应用于自对准反相图形工艺中的识别标记的制备方法与流程

1.本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种应用于自对准反相图形工艺中的识别标记的制备方法。


背景技术：

2.在半导体加工制造中，除了会在器件区内形成用于构成功能性器件的相关膜层之外，通常还会在器件区之外形成识别标记，所述识别标记可用于实现多道光刻工艺之间的位置对准，避免上下膜层之间存在较大的位置偏移。因此，为了可以更准确的表征器件区内所形成的膜层状况，通常希望识别标记的制备工艺与器件区内的膜层所采用的制备工艺一致，从而使得识别标记的图形特征和器件区内的图形特征相同或相近。
3.而随着半导体技术的发展，所采用的图形化工艺也趋于精细化，此时对应形成的识别标记也相应的呈现为更高密度的图形排布。例如，在利用自对准反相图形工艺(self aligned reverse patterning，sarp)以提高线路密度时，基于这一图形化工艺所形成的识别标记同样的具有高密度的图形排布，然而高密度的识别标记却不利于识别设备对其进行识别，识别不佳导致的偏差反而会影响上下膜层之间的对准精度。


技术实现要素：

4.本发明的目的在于提供一种应用于自对准反相图形工艺中的识别标记的制备方法，以解决现有工艺形成的识别标记难以被设备识别的问题。
5.为解决上述技术问题，本发明提供一种应用于自对准反相图形工艺中的识别标记的制备方法，包括：形成第一膜层在一衬底上，所述第一膜层中形成有多个条形图案，所述条形图案的宽度小于预定宽度；形成第二膜层，所述第二膜层覆盖所述条形图案的顶表面和侧壁，以及还覆盖相邻条形图案之间的衬底表面；形成第三膜层，所述第三膜层填充在相邻的条形图案之间的间隙内并位于所述第二膜层上；以及，执行刻蚀工艺，以去除所述第二膜层中覆盖在条形图案顶表面的部分和位于所述第三膜层和所述条形图案之间的部分，并使所述条形图案从所述衬底上脱落。
6.可选的，所述预定宽度为不大于40nm。
7.可选的，所述预定宽度为所述第三膜层的宽度的二分之一。
8.可选的，所述第三膜层的顶表面高于所述条形图案的顶表面。
9.可选的，在形成所述条形图案之前，还在所述衬底上形成一绝缘层，以及在刻蚀所述第二膜层后，至少位于第三膜层和条形图案之间的绝缘层暴露出，并继续刻蚀暴露出的绝缘层。
10.可选的，所述第二膜层的材料不同于所述第一膜层和所述第三膜层的材料。
11.本发明还提供了另一种应用于自对准反相图形工艺中的识别标记的制备方法，包括：提供一衬底，所述衬底上定义器件区，并在器件区之外的一空白区域内定义有标记区；形成第一膜层在所述器件区和所述标记区内，所述第一膜层中形成有多个条形图案；形成
第二膜层，所述第二膜层覆盖所述条形图案的顶表面和侧壁，以及还覆盖相邻条形图案之间的衬底表面；利用旋涂工艺形成第三膜层，所述第三膜层的涂料填充器件区和标记区，并蔓延至标记区之外的空白区域，以使填充在标记区内的涂料高度低于填充在器件区内的涂料高度；以及，执行刻蚀工艺，以去除所述第二膜层中覆盖在所述条形图案顶表面的部分和位于所述第三膜层和所述条形图案之间的部分，以及还去除所述标记区内的第三膜层。
12.可选的，所述利用旋涂工艺形成第三膜层包括：利用旋涂工艺涂覆第三膜层的涂料，其中标记区内的第三膜层的涂料高度低于器件区内的第三膜层的涂料高度，并且器件区内的第三膜层的涂料高度高于相邻条形图案之间的间隙高度；以及，执行回刻蚀工艺，以降低第三膜层的涂料高度，直至器件区内的第三膜层的涂料高度不高于相邻条形图案之间的间隙高度，以及标记区内的涂料高度低于间隙高度的一半。
13.可选的，标记区内的条形图案的宽度大于相邻条形图案之间的间隙。
14.可选的，器件区内的条形图案的宽度小于等于相邻条形图案之间的间隙。
