阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板与流程

1.本发明涉及显示面板领域，特别涉及一种阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板。


背景技术：

2.面对信息社会，对显示装置的需求已经不同程度地增长。近来，使用了诸如液晶显示(lcd)装置、等离子体显示面板(pdp)装置和有机发光二极管(oled)显示装置这样的平板显示装置。在这些显示装置当中，lcd装置因其重量轻、外形薄、功耗低等优点而被广泛使用，但目前液晶显示装置制作的产品视角较窄。
3.有鉴于此，实有必要开发一种阵列基板及其制备方法，用以解决现有技术中显示装置视角较窄的问题。


技术实现要素：

4.本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法，用以解决现有技术中显示装置视角较窄的问题。
5.为了解决上述技术问题，本发明的实施例公开了如下技术方案：
6.一方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板具有一入光侧和一出光侧，所述阵列基板包括像素区和临近所述像素区的透光区；所述阵列基板在所述透光区具有至少一光发散单元，用于将来自所述入光侧的光线发散至所述出光侧；其中，所述光发散单元为空腔。
7.除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述空腔内均匀分布压强为一个大气压的空气介质。
8.除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述光发散单元具有凹透镜结构。
9.除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述空腔包括一靠近所述入光侧的入光面和一远离所述入光侧的出光面，所述入光面朝向所述出光侧凹陷，所述出光面朝向所述出光侧凹陷。入射光线自所述入光面入射、经过空气介质的折射后自所述出光面出射。
10.除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述阵列基板包括：薄膜晶体管结构层，从所述像素区延伸至所述透光区，所述薄膜晶体管结构层在所述像素区内栅极、源极和漏极，所述薄膜晶体管结构层在所述透光区内设有至少一凹槽；间隔层，设于所述薄膜晶体管结构层上，从所述像素区延伸至所述透光区，所述间隔层在靠近所述薄膜晶体管结构层的一侧形成至少一凸块，所述凸块对应所述凹槽且朝向所述凹槽凸出；其中，所述凸块与所述凹槽共同限定所述空腔，所述空腔的入光面为所述凹槽的槽底面，所述空腔的出光面为所述凸块的凸表面。
11.除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述凸块与所述凹槽的形状相匹配；所述凸块与所述凹槽均为曲面。所述凹槽与所述凸块均呈半圆球状；所谓的“半
圆球状”并非严格限定为半圆球，实际上可以小于或等于半圆球。
12.除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述薄膜晶体管结构层包括：衬底层，从所述像素区延伸至所述透光区；遮光层，设于所述像素区的所述衬底层上；缓冲层，设于所述遮光层上，从所述像素区延伸至所述透光区；有源层，设于所述像素区的所述缓冲层上；栅极绝缘层，设于所述有源层上，从所述像素区延伸至所述透光区；栅极层，设于所述像素区的所述栅极绝缘层上；介电层，设于所述栅极层上，从所述像素区延伸至所述透光区；以及源漏极层，设于所述介电层上，且连接至所述有源层；其中，所述凹槽设于所述介电层上；其中，所述间隔层设于所述介电层和所述源漏极层上；其中，所述凹槽朝向所述间隔层；所述凸块朝向所述介电层。
13.在其他实施例中，所述光发散单元也可以设于所述薄膜晶体管结构层中的其他膜层之中，例如可以在所述栅极绝缘层的所述透光区内设有凹槽，所述介电层在靠近所述栅极绝缘层的一侧形成至少一凸块，所述光发散单元设于所述栅极绝缘层和所述介电层之间。
14.除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述空腔还包括间隙单元，所述间隙单元围绕所述入光面和所述出光面的至少一部分周围表面，所述间隙单元形成于所述间隔层中。
15.除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述间隔层的材料采用氧化硅或氮化硅中的一种或几种。
16.除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述间隙单元的宽度范围为5nm-50nm，所述间隙单元的高度范围为1μm-5μm。
17.除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述阵列基板还包括平坦层，设于所述间隔层上；公共电极层，设于所述平坦层上；钝化层，设于公共电极层上；像素电极层，设于所述钝化层上，且与所述源漏极相接。
18.除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述凹槽的槽底面的直径范围为1μm-30μm，所述空腔的深度范围为0.1-2μm。
