驱动基板的制备方法与流程

1.本技术涉及拼接曝光对位方法领域，具体涉及一种驱动基板的制备方法。


背景技术：

2.随着半导体显示制造技术的不断发展，人们对显示尺寸的要求也越来越高，更大尺寸的电视逐渐进入了普通家庭。为了提升自身竞争力，面板制造厂商必须开发在低世代产线生产大尺寸面板的技术。受限于低世代产线曝光机掩模版分辨率保证区大小，在不更换曝光设备的基础上制作大尺寸面板，只能采用拼接曝光的方式，即一个面板需要多次曝光。
3.在对现有技术的研究和实践过程中，本技术的发明人发现，在现有的曝光工艺中，第一层电路图案在空白的基板上进行曝光，其电路图案的位置精度由曝光设备本身的精度决定。同时第一层曝光也会形成对位标尺图案，作为后续各层曝光对位的基准，对位标尺的绝对位置准确性是影响后续层电路图案位置精度的首要因素。对于拼接曝光工艺，其拼接曝光的位置精度要求更高，因此拼接区域的对位更为重要。目前拼接曝光工艺对位方案主要分为两种，第一种是后续层对位使用非拼接区域aa的标尺，如图1所示。第二种是后续层拼接区域对位使用第一层拼接区域的标尺，如图2所示。其中，第一种对位方案存在技术缺陷是对于第二层电路拼接曝光区aa而言，由于其对位标尺分别是两次曝光制作而成，对位标尺本身的位置与尺寸存在偏差，这种偏差无法消除，直接影响第二层电路的拼接曝光精度。而第二种对位方案存在技术缺陷是由于共用的基准标尺a1是第一电路层重叠曝光形成，其本身的位置与尺寸精度会受到重叠曝光的影响，对第二电路层重叠曝光区aa的拼接精度造成一定的影响。因此，现有的制备方法中均由于基准标尺的位置及尺寸差异而影响拼接产品第二层及以后的重叠曝光区的拼接精度。


技术实现要素：

4.本技术实施例提供一种驱动基板的制备方法，可以在拼接曝光产品曝光工艺制程中，提升第二层重叠曝光区域的对位性能，改善重叠曝光区的拼接精度。
5.本技术实施例提供一种驱动基板的制备方法，包括：
6.s1：提供一玻璃基板，通过第一掩模板与所述玻璃基板对位，以在所述玻璃基板上界定第一曝光区域，在所述玻璃基板的第一曝光区域形成第一曝光层，所述第一曝光层包括第一基准标尺；
7.s2：通过第二掩模板与所述玻璃基板对位，以在所述玻璃基板上界定第二曝光区域，所述第二曝光区域与所述第一曝光区域部分重叠设置以形成为第一拼接区域，在所述玻璃基板的所述第二曝光区域形成与所述第一曝光层同层设置的第二曝光层，所述第二曝光层包括第二基准标尺和第三基准标尺，所述第一基准标尺、所述第二基准标尺以及和第三基准标尺同时位于所述第一拼接区域的外侧，且所述第二基准标尺位于所述第一基准标尺和所述第三基准标尺之间；
8.s3：通过第三掩模板同时与所述第一基准标尺和所述第二基准标尺进行对位后，以在所述玻璃基板上界定第三曝光区域；
9.s4：通过第四掩模板同时与所述第二基准标尺和所述第三基准标尺进行对位后，以在所述玻璃基板上界定第四曝光区域，所述第四曝光区域与所述第三曝光区域部分重叠设置形成第二拼接区域；
10.s5：通过所述第三掩模板对所述玻璃基板的第三曝光区域进行曝光以形成第三曝光层，所述第三曝光层位于所述第一曝光层的上方，通过所述第四掩模板对所述玻璃基板的第四曝光区域进行曝光以形成与所述第三曝光层同层设置的第四曝光层。
11.可选的，在本技术的一些实施例中，所述第二基准标尺位于所述第二拼接区域内。
12.可选的，在本技术的一些实施例中，所述第二基准标尺位于所述玻璃基板的中部。
13.可选的，在本技术的一些实施例中，所述第二基准标尺设有多个，多个所述第二基准标尺沿所述第二拼接区域的长度延伸方向间隔排列。
14.可选的，在本技术的一些实施例中，所述第二拼接区域的长度延伸方向的两端均设有一所述第二基准标尺。