15.在本发明提供的应用于自对准反相图形工艺中的识别标记的制备方法中，其兼容于自对准反相图形工艺，并且使最终形成的识别标记具有更低的图形密度。具体的，在执行自对准反相图形工艺的过程中，通过缩减第一膜层内的条形图案的宽度，以使得条形图案可以在后续步骤中自动脱落而被去除；或者，利用标记区和器件区之间的差异，使标记区内的第三膜层的高度低于器件区内的第三膜层的高度，从而在后续的刻蚀工艺中即可将标记区内高度较低的第三膜层消耗殆尽，如此，以使得最终形成的识别标记具有较低的图形密度，有利于提高识别设备对所形成的识别标记的识别精度。
16.因此，本发明提供的基于自对准反相图形工艺形成的识别标记，其不仅能够准确的反映出当前的自对准反相图形工艺的工艺状况，并且所制备出的识别标记其图形密度不会过大，提高了识别设备对识别标记的识别能力，进而有利于提高对识别标记的识别精度。
附图说明
17.图1示出了本发明提供的其中一种可应用于自对准反相图形工艺中的识别标记的制备方法。
18.图2-图6为本发明实施例一中在执行自对准反相图形化工艺过程中器件区和标记区内的结构示意图。
19.图7为本发明提供的另一种可应用于自对准反相图形工艺中的识别标记的制备方法。
20.图8为本发明实施例二中将标记区设置于空旷区域内的示意图。
21.图9a-图11a为本发明实施例二中在执行自对准反相图形化工艺过程中器件区内的结构示意图。
22.图9b-图11b为本发明实施例二中在执行自对准反相图形化工艺过程中标记区内的结构示意图。
23.其中，附图标记如下：
24.100-衬底；
25.110-绝缘层；
26.200-第一膜层；
27.210/210
’‑
条形图案；
28.300-掩模层；
29.400-第二膜层；
30.500/500
’‑
第三膜层。
具体实施方式
31.本发明的核心思路在于提供可应用于自对准反相图形工艺中的识别标记的制备方法。具体而言，本发明中的识别标记是利用自对准反相图形工艺制备形成，其能够准确的反映出当前的自对准反相图形工艺的工艺状况，并且所制备出的识别标记其图形密度不会过大，提高了识别设备对识别标记的识别能力，进而有利于提高对识别标记的识别精度。
32.例如可参考图1，图1示出了本发明提供的其中一种可应用于自对准反相图形工艺中的识别标记的制备方法，包括如下步骤。
33.步骤s11，形成第一膜层在一衬底上，所述第一膜层中形成有多个条形图案，所述条形图案的宽度小于预设宽度。
34.步骤s12，形成第二膜层，所述第二膜层覆盖所述条形图案的顶表面和侧壁，以及还覆盖相邻条形图案之间的衬底表面。
35.步骤s13，形成第三膜层，所述第三膜层填充在相邻条形图案之间的间隙内并位于所述第二膜层上。
36.步骤s14，执行刻蚀工艺，以去除所述第二膜层中覆盖在条形图案顶表面的部分和位于所述第三膜层和所述条形图案之间的部分，并使所述条形图案从所述衬底上脱落。
37.本发明还提供了另一种可应用于自对准反相图形工艺中的识别标记的制备方法，具体可参考图7，其包括如下步骤。
38.步骤s21，提供一衬底，所述衬底上定义器件区，并在器件区之外的一空白区域内定义有标记区。
39.步骤s22，形成第一膜层在所述器件区和所述标记区内，所述第一膜层包括多个条形图案。
40.步骤s23，形成第二膜层，所述第二膜层覆盖所述条形图案的顶表面和侧壁，以及还覆盖相邻条形图案之间的衬底表面。
41.步骤s24，利用旋涂工艺形成第三膜层，所述第三膜层的涂料填充器件区和标记区，并蔓延至标记区之外的空白区域，以使填充在标记区内的涂料高度低于填充在器件区内的涂料高度。
42.步骤s25，执行刻蚀工艺，以去除所述第二膜层中覆盖在所述条形图案顶表面的部分和位于所述第三膜层和所述条形图案之间的部分，以及还去除所述标记区内的第三膜层。
