曝光机的制作方法

1.本发明涉及显示装置生产技术领域，特别涉及一种及曝光机。


背景技术：

2.随着新型显示技术的快速发展，器件的高度集成化成为未来显示科技的新增长点。在lcd(li qu i d crysta l di sp l ay,液晶显示器)、oled(organ i cli ght-emitt i ng d i ode，有机激光显示)或mi cro-led(微米量级led发光像素单元)显示技术中，现有的驱动电路控制系统或传输系统等都是集成在pcb(pr i nted ci rcu i t board，印刷线路板)或cof(ch i p on fi lm，覆晶薄膜)的“芯片”上，再bond i ng连接到玻璃基板上。
3.因此，为了节省材料成本，可将外挂芯片系统集成在玻璃基板上。由于将集成电路在玻璃基板上，因此在玻璃基板曝光完后需要进行后烘，但现有的g4.5代线中的曝光机不具有烘烤功能，无法对玻璃基板进行后烘。


技术实现要素：

4.本发明的主要目的是提供一种曝光机，旨在解决现有技术中大尺寸曝光机不具有烘烤功能的技术问题。
5.本发明提出一种曝光机，具有承载台、光明以及投射系统，所述承载台用于承载玻璃基板，所述投射系统用于将所述光源发出的光处理后投射到承载台；其中
6.所述曝光机中还设置有能量转换件，所述能量转换件用于在所述光源发出的光波进入所述投射系统之前，接收所述光源发出的光波并将所述接收的光波转换为第一电磁波，所述第一电磁波的波长大于760nm且小于1000nm；和/或
7.所述曝光机中还设置有烘烤模块，所述烘烤模块用于朝所述承载台发射第二电磁波，所述第二电磁波的波长大于760nm且小于1000nm，或所述第二电磁波的波长大于1mm且小于1m。
8.在本发明的部分实施例中，所述能量转换件为下转换玻片，所述下转换玻片设置于所述光源与所述投射系统的光线传播路径中，以使所述光源发出的光线在达到所述投射系统之前先穿过所述下转换玻片；
9.所述下转换玻片由下转换材料制成。
10.在本发明的部分实施例中，所述能量转换件包括透明基板以及设置于所述透明基板上的下转换材料层，所述透明基板具有相对的第一基板面和第二基板面，所述透明基板设置于所述光源与所述投射系统的光线传播路径中，以使所述光源发出的光线在达到所述投射系统之前依次穿过所述第一基板面和所述第二基板面；其中
11.所述第一基板面设置有所述下转换材料层；和/或
12.所述第二基板面设置有所述下转换材料层。
13.在本发明的部分实施例中，所述能量转换件可移动地设置于所述曝光机中，所述能量转换件被配置为在第一位置和第二位置之间移动，当所述能量转换件处于第一位置
时，所述能量转换件位于所述光源与所述投射系统的光线传播路径中，并用于将所述光源发出的光波转换为第一电磁波；
14.当所述能量转换件处于第二位置时，所述能量转换件位于所述光源与所述投射系统的光线传播路径外。
15.在本发明的部分实施例中，所述能量转换件具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面为所述能量转换件靠近所述光源的侧面，所述第二表面为所述能量转换件远离所述光源的侧面；
16.所述第一表面为直面，所述第二表面为直面。
17.在本发明的部分实施例中，所述光源的光轴与所述第一表面之间的夹角为90
°
，所述光源的光轴与所述第二表面之间的夹角为90
°
。
18.在本发明的部分实施例中，所述能量转换件为矩形结构、扇形结构、圆形结构或三角形结构中的任意一种。
19.在本发明的部分实施例中，所述烘烤模块为红外线发射器，所述红外线发射器用于朝所述承载台发射所述第二电磁波，所述第二电磁波为红外线，且所述红外线的波长大于760nm且小于1000nm。
20.在本发明的部分实施例中，所述烘烤模块为微波发射器，所述微波发射器用于朝所述承载台发射所述第二电磁波，所述第二电磁波为微波，所述微波的波长大于1mm且小于1m，所述微波的频率为300mhz～300ghz。
21.在本发明的部分实施例中，所述光源发出的光波波长小于380nm。
