一种获得对称图形的光刻方法与流程

1.本技术涉及光刻技术领域，特别涉及一种获得对称图形的光刻方法。


背景技术：

2.在基于手动光刻机进行光刻时，如果光刻版图形上下不对称却想在待曝光基片上获得对称图形，比如想利用2个半片进行试验对比，一般的做法就是重新设计一块光刻版，但这样做一来重新绘图需要人力和时间，二来新的光刻版加工周期一般得一个星期，影响项目进度，三来加工新光刻版也需要一笔费用。


技术实现要素：

3.本技术实施例提供一种获得对称图形的光刻方法，能够利用已有的非对称光刻版在待曝光基片上形成对称的图形，简单易行，省时省力，降低费用，充分利用基片空间，同时保证光刻精度。
4.本技术实施例提供了一种获得对称图形的光刻方法，其包括：在基片边缘做对齐标记线；在光刻版上确定出目标图形所在区域，并在光刻版上其余区域覆盖遮蔽层，以在所述遮蔽层与目标图形所在区域之间形成边界，并使所述边界与光刻版的第二基准线平行；基于对齐标记线、边界、第二基准线和基片的第一基准线，调整基片相对于覆盖有遮蔽层的光刻版的位置，以对齐；进行第一次曝光，以使目标图形刻于所述基片上；将覆盖有遮蔽层的光刻版旋转180
°
，并再次调整基片相对于所述光刻版的位置，以对齐；进行第二次曝光，以使目标图形刻于所述基片上。
5.一些实施例中，基于对齐标记线、边界、第二基准线和基片的第一基准线，调整基片相对于覆盖有遮蔽层的光刻版的位置，以对齐，包括：调整基片，以使第一基准线和第二基准线重合；再次调整基片，以使对齐标记线与边界齐平。
6.一些实施例中，调整基片，以使第一基准线和第二基准线重合，包括：调整基片，以使第一基准线与第二基准线齐平；沿第一基准线长度方向，再次调整基片，以使第一基准线与第二基准线两端对齐。
7.一些实施例中，调整基片，以使第一基准线与第二基准线齐平，包括：当第一基准线与第二基准线不平行时，旋转基片，以使第一基准线与第二基准线平行，并沿垂直于第一基准线长度方向的方向，调整基片，直至第一基准线与第二基准线齐平；当第一基准线与第二基准线平行时，沿垂直于第一基准线长度方向的方向，调整
基片，直至第一基准线与第二基准线齐平。
8.一些实施例中，再次调整基片相对于所述光刻版的位置，以对齐，包括：沿垂直于第一基准线长度方向的方向，调整基片，直至对齐标记线与边界齐平。
9.一些实施例中，所述对齐标记线为刻痕线条；和/或，所述遮蔽层为锡箔纸。
10.一些实施例中，所述目标图形为左右轴对称图形时，所获得的对称图形为轴对称图形和中心对称图形；所述目标图形为左右非轴对称图形时，所获得的对称图形为中心对称图形。
11.一些实施例中，在基片上做对齐标记线之前，所述光刻方法还包括：在基片上进行匀胶和前烘。
12.一些实施例中，在进行第二次曝光之后，所述光刻方法还包括：显影和坚膜。
13.一些实施例中，所述光刻方法还包括套刻，所述套刻包括：在套刻光刻版上确定出套刻目标图形所在区域，并在该套刻光刻版上其余区域覆盖遮蔽层，以在该遮蔽层与该套刻目标图形所在区域之间形成边界；其中，该套刻光刻版上覆盖遮蔽层的区域位置与所述光刻版上覆盖遮蔽层的区域位置一致；调整所述基片相对于该覆盖有遮蔽层的套刻光刻版的位置，并进行套刻和曝光；将该覆盖有遮蔽层的套刻光刻版旋转180
°
，并再次进行套刻和曝光。
14.本技术提供的技术方案带来的有益效果包括：本技术提供的光刻方法，在不需要重新设计并制作新光刻版情况下，利用非对称的光刻版在基片上实现对称的图形转移，充分利用基片空间，并保证光刻精度，既简单易行，省时省力，又降低费用。
附图说明
15.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
16.图1为本技术实施例提供的基片示意图；图2为本技术实施例提供的光刻版示意图；图3为图2上覆盖遮蔽层后的示意图；图4为本技术实施例提供的第一次曝光时的示意图；图5为本技术实施例提供的第二次曝光时的示意图。