43.即，本发明提供的可应用于自对准反相图形工艺中的识别标记的制备方法，其仍然采用自对准反相图形工艺制备形成，并且在该图形工艺中使第一膜层中的条形图案或第三膜层被自动去除，从而使得保留下的膜层具有较小的图形密度(具体而言，在条形图案被自动去除时，相邻的第三膜层之间具有较大的间隙；以及，在第三膜层被自动去除时，相邻的条形图案之间具有较大的间隙)，提高了识别设备对所形成的识别标记的识别精度。
44.以下结合附图和具体实施例对本发明提出的可应用于自对准反相图形工艺中的识别标记的制备方法作进一步详细说明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。应当认识到，附图中所示的诸如“上方”，“下方”，“顶部”，“底部”，“上方”和“下方”之类的相对术语可用于描述彼此之间的各种元件的关系。这些相对术语旨在涵盖除附图中描绘的取向之外的元件的不同取向。例如，如果装置相对于附图中的视图是倒置的，则例如描述为在另一元件“上方”的元件现在将在该元件下方。
45.实施例一
46.下面结合图1以及图2-图6对本实施例进行说明，其中图2-图6为本发明实施例一中的识别标记在其制备过程中的结构示意图。需要说明的是，为了更清楚的比对出本实施例中利用自对准反相图形工艺制备识别标记和器件区内的常规图形的区别，本实施例的附图中同时示意出了标记区mark和器件区cell的结构图。
47.在步骤s11中，具体参考图2和图3所示，形成第一膜层200在一衬底100上，所述第一膜层200中形成有多个条形图案，所述条形图案的宽度d1小于预定宽度。
48.本实施例中，将标记区mark内的条形图案210的宽度d1缩减至小于预定宽度，以使得标记区mark内的条形图案210可以在后续的刻蚀工艺从所述衬底100上自动脱落。其中，所述预定宽度例如为不大于40nm(例如，在具体的示例中所述预定宽度可选自30nm-40nm中的任一取值)，此时可使标记区mark内的条形图案210的宽度d1小于40nm。
49.进一步的，所述第一膜层200的厚度可大于等于120nm，如此即可相应的增大条形图案210的高度，以使得所述条形图案210在后续工艺中可以更容易从所述衬底100上脱落。
50.继续参考图3所示，本实施例中还示意出了在执行自对准反相图形工艺的过程中于器件区cell内的结构。具体的，在形成所述第一膜层200时，所述第一膜层200同时形成在器件区cell和标记区mark中，即，在器件区cell和标记区mark中均形成有多个条形图案。其中，器件区cell内的条形图案210’的宽度d2将大于标记区mark内的条形图案210的宽度d1，以使得器件区cell内的条形图案210’可以在后续的刻蚀工艺仍被保留，而标记区mark内的条形图案210可以在后续的刻蚀工艺从所述衬底100上自动脱落。因此也可以认为，器件区cell内的条形图案210’的宽度d2大于所述预定宽度，以及标记区mark内相邻的条形图案210之间的间隔尺寸将大于器件区cell内相邻的条形图案210’之间的间隔尺寸。
51.具体的方案中，在所述第一膜层200中制备多个条形图案的方法包括：首先参考图2所示，形成第一膜层200在衬底100上，并在所述第一膜层200上形成掩模层300，所述掩模层300即用于定义出条形图案的图形；接着参考图3所示，以所述掩模层300为掩模刻蚀所述第一膜层200，以形成多个条形图案。其中，所述第一膜层200可以为有机介电层(organic dielectric layer，odl)；以及，所述掩模层300的材料例如包括氮化硅或氧化硅等。本实施例中，所述第一膜层200将同时形成在器件区cell和标记区mark中，并同时对器件区cell和标记区mark内的第一膜层200进行刻蚀，以在器件区cell内形成较大宽度的条形图案210’和在标记区mark内形成宽度较小的条形图案210。
