感光性元件、固化物的制造方法、固化物图案的制造方法及线路板的制造方法与流程

文档序号:35667020发布日期:2023-10-06 22:58阅读:36来源:国知局
感光性元件、固化物的制造方法、固化物图案的制造方法及线路板的制造方法与流程

本发明涉及一种感光性元件、固化物的制造方法、固化物图案的制造方法、线路板的制造方法等。


背景技术:

1、以往,作为在线路板(例如印刷线路板)的制造领域、金属的精密加工领域等中用于蚀刻、镀覆等的抗蚀剂材料,广泛使用由支撑膜、感光性树脂组合物构成的层(以下,称为“感光层”)及由保护膜构成的感光性元件。

2、例如,如下制造线路板。首先,将感光性元件的保护膜从感光层剥离之后,在基板上层压感光层。接着,在对感光层实施图案曝光后,用显影液去除未曝光部而形成抗蚀剂(抗蚀剂图案)。然后,介由该抗蚀剂实施蚀刻处理或镀覆处理,从而形成线路板。

3、作为用于感光性元件的支撑膜,已知有具有特定的雾度值的支撑膜、具有特定的润滑剂粒子尺寸的支撑膜等(例如,参考下述专利文献1及2)。

4、以往技术文献

5、专利文献

6、专利文献1:日本特开2001-13681号公报

7、专利文献2:日本特开2014-74764号公报


技术实现思路

1、发明要解决的技术课题

2、在制造线路板等时,需要抑制抗蚀剂的缺损(例如,抗蚀剂的凹陷等缺陷)的产生。若产生这种抗蚀剂的缺损,则容易产生蚀刻时的开启不良或镀覆时的短路不良,线路板等的制造产率有下降的倾向。相对于此,伴随线路微细化的高分辨率化,需要进一步抑制抗蚀剂的缺损的产生。

3、本发明的一方面的目的在于提供一种能够抑制抗蚀剂的缺损的产生的感光性元件。并且,本发明的另一方面的目的在于提供一种使用这种感光性元件的固化物的制造方法、固化物图案的制造方法及线路板的制造方法。

4、用于解决技术课题的手段

5、根据上述专利文献2,支撑膜中所包含的直径5μm以上的粒子及直径5μm以上的凝聚物导致抗蚀剂的缺损。另一方面,本发明人发现了作为支撑膜的内部所包含的缺陷,最大直径1μm的小缺陷使抗蚀剂的缺损数增加,而且发现了通过减少最大直径1μm以上的缺陷的数量,能够抑制抗蚀剂的缺损的产生。

6、本发明的一方面涉及一种感光性元件,其具备支撑膜及配置于该支撑膜上的感光层,在所述支撑膜的内部的最大直径1μm以上的缺陷的数量是每0.225mm2为100个以下,所述感光层含有粘合剂聚合物、具有烯属不饱和键的光聚合性化合物及光聚合引发剂。

7、根据本发明所涉及的一方面的感光性元件,能够抑制抗蚀剂的缺损的产生。

8、本发明的另一方面涉及一种固化物的制造方法,其具备:曝光工序,在上述的感光性元件层叠于基板上的状态下,介由所述支撑膜将活性光线照射于所述感光层而获得固化物。

9、本发明的另一方面涉及一种固化物图案的制造方法,其具备:在上述固化物的制造方法中的所述曝光工序后,去除所述感光层中的所述固化物以外的部分的至少一部分的工序。

10、本发明的另一方面涉及一种线路板的制造方法,其具备:对在所述基板上具有通过上述固化物图案的制造方法而获得的固化物图案的层叠体实施蚀刻处理或镀覆处理的工序。

11、发明效果

12、根据本发明的一方面,能够提供一种能够抑制抗蚀剂的缺损的产生的感光性元件。并且,根据本发明的另一方面,能够提供一种使用这种感光性元件的固化物的制造方法、固化物图案的制造方法及线路板的制造方法。



技术特征:

1.一种感光性元件,其具备支撑膜及配置于该支撑膜上的感光层,

2.根据权利要求1所述的感光性元件,其中,

3.根据权利要求1或2所述的感光性元件,其中,

4.根据权利要求1至3中任一项所述的感光性元件,其中,

5.根据权利要求1至4中任一项所述的感光性元件,其中,

6.根据权利要求1至4中任一项所述的感光性元件,其中,

7.根据权利要求6所述的感光性元件,其中,

8.根据权利要求7所述的感光性元件,其中,

9.根据权利要求1至8中任一项所述的感光性元件,其还含有增感剂。

10.根据权利要求9所述的感光性元件,其中,

11.根据权利要求9或10所述的感光性元件,其中,

12.根据权利要求9至11中任一项所述的感光性元件,其中,

13.根据权利要求9至12中任一项所述的感光性元件,其中,

14.根据权利要求9至13中任一项所述的感光性元件,其中,

15.一种固化物的制造方法,其具备:

16.一种固化物图案的制造方法,其具备:

17.一种线路板的制造方法,其具备:


技术总结
一种感光性元件(1),其具备支撑膜(10)及配置于支撑膜(10)上的感光层(20),在支撑膜(10)的内部的最大直径1μm以上的缺陷的数量是每0.225mm<supgt;2</supgt;为100个以下,感光层(20)含有粘合剂聚合物、具有烯属不饱和键的光聚合性化合物及光聚合引发剂。

技术研发人员:粂壮和,黑泽刚,贺口阳介,岩下健一,成田真生,加藤哲也
受保护的技术使用者:株式会社力森诺科
技术研发日:
技术公布日:2024/1/15
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