技术特征：
1.一种高精度套刻补偿方法，其特征在于，包括以下步骤：使用泽尼克多项式对晶圆进行全局套刻误差计算，得到逐场补偿模型参数；基于所述逐场补偿模型参数使用补偿公式进行计算，得到实际晶圆套刻补偿参数；对所述实际晶圆套刻补偿参数和实际晶圆逐场补偿模型参数进行对比，得到对比结果；对所述对比结果进行判断，若所述对比结果在预设范围内，则将所述实际晶圆套刻补偿参数应用至生产工艺中进行补偿。2.如权利要求1所述的一种高精度套刻补偿方法，其特征在于，所述晶圆包括参考晶圆和实际晶圆。3.如权利要求2所述的一种高精度套刻补偿方法，其特征在于，所述使用泽尼克多项式对晶圆进行全局套刻误差计算，得到逐场补偿模型参数的具体方式为：使用泽尼克多项式对参考晶圆与实际晶圆进行计算，得到参考晶圆泽尼克模型差和实际晶圆泽尼克模型差；基于所述参考晶圆泽尼克模型差和所述实际晶圆泽尼克模型差进行计算，得到逐场补偿模型参数。4.如权利要求3所述的一种高精度套刻补偿方法，其特征在于，所述基于所述逐场补偿模型参数使用补偿公式进行计算，得到实际晶圆套刻补偿参数的具体方式为：使用所述逐场补偿模型对所述参考晶圆进行计算，得到参考晶圆逐场补偿模型参数；使用补偿公式对所述参考晶圆逐场补偿模型参数和所述逐场补偿模型参数进行计算，得到实际晶圆套刻补偿参数。5.如权利要求4所述的一种高精度套刻补偿方法，其特征在于，所述对所述实际晶圆套刻补偿参数和实际晶圆逐场补偿模型参数进行对比，得到对比结果的具体方式为：使用所述逐场补偿模型对所述实际晶圆进行计算，得到实际晶圆逐场补偿模型参数；对所述实际晶圆套刻补偿参数和实际晶圆逐场补偿模型参数进行对比，得到对比结果。
技术总结
本发明涉及半导体光刻技术领域，具体涉及一种高精度套刻补偿方法，包括，使用泽尼克多项式对晶圆进行全局套刻误差计算，得到逐场补偿模型参数；基于逐场补偿模型参数使用补偿公式进行计算，得到实际晶圆套刻补偿参数；对实际晶圆套刻补偿参数和实际晶圆逐场补偿模型参数进行对比，得到对比结果。对对比结果进行判断，若对比结果在预设范围内，则应用至生产工艺中进行补偿，若对比结果不在预设范围内，则探索和诊断问题，通过使用泽尼克多项式模型，以及参考晶圆的逐场补偿模型，实现对任意批次、任意机台的晶圆套刻误差的快速补偿，从而解决了现有的补偿方法效率较低的问题。而解决了现有的补偿方法效率较低的问题。而解决了现有的补偿方法效率较低的问题。
技术研发人员：张利斌 韦亚一
受保护的技术使用者：南京诚芯集成电路技术研究院有限公司
技术研发日：2022.09.14
技术公布日：2022/11/29