22.本发明提供的一种曝光机，在曝光机中设置能量转换件和/或烘烤模块，使曝光机中光源发出的光波转换为第一电磁波或由烘烤模块直接发射第二电磁波，通过控制第一电磁波的波长为760nm-1000nm，控制第二电磁波的波长为760nm-1000nm或1mm-1m，使第一电磁波或第二电磁波均朝向承载台发射，当第一电磁波或第二电磁波的波长范围为760nm-1000nm时，通过波长为760nm-1000nm的红外线辐射将能量转换为溶剂分子的热运动，进而去除溶剂，实现后烘工序；另外的，当第二电磁波的波长范围为1mm-1m时，微波将电磁能转换为溶剂分子的动能，使得分子之间摩擦生热而挥发，从而实现后烘工序。本发明通过在曝光机中设置能量转换件或烘烤模块，使曝光机具有了对玻璃基板的烘烤功能，能够使玻璃基板能够在曝光机中进行后烘工序。
附图说明
23.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
24.图1为本发明的第一种实施例的曝光机的结构示意图；
25.图2为本发明的第二种实施例的曝光机的结构示意图；
26.图3为本发明的第三种实施例的曝光机的结构示意图；
27.图4为本发明的一种实施例的下转换玻片的结构示意图；
28.图5为本发明的一种实施例的能量转换件的结构示意图；
29.图6为本发明的另一种实施例的能量转换件的结构示意图。
30.附图标记：
31.100、光源，200、投射系统，300承载台，301、玻璃基板，400、能量转换件，401-1、转换层，401-2、第一透明层，401-3、第二透明层，402-1、透明基板，402-2、下转换材料层；402-a、第一区域；402-b、第二区域。
具体实施方式
32.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
33.另外，若本发明实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，全文中出现的“和/或”的含义，包括三个并列的方案，以“a和/或b”为例，包括a方案、或b方案、或a和b同时满足的方案。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
34.如图1、图2以及图3所示，本发明的实施例提供了一种曝光机，该曝光机具有承载台300、光源100以及投射系统200，承载台300用于承载玻璃基板301，投射系统200用于将光源100发出的光处理后投射到承载台300。其中，承载台300上设置有相应的固定装置用于固定玻璃基板301。投射系统200在于对光源100发出的光线进行扩散，使从投射系统200中投射到承载台300上的光线能够将承载台300上的玻璃基板301覆盖。
35.其中，在一些实施方式中，曝光机中设置有能量转换件400，能量转换件400用于在光源100发出的光波进入投射系统200之前，接收光源100发出的光波并将接收的光波转换为第一电磁波，使进入投射系统200进行处理的为第一电磁波，第一电磁波的波长大于760nm且小于1000nm。
36.或，在另一些实施方式中，曝光机中设置有烘烤模块，烘烤模块用于朝承载台300发射第二电磁波，第二电磁波的波长大于760nm且小于1000nm，或第二电磁波的波长大于1mm且小于1m。
37.在另一些实施方式中，曝光机中同时设置有烘烤模块和能量转换件400，即此时曝光机的具有三种烘烤模式，其一为利用能量转换件400进行烘烤，其二为利用烘烤模块进行烘烤，其三为利用能量转换件400和烘烤模块同时进行烘烤。
38.需要说明的是，上述的大于的意为大于或等于，上文中的小于意为小于或等于，即，当上文中的第一电磁波的波长为大于760nm且小于1000nm时，实际第一电磁波的波长范围为760nm-1000nm，其中该波长的两个极值为760nm和1000nm。上述解释说明也适用于第二电磁波。
39.第一电磁波的波长、第二电磁波的波长为760nm-1000nm时，其第一电磁波为红外光。第二电磁波的波长为1mm-1m时，第二电磁波为微波。
40.根据上述叙述可知，在曝光机中设置能量转换件400和/或烘烤模块，使曝光机中光源100发出的光波转换为第一电磁波或由烘烤模块直接发射第二电磁波，通过控制第一电磁波的波长为760nm-1000nm，控制第二电磁波的波长为760nm-1000nm或1mm-1m，使第一电磁波或第二电磁波均朝向承载台300发射，当第一电磁波或第二电磁波的波长范围为760nm-1000nm时，通过波长为760nm-1000nm的红外线辐射将能量转换为溶剂分子的热运动，进而去除溶剂，实现后烘工序；另外的，当第二电磁波的波长范围为1mm-1m时，微波将电磁能转换为溶剂分子的动能，使得分子之间摩擦生热而挥发，从而实现后烘工序。本发明通过在曝光机中设置能量转换件400或烘烤模块，使曝光机具有了对玻璃基板301的烘烤功能，能够使玻璃基板301能够在曝光机中进行后烘工序。
