用于掩模版多线宽均匀性检测的图形结构的制作方法

1.本实用新型半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种用于掩模版多线宽均匀性检测的图形结构。


背景技术：

2.光刻技术伴随集成电路制造方法的不断进步，线宽的不断缩小，半导体器件的面积正变得越来越小，半导体的布局己经从普通的单一功能分离器件，演变成整合高密度多功能的集成电路；由最初的ic(集成电路)随后到lsi(大规模集成电路)，vlsi(超大规模集成电路)，直至今天的ulsi(特大规模集成电路)，器件的面积进一步缩小。考虑到工艺研发的复杂性，长期性和成本高昂等不利因素的制约，如何在现有技术水平的基础上进一步提高器件的集成密度，以在同一硅片上得到尽可能多的有效的芯片数，从而提高整体利益，将越来越受到芯片制造者的重视。其中光刻设备、工艺及光掩模技术是其中的重中之重。
3.线宽是光掩模的一个重要指标。在光掩模的制造过程中，需要对整个光掩模工艺处理后图形线宽的均匀性进行检测，由于图形复杂性较高，若对每个图形都进行检测，则需要耗费大量的时间和成本。
4.应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本技术的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本技术的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。


技术实现要素：

5.鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种用于掩模版多线宽均匀性检测的图形结构，用于解决现有技术中图形线宽的均匀性检测较为困难的问题。
6.为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种用于掩模版多线宽均匀性检测的图形结构，所述图形结构包括：透光基板；图形掩模层，所述图形掩模层包括检测单元，所述检测单元包括相邻排布的遮光区域和透光区域，所述遮光区域内设置有透光图形，所述透光区域内设置有遮光图形，所述透光图形包括线宽依次递增的透光矩形以形成透光宝塔图形，所述遮光图形包括线宽依次递增的遮光矩形以形成遮光宝塔图形。
7.可选地，相邻两个所述透光矩形的线宽差为0.4～1.5微米。
8.可选地，所述透光宝塔图形包括4个相连且线宽依次递增的透光矩形，所述遮光宝塔图形包括4个相连且线宽依次递增的遮光矩形。
9.可选地，4个所述透光矩形的线宽分别为0.4～0.6微米、0.8～1.2微米、1.8～2.2微米和 2.5～3.5微米，4个所述遮光矩形的线宽分别为0.4～0.6微米、0.8～1.2微米、1.8～2.2微米和 2.5～3.5微米。
10.可选地，所述透光宝塔图形中每个所述透光矩形的高度为20～50微米，所述遮光宝塔图形中每个所述遮光矩形的高度为20～50微米。
11.可选地，所述图形掩模层包括多个所述检测单元，多个所述检测单元等间距设置
于所述图形掩模层上。
12.可选地，多个所述检测单元分别布局于所述图形掩模层的上部中央、下部中央、中部、左部中央和右部中央。
13.可选地，多个所述检测单元呈矩形阵列布局于所述图形掩模层上。
14.可选地，透光基板的尺寸为5英寸或6英寸。
15.可选地，所述透光基板包括石英基板，所述图形掩模层包括铬层、氧化铬层和氮化铬层中的一种。
16.如上所述，本实用新型的用于掩模版多线宽均匀性检测的图形结构，具有以下有益效果：
17.本实用新型提供一种用于掩模版多线宽均匀性检测的图形结构，其在图形掩模层中设置检测单元，所述检测单元包括相邻排布的遮光区域和透光区域，所述遮光区域内设置有透光图形，所述透光区域内设置有遮光图形，所述透光图形包括线宽依次递增的透光矩形以形成透光宝塔图形，所述遮光图形包括线宽依次递增的遮光矩形以形成遮光宝塔图形。在检测过程中，只需通过对相邻排布的透光宝塔图形和遮光宝塔图形的检测，就可以同时对掩模版上多个不同线宽的透光区域和多个不同线宽遮光区域同时进行相应线宽的检测，大大节省了掩模版线宽检测的时间，并大大减低了检测的工艺难度。
附图说明
18.所包括的附图用来提供对本技术实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于说明本技术的实施方式，并与文字描述一起来阐释本技术的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例。
19.图1显示为本实用新型的用于掩模版多线宽均匀性检测的图形结构的结构示意图。
20.图2显示为本实用新型的用于掩模版多线宽均匀性检测的图形结构的检测单元分布示意图。
21.元件标号说明
[0022]1ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
检测单元
[0023]
10
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遮光区域
[0024]
101
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透光图形
[0025]
1011
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透光矩形
[0026]
20
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透光区域
[0027]
201
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遮光图形
[0028]
2011
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遮光矩形
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掩模版
