显示面板及显示装置的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。


背景技术：

2.现有的常暗式(normal black)液晶显示器(lcd)需要多条数据线，然而三倍栅架构(tri-gate)与正常(normal)架构相比，数据线数量减少为原来的1/3，但此时三倍栅架构的扫描线数量为原来的三倍，扫描线的增加只会增加goa(gate driver on array，集成在阵列基板上的行扫描)驱动电路，并不会大量增加生产成本；而数据线减少为原来的1/3，可使得源极驱动电路中集成芯片的数量减少2/3，可以有效地减少印刷电路板的用量，因而可以大幅节省显示面板的生产成本。
3.此时，三倍栅架构的芯片数量减少，从而导致三倍栅架构的相邻两个芯片之间的距离大于原来长暗式架构的相邻两个芯片之间的距离，从而使得显示面板容易出现色偏现象。


技术实现要素：

4.本技术的目的在于提供一种显示面板及显示装置，该显示面板的位于远端的薄膜晶体管的沟道长度大于位于近端的薄膜晶体管的沟道长度，从而提高了位于远端的像素单元的充电速率，进而减少了显示面板出现色偏的现象或几率。
5.为此，第一方面，本技术实施例提供了一种显示面板，包括形成于衬底基板上呈阵列排布的多个像素单元、多条数据线及多条扫描线，所述数据线与所述扫描线交叉设置，以限定所述像素单元，所述像素单元包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管与所述数据线及所述扫描线分别电性连接；所述显示面板还包括至少两个覆晶薄膜，用于连接所述数据线且向所述数据线提供数据信号，与同一条所述扫描线电性连接且与相同的所述覆晶薄膜电性连接的多条所述数据线对应的多个所述薄膜晶体管中，位于远端的所述薄膜晶体管的沟道长度大于位于近端的所述薄膜晶体管的沟道长度。
6.在一种可能的实现方式中，与同一条所述扫描线电性连接且与相同的所述覆晶薄膜电性连接的多条数据线对应的多个薄膜晶体管中，所述薄膜晶体管的沟道长度由近端向远端逐渐增加。
7.在一种可能的实现方式中，与同一条所述数据线电性连接的多个薄膜晶体管的沟道长度均相等。
8.在一种可能的实现方式中，在所述扫描线的延伸方向上，相邻两个所述薄膜晶体管中沟道长度之差与相邻两个所述像素单元的充电速率之差呈正比例关系。
9.在一种可能的实现方式中，多个所述覆晶薄膜沿所述扫描线的延伸方向间隔设置，以将所述显示面板划分为多个子显示区，每个所述子显示区内的所述像素单元的充电时间相等。
10.在一种可能的实现方式中，所述覆晶薄膜设置有两个，两个所述覆晶薄膜沿所述
扫描线的延伸方向间隔设置，以将所述显示面板划分为两个子显示区，两个所述子显示区内的所述像素单元的充电时间相等。
11.在一种可能的实现方式中，两个所述子显示区内的多条所述数据线对应的多个所述薄膜晶体管的沟道长度由远端至近端一一对应相等。
12.在一种可能的实现方式中，所述薄膜晶体管的漏极呈u型结构设置，所述薄膜晶体管的源极伸入所述漏极的开口端以形成所述沟道。
13.在一种可能的实现方式中，所述像素单元还包括子像素，所述子像素的形状为矩形，所述子像素的长边平行于所述扫描线的延伸方向设置，所述子像素的短边平行于所述数据线的延伸方向设置。
14.第二方面，本技术实施例提供了一种显示装置，包括壳体以及上述任一项所述的显示面板。
15.根据本技术实施例提供的显示面板及显示装置，包括形成于衬底基板上呈阵列排布的多个像素单元、多条数据线及多条扫描线，数据线与扫描线交叉设置，以限定像素单元，像素单元包括薄膜晶体管，薄膜晶体管与数据线及扫描线分别电性连接；显示面板还包括至少一个覆晶薄膜，用于连接数据线且向数据线提供数据信号，与同一条扫描线电性连接且与相同的覆晶薄膜电性连接的多条数据线对应的多个薄膜晶体管中，位于远端的薄膜晶体管的沟道长度大于位于近端的薄膜晶体管的沟道长度。本技术通过改变薄膜晶体管的沟道长度从而对像素单元的充电速率进行改变，位于远端的薄膜晶体管的沟道长度大于位于近端的薄膜晶体管的沟道长度，即远端的像素单元的充电速率大于位于近端的像素单元的充电速率，从而减少了显示面板出现色偏的现象或几率。