41.其中，在曝光机中设置能量转换件400，能够在不改变现有曝光机的大结构前提下进行实施，相比直接设置烘烤模块，改造和生产成本更低。
42.在一些实施例中，能量转换件400为下转换玻片，下转换玻片设置于光源100与投射系统200的光线传播路径中，使光源100发出的光线在达到投射系统200之前先穿过下转换玻片；下转换玻片由下转换材料制成，下转换玻片用于将光源100发出的光波转换为第一电磁波。
43.需要说明的是，下转换材料可将一个高能光子转换为两个以上的可被利用的低能光子。其中，下转换玻片将光源100与投射系统200之间的光路截面完全覆盖，即进入投射系统200的光线均需先经过下转换玻片，再进入投射系统200。
44.另外，需要补充说明的是，曝光机发出的光波为高能光子类光波，一般为紫外光。
45.能够理解的是，利用下转换材料制成的下转换玻片可将光源100发出的高能光子转换为低能光子，使紫外光转换为红外光，利用红外光照射承载台300上的玻璃基板301，对其进行后烘工序。
46.如图4所示，在一些实施方式中，下转换玻片包括依次层叠设置的第一透明层401-2、转换层401-1以及第二透明层401-3，其中，转换层401-1为下转换材料制成。
47.在另一些实施方式中，下转换玻片包括依次层叠设置的第一透明层401-2、第一转换层401-1、第二透明层401-3、第二转换层401-1以及第三透明层，其中，第一转换层401-1、第二转换层401-1为下转换材料制成。
48.如图5所示，在一些实施例中，能量转换件400包括透明基板402-1以及设置于透明基板402-1上的下转换材料层402-2，透明基板402-1具有相对的第一基板面和第二基板面，透明基板402-1设置于光源100与投射系统200的光线传播路径中，以使光源100发出的光线能依次穿过第一基板面和第二极板面后再进入投射系统200。其中，第一基板面上设置有下转换材料层402-2和/或第二基板面上设置有下转换材料层402-2。
49.能够理解的是，利用下转换材料制成的下转换材料层402-2可对光源100发出的光波进行能量转换，使从能量转换件400射出的光线为第一电磁波，再进入投射系统200，由投射系统200将第一电磁波投射到承载台300上对玻璃基板301进行烘烤。
50.需要说明的是，可通过沉积或涂覆的方式在第一基板面或第二基板面上沉积或涂覆下转换材料，从而在第一基板面或第二基板面上形成下转换材料层402-2。
51.如图6所示，在一些实施方式中，只在第一基板面或第二基板面设置下转换材料层402-2，第一基板面(第二基板面)具有多个第一区域和第二区域，多个第一区域和多个第二
区域沿第一方向交错分布，其中，每个第一区域中形成有覆盖第一区域的下转换材料层402-2，第二区域中未形成有下转换材料层402-2。
52.具体地，第一区域与第二区域所占的第一基板面的面积相同。
53.在一些实施方式中，第一区域在第一基板面上所占的面积大于第二区域在第一基板面上所占的面积。
54.需要说明的是，由于透明基板402-1设置于光源100与投射系统200的光线传播路径中，因此，透明基板402-1需要将光源100与投射系统200之间的光路截面完全覆盖，从而使从光源100的光线在进入投射系统200之前，均先穿过透明基板402-1。
55.在一些实施例中，能量转换件400可移动地设置于曝光机中，能量转换件400被配置为在第一位置和第二位置之间移动，当能量转换件400处于第一位置时，能量转换件400位于光源100与投射系统200的光线传播路径中，光源10发出的光波需要先穿过能量转换件400，才可进入到投射系统200中，因此，此时位于第一位置的能量转换件400将光源100发出的光波转换为第一电磁波。当能量转换件400处于第二位置时，能量转换件400位于光源100与投射系统200的光线传播路径外，能量转换件400对光源100与投射系统200之间的光线不产生影响。
