光刻胶去除装置和光刻胶去除方法

本发明涉及半导体加工，尤其涉及一种光刻胶去除装置和光刻胶去除方法。

背景技术：

1、在半导体加工的过程中，在完成刻蚀工艺或者注入工艺后，需要去除晶圆表面的光刻胶，通常采用去胶液去除。常用的去胶液为spm(sulfuric perioxide mixture)，即浓硫酸和双氧水的混合物。同时为了提高光刻胶去除效率，在使用去胶液去除晶圆表面的光刻胶之前，需要对去胶液进行加热，使其温度在120摄氏度及以上，以提高去除光刻胶的效率，然后将加热后的去胶液输入至清洗腔内，对清洗腔内的晶圆表面的光刻胶进行去除。

2、在常见的去胶清洗工艺中，不同的去胶清洗工艺，工艺条件可能不同。例如经过常规光刻刻蚀工艺后的光刻胶去除，工艺温度约在120摄氏度；经过等离子体注入后的光刻胶的去除，需要更高的工艺温度，比如150摄氏度，而且需要比常规去胶时间更长的工艺时间。而且由于工艺温度不同等原因，往往需要在不同的设备上进行不同工艺温度的光刻胶去除工艺。但是采用上述方法不但需要光刻胶去除装置外接两台以上的加热装置配合使用，增加了占地面积，提高了去除光刻胶的成本，同时还会因去胶液在由加热装置输送至清洗腔内时，温度发生变化，致使去胶液无法在设定温度下对光刻胶进行去除，从而会降低光刻胶去除的效率，增加去胶液的使用量，从而进一步提高了去除光刻胶的成本。

技术实现思路

1、为解决上述问题，本发明提供的光刻胶去除装置和光刻胶去除方法，通过在卡盘内设置加热件，用于对晶圆进行加热，从而能够减少去胶液的用量，减少工艺时间，提高去除光刻胶的效率，降低去除光刻胶的工艺成本。

2、第一方面，本发明提供一种光刻胶去除装置，包括：清洗腔、卡盘和喷头；

3、所述卡盘和所述喷头均位于所述清洗腔内；

4、所述卡盘用于支撑晶圆；

5、所述喷头用于喷洒去胶液；

6、所述卡盘内固定设置有加热件；

7、所述加热件用于对所述卡盘所支撑的晶圆进行加热。

8、可选地，所述加热件包括：红外加热头和/或加热管线；

9、所述红外加热头和/或所述加热管线阵列在卡盘内。

10、可选地，所述光刻胶去除装置还包括：输气管；

11、所述输气管与所述清洗腔固定连接，所述输气管用于向所述清洗腔内输送气体；

12、所述气体的温度不低于100摄氏度；

13、所述清洗腔用于在晶圆进行去除光刻胶的过程中提供密闭的空间。

14、可选地，所述光刻胶去除装置还包括：驱动件；

15、所述驱动件与所述卡盘固定连接，所述驱动件用于带动所述卡盘转动。

16、可选地，所述光刻胶去除装置还包括：夹持件；

17、所述夹持件位于所述清洗腔内，所述夹持件固定设置在所述卡盘的外围周侧，所述夹持件用于限定晶圆在所述卡盘上的位置。

18、可选地，所述光刻胶去除装置还包括：防护罩；

19、所述防护罩位于所述清洗腔内，所述防护罩位于所述卡盘的外围周侧。

20、可选地，所述光刻胶去除装置还包括：排气管；

21、所述排气管与所述清洗腔固定连接，所述排气管用于将所述清洗腔内的气体排出所述清洗腔。

22、可选地，所述卡盘的表面固定设置吸嘴，所述吸嘴用于吸附晶圆。

23、第二方面，本发明提供一种光刻胶去除方法，包括：

24、将晶圆安置在卡盘上，所述卡盘内固定设置有加热件；

25、开启所述加热件对晶圆进行加热；

26、当将晶圆加热至指定温度时，开启喷头，喷洒加热后的去胶液去除晶圆表面的光刻胶。

27、可选地，在所述开启所述加热件对晶圆进行加热之前，所述方法还包括：

28、提供清洗腔，所述清洗腔用于在晶圆进行去除光刻胶的过程中提供密闭的空间；

29、向所述清洗腔内输送气体，以对所述清洗腔内的空间进行加热加压；

30、所述气体的温度不低于100摄氏度。

31、本发明实施例提供的光刻胶去除装置和光刻胶去除方法，通过在卡盘内设置加热件，用于对晶圆进行加热，如此无需在光刻胶去除装置之外设置用于对去胶液进行加热的装置，进而使得该光刻胶去除装置和光刻胶去除方法不但能够减少去胶液的用量，减少工艺时间，提高去除光刻胶的效率，同时还能够降低去除光刻胶的工艺成本。

技术特征：

1.一种光刻胶去除装置，其特征在于，包括：清洗腔、卡盘和喷头；

2.根据权利要求1所述的光刻胶去除装置，其特征在于，所述加热件包括：红外加热头和/或加热管线；

3.根据权利要求1所述的光刻胶去除装置，其特征在于，所述光刻胶去除装置还包括：输气管；

4.根据权利要求1所述的光刻胶去除装置，其特征在于，所述光刻胶去除装置还包括：驱动件；

5.根据权利要求1所述的光刻胶去除装置，其特征在于，所述光刻胶去除装置还包括：夹持件；

6.根据权利要求1所述的光刻胶去除装置，其特征在于，所述光刻胶去除装置还包括：防护罩；

7.根据权利要求1所述的光刻胶去除装置，其特征在于，所述光刻胶去除装置还包括：排气管；

8.根据权利要求1所述的光刻胶去除装置，其特征在于，所述卡盘的表面固定设置吸嘴，所述吸嘴用于吸附晶圆。

9.一种光刻胶去除方法，其特征在于，包括：

10.根据权利要求9所述的光刻胶去除方法，其特征在于，在所述开启所述加热件对晶圆进行加热之前，所述方法还包括：

技术总结
本发明提供一种光刻胶去除装置和光刻胶去除方法，其中，光刻胶去除装置包括：清洗腔、卡盘和喷头；所述卡盘和所述喷头均位于所述清洗腔内；所述卡盘用于支撑晶圆；所述喷头用于喷洒去胶液；所述卡盘内固定设置有加热件；所述加热件用于对所述卡盘所支撑的晶圆进行加热。本发明能够提高去除光刻胶的效率，减少去胶液的用量，减少工艺时间，降低去除光刻胶的工艺成本。

技术研发人员：申弘植,卢一泓,李琳,杨涛,胡艳鹏,张月
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14