技术特征：
1.一种红外探测器拼接基板制备方法，其特征在于，包括：清洗基板；在清洗后的基板的第一表面制备至少一个定位标记，所述定位标记为厚度为h的金属图案；在制备完定位标记的第一表面制备至少一个金属引线，所述金属引线的厚度为h，且满足：h＞h。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在清洗后的基板的第一表面制备至少一个定位标记，包括：在清洗后的基板的第一表面沉积厚度为h的第一金属层；在所述第一金属层的表面制备第一光刻胶掩膜图形；采用刻蚀工艺，去除所述第一金属层上未被所述第一光刻胶掩膜图形覆盖的部分。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述第一金属层的表面制备第一光刻胶掩膜图形，包括：在所述第一金属层的表面涂覆1μm～2μm的低粘滞性的第一正性光刻胶；将涂覆有第一正性光刻胶的基板放置于90℃～130℃的环境下烘烤5min～20min；将烘烤后的基板放置在光刻机中进行曝光，并用显影液进行显影，以形成第一光刻胶掩膜图形；将形成有第一光刻胶掩膜图形的基板放置于90℃～130℃的环境下烘烤5min～20min。4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述采用刻蚀工艺，去除所述第一金属层上未被所述第一光刻胶掩膜图形覆盖的部分，包括：将制备完第一光刻胶掩膜图形的基板放入离子铣中，所述第一表面朝向离子源，利用束压为250v～500v、束流为30ma～120ma的离子流进行物理刻蚀，以去除所述第一金属层上未被所述第一光刻胶掩膜图形覆盖的部分。5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在清洗后的基板的第一表面制备至少一个定位标记，还包括：采用湿法工艺，去除所述第一光刻胶掩膜图形。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述h满足：7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属图案为cr金属图案。8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在制备完定位标记的第一表面制备至少一个金属引线，包括：在制备完定位标记的第一表面制备第二光刻胶掩膜图形；在制备有第二光刻胶掩膜图形的第一表面沉积厚度为h的第二金属层；将沉积有第二金属层的基板放入丙酮中浸泡，以溶解所述第二光刻胶掩膜图形。9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在制备完定位标记的第一表面制备第二光刻胶掩膜图形，包括：在制备完定位标记的第一表面上涂覆4μm～10μm的高粘滞性的第二正性光刻胶；将涂覆有第二正性光刻胶的基板放置于90℃～130℃的环境下烘烤5min～20min；将烘烤后的基板放置在光刻机中进行曝光，并用显影液进行显影，以形成第二光刻胶掩膜图形；
将形成有第二光刻胶掩膜图形的基板放置于90℃～130℃的环境下烘烤5min～20min。10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在制备有第二光刻胶掩膜图形的第一表面沉积厚度为h的第二金属层，包括：依次在制备有第二光刻胶掩膜图形的第一表面沉积厚度为h1的cr金属层和厚度为h2的au金属层；所述h1满足：所述h2满足：
技术总结
本发明公开了一种红外探测器拼接基板制备方法，红外探测器拼接基板制备方法包括：清洗基板；在清洗后的基板的第一表面制备至少一个定位标记，定位标记为厚度为h的金属图案；在制备完定位标记的第一表面制备至少一个金属引线，金属引线的厚度为H，且满足：H＞h。采用本发明，通过对拼接基板上的定位标记图形和金属引线图形分别制备，并设计不同的膜层厚度，在满足电学引线结构的电流承载能力的同时，提高了拼接对准标记的图形加工精度，降低了拼接基板的加工难度，有利于提升探测器子模块的拼接精度。精度。精度。
技术研发人员：张智超 张磊 王成刚 杨刚 许家昌
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第十一研究所
技术研发日：2022.03.02
技术公布日：2022/7/21