17.图中：1、基片；10、对齐标记线；11、第一基准线；2、光刻版；20、目标图形；21、第二基准线；3、遮蔽层；4、边界。
具体实施方式
18.为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人
员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
19.参见图1、图2、图3、图4和图5所示，本技术实施例提供了一种获得对称图形的光刻方法，该光刻方法包括如下步骤：101：按照常规方法，在基片1上进行匀胶和前烘。
20.102：参见图1所示，在基片1边缘做对齐标记线10，可以使用镊子等器具的尖端轻轻地在基片1的边缘处划一道刻痕线条，该对齐标记线10长度要比较短，以在目标图形20之外为原则；此外，还可以使用其他方式做对齐标记线10，比如使用小刀等等。
21.基片1上具有一个第一基准线11，该第一基准线11是基片1自身的物理形状形成的。
22.103：参见图2和图3所示，在光刻版2上确定出目标图形20所在区域，并在光刻版2上其余区域覆盖遮蔽层3，以在遮蔽层3与目标图形20所在区域之间形成边界4，需要注意的是，该边界4并不是画/刻出来的线条，而是因为遮蔽层3的存在而形成的，并且上述边界4需要与光刻版2的基准线，也即第二基准线21平行，该第二基准线21是光刻版2上图形设计自身绘制的标记，且第二基准线21通常是与第一基准线11等长的；利用遮蔽层3，将光刻版2上不需要的图形挡住，遮蔽层3可以使用不透明的材料，以不透过紫外光为准，比如作为一个示例，遮蔽层3采用锡箔纸等等，遮蔽层3的固定方式也有多种，比如作为一个示例，遮蔽层3可以采用粘接的方式覆盖在光刻版上。
23.需要说明的是，步骤102和步骤103可以同时进行，也可以先覆盖遮蔽层3，后在基片1上做对齐标记线10。
24.104：将覆盖有遮蔽层3的光刻版2和基片1放在光刻机上，通常光刻版2是在基片1的上方，借助对齐标记线10、边界4、第一基准线11和第二基准线21，利用光刻机的水平调节旋钮及x方向位移旋钮、y方向位移旋钮，调整基片1相对于覆盖有遮蔽层3的光刻版2的位置，以使基片1和光刻版2进行对齐。其中，x方向为第一基准线11的长度方向，y方向为垂直于第一基准线11的长度方向的方向。
25.105：参见图4所示，针对基片1的部分区域进行第一次曝光，以使目标图形20刻于基片1上。
26.106：保持基片1不动，将覆盖有遮蔽层3的光刻版2旋转180
°
，并再次调整基片1相对光刻版2的位置，以使基片1和光刻版2进行对齐。
27.107：参见图5所示，针对基片1的剩余部分区域进行第二次曝光，以使目标图形20刻于基片1上。
28.108：按常规方法进行显影和坚膜，得到对称图形。
29.可见，本技术提供的光刻方法，在不需要重新设计并制作新光刻版情况下，利用非对称的光刻版在基片上实现对称的图形转移，充分利用基片空间，并保证光刻精度，既简单易行，省时省力，又降低费用。
30.上述步骤104中，借助对齐标记线10、边界4、第一基准线11和第二基准线21，调整基片1相对于覆盖有遮蔽层3的光刻版2的位置，以使基片1和光刻版2进行对齐，包括如下步骤：201：利用光刻机的水平调节旋钮及x方向位移旋钮、y方向位移旋钮，调整基片1，以使得第一基准线11和第二基准线21重合；
202：利用光刻机的y方向位移旋钮，再次调整基片1，使得基片1沿垂直于第一基准线11长度方向的方向移动，也即y方向移动，直至对齐标记线10和边界4齐平，完成基片1和光刻版2的对齐，参见图4所示。
31.上述步骤201中，为了使第一基准线11和第二基准线21重合，可以采用下述步骤实现，具体地，包括：301：调整基片1，以使第一基准线11与第二基准线21齐平。