52.在步骤s12中，具体参考图4所示，形成第二膜层400，所述第二膜层400覆盖所述条形图案的顶表面和侧壁，以及还覆盖相邻条形图案之间的衬底表面。
53.具体的，所述第二膜层400可采用沉积工艺形成，例如可采用原子层沉积工艺
(ald)形成，以使得所形成的第二膜层400具有较薄的厚度，且厚度更均匀，本实施例中可设置所述第二膜层400的厚度例如为150埃-250埃。进一步的，所述第二膜层400的材料可包括氧化硅。
54.继续参考图4所示，本实施例中，在利用掩模层300定义出条形图案的图形之后仍保留所述掩模层300，此时所述第二膜层400即覆盖所述掩模层300。本实施例中，所述第二膜层400的材料可以和所述掩模层300的材料相同，从而在后续刻蚀所述第二膜层400时，能够同时去除所述掩模层400。
55.在步骤s13中，具体参考图5所示，形成第三膜层500，所述第三膜层500填充在相邻条形图案之间的间隙内并位于所述第二膜层400上。本实施例中，所述第三膜层500填充在相邻条形图案之间的间隙内，此时即可使得填充在相邻的条形图案之间的第三膜层500呈现为条形结构。
56.如图5所示，标记区mark内相邻的条形图案210之间的间隔尺寸大于器件区cell内相邻的条形图案210’之间的间隔尺寸，因此位于标记区mark内的第三膜层500的宽度d3也将大于位于器件区cell内的第三膜层500的宽度d4。
57.需要说明的是，利用自对准反相图形工艺的目的即在于能够提高器件区cell内的图形密度，通过去除第二膜层400中位于第一膜层200和第三膜层之间的部分以分隔第一膜层和第三膜层，并使器件区cell内的第一膜层200和第三膜层500’保留，从而形成图形化后所需要的高密度图形。因此，通过缩减第二膜层400的厚度，即有利于提高图形化后的图形密度；以及，在器件区cell内，则可设置条形图案210’的宽度d2和所述第三膜层500’的宽度d4相同或相近。
58.与器件区cell不同的是，在标记区mark中的第三膜层500的宽度d3将大于器件区cell内的第三膜层500’的宽度d4。即，标记区mark内的条形图案210的宽度d1小于预定宽度(如此，以使得小宽度的条形图案210可以在后续的刻蚀中脱落)，器件区cell内的条形图案210’的宽度d2和第三膜层500’的宽度d4均大于预定宽度，而标记区mark内的第三膜层500的宽度d3则进一步大于器件区cell内的条形图案的宽度d2和第三膜层500’的宽度d4。
59.本实施例中，针对标记区mark而言，还可根据第三膜层500的宽度设计条形图案210的宽度，例如，可将第三膜层500的宽度d3的二分之一设定为预定宽度，此时即可设计条形图案210的宽度d1小于第三膜层500的宽度d3的一半，即，d1＜0.5*d3。
60.进一步的，所述第三膜层的制备方法例如包括：首先，形成填充材料层在所述衬底100上，所述填充材料层即填满相邻的条形图案之间的间隙，且所述填充材料层的高度高出于间隙的高度；接着，去除所述填充材料层高出于间隙的部分，以使得剩余的膜层材料对准填充在所述间隙内，构成所述第三膜层。本实施例中，所述填充材料层例如为有机介电层，其具体可采用旋涂工艺形成，并在旋涂有机介电层之后，可通过回刻蚀工艺去除所述有机介电层中高于间隙的部分，所采用的回刻蚀工艺中其刻蚀气体例如包括含氧气体。
61.继续参考图5所示，在标记区mark中，第三膜层500的顶表面与第二膜层400中覆盖于条形图案的顶表面齐平，使得第三膜层500的顶表面将高于条形图案210的顶表面。本实施例中，所述第三膜层500的顶表面还高于掩模层300的顶表面。