19.除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述入光侧为所述薄膜晶体管结构层远离所述间隔层的一侧；所述出光侧为所述间隔层远离所述薄膜晶体管结构层的一侧。
20.除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，当所述光发散单元的数量为两个及以上时，每个所述光发散单元间隔阵列排布。
21.另一方面，本实施例还提供一种制备方法，用以制备本发明涉及的所述阵列基板，所述阵列基板包括若干阵列排布的像素区和所述像素区之间的透光区，所述阵列基板具有一入光侧和一出光侧，所述制备方法包括以下步骤：制备一薄膜晶体管结构层；所述薄膜晶体管结构层从所述像素区延伸至所述透光区，所述薄膜晶体管结构层在所述像素区内设有栅极、源极和漏极，所述薄膜晶体管结构层在所述透光区内形成至少一凹槽；制备一间隔层于所述薄膜晶体管结构层上；所述间隔层从所述像素区延伸至所述透光区，所述间隔层在邻近所述薄膜晶体管结构层的一侧形成至少一凸块，所述凸块对应所述凹槽且朝向所述凹槽凸出；其中，所述凸块与所述凹槽共同限定一空腔，所述空腔的入光面为所述凹槽的槽底面，所述空腔的出光面为所述凸块的凸表面；所述空腔为光发散单元，用于将来自所述入光
侧的光线发散至所述出光侧。
22.除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述的制备一薄膜晶体管结构层的步骤包括：提供一衬底层；在所述衬底层上依次制备遮光层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、以及介电层；在所述介电层上制备过孔、以及所述凹槽；其中所述过孔位于所述像素区，所述凹槽位于所述透光区；沉积一金属层于所述介电层上、所述过孔中以及所述凹槽中；图案化所述金属层形成源漏极层和至少一填充单元，所述源漏极层位于所述像素区且穿过所述过孔连接至所述有源层，所述填充单元位于所述凹槽中，且所述填充单元远离所述凹槽的一侧形成一填充槽；制备间隔层于所述填充单元和所述源漏极层上；在所述间隔层朝向所述填充单元的一侧形成至少一沉积于所述填充槽中的凸块；移除所述凹槽内的所述填充单元，使得所述凹槽和所述凸块共同限定所述空腔；所述空腔包括一靠近所述入光侧的入光面和一远离所述入光侧的出光面，所述入光面朝向所述出光侧凹陷，所述出光面朝向所述出光侧凹陷。
23.除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，在所述的图案化所述金属层形成源漏极层和至少一填充单元的步骤中，在沿着至少一方向上，所述填充单元的宽度小于所述凹槽的宽度，且所述填充单元形成有至少一呈薄片状的边缘，所述边缘凸出于所述介电层。
24.除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，在第一方向上，所述填充单元的宽度小于所述凹槽的宽度，以使得在所述第一方向上得所述填充单元的边缘形成尖角；在第二方向上，所述填充单元的宽度大于所述凹槽的宽度，以使得在所述第二方向上得所述填充单元的边缘覆盖于所述介电层上。
25.除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，在所述的制备间隔层于所述填充单元和所述源漏极层上的步骤中，在所述间隔层朝向所述填充单元的一侧还形成至少一围绕所述凸块的间隙单元，所述间隙单元暴露所述填充单元。
26.除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，在所述凹槽中，所述填充单元边缘刺穿所述间隔层形成贯穿所述间隙单元。
27.除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，在所述的通过所述间隙单元移除所述凹槽内的所述填充单元的步骤中，采用酸液通过所述间隙单元将所述凹槽内的所述填充单元腐蚀并移除。
28.除了上述公开的一个或多个特征之外，或者作为替代，所述酸液采用氢氟酸。
29.另一方面，本实施例还提供一种显示面板，包括本发明涉及的所述阵列基板。
30.上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果：通过在薄膜晶体管结构层中设置若干光发散单元，光发散单元具有凹透镜结构，光发散单元为空腔，由于空气的折射率低，因此光发散单元能够改变背光光率，达到扩大视角的效果。
附图说明
31.下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
32.图1为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图；
33.图2为本发明实施例提供的阵列基板的制备方法的流程图；
34.图3为本发明实施例提供的制备方法步骤12时的结构示意图；
35.图4为本发明实施例提供的制备方法步骤13时的结构示意图；
36.图5为本发明实施例提供的制备方法步骤14时的结构示意图；
37.图6为本发明实施例提供的制备方法步骤15时第一方向x的剖面结构示意图；
38.图7为本发明实施例提供的制备方法步骤15时第二方向y的剖面的结构示意图；
39.图8为本发明实施例提供的制备方法步骤15时俯视结构示意图；
40.图9为本发明实施例提供的制备方法步骤21时的结构示意图；
41.图10为本发明实施例提供的制备方法步骤22时的结构示意图。
42.附图标记：
43.阵列基板-100；