附图说明
16.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。另外，在附图中，相同的部件使用相同的附图标记，且附图并未按照实际的比例绘制。
17.图1示出本技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
18.图2示出实施例提供的一种三倍栅架构的结构示意图；
19.图3示出图1中a部放大示意图；
20.图4示出图1中b部放大示意图；
21.图5示出实施例提供的位于近端的像素充电效果(实线)和位于远端的像素充电效果(虚线)的示意图。
22.附图标记说明：
23.1、像素单元；11、子像素；12、薄膜晶体管；121、漏极；122、源极；13、沟道；2、覆晶薄膜；3、电路板；d、数据线；g、扫描线；na、非显示区；aa、显示区；l1、位于近端的像素充电效果；l2、位于远端的像素充电效果。
具体实施方式
24.为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
25.在显示技术领域，常暗式(normal black)液晶显示器(lcd)需要多条数据线，为了节约生产成本，通常选择三倍栅架构(tri-gate)对常暗式(normal black)液晶显示器(lcd)进行替换。三倍栅架构(tri-gate)与正常(normal)架构相比，三倍栅架构的扫描线数量为原来的三倍，同时数据线数量减少为原来的1/3。在显示面板中，扫描线的增加只会增加goa(gate driver on array，集成在阵列基板上的行扫描)驱动电路，并不会大量增加生产成本；而数据线减少为原来的1/3，可使得源极驱动电路中集成芯片的数量减少2/3。但三倍栅架构的芯片数量减少，从而导致三倍栅架构的相邻两个芯片之间的距离大于原来长暗式架构的相邻两个芯片之间的距离，从而使得显示面板容易出现色偏现象。
26.参照图1和图2，图1示出本技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图，图2示出实施例提供的一种三倍栅架构的结构示意图。
27.为了解决上述问题，本技术实施例提供一种显示面板，显示面板具有显示区aa以及位于显示区一侧的非显示区na，显示面板还包括形成于衬底基板上呈阵列排布的多个像素单元1、多条数据线d及多条扫描线g，数据线d与扫描线g交叉设置，以限定像素单元1，像素单元1包括薄膜晶体管12，薄膜晶体管12与数据线d及扫描线g分别电性连接。显示面板还包括至少一个覆晶薄膜2，用于连接数据线d且向数据线d提供数据信号，与同一条扫描线g电性连接且与相同的覆晶薄膜2电性连接的多条数据线d对应的多个薄膜晶体管12中，位于远端的薄膜晶体管12的沟道长度大于位于近端的薄膜晶体管12的沟道长度。
28.参照图2，显示面板包括衬底基板以及多个像素单元1，多个像素单元1在衬底基板上呈阵列排布。显示面板还包括多条数据线d以及多条扫描线g，多条数据线d延衬底基板的长度方向间隔排布，多条扫描线g沿衬底基板的宽度方向间隔排布，多条数据线d与多条扫描线g相互垂直形成多个像素区，每个像素单元1位于每个像素区中。
29.其中，像素单元1包括子像素11，子像素11的形状为矩形，由于本技术采用的架构为三倍栅架构，即子像素11的长边平行于扫描线g的延伸方向设置，子像素11的短边平行于数据线d的延伸方向设置。
