
180度，所述网格周期为0.003
‑
5.0mm，本实用新型中的网格形式可以为阵列有序的形式，也可以为非阵列且无序的形式，该发光通道的加工方法可以为但不仅限于黄光蚀刻，激光镭射，压印uv转印胶等。
26.所述发光层在电场作用下被相应的电能所激发而产生发光现象，所述发光层中的
发光材料主要分为无机电致发光材料和有机电致发光材料，电致红色发光材料可以为但不仅限于dcm、dcm
‑
2～dcjtb等，电致绿色发光材料可以为但不仅限于alq、8
‑
羟基喹啉铝(alq3)、n,n'
‑
二甲基喹吖啶酮(dmqa)等，电致蓝色发光材料可以为但不仅限于anthracene、alq2、bczvbi、perylene、oxd
‑
1、oxd
‑
4、dpvb等，和无机发光材料可以为但不仅限硫化锌(zns)，zns：cu混合物，zns：mn混合物，zns：tb混合物，硫化钙(cas)，sio2:ge混合物，sio2:er混合物，硫化锶(srs)等。
27.所述绝缘层主要用于约束电子速率而使得电子通过发光层材料时能够被材料捕捉并激发发光层的材料发光，所述绝缘层中的绝缘材料可以为但不仅限于钡粉、氧化钽，氧化钇，透明绝缘膜材、uv绝缘胶，环氧树脂绝缘胶，丙烯酸树脂绝缘胶等。
28.所述上导电层与外界电源相配合用于激发电场，所述上层导电层的材料可以为但不仅限于印刷银胶、镭射银胶，导电碳浆，pedot，石墨烯，金属以及金属合金材料等。
29.所述发光层、绝缘层与上导电层三者的总厚度与上基材的厚度相同，发光层、绝缘层、上导电层的厚度范围均为1
‑
30um。
30.所述下导电层通过电源与上导电层相连通，发光通道与下导电层形成一个完整的电路，使发光通道中的发光层在电场的作用下，能够使发光层电致发光，对信息进行呈现。
31.所述下基材起到对电致发光件的承载作用，下基材的材质可以为但不仅限于玻璃、pet、pi、pp、pc、pmma、pvb、cop等，该基材的材质一般为透明或半透明，且基材下表面可做表面处理，可以为但不仅限于ag处理，ar处理等，以增加电致发光件的发光亮度。
32.所述下基材为透明材料，其厚度不限，且本实用新型下基材的材料优选为0.05mm的pet。
33.所述透明电致发光件的制备方法为：
34.步骤一、在上基材上开设发光通道，向发光通道中依次叠置发光层与上导电层，所述上导电层与下导电层之间布设有绝缘层；
35.步骤二、在上导电层与下导电层之间布设将两个导电层与电源串联的连接电路。
36.本实施例1中透明电致发光件的制备方法的步骤一为：在上基材上开设发光通道，向发光通道中依次叠置上导电层、绝缘层以及下导电层。该处制备方法的步骤与透明电致发光件的层状结构组成息息相关。所述步骤二中的两个导电层与电源之间通过导电材料相连。
37.发光通道由3层材料堆叠形成，分别为接近下导电层的发光层、绝缘层和上导电层，都是电致发光膜材的核心材料。发光机理为：当上下导电层接通电压，发光层材料界面和绝缘层材料中处于深能级的电子，在高压电场的作用下被激发，并通过隧穿作用进入发光层；初电子在发光层中被高压电场加速，形成过热电子；过热电子在发光层中碰撞荧光体发光中心，使得发光中心的电子能量从基态跃迁到高能态；当电子从高能态返回基态时，发出光子，形成发光现象。发光通道的制作包括但不限于压印uv转印，黄光蚀刻，激光镭射等。
38.实施例2：
39.一种透明电致发光件，包括依次叠置的上基材，下导电层以及下基材，所述上基材与下导电层之间间隔有绝缘层，所述上基材包括竖向贯穿上基材的发光通道，所述发光通道包括依次叠置的上导电层和发光层，所述发光层与绝缘层接触相连，所述上导电层与下导电层之间通过电源相连，使发光通道与下导电层之间形成通电电路。
40.上述的结构说明中，在图2所示的新型结构中，所述绝缘层平铺设置在上基材与下导电层之间，绝缘层的厚度为1um
‑
10um，材料为透明绝缘，包括但不仅限于透明感光类的胶水和膜材，uv绝缘胶，环氧树脂绝缘胶，丙烯酸树脂绝缘胶等。
41.所述上基材中的发光通道宽度为0.001
‑
0.5mm，所述通道深度为上基材厚度，发光通道竖向贯穿上基材，所述发光通道为上基材中开设的凹槽，可以为但不仅限于网格状的发光通道。
42.上基材中的呈网格状的发光通道，其中网格的交叉角度范围为0
‑
180度，所述网格周期为0.003
‑
