应用于自对准反相图形工艺中的识别标记的制备方法与流程

文档序号:30665316发布日期:2022-07-06 02:44阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种应用于自对准反相图形工艺中的识别标记的制备方法,其特征在于,包括:形成第一膜层在一衬底上,所述第一膜层中形成有多个条形图案,所述条形图案的宽度小于预定宽度;形成第二膜层,所述第二膜层覆盖所述条形图案的顶表面和侧壁,以及还覆盖相邻条形图案之间的衬底表面;形成第三膜层,所述第三膜层填充在相邻的条形图案之间的间隙内并位于所述第二膜层上;以及,执行刻蚀工艺,以去除所述第二膜层中覆盖在条形图案顶表面的部分和位于所述第三膜层和所述条形图案之间的部分,并使所述条形图案从所述衬底上脱落。2.如权利要求1所述的识别标记的制备方法,其特征在于,所述预定宽度为不大于40nm。3.如权利要求1所述的识别标记的制备方法,其特征在于,所述预定宽度为所述第三膜层的宽度的二分之一。4.如权利要求1所述的识别标记的制备方法,其特征在于,所述第三膜层的顶表面高于所述条形图案的顶表面。5.如权利要求1所述的识别标记的制备方法,其特征在于,在形成所述条形图案之前,还在所述衬底上形成一绝缘层,以及在刻蚀所述第二膜层后,至少位于第三膜层和条形图案之间的绝缘层暴露出,并继续刻蚀暴露出的绝缘层。6.如权利要求1所述的识别标记的制备方法,其特征在于,所述第二膜层的材料不同于所述第一膜层和所述第三膜层的材料。7.一种应用于自对准反相图形工艺中的识别标记的制备方法,其特征在于,包括:提供一衬底,所述衬底上定义器件区,并在器件区之外的一空白区域内定义有标记区;形成第一膜层在所述器件区和所述标记区内,所述第一膜层中形成有多个条形图案;形成第二膜层,所述第二膜层覆盖所述条形图案的顶表面和侧壁,以及还覆盖相邻条形图案之间的衬底表面;利用旋涂工艺形成第三膜层,所述第三膜层的涂料填充器件区和标记区,并蔓延至标记区之外的空白区域,以使填充在标记区内的涂料高度低于填充在器件区内的涂料高度;以及,执行刻蚀工艺,以去除所述第二膜层中覆盖在所述条形图案顶表面的部分和位于所述第三膜层和所述条形图案之间的部分,以及还去除所述标记区内的第三膜层。8.如权利要求7所述的识别标记的制备方法,其特征在于,所述利用旋涂工艺形成第三膜层包括:利用旋涂工艺涂覆第三膜层的涂料,其中标记区内的第三膜层的涂料高度低于器件区内的第三膜层的涂料高度,并且器件区内的第三膜层的涂料高度高于相邻条形图案之间的间隙高度;以及,执行回刻蚀工艺,以降低第三膜层的涂料高度,直至器件区内的第三膜层的涂料高度不高于相邻条形图案之间的间隙高度,以及标记区内的涂料高度低于间隙高度的一半。9.如权利要求7所述的识别标记的制备方法,其特征在于,标记区内的条形图案的宽度大于相邻条形图案之间的间隙。
10.如权利要求7所述的识别标记的制备方法,其特征在于,器件区内的条形图案的宽度小于等于相邻条形图案之间的间隙。

技术总结
本发明提供了一种应用于自对准反相图形工艺中的识别标记的制备方法中,其在执行自对准反相图形工艺的过程中,通过缩使条形图案自动脱落,或者使第三膜层被消耗殆尽,以降低最终形成的识别标记的图形密度。因此,根据本发明提供的制备方法所形成的识别标记,其兼容于自对准反相图形工艺,并且使最终形成的识别标记具有更低的图形密度,从而有利于提高设备对识别标记的识别精度。识别标记的识别精度。识别标记的识别精度。


技术研发人员:王光荣 巫奉伦 夏忠平
受保护的技术使用者:福建省晋华集成电路有限公司
技术研发日:2022.03.22
技术公布日:2022/7/5
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