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像素区-101；
44.透光区-102；
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薄膜晶体管结构层-10；
45.间隔层-20；
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平坦层-30；
46.公共电极层-40；
47.钝化层-50；
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像素电极层-70；
48.衬底层-11；遮光层-12；
49.缓冲层-13；
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有源层-14；
50.栅极绝缘层-15；
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栅极层-16；
51.介电层-17；
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源漏极层-18；
52.凹槽-171；
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凸块-21；
53.光发散单元-60；
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空腔-61；
54.入光面-611；
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出光面-612；
55.间隙单元-613；过孔-172；
56.金属层-181；
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填充单元-182；
57.填充槽-183。
具体实施方式
58.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
59.请参阅图1，图1为本实施例提供的一种阵列基板100的结构示意，阵列基板100包括像素区101和临近像素区101的透光区102，阵列基板100包括依次设置的薄膜晶体管结构层10、间隔层20、平坦层30、公共电极层40、钝化层50和像素电极层70。
60.阵列基板100具有一入光侧和一出光侧，入光侧为薄膜晶体管结构层10远离像素电极层70的一侧，出光侧为像素电极层70远离薄膜晶体管结构层10的一侧。
61.薄膜晶体管结构层10包括衬底层11、遮光层12、缓冲层13、有源层14、栅极绝缘层15、栅极层16、介电层17和源漏极层18。衬底层11从像素区101延伸至透光区102；衬底层11
从像素区101延伸至透光区102。衬底层11可以采用各种柔性的或可弯曲的材料，例如，基板采用的材料可以为聚合物树脂，诸如聚醚砜(pes)、聚丙烯酸酯(par)、聚醚酰亚胺(pei)、聚萘二甲酸乙二酯(pen)、聚对苯二甲酸乙二酯(pet)、聚苯硫醚(pps)、聚芳酯、聚酰亚胺(pi)、聚碳酸酯(pc)或醋酸丙酸纤维素(cap)。衬底层11可用于阻挡氧和湿气，防止湿气或杂质通过衬底层11扩散。
62.遮光层12设于像素区101的衬底层11上；缓冲层13设于遮光层12上，从像素区101延伸至透光区102；有源层14设于像素区101的缓冲层13上；有源层14可以是非晶硅材料多晶硅材料或金属氧化物材料等。其中有源层14采用多晶硅材料时可以采用低温非晶硅技术形成，即将非晶硅材料通过激光熔融形成多晶硅材料。此外，还可以利用诸如快速热退火(rta)法、固相结晶(spc)法、准分子激光退火(ela)法、金属诱导结晶(mic)法、金属诱导横向结晶(milc)法或连续横向固化(sls)法等各种方法。有源层14还包括通过掺杂n型杂质离子或p型杂质离子而形成的源极区域和漏极区域，在源极区域和漏极区域之间形成沟道区域。
63.栅极绝缘层15设于有源层14上，从像素区101延伸至透光区102；栅极绝缘层15包括诸如氧化硅、氮化硅的无机层，并且可以包括单层或多个层。
64.栅极层16设于像素区101的栅极绝缘层15上；栅极层16可以包括金(au)、银(ag)、铜(cu)、镍(ni)、铂(pt)、钯(pd)、铝(al)、钼(mo)或铬(cr)的单层或多层，或者诸如铝(al)：钕(nd)合金或钼(mo)：钨(w)合金，具体实施时可以根据实际情况选择。
65.介电层17设于栅极层16上，从像素区101延伸至透光区102；介电层17可以包括无机材料或有机材料。无机材料可以包括从氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅中选择的至少一种。有机材料可以包括从丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯、乙烯基类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、纤维素类树脂和苝类树脂中选择的至少一种。
66.源漏极层18设于介电层17上，且连接至有源层14；源漏极层18可以是由包括例如al、cu和/或ti的导电材料形成的单层或多层。
67.介电层17在透光区102内设有若干一凹槽171。间隔层20设于介电层17和源漏极层18上，从像素区101延伸至透光区102，间隔层20的材料采用氧化硅或氮化硅中的一种或几种。