15.可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一基准标尺和所述第三基准标尺均设有多个，多个所述第一基准标尺沿所述第二拼接区域的长度延伸方向间隔排列，多个所述第三基准标尺沿所述第二拼接区域的长度延伸方向间隔排列。
16.可选的，在本技术的一些实施例中，一所述第一基准标尺分别与一所述第二基准标尺和一所述第三基准标尺沿所述第二拼接区域的宽度延伸方向平齐设置。
17.可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一基准标尺位于所述第三曝光区域远离所述第四曝光区域的一侧。
18.可选的，在本技术的一些实施例中，所述第三基准标尺位于所述第四曝光区域远离所述第三曝光区域的一侧。
19.可选的，在本技术的一些实施例中，所述的驱动基板的制备方法在所述步骤s5之后还包括：
20.s6：通过第五掩模板同时与所述第一基准标尺和所述第二基准标尺进行对位后，以在所述玻璃基板上界定第五曝光区域；
21.s7：通过第六掩模板同时与所述第二基准标尺和所述第三基准标尺进行对位后，以在所述玻璃基板上界定第六曝光区域，所述第六曝光区域与所述第五曝光区域部分重叠设置以形成第三拼接区域，所述第三拼接区域与所述第二拼接区域重合设置；
22.s8：通过所述第五掩模板对所述玻璃基板的第五曝光区域进行曝光以形成第五曝光层，所述第五曝光层位于所述第三曝光层的上方，通过所述第六掩模板对所述玻璃基板的第六曝光区域进行曝光以形成与所述第五曝光层同层设置的第六曝光层。
23.本技术实施例在拼接曝光过程中，同层设置的第一曝光层和第二曝光层重叠形成第一拼接区域，并将第一基准标尺、第二基准标尺以及和第三基准标尺均设置在第一拼接区域外侧，且第一基准标尺、第二基准标尺以及和第三基准标尺均是由单次曝光形成，以有效避免因多次曝光而导致基准标尺本身存在误差的影响。而后续同层设置的第三曝光层和第四曝光层在曝光对位中均会使用第二基准标尺进行对位，如此通过在曝光同层时采用同一组基准标尺，如此有效避免了因采用不同基准标尺而导致位置偏差的影响。本技术的驱
动基板的制备方法可以有效解决由于基准标尺的位置及尺寸差异造成的影响，进而在曝光工艺制程中，提升第二层重叠曝光区域的对位性能，改善重叠曝光区的拼接精度。
附图说明
24.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
25.图1是一种现有的玻璃基板的曝光对位方式的示意图；
26.图2是另一种现有的玻璃基板的曝光对位方式的示意图；
27.图3是本技术实施例提供的驱动基板的制备方法的流程示意图；
28.图4是本技术实施例提供的驱动基板的制备方法的步骤s1的结构示意图；
29.图5是本技术实施例提供的驱动基板的制备方法的步骤s2的结构示意图；
30.图6是本技术实施例提供的驱动基板的制备方法的第三曝光层曝光后的结构示意图；
31.图7是本技术实施例提供的驱动基板的制备方法的第四曝光层曝光后的结构示意图；
32.图8是本技术实施例提供的驱动基板的制备方法的步骤s6、s7以及s8的流程示意图。
具体实施方式
33.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。在本技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
34.目前拼接曝光工艺对位方案主要分为两种，第一种是后续层对位使用非拼接区域aa的标尺，参照图1，具体流程为：第一层电路图案的曝光分为左右两次进行，中间斜纹填充的窄条区域为拼接曝光区aa。后续电路层曝光对位所需要的基准标尺在非拼接区域aa处，由两次曝光分别形成。第二层电路图案的曝光也分为左右两次进行，其两次曝光的拼接区域与第一层电路曝光拼接区域一致。第二层电路左侧曝光对位使用的基准标尺a1是由第一层电路左侧曝光制作，第二层电路右侧曝光对位使用的基准标尺a2是由第一层电路右侧曝光制作。该方案的技术缺陷是对于第二层电路拼接曝光区而言，由于其对位标尺分别是两次曝光制作而成，标尺本身的位置与尺寸存在偏差，这种偏差无法消除，直接影响第二层电路的拼接曝光精度。
