本公开的实施例主要涉及集成电路领域,并且更具体地,涉及光源优化方法、设备和介质。
背景技术:
1、光刻工艺是主导集成电路线宽的重要工艺之一。在先进半导体工艺节点中,光刻的工艺参数在很大程度上影响了光刻成像的质量。光源在光刻工艺中具有重要影响。光源掩模优化(smo)是一种分辨率增强技术(resolution enhancement technology,ret)。在smo过程中,需要进行光源优化(so),以改善工艺窗口。
技术实现思路
1、在本公开的第一方面中,提供了一种光源优化方法。在该方法中,获取测试图案、针对测试图案的参考工艺窗口和第一光源强度图,参考工艺窗口指示一个或多个工艺参数的范围,第一光源强度图是由光源在参考照明模式下产生的。该方法还包括基于参考工艺窗口和第一光源强度图,确定第一成像成本,第一成像成本至少与利用测试图案进行光刻有关。该方法还包括基于第一成像成本,确定光源的目标照明模式。
2、在本公开的第二方面中,提供了一种电子设备。该电子设备包括处理器、以及与处理器耦合的存储器。该存储器具有存储于其中的指令,指令在被处理器执行时使电子设备执行根据本公开的第一方面的方法。
3、在本公开的第三方面中,提供了一种计算机可读存储介质。该计算机可读存储介质上存储有计算机程序。计算机程序在被处理器执行时实现根据本公开的第一方面的方法。
4、应当理解,本
技术实现要素:
部分中所描述的内容并非旨在限定本公开的实施例的关键特征或重要特征,也不用于限制本公开的范围。本公开的其他特征将通过以下的描述而变得容易理解。
1.一种光源优化方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的光源优化方法,其特征在于,基于所述参考工艺窗口和所述第一光源强度图,确定第一成像成本包括:
3.根据权利要求2所述的光源优化方法,其特征在于,所述多个第一仿真图案包括以下至少两项:
4.根据权利要求2所述的光源优化方法,其特征在于,还包括:
5.根据权利要求4所述的光源优化方法,其特征在于,将所述第一成本分量和所述第二成本分量组合成所述第一成像成本包括:
6.根据权利要求2所述的光源优化方法,其特征在于,所述第一指标与以下至少一项相关联:
7.根据权利要求4所述的光源优化方法,其特征在于,所述第二指标与以下至少一项相关联:
8.根据权利要求1所述的光源优化方法,其特征在于,基于所述第一成像成本确定所述光源的目标照明模式包括:
9.根据权利要求8所述的光源优化方法,其特征在于,还包括:
10.根据权利要求1所述的光源优化方法,其特征在于,所述参考工艺窗口和所述参考照明模式用于第一半导体工艺,并且所述目标照明模式用于与所述第一半导体工艺不同的第二半导体工艺。
11.一种电子设备,其特征在于,包括:
12.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序可由处理器执行以实现根据权利要求1至10中任一项所述的方法。