68.间隔层20在靠近介电层17的一侧形成若干一凸块21，凸块21对应凹槽171且朝向凹槽171凸出。每一凸块21与对应凸块21的凹槽171共同限定出一光发散单元60，每个光发散单元60间隔阵列排布。
69.光发散单元60为空腔61。凸块21与凹槽171的形状相匹配；凸块21与凹槽171均为曲面。凹槽171与凸块21均呈半圆球状；所谓的“半圆球状”并非严格限定为半圆球，实际上可以小于或等于半圆球。
70.空腔61内均匀分布压强为一个大气压的空气介质。光发散单元60具有凹透镜结构，空腔61包括一靠近入光侧的入光面611和一远离入光侧的出光面612，入光面611朝向出光侧凹陷，出光面612朝向出光侧凹陷。空腔61的入光面611为凹槽171的槽底面，空腔61的出光面612为凸块21的凸表面。入射光线自入光面611入射、经过空气介质的折射后自出光面612出射。光发散单元60用于将来自入光侧的光线发散至出光侧。由于空气的折射率低，
因此光发散单元60能够改变背光光率，达到扩大视角的效果。
71.凹槽171的槽底面的直径范围为1μm-30μm，空腔61的深度范围为0.1-2μm。
72.在其他实施例中，光发散单元60也可以设于薄膜晶体管结构层10中的其他膜层之中，例如可以在栅极绝缘层15的透光区102内设有凹槽171，介电层17在靠近栅极绝缘层15的一侧形成至少一凸块21，光发散单元60设于栅极绝缘层15和介电层17之间。
73.空腔61还包括间隙单元613，间隙单元613围绕入光面611和出光面612的至少一部分周围表面，间隙单元613形成于间隔层20中。间隙单元613的宽度范围为5nm-50nm，间隙单元613的高度范围为1μm-5μm。
74.平坦层30设于间隔层20上；公共电极层40设于平坦层30上；钝化层50设于公共电极层40上；钝化层50可以由氧化硅或氮化硅等的无机材料形成，也可以由有机材料形成。像素电极层70设于钝化层50上，且与源漏极相接。
75.本实施例还提供一种显示面板，包括本发明涉及的阵列基板100。
76.本实施例还提供一种制备方法，用以制备本发明涉及的阵列基板100，阵列基板100包括若干阵列排布的像素区101和像素区101之间的透光区102，阵列基板100具有一入光侧和一出光侧。请参阅图2，图2为制备方法的流程图，制备方法包括步骤1-步骤2。
77.步骤1：制备一薄膜晶体管结构层10；薄膜晶体管结构层10从像素区101延伸至透光区102，薄膜晶体管结构层10在像素区101内设有栅极、源极和漏极，薄膜晶体管结构层10在透光区102内形成至少一凹槽171。
78.步骤1具体包括步骤11-步骤15。请参阅图3-图8。
79.步骤11：提供一衬底层11。
80.步骤12：在衬底层11上依次制备遮光层12、缓冲层13、有源层14、栅极绝缘层15、栅极层16以及介电层17。
81.步骤13：在介电层17上制备过孔172、以及凹槽171；其中过孔172位于像素区101，凹槽171位于透光区102。
82.步骤14：沉积一金属层181于介电层17上、过孔172中以及凹槽171中。
83.步骤15：图案化金属层181形成源漏极层18和至少一填充单元182，源漏极层18位于像素区101且穿过过孔172连接至有源层14，填充单元182位于凹槽171中，且填充单元182远离凹槽171的一侧形成一填充槽183。
84.在第一方向x上，填充单元182的宽度小于凹槽171的宽度，且填充单元182形成有至少一呈薄片状的边缘，边缘凸出于介电层17，以使得在第一方向上得填充单元182的边缘形成尖角。
85.在第二方向y上，填充单元182的宽度大于凹槽171的宽度，以使得在第二方向上得填充单元182的边缘覆盖于介电层17上。第一方向x与第二方向y相垂直。
86.步骤2：制备一间隔层20于薄膜晶体管结构层10上；间隔层20从像素区101延伸至透光区102，间隔层20在邻近薄膜晶体管结构层10的一侧形成至少一凸块21，凸块21对应凹槽171且朝向凹槽171凸出；其中，凸块21与凹槽171共同限定一空腔61，空腔61的入光面611为凹槽171的槽底面，空腔61的出光面612为凸块21的凸表面；空腔61为光发散单元60，用于将来自入光侧的光线发散至出光侧。
87.步骤2具体包括步骤21-步骤22。请参阅图9-图10。
88.步骤21：制备间隔层20于填充单元182和源漏极层18上；在间隔层20朝向填充单元182的一侧形成至少一沉积于填充槽183中的凸块21。
89.在凹槽171中，填充单元182边缘刺穿间隔层20形成围绕凸块21的间隙单元613，间隙单元613暴露填充单元182。
90.步骤22：移除凹槽171内的填充单元182，使得凹槽171和凸块21共同限定空腔61；空腔61包括一靠近入光侧的入光面611和一远离入光侧的出光面612，入光面611朝向出光侧凹陷，出光面612朝向出光侧凹陷。
91.采用酸液通过间隙单元613将凹槽171内的填充单元182腐蚀并移除。酸液采用氢氟酸。
92.在步骤2后，在间隔层20上依次制备平坦层30、公共电极层40、钝化层50和像素电极层70。
93.本发明实施例通过在薄膜晶体管结构层10中设置若干光发散单元60，光发散单元60具有凹透镜结构，光发散单元60为空腔61，由于空气的折射率低，因此光发散单元60能够改变背光光率，达到扩大视角的效果。
94.以上对本发明实施例所提供的一种阵列基板及其制备方法、显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。