62.在步骤s14中，具体参考图6所示，执行刻蚀工艺，以去除所述第二膜层400中覆盖在条形图案顶表面的部分和位于所述第三膜层和所述条形图案之间的部分，并且标记区
mark内的条形图案210从所述衬底100上脱落。
63.本实施例中，所述第二膜层400的材料包括氧化硅，基于此，即可采用含氟气体刻蚀所述第二膜层400。可选的方案中，所述掩模层300的材料可以和所述第二膜层400的材料相同，因此在刻蚀所述第二膜层400时，还可将暴露出的掩模层300去除。
64.进一步的，在所述刻蚀工艺中还会部分消耗所述第三膜层。本实施例中，刻蚀工艺部分消耗所述第三膜层，以降低第三膜层的高度。如此一来，器件区cell内的第三膜层500’的顶表面即能够接近条形图案210’的顶表面(例如，与条形图案210’的的顶表面等高或接近等高)。在具体的示例中，可采用干法刻蚀工艺刻蚀所述第二膜层，在此过程中刻蚀气体将会同时轰击所述第三膜层，而使得第三膜层的顶部被部分消耗。或者其他示例中，所采用的刻蚀工艺对所述第二膜层的刻蚀速率较大，对所述第三膜层的刻蚀速率较小，但是两者的刻蚀选择比差异不大，从而在刻蚀第二膜层时使得第三膜层也被消耗。
65.需要说明的是，标记区mark内的条形图案210其宽度较小，并在经过如上所述的多道制程后，其在衬底100上的粘附性能较差，从而在刻蚀工艺中极易脱离衬底100，此时保留于标记区210内的第三膜层500，不仅具有较大的宽度，并且相邻的第三膜层500之间的间隙较大，使得所构成的标记图案的图形密度较低，易于被设备识别。然而，器件区cell内的条形图案210’仍被保留，用于实现高密度的图形化工艺。由此可见，本实施例中，在利用自对准反相图形工艺界定出识别标记的图形时，其可以在确保器件区cell内高密度的图形需求的情况下，降低标记区mark内的图形密度。
66.此外，可选的方案中，重点参考图6所示，在形成所述条形图案之前，还可在所述衬底100上形成一绝缘层110，进而使条形图案、第二膜层和第三膜层均形成在所述绝缘层110上；以及，执行刻蚀工艺刻蚀所述第二膜层后，即可暴露出所述绝缘层110(其中，至少位于条形图案和第三膜层之间的绝缘层110被暴露出)，此时，可进一步刻蚀暴露出的绝缘层110。需要说明的是，在标记区mark内，通过刻蚀暴露出的绝缘层110，即可进一步增大条形图案的悬空高度，使得条形图案更易脱落。
67.实施例二
68.与实施例一的区别在于，本实施例中，将识别标记设置于空旷区域内，使得标记区内的第三膜层的高度降低，进而可以在后续的刻蚀工艺中可以被消耗殆尽，如此，即可利用保留下的条形图案界定出图形密度较低的识别标记。
69.下面结合图7、图8、图9a-图11a、图9b-图11b对本实施例进行说明，其中，图8为本发明实施例二中将标记区设置于空旷区域内的示意图；
70.图9a-图11a为本发明实施例二中在执行自对准反相图形化工艺过程中器件区内的结构示意图，图9b-图11b为本发明实施例二中在执行自对准反相图形化工艺过程中标记区内的结构示意图。
71.在步骤s21中，提供一衬底100，所述衬底100上定义器件区cell，并在器件区cell之外的一空白区域内定义有标记区mark。具体可参考图8所示，所述标记区mark设置在空白区域内，因此所述标记区mark的外周空旷。具体示例中，所述标记区mark例如可设置在划片槽的一空白区域内。
72.在步骤s22中，具体参考图9a和图9b所示，形成第一膜层200在所述器件区cell和所述标记区mark内，所述第一膜层200中形成有多个条形图案。其中，图9a示意出了器件区
cell内的膜层结构，图9b示意出了标记区mark内的膜层结构。