具体实施方式
[0030]
以下通过特定的具体实例说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应
用，在没有背离本实用新型的精神下进行各种修饰或改变。
[0031]
应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。
[0032]
针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。
[0033]
如在详述本实用新型实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本实用新型保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
[0034]
为了方便描述，此处可能使用诸如“之下”、“下方”、“低于”、“下面”、“上方”、“上”等的空间关系词语来描述附图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解到，这些空间关系词语意图包含使用中或操作中的器件的、除了附图中描绘的方向之外的其他方向。此外，当一层被称为在两层“之间”时，它可以是所述两层之间仅有的层，或者也可以存在一个或多个介于其间的层。
[0035]
在本技术的上下文中，所描述的第一特征在第二特征“之上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触。
[0036]
需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本实用新型的基本构想，遂图示中仅显示与本实用新型中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
[0037]
如图1所示，本实施例提供一种用于掩模版多线宽均匀性检测的图形结构，所述图形结构包括：透光基板；图形掩模层，所述图形掩模层包括检测单元1，所述检测单元1包括相邻排布的遮光区域10和透光区域20，所述遮光区域10内设置有透光图形101，所述透光区域20内设置有遮光图形201，所述透光图形101包括线宽依次递增的透光矩形1011以形成透光宝塔图形，所述遮光图形201包括线宽依次递增的遮光矩形2011以形成遮光宝塔图形。具体地，可以通过所述透光宝塔图形来检测所述掩模版1上大部分或所有透光图形101的线宽，通过所述遮光宝塔图形来检测掩模版1上大部分或所有遮光图形201的线宽。
[0038]
在一个实施例中，所述透光基板包括石英基板，优选地，所述石英基板的透光率在80％以上。所述图形掩模层包括铬层、氧化铬层和氮化铬层中的一种。
[0039]
在一个实施例中，相邻两个所述透光矩形1011的线宽差为0.4～1.5微米。例如，任意相邻的两个透光矩形1011的线宽差可以相等，也可以不同，具体需要根据掩模版1中的图形线宽进行设定。具体地，相邻两个所述透光矩形1011的线宽差可以为0.5微米、0.6微米、0.7 微米、0.8微米、0.9微米、1微米等。
[0040]
所述透光宝塔图形的透光矩形1011的个数和所述遮光宝塔图形的遮光矩形2011的个数可以依据掩模版1中的图形所涉及的线宽进行设定，优选地，相应矩形的个数与掩模版1中的图形所涉及的线宽数量相等，例如，所述掩模版1中的图形所涉及的线宽包含3微米、2 微米、1微米、0.5微米时，所述矩形为4个，4个矩形分别包含3微米、2微米、1微米、0.5 微米。
[0041]
在一个实施例中，所述透光宝塔图形包括4个相连且线宽依次递增的透光矩形
1011，所述遮光宝塔图形包括4个相连且线宽依次递增的遮光矩形2011。其中，4个所述透光矩形 1011的线宽分别为0.4～0.6微米、0.8～1.2微米、1.8～2.2微米和2.5～3.5微米，4个所述遮光矩形2011的线宽分别为0.4～0.6微米、0.8～1.2微米、1.8～2.2微米和2.5～3.5微米。
[0042]
在一个实施例中，所述透光宝塔图形中每个所述透光矩形1011的高度为20～50微米，具体可以为20微米，所述遮光宝塔图形中每个所述遮光矩形2011的高度为20～50微米，具体可以为20微米。
[0043]
在一个实施例中，所述图形掩模层包括多个所述检测单元1，多个所述检测单元1等间距设置于所述图形掩模层上。在一个具体实施过程中，多个所述检测单元1分别布局于所述图形掩模层的上部中央、下部中央、中部、左部中央和右部中央。
[0044]
在又一个实施例中，多个所述检测单元1呈矩形阵列布局于所述图形掩模层上，所述矩形阵列可以为3
×
3矩阵、5
×
5矩阵或6
×
6矩阵等。
[0045]
在一个实施例中，透光基板的尺寸为5英寸或6英寸。
[0046]
如上所述，本实用新型的用于掩模版多线宽均匀性检测的图形结构，具有以下有益效果：
[0047]
本实用新型提供一种用于掩模版多线宽均匀性检测的图形结构，其在图形掩模层中设置检测单元1，所述检测单元1包括相邻排布的遮光区域10和透光区域20，所述遮光区域10 内设置有透光图形101，所述透光区域20内设置有遮光图形201，所述透光图形101包括线宽依次递增的透光矩形1011以形成透光宝塔图形，所述遮光图形201包括线宽依次递增的遮光矩形2011以形成遮光宝塔图形。在检测过程中，只需通过对相邻排布的透光宝塔图形和遮光宝塔图形的检测，就可以同时对掩模版上多个不同线宽的透光区域20和多个不同线宽遮光区域10同时进行相应线宽的检测，大大节省了掩模版线宽检测的时间，并大大减低了检测的工艺难度。
[0048]
所以，本实用新型有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
[0049]
上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。