35.参照图2，而第二种现有的对位方案为：第一层电路图案的曝光分为左右两次进行，中间斜纹填充的窄条区域为拼接曝光区aa。在后续电路层曝光对位中所需要的基准标
尺，左右量测的基准标尺分别由左右单次曝光形成，中间位置的基准标尺a1位于拼接曝光区内，它是由左右两次重叠曝光形成。第二层电路图案的曝光也分为左右两次进行，其两次曝光的重叠区域与第一层电路曝光重叠区域一致；第二层电路左右两次曝光时，其重叠区域共用基准标尺a1。该方案的技术缺陷：虽然该方案可以避免不同基准标尺位置差异的问题，但是由于共用的基准标尺位是第一层电路重叠曝光形成，其本身的位置与尺寸精度会受到重叠曝光的影响，对第二层电路重叠曝光区的拼接精度造成一定的影响。
36.因此，需要设计一种制备方法以有效改善重叠曝光区的拼接精度。
37.本技术实施例提供一种驱动基板的制备方法。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
38.参阅图3，本技术提供一种驱动基板的制备方法，包括：
39.s1：提供一玻璃基板，通过第一掩模板与玻璃基板对位，以在玻璃基板上界定第一曝光区域，在玻璃基板的第一曝光区域形成第一曝光层，第一曝光层包括第一基准标尺；
40.s2：通过第二掩模板与玻璃基板对位，以在玻璃基板上界定第二曝光区域，第二曝光区域与第一曝光区域部分重叠设置以形成为第一拼接区域，在玻璃基板的第二曝光区域形成与第一曝光层同层设置的第二曝光层，第二曝光层包括第二基准标尺和第三基准标尺，第一基准标尺、第二基准标尺以及和第三基准标尺同时位于第一拼接区域的外侧，且第二基准标尺位于第一基准标尺和第三基准标尺之间；
41.s3：通过第三掩模板同时与第一基准标尺和第二基准标尺进行对位后，以在玻璃基板上界定第三曝光区域；
42.s4：通过第四掩模板同时与第二基准标尺和第三基准标尺进行对位后，以在玻璃基板上界定第四曝光区域，第四曝光区域与第三曝光区域部分重叠设置形成第二拼接区域；
43.s5：通过第三掩模板对玻璃基板的第三曝光区域进行曝光以形成第三曝光层，第三曝光层位于第一曝光层的上方，通过第四掩模板对玻璃基板的第四曝光区域进行曝光以形成与第三曝光层同层设置的第四曝光层。
44.可以理解的是，本技术实施例在拼接曝光过程中，同层设置的第一曝光层和第二曝光层的重叠形成第一拼接区域，而并将第一基准标尺、第二基准标尺以及和第三基准标尺均设置在第一拼接区域外侧，且第一基准标尺、第二基准标尺以及和第三基准标尺均是由单次曝光形成，以有效避免因多次曝光而导致基准标尺本身存在误差的影响。而后续同层设置的第三曝光层和第四曝光层在曝光对位中均会使用第二基准标尺进行对位，如此通过在曝光同层时采用同一组基准标尺，如此有效避免了因采用不同基准标尺而导致位置偏差的影响。进而本技术的驱动基板的制备方法可以有效解决由于基准标尺的位置及尺寸差异造成的影响，进而在拼接曝光产品曝光工艺制程中，提升第二层及以后重叠曝光区域的对位性能，改善重叠曝光区的拼接精度。
45.下面将对驱动基板100的制备方法进行详细的阐述：
46.请参阅图4和图5，在步骤s1中，提供一玻璃基板10，通过第一掩模板与玻璃基板10对位，以在玻璃基板10上界定第一曝光区域11，在玻璃基板10的第一曝光区域11形成第一曝光层20，第一曝光层20包括第一基准标尺21。
47.可以理解的是，该第一曝光层20与后续的第二曝光层30、第三曝光层40以及第四