73.具体的方案中，在所述第一膜层200中制备多个条形图案的方法包括：形成第一膜层200在衬底100上，并在所述第一膜层200上形成掩模层300，所述掩模层300即用于定义出条形图案的图形；接着参考图3所示，以所述掩模层300为掩模刻蚀所述第一膜层200，以形成多个条形图案。其中，所述第一膜层200可以为有机介电层(organic dielectric layer，odl)；以及，所述掩模层300的材料例如包括氮化硅或氧化硅等。
74.进一步的，标记区mark内的条形图案210的宽度可以和器件区cell内的条形图案的宽度相同；或者，标记区mark内的条形图案210的宽度还可大于器件区cell内的条形图案的宽度。
75.在步骤s23中，继续参考图9a和图9b所示，形成第二膜层400，所述第二膜层400覆盖所述条形图案的顶表面和侧壁，以及还覆盖相邻条形图案之间的衬底表面。
76.与实施例一类似的，所述第二膜层400具体可采用原子层沉积工艺形成。此外，至少在器件区cell内，形成所述第二膜层400之后，相邻的条形图案之间的间隔尺寸可与所述条形图案的宽度尺寸相等或大致相等。
77.在步骤s24中，继续参考图9a-图9b和图10a-图10b所示，利用旋涂工艺形成第三膜层，所述第三膜层的涂料填充器件区cell和标记区mark，并蔓延至标记区之外的空白区域，以使填充在标记区mark内的涂料高度低于填充在器件区cell内的涂料高度。
78.需要说明得是，器件区cell内的图形排布密度整体均匀。尤其是，为了缩减器件区cell其边缘和内部之间的线路密度差异，通常还会在器件区cell的外周额外再布置辅助线路，提高器件区cell边缘的线路密度，以确保器件区cell内所形成的膜层尺寸、形貌等均匀一致。而与器件区cell不同的是，所述标记区mark被设置在空白区域内，即，标记区mark的外周空旷。
79.如此一来，在利用旋涂工艺旋涂第三膜层的涂料时，由于器件区cell内的图形密度较大、占用面积也较大，则第三膜层500’的涂料即会堆积在器件区cell内，例如图9a和图10a所示。然而，标记区mark的图形密度较小、占用面积较小，因此第三膜层500的涂料容易蔓延至标记区之外的空白区域内，从而使得标记区mark内的第三膜层500的涂料高度降低，例如图9b和图10b所示。
80.具体的，执行旋涂工艺以将第三膜层的涂料涂覆在所述衬底100上，其中，标记区mark内的第三膜层500的涂料高度低于器件区cell内的第三膜层500’的涂料高度。本实施例中，在执行旋涂工艺之后，器件区cell内的第三膜层500’的涂料填满相邻的条形图案之间的间隙，并且器件区cell内的第三膜层500’的涂料高度高于相邻条形图案之间的间隙高度，即，器件区cell内的第三膜层500’的顶表面高于条形图案的顶表面。以及，标记区mark内的第三膜层500的涂料高度也可高于相邻条形图案之间的间隙高度；或者，在执行旋涂工艺之后，标记区mark内的第三膜层500的涂料也可能未填满条形图案之间的间隙，从而使得标记区mark内的第三膜层500的涂料高度不高于相邻条形图案之间的间隙高度，例如，标记区mark内的第三膜层500的顶表面不高于所述条形图案的顶表面。
81.进一步的，具体参考图10a和图10b所示，在执行所述旋涂工艺后，还包括：执行回刻蚀工艺，以降低第三膜层的涂料高度，直至器件区cell内的第三膜层500’的涂料高度不高于相邻条形图案之间的间隙高度，从而使得第二膜层400中覆盖在条形图案上的部分被
暴露出。应当认识到，在回刻蚀工艺之前，器件区cell内的第三膜层500’的高度即高于标记区mark内的第三膜层500的高度，因此在回刻蚀工艺之后，器件区cell内的第三膜层500’的高度仍高于标记区mark内的第三膜层500的涂料高度，那么在回刻蚀工艺之后，标记区mark内的第三膜层500的涂料高度将会更低于相邻条形图案之间的间隙高度。例如，器件区cell内的第三膜层500’的顶表面和第二膜层400覆盖于图形图案的顶表面齐平，则标记区mark内的第三膜层500的涂料高度低于间隙高度的一半。