5.0mm，本实用新型中的网格形式可以为阵列有序的形式，也可以为非阵列且无序的形式，该发光通道的加工方法可以为但不仅限于黄光蚀刻，激光镭射，压印uv转印胶等。
43.所述发光层在电场作用下被相应的电能所激发而产生发光现象，所述发光层中的发光材料主要分为无机电致发光材料和有机电致发光材料，电致红色发光材料可以为但不仅限于dcm、dcm
‑
2～dcjtb等，电致绿色发光材料可以为但不仅限于alq、8
‑
羟基喹啉铝(alq3)、n,n'
‑
二甲基喹吖啶酮(dmqa)等，电致蓝色发光材料可以为但不仅限于anthracene、alq2、bczvbi、perylene、oxd
‑
1、oxd
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4、dpvb等，和无机发光材料可以为但不仅限硫化锌(zns)，zns：cu混合物，zns：mn混合物，zns：tb混合物，硫化钙(cas)，sio2:ge混合物，sio2:er混合物，硫化锶(srs)等。
44.所述上导电层与外界电源相配合用于激发电场，所述上层导电层的材料可以为但不仅限于印刷银胶、镭射银胶，导电碳浆，pedot，石墨烯，金属以及金属合金材料等。
45.所述发光层与上导电层两者的总厚度与上基材的厚度相同。所述下导电层通过电源与上导电层相连通，发光通道与下导电层形成一个完整的电路，使发光通道中的发光层在电场的作用下，能够使发光层电致发光，对信息进行呈现。
46.所述下基材起到对电致发光件的承载作用，下基材的材质可以为但不仅限于玻璃、pet、pi、pp、pc、pmma、pvb、cop等，该基材的材质一般为透明或半透明，且基材下表面可做表面处理，可以为但不仅限于ag处理，ar处理等，以增加电致发光件的发光亮度。
47.所述下基材为透明材料，其厚度不限，且本实用新型下基材的材料优选为0.05mm的pet。
48.本实施例2中的所述透明电致发光膜的制备方法为：
49.步骤一、在上基材上开设发光通道，向发光通道中依次叠置发光层与上导电层，所述上导电层与下导电层之间布设有绝缘层；
50.步骤二、在上导电层与下导电层之间布设将两个导电层与电源串联的连接电路。
51.本实施例2中透明电致发光件的制备方法的步骤一为：在上基材上开设发光通道，向发光通道中依次叠置上导电层和下导电层，所述绝缘层平铺设置在上基材与下导电层之间；该处制备方法的步骤与透明电致发光件的层状结构组成息息相关。所述步骤二中的两个导电层与电源之间通过导电材料相连。
52.发光通道由两层材料堆叠形成，分别为接近下导电层的发光层和上导电层，该透明电致发光件的发光机理为：当上下导电层接通电压，发光层材料界面和绝缘层材料中处于深能级的电子，在高压电场的作用下被激发，并通过隧穿作用进入发光层；初电子在发光层中被高压电场加速，形成过热电子；过热电子在发光层中碰撞荧光体发光中心，使得发光
中心的电子能量从基态跃迁到高能态；当电子从高能态返回基态时，发出光子，形成发光现象。发光通道的制作包括但不限于压印uv转印，黄光蚀刻，激光镭射等。
53.上述透明电致发光膜的制备方法相较于现有技术，增加了一个开设发光通道的步骤，在发光通道中填充不透明的发光材料，使除去发光通道部分的上基板处于透明状态，同时发光通道宽度范围仅为0.001
‑
0.5mm，相比于透明电致发光膜的整体尺寸，发光通道极细，即使其中设有不透明的发光材料，也能够使电致发光膜整体为透明状态，从而能够实现电致发光膜不仅能够通电发光而且能够始终保持透明状态，相较于现有技术中不透明发光材料平铺在电致发光膜中的形式，本实用新型的透明形式能够扩大电致发光膜的应用范围，同时本实用新型中电致发光件的制备方法难度低、成本低廉，方便大规模应用于工业化生产。
54.本实用新型结构新颖，通过对电致发光件层状结构的改进，以及对电致发光件层状结构的制备方法的改进，通过在电致发光件的上基材中设置宽度极细的发光通道，将不透明的发光材料集中填充至发光通道中，且配合透明的上基材的使用，能够使电致发光件整体为透明状态。
55.对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
56.此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。