曝光层50既可以为驱动基板100的金属层，或者也可以为驱动基板100的像素层等。而第一基准标尺21、第二基准标尺31以及第三基准标尺32均为金属材质，如此以便于后续与各个掩模板进行识别对位。而第一基准标尺21、第二基准标尺31以及第三基准标尺32为同种图案，以便于第一掩模板和第二掩模板上图案的制备。
48.在步骤s2中，通过第二掩模板与玻璃基板10对位，以在玻璃基板10上界定第二曝光区域12，第二曝光区域12与第一曝光区域11部分重叠设置以形成为第一拼接区域15。在玻璃基板10的第二曝光区域12形成与第一曝光层20同层设置的第二曝光层30，第二曝光层30包括第二基准标尺31和第三基准标尺32。第一基准标尺21、第二基准标尺31以及第三基准标尺32同时位于第一拼接区域15的外侧，且第二基准标尺31位于第一基准标尺21和第三基准标尺32之间。
49.可以理解的是，第一掩模板和第二掩模板可以为独立的两个板体设置，以便于独立使用。当然第一掩模板和第二掩模板也可以为一整块板体设置，在曝光过程中，通过调整位置以使得在制备第一曝光层20和第二曝光层30时分别使第一掩模板和第二掩模板分别与曝光机所对应即可。而第二曝光区域12的面积大于第一曝光区域11的面积，如此在制备过程中，如此以使得整个第一拼接区域15在同层设置的第一曝光层20和第二曝光层30中的位置偏移两者的中心设置，更靠近边缘处，如此以便于与后续位于中间处的第二基准标尺31错开设置。
50.请参阅图6，在步骤s3中，通过第三掩模板同时与第一基准标尺21和第二基准标尺31进行对位后，以在玻璃基板10上界定第三曝光区域13。
51.可以理解的是，该第三掩模板上设有与第一基准标尺21和第二基准标尺31相对应标记，如此通过对应标记以对第三掩模板的位置进行限定以在玻璃基板10上界定出第三曝光区域13。
52.请参阅图7，在步骤s4中，通过第四掩模板同时与第二基准标尺31和第三基准标尺32进行对位后，以在玻璃基板10上界定第四曝光区域14，第四曝光区域14与第三曝光区域13部分重叠设置形成第二拼接区域16。
53.可以理解的是，该第四掩模板上设有与第二基准标尺31和第三基准标尺32相对应标记，如此通过对应标记对第四掩模板的位置进行限定以在玻璃基板10上界定出第四曝光区域14。而该第三掩模板和第四掩模板可以为独立的两个板体设置，以便于独立使用。当然第三掩模板和第四掩模板也可以为一整块板体设置，在曝光过程中，通过调整位置以使得在制备第三曝光层40和第四曝光层50时分别使第三掩模板和第四掩模板分别与曝光机所对应即可。
54.参照图6和图7，在一些实施例中，第二基准标尺31位于第二拼接区域16内。其中，需要说明的是，曝光是一个光斑扫描的过程，横向光斑在竖向做扫描，对位的实质就是识别基准层的位置，对位得到的数据中有一项是反映横向光斑，在横向需要扩大或者缩小的比例(横向扩大或缩小的绝对值/横向跨距)，对位标尺的横向跨距越大，那么对位数据的误差(对位精度或随机误差等)就越小。而由于第二拼接区域16位于第三曝光区域13和第四曝光区域14的横向最外侧，如此通过使第二基准标尺31位于第二拼接区域16中，这样使得对位准确性更高。
55.在一些实施例中，第二基准标尺31位于玻璃基板10的中部。如此以便于第三掩模
板和第四掩模板的对位放置。
56.参照图6和图7，在一些实施例中，第二基准标尺31设有多个，多个第二基准标尺31沿第二拼接区域16的长度延伸方向间隔排列。其中，通过设置多个第二基准标尺31以进一步增加对位位置，进而提高第三掩模板和第四掩模板的对位准确性。
57.进一步地，第二拼接区域16的长度延伸方向的两端均设有一个第二基准标尺31。如此通过竖向方向的两端边缘的对位，更能较好提高后续掩膜掩模板对位的准确性。