82.在步骤s25中，具体参考图11a和图11b所示，执行刻蚀工艺，以去除所述第二膜层400中覆盖在所述条形图案顶表面的部分和位于所述第三膜层和所述条形图案之间的部分，以及还去除所述标记区mark内的第三膜层。
83.与实施例一类似的，所述第二膜层400的材料可包括氧化硅，基于此，即可采用含氟气体刻蚀所述第二膜层400。可选的方案中，所述掩模层300的材料可以和所述第二膜层400的材料相同，因此在刻蚀所述第二膜层400时，还可将暴露出的掩模层300去除。
84.进一步的，在所述刻蚀工艺中还会部分消耗所述第三膜层。一种示例中，可采用干法刻蚀工艺刻蚀所述第二膜层400，在此过程中刻蚀气体将会同时轰击所述第三膜层，而使得第三膜层的顶部被部分消耗。或者其他示例中，所采用的刻蚀工艺对所述第二膜层的刻蚀速率较大，对所述第三膜层的刻蚀速率较小，但是两者的刻蚀选择比差异不大，从而在刻蚀第二膜层时使得第三膜层也被消耗。如此一来，器件区cell内的第三膜层500’的顶表面即能够接近条形图案210’的顶表面(例如，与条形图案210’的的顶表面等高或接近等高)。以及，标记区mark内的第三膜层500将会在所述刻蚀工艺中被消耗殆尽，从而被去除。本实施例中，在标记区mark内的第三膜层500被去除后，还可进一步刻蚀暴露出的第二膜层，使得标记区mark内的第二膜层也均被去除。
85.如图11a和图11b所示，在标记区210内，相邻的条形图案210之间的间隙较大，使得所构成的标记图案的图形密度较低，易于被设备识别。然而，器件区cell内的第三膜层500’仍被保留，第三膜层500’和条形图案210’用于实现高密度的图形化工艺。由此可见，本实施例中，在利用自对准反相图形工艺界定出识别标记的图形时，其可以在确保器件区cell内高密度的图形需求的情况下，降低标记区mark内的图形密度。
86.综上所述，本发明提供的识别标记的制备方法，其在兼容自对准反相图形化工艺的基础上，降低了所形成的识别标记的图形密度，提高了识别设备对该识别标记的识别精度。其中一种可选的方案中，通过缩减第一膜层内的条形图案的宽度，以使得条形图案可以在后续步骤中自动脱落而被去除，如此以降低所形成的识别标记的图形密度。而另一种可选的方案中，利用标记区和器件区之间的差异(例如，图形密度差异、面积差异等)，使标记区内的第三膜层的高度低于器件区内的第三膜层的高度(例如，在满足器件区内的第三膜层可填满间隙的基础上，调整第三膜层的旋涂工艺)，从而在后续的刻蚀工艺中即可将标记区内高度较低的第三膜层消耗殆尽，如此，同样可以降低所形成的识别标记的图形密度。
87.需要说明的是，本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。以及，上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，
凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围
88.还需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。还应该理解的是，此处描述的术语仅仅用来描述特定实施例，而不是用来限制本发明的范围。必须注意的是，此处的以及所附权利要求中使用的单数形式“一个”、“一种”以及“该”包括复数基准，除非上下文明确表示相反意思。例如，对“一个步骤”的引述意味着对一个或多个步骤的引述，并且可能包括次级步骤。应该以最广义的含义来理解使用的所有连词。因此，词语“或”应该被理解为具有逻辑“或”的定义，而不是逻辑“异或”的定义，除非上下文明确表示相反意思。