30.像素单元1还包括与子像素11连接的薄膜晶体管12(thin film transistor，简称tft)，薄膜晶体管12分别与相邻的数据线d和扫描线g连接，像素单元1设置有多个，即薄膜晶体管12也设置有多个，多个薄膜晶体管12也位于多个像素区中呈阵列排布。
31.参照图1，显示面板还包括至少一个覆晶薄膜2，覆晶薄膜2一端与多条数据线d连接且向多条数据线d提供数据信号，以驱动多条数据线d，覆晶薄膜2的另一端与电路板3绑定连接。与同一条扫描线g电性连接且与相同的覆晶薄膜2电性连接的多条数据线d对应的多个薄膜晶体管12中，位于远端的薄膜晶体管12的沟道长度大于位于近端的薄膜晶体管12的沟道长度。其中，位于远端的薄膜晶体管12指的是该薄膜晶体管12对应的数据线d与覆晶薄膜2之间的长度最长，位于近端的薄膜晶体管12指的是，该薄膜晶体管12对应的数据线d与覆晶薄膜2之间的长度最短。
32.参照图2、图3以及图4，图2示出实施例提供的一种三倍栅架构的结构示意图，图3示出图1中a部放大示意图(远端的薄膜晶体管)，图4示出图1中b部放大示意图(近端的薄膜晶体管)。在一个示例中，显示面板中的覆晶薄膜2只设置有一个，位于远端的薄膜晶体管12的沟道长度大于位于近端的薄膜晶体管12的沟道长度，薄膜晶体管12的沟道长度越大，充电速率越快。工作时，覆晶薄膜2对数据线d进行信号传输，由于远端的薄膜晶体管12的沟道长度大于近端的薄膜晶体管12的沟道长度，从而可减少fanout阻值差异过大的问题，从而提高位于同一条扫描线g的所有像素单元1的充电效果，以减少显示面板产生色偏的几率。
33.参照图2-图5，图5示出实施例提供的位于近端的像素充电效果(实线)和位于远端的像素充电效果(虚线)的示意图。在一些可选的示例中，与同一条扫描线g电性连接且与相同的覆晶薄膜2电性连接的多条数据线d对应的多个薄膜晶体管12中，薄膜晶体管12的沟道长度由近端向远端逐渐增加，即像素单元1的充电速率由近端到远端增加，使得同一条扫描线g的位于远端的像素充电效果l2与位于近端的像素充电效果l1的相近，进而使得同一条扫描线g相连的像素单元1能同时完成充电以及充电效果相同，进一步减少显示面板产生色偏的几率和现象的发生。
34.在一些可选的示例中，与同一条数据线d电性连接的多个薄膜晶体管12的沟道长度均相等。与同一条数据线d连接的多个薄膜晶体管12的充电时间以及充电速度相同，即在同一条数据线d处的薄膜晶体管12不会产生色偏几率。
35.在一些可选的示例中，在扫描线g的延伸方向上，相邻两个薄膜晶体管12中沟道长度之差与相邻两个像素单元1的充电速率之差呈正比例关系。
36.相邻两个薄膜晶体管12分别为第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，相邻两个像素单元1分别为第一像素单元和第二像素单元，第一薄膜晶体管靠近覆晶薄膜2，第二薄膜晶体管远离覆晶薄膜2，第二薄膜晶体管的沟道长度长于第一薄膜晶体管的沟道长度，即第二像素单元的充电速率大于第一像素单元的充电速率。第二像素单元的充电速率与第一像素单元的充电速率之差与第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的沟道长度之差呈正比例关系。即相邻两个薄膜晶体管12中沟道长度之差与相邻两个像素单元1的充电速率之差呈正比例关系。
37.参照图1，在一些可选的示例中，覆晶薄膜2设置有多个，多个覆晶薄膜2沿扫描线g的延伸方向间隔设置，以将显示面板划分为多个子显示区，每个子显示区内的像素单元1的充电时间相等。
38.其中，显示面板由多个子显示区组成，每个子显示区内只设置有一个覆晶薄膜2，多个覆晶薄膜2沿扫描线g的延伸方向间隔设置，即，多个子显示区沿扫描线g的延伸方向连续排布。每个子显示区内的像素单元1排布、多条数据线d以及多条扫描线g的排布相同，因此每个子显示区内的充电时间时间相等，一个子显示区内的多个像素单元1的充电时间相等，即每个子显示区内的像素单元的充电时间相等。