56.具体地，在曝光机中设置有滑轨，滑轨上设置有安装台，滑轨的一端设置有驱动装置，驱动装置与安装台连接，驱动装置用于驱动安装台在滑轨上滑动，能量转换件400设置于安装台上，当驱动装置驱动安装台在滑轨上来回滑动时，可使能量转换件400在上述的第一位置和第二位置之间移动。将第一位置定在光源100与投射系统200的光线传播路径之间，将第二位置定在光源100与投射系统200的光线传播路径之外。
57.需要说明的是，当能量转换件400处于第一位置时，能量转换件400将光源100与投射系统200之间的光路截面完全覆盖。
58.在一些实施例中，能量转换件400具有相对的第一表面和第二表面，第一表面为能量转换件400靠近光源100的侧面，第二表面为能量转换元件远离光源100的侧面。第一表面为直面，第二表面为直面。
59.能够理解的是，将第一表面和第二表面设置为直面，能够尽可能减少光源100发出的光线在进入或射出能量转换件400时在能量转换件400表面产生折射导致的光线外散。即，使光源100发出的光线在能量转换件400的各处的入射角和出射角均相同。
60.需要说明的是，在一些实施方式中，第一表面即为第一基板面或第一基板面上设置的下转换材料层402-2靠近光源100的一面，第二表面即为第二基板面或第二基板面上设置的下转换材料层402-2远离光源100的一面。
61.在另一些实施方式中，第一表面为下转换玻片靠近光源100的侧面，第二表面为下转换玻片远离光源100的侧面。
62.在一些实施例中，光源100的光轴与第一表面之间的夹角为90
°
，光源100的光轴与第二表面之间的夹角为90
°
。
63.需要说明的是，使光源100发出的光轴光线与第一表面之间的夹角为90
°
，使光源100发出的光轴光线垂直射入为直面的第一表面，从而避免光线射入第一表面时产生反射，减少能量损失。
64.具体地，当能量转换件400为多层结构时，使各层的表面均为直面，且与第一表面
平行，从而使穿过能量转换件400的光线依旧与第二表面垂直。从而避免光线在射出能量转换件400时发生折射，导致光线外撒，从而导致能量损失。
65.上述的直面即为非曲面，即，可视为该直面的任意一点的射线均与第一方向平行。此处的第一方向只作为参考方向，不做限定。其第一方向可以理解为水平方向、也可以理解为竖直方向或竖直方向与水平方向的角平分线方向。
66.在一些实施例中，烘烤模块为红外线发射器，红外线发射器用于朝承载台300发射第二电磁波，第二电磁波为红外线，该红外线的波长大于760nm且小于1000nm。
67.需要说明的是，如上述的“大于”、“小于”，其第二电磁波的波长的实际范围为760nm-1000nm,即，第二电磁波的波长范围包括760nm和1000nm这两个极值。
68.如上述的，当第二电磁波的波长范围为760nm-1000nm时，第二电磁波为红外光，其通过波长为760nm-1000nm的红外线辐射将能量转换为溶剂分子的热运动，进而去除溶剂，实现后烘工序。
69.在另一实施例中，烘烤模块为微波发射器微波发射器用于朝承载台300发射第二电磁波，第二电磁波为微波，微波的波长大于1mm且小于1m。
70.进一步地，微波的频率为300mhz～300ghz。
71.需要说明的是，当微波的波长范围为1mm-1m时，微波将电磁能转换为溶剂分子的动能，使得分子之间摩擦生热而挥发，从而实现后烘工序。
72.在一些实施方式中，为了保证玻璃基板301的其他性能，当第二电磁波为微波时，烘烤模块对玻璃基板301的后烘时长小于180s。
73.在一些实施方式中，烘烤模块通过机械臂设置于曝光机中，当需要烘烤模块进行工作时，利用机械臂将烘烤模块移动至玻璃基板301的正上方，便于烘烤模块发射的第二电磁波能够覆盖玻璃基板301。
74.在一些实施方式中，曝光机中同时设置有烘烤模块和能量转换件400，投射系统200设置于承载台300的正上方，烘烤模块设置于投射系统200的斜上方。
75.在一些实施方式中，曝光机的光源100发出的光波波长小于380nm。
76.需要说明的是，曝光机的光源100为uva灯，由其发出波长小于380nm的紫外光。
77.以上所述仅为本发明的可选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。