一种利用偏振涂层制备偏振片的方法与流程

文档序号:37222033发布日期:2024-03-05 15:20阅读:13来源:国知局
一种利用偏振涂层制备偏振片的方法与流程

本发明涉及偏振片制备,尤其涉及一种利用偏振涂层制备偏振片的方法。


背景技术:

1、现有偏光玻璃的制备方法为拉伸还原法制备偏振片,其工艺流程主要有玻璃的熔制、玻璃的热处理、玻璃的拉伸、玻璃的冷加工和玻璃的还原工序构成。偏光玻璃产生偏光效应的理论依据主要是金属纳米粒子的表面等离子体共振效应(spr),偏光效果和纳米颗粒的形状、大小息息相关。当金属粒子呈长棒状时(具有一定的长径比),平行于金属微粒长轴方向的光被金属粒子的电子等离子体震荡吸收,而垂直长轴方向的光可以相对顺利的通过,形成了偏振现象。规则排列纳米颗粒阵列金属颗粒的调控性对偏振玻璃的偏振性能具有决定性作用。

2、现有的偏振玻璃制备方法,其制备流程多,制备过程复杂。以常见的拉伸还原法制备偏振玻璃为例,其制备过程包括玻璃的熔制(银/铜等金属微粒的引入),玻璃的热处理,玻璃的拉伸,玻璃的冷加工和玻璃的还原等。为此,我们提出一种利用偏振涂层制备偏振片的方法。


技术实现思路

1、基于背景技术存在的技术问题,本发明提出了一种利用偏振涂层制备偏振片的方法,采用半导体常用的曝光刻蚀制备工艺制备出可调控的纳米金属颗粒阵列的膜层结构,在玻璃基板上制备该涂层结构,即可得到偏振片。

2、本发明提供如下技术方案:一种利用偏振涂层制备偏振片的方法,包括如下步骤:

3、s1、在透明基板上采用pvd物理沉积的方式沉积金属膜层;

4、s2、在金属膜层上涂布光刻胶;

5、s3、使用纳米级阵列掩膜版对涂布光刻胶的金属膜层进行曝光和显影处理,通过调节光罩中所设计的单个矩形图案的尺寸和间距进行纳米银团簇颗粒的大小、数量和间距的调整;

6、s4、刻蚀处理,通过化学或物理刻蚀方式在透明基板制备出阵列结构;

7、s5、去处阵列结构上多余的光刻胶;

8、s6、对阵列结构进行平坦化处理;

9、s7、在偏振面沉积保护层。

10、优选的,所述步骤s1在透明基板沉积金属层前,先沉积一层过渡层。

11、优选的,在沉积多层金属层时,步骤s6进行平坦化处理后,重复步骤s1-s6,得到多层相同或不同金属层结构,最后沉积保护层。

12、优选的,所述步骤s7在沉积完保护层后,重复步骤s1-s7,对透明基板反面制备偏振涂层,得到双面偏振结构的偏振片。

13、优选的,所述步骤s1中的透明基板还可替换为显示面板;在显示面板上采用pvd物理沉积的方式沉积金属膜层,然后进行步骤s2-s7的加工。

14、本发明提供了一种利用偏振涂层制备偏振片的方法,采用半导体常用的曝光刻蚀等制备工艺制备出可调控的纳米金属颗粒阵列的膜层结构。通过eda软件针对mask掩膜版设计不同光罩中所设计的单个矩形图案的尺寸和间距数值来调控所制备金属颗粒的长径比以及纳米颗粒的大小、数量和间距,进而达到调控偏振性能的效果。选用玻璃为基板时,在玻璃基板上制备该涂层结构,即可得到偏振片。



技术特征:

1.一种利用偏振涂层制备偏振片的方法,其特征在于:包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种利用偏振涂层制备偏振片的方法,其特征在于:所述步骤s1在透明基板沉积金属层前,先沉积一层过渡层。

3.根据权利要求1所述的一种利用偏振涂层制备偏振片的方法,其特征在于:在沉积多层金属层时,步骤s6进行平坦化处理后,重复步骤s1-s6,得到多层相同或不同金属层结构,最后沉积保护层。

4.根据权利要求1或3所述的一种利用偏振涂层制备偏振片的方法,其特征在于:所述步骤s7在沉积完保护层后,重复步骤s1-s7,对透明基板反面制备偏振涂层,得到双面偏振结构的偏振片。

5.根据权利要求1所述的一种利用偏振涂层制备偏振片的方法,其特征在于:所述步骤s1中的透明基板还可替换为显示面板;在显示面板上采用pvd物理沉积的方式沉积金属膜层,然后进行步骤s2-s7的加工。


技术总结
本发明涉及偏振片制备技术领域,尤其涉及一种利用偏振涂层制备偏振片的方法,包括如下步骤:S1、在透明基板上采用PVD物理沉积的方式沉积金属膜层;S2、在金属膜层上涂布光刻胶;S3、使用纳米级阵列掩膜版对涂布光刻胶的金属膜层进行曝光和显影处理;S4、刻蚀处理;S5、去处阵列结构上多余的光刻胶;S6、对阵列结构进行平坦化处理;S7、在偏振面沉积保护层。本发明通过改变生产方式,生产制备效率极大提高;且微观组织结构的调控性增强,偏振片的性能调控如消光比、工作波长等可控性增强。缺少拉伸制备流程、氢气还原反应流程,不考虑拉伸和还原,增加了可引入金属颗粒的选择范围,同时,整个制备流程的安全性得到提高。

技术研发人员:胡宇浩,马晓,侯田江,刘凯,胡露
受保护的技术使用者:长飞(武汉)光系统股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/3/4
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