39.在一些可选的示例中，多个子显示区内的多条数据线d对应的多个薄膜晶体管12的沟道长度由远端至近端一一对应相等。即，从一个子显示区的薄膜晶体管12到相邻的另一个子显示区的薄膜晶体管12的沟道长度逐渐增加，增加到最长后又逐渐减小。从而使得每个子显示区的多个像素单元1的充电效果相同，多个子显示区的充电效果相同，进而减少显示面板出现色偏的几率。
40.参照图1，在一些可选的示例中，覆晶薄膜2设置有两个，两个覆晶薄膜2沿扫描线g的延伸方向间隔设置，以将显示面板划分为两个子显示区，两个子显示区内的像素单元1的充电时间相等。两个子显示区内的像素单元1排布、多条数据线d以及多条扫描线g的排布相同，因此该两个子显示区内的充电时间时间相等，一个子显示区内的多个像素单元1的充电时间相等，即两个子显示区内的像素单元的充电时间相等。
41.在一些可选的示例中，两个子显示区内的多条数据线d对应的多个薄膜晶体管12的沟道长度由远端至近端一一对应相等。此时显示面板具有两个子显示区以及两个覆晶薄膜2，两个覆晶薄膜2之外的薄膜晶体管12的沟道长度朝远离覆晶薄膜2的方向逐渐增加，位于两个覆晶薄膜2之间的薄膜晶体管12，从一个覆晶薄膜2到另一个覆晶薄膜2的方向，薄膜晶体管12的沟道长度先逐渐增加，增加达到一个顶点后然后逐渐减小，位于两个覆晶薄膜2正中间的薄膜晶体管12的沟道长度最长。
42.参照图3，在一些可选的示例中，薄膜晶体管12的漏极121呈u型结构设置，薄膜晶体管12的源极122伸入漏极121的开口端以形成沟道13。其中，薄膜晶体管12包括漏极121、源极122以及栅极，漏极121、源极122均设置于栅极处，栅极与扫描线g连接，源极122与数据线d连接。漏极121呈u型结构设置，源极122伸入漏极121的开口端且与漏极121围设形成沟道13，薄膜晶体管12的漏极121长度与薄膜晶体管12的沟道13长度相等。
43.参照图1，在一些可选的示例中，还包括显示装置，显示装置包括壳体以及上述任一项所述的显示面板。
44.应当指出，在说明书中提到的“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”、“一些实施例”等表示所述的实施例可以包括特定特征、结构或特性，但未必每个实施例都包括该特定特征、结构或特性。此外，这样的短语未必是指同一实施例。此外，在结合实施例描述特定特征、结构或特性时，结合明确或未明确描述的其他实施例实现这样的特征、结构或特性处于本领域技术人员的知识范围之内。
45.应当容易地理解，应当按照最宽的方式解释本公开中的“在
……
上”、“在
……
以上”和“在
……
之上”，以使得“在
……
上”不仅意味着“直接处于某物上”，还包括“在某物上”且其间具有中间特征或层的含义，并且“在
……
以上”或者“在
……
之上”不仅包括“在某物以上”或“之上”的含义，还可以包括“在某物以上”或“之上”且其间没有中间特征或层(即，直接处于某物上)的含义。
46.此外，文中为了便于说明可以使用空间相对术语，例如，“下面”、“以下”、“下方”、“以上”、“上方”等，以描述一个元件或特征相对于其他元件或特征的如图所示的关系。空间相对术语意在包含除了附图所示的取向之外的处于使用或操作中的器件的不同取向。装置可以具有其他取向(旋转90度或者处于其他取向上)，并且文中使用的空间相对描述词可以同样被相应地解释。
47.需要说明的是，在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除
在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
48.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的范围。