32.在步骤301中，在调整基片1之前，由于第一基准线11与第二基准线21可能相交，也可能平行但是没有齐平。
33.因此，使第一基准线11与第二基准线21齐平，需要根据上述两种情况来分别采取方案进行调整。
34.具体地，当第一基准线11与第二基准线21不平行时，先利用水平调节旋钮，调整基片1，以使第一基准线11与第二基准线21平行，然后利用y方向位移旋钮，沿垂直于第一基准线11长度方向的方向，调整基片1，直至第一基准线11与第二基准线21齐平。
35.当第一基准线11与第二基准线21平行时，直接利用y方向位移旋钮，沿垂直于第一基准线11长度方向的方向，调整基片1，直至第一基准线11与第二基准线21齐平。
36.302：利用x方向位移旋钮，沿第一基准线11长度方向，再次调整基片1，直至第一基准线11与第二基准线21两端对齐。
37.由于前期已经使第一基准线11和第二基准线21重合，因此，在上述步骤106中，尽管拔出光刻版2并进行了旋转，之后再次放入光刻机中，此时已经无需再次进行x方向的调整了。
38.因此，步骤106中，再次调整基片1相对光刻版2的位置，以使基片1和光刻版2进行对齐，主要是沿y方向调整。具体地，采用如下步骤进行：利用y方向位移旋钮，沿垂直于第一基准线11长度方向的方向，调整基片1，直至对齐标记线10与边界4齐平，参见图5所示。
39.可见，利用本技术的方法，在旋转光刻版2之后，因为无需再次进行x方向的调整，故操作方法更加的简单。
40.需要说明的是，若目标图形20为左右轴对称图形时，利用本技术的光刻方法所获得的对称图形不仅为轴对称图形，还是中心对称图形。
41.若目标图形20为左右非轴对称图形时，利用本技术的光刻方法所获得的对称图形为中心对称图形。
42.由于基片1在半导体制备工艺中，往往会进行多层光刻，因此，在光刻版2光刻完成，也即第一次光刻及后续工艺完成之后，如果还需要在完整的基片1上进行光刻套刻，则可以按照如下步骤进行套刻：401：在套刻光刻版上确定出套刻目标图形所在区域，并在该套刻光刻版上其余区域覆盖遮蔽层3，以在该遮蔽层3与该套刻目标图形所在区域之间形成边界4；其中，该套刻光刻版上覆盖遮蔽层3的区域位置与前面所述的光刻版2上覆盖遮蔽层3的区域位置一致。
43.在步骤401中，基片1是完整的，并未裂开成两个半片。
44.需要说明的是，上述套刻光刻版其实也是一个光刻版2，该光刻版2与前面的光刻版2不是一个光刻版，且套刻目标图形也即是该光刻版2上的目标图形20，但是这个目标图
形20与前面光刻版2的目标图形20不同。
45.402：调整基片1相对于该覆盖有遮蔽层3的套刻光刻版的位置，针对基片1的部分区域进行套刻和曝光。
46.403：将该覆盖有遮蔽层3的套刻光刻版旋转180
°
，针对基片1的剩余部分区域进行套刻和曝光。
47.404：按常规方法对基片进行显影、坚膜。
48.在本技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
49.需要说明的是，在本技术中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
50.以上所述仅是本技术的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本技术。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本技术的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本技术将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所申请的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。