58.更进一步地，第一基准标尺21和第三基准标尺32均设有多个，多个第一基准标尺21沿第二拼接区域16的长度延伸方向间隔排列，多个第三基准标尺32沿第二拼接区域16的长度延伸方向间隔排列。其中，通过设置多个第一基准标尺21和多个第三基准标尺32以进一步增加对位位置，进而提高第三掩模板和第四掩模板的对位准确性。
59.进一步地，一第一基准标尺21分别与一第二基准标尺31和一第三基准标尺32沿第二拼接区域16的宽度延伸方向平齐设置。如此以使得第三曝光区域13和第四曝光区域14的横向保证平齐，以进一步提高对位准确性。
60.参照图6和图7，在步骤s5中，通过第三掩模板对玻璃基板10的第三曝光区域13进行曝光以形成第三曝光层40，第三曝光层40位于第一曝光层20的上方，通过第四掩模板对玻璃基板10的第四曝光区域14进行曝光以形成与第三曝光层40同层设置的第四曝光层50。
61.其中，在第三曝光层40和第四曝光层50时，会先通过第三掩模板和第四掩模板先进行对位，其既可以第三掩模板和第四掩模板保持不动，之后通过移动玻璃基板10进行对位。或者也可以使玻璃基板10固定不动，以通过按顺序放置第三掩模板和第四掩模板进行对位。以下为移动玻璃基板10的方式：先通过第三掩模板与玻璃基板10上的第一基准标尺21和第二基准标尺31对位，记录对位数据，调整误差，之后移动玻璃基板10的第二基准标尺31和第三基准标尺32与第四掩模板进行对位，记录对位数据，调整误差，之后再移动玻璃基板10回到与第三掩模板的对位所记录的位置开始进行曝光，当曝光形成第三曝光层40后，再移动玻璃基板10以使其与第四掩模板对位所记录的位置进行对位曝光。如此在同层设置的第三曝光层40和第四曝光层50中，先通过对位调整误差再进行逐一曝光的方式，以提高同层曝光层形成的拼接准确性。
62.参照图6和图7，在一些实施例中，第一基准标尺21位于第三曝光区域13远离第四曝光区域14的一侧。需要说明的是，曝光是一个光斑扫描的过程，横向光斑在竖向做扫描，对位的实质就是识别基准层的位置，对位得到的数据中有一项是反映横向光斑，在横向需要扩大或者缩小的比例，对位标尺的横向跨距越大，那么对位数据的误差就越小，如此通过使得第一基准标尺21位于第三曝光区域13远离第四曝光区域14的一侧，即第一基准标尺21位于曝光区域横向最外侧，以使得对位准确性更高。
63.在一些实施例中，第三基准标尺32位于第四曝光区域14远离第三曝光区域13的一侧。同理，通过使得第三基准标尺32位于第三曝光区域13远离第四曝光区域14的一侧，即第三基准标尺32位于曝光区域横向最外侧，以使得对位准确性更高。
64.参照图8，在本技术的一些实施例中，驱动基板100的制备方法还包括以下步骤：
65.s6：通过第五掩模板同时与第一基准标尺21和第二基准标尺31进行对位后，以在玻璃基板10上界定第五曝光区域；
66.s7：通过第六掩模板同时与第二基准标尺31和第三基准标尺32进行对位后，以在
玻璃基板10上界定第六曝光区域，第六曝光区域与第五曝光区域部分重叠设置以形成第三拼接区域，第三拼接区域与第二拼接区域16重合设置；
67.s8：通过第五掩模板对玻璃基板10的第五曝光区域进行曝光以形成第五曝光层，第五曝光层位于第三曝光层40的上方，通过第六掩模板对玻璃基板10的第六曝光区域进行曝光以形成与第五曝光层同层设置的第六曝光层。
68.其中，当在第三曝光层40和第四曝光层50上制备其他曝光层时，通过使得第五掩模板和第六掩模板继续与第一基准标尺21、第二基准标尺31以及第三基准标尺32进行对位，如此以保证后续重叠曝光区域的对位性能，改善重叠曝光区的拼接精度。
69.以上对本技术实施例所提供的一种驱动基板的制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。