一种低寄生电容的触控显示结构的制作方法

本技术涉及tft-lcd阵列基板，特别指一种低寄生电容的触控显示结构。

背景技术：

1、tft-lcd(薄膜晶体管液晶显示器)是通过控制液晶端的电压，使得液晶发生偏转，进而控制光的透过量而实现显像功能的。随着通讯设备的发展，人们不单单追求高质量的显示功能，对可触控式显示面板的需求也越来越高。当前，按触控结构和显示结构结合的方式，触控显示面板可分为外挂式以及内嵌式。内嵌式因其较轻薄、可人机交互等一系列优点，迅速成为未来通讯设备技术方向及市场需求趋势。

2、现有的内嵌触控功能的lcd显示面板多采用电容式触控结构，是利用自电容或互电容的原理实现触控定位。自容式触控电极方块由lcd架构中公共电极ito经图案化设计，其触控原理为：发生触控动作时，可视为电容的人体与触控电极间形成的电容发生耦合，产生的电信号通过由过孔与触控电极连接的触控金属走线传输到触控侦测芯片，进而完成触控定位。降低触控走线与触控电极或与其他金属层间的寄生电容，是提高触控灵敏度的方式之一。

3、在tft阵列基板上集成电容式触控结构，是能够在制造tft基板的同时，实现电容式触控结构的制备。这在工艺上，不仅简化了工艺流程，还能降低生产成本。传统的触控信号线设置结构示意如图1所示，在基板上依次设置第一绝缘层gi8、第二绝缘层pv9、第三绝缘层oc6和第四绝缘层ch12，在第四绝缘层ch设置导电层uc。将导电层uc分割成m*n个基本触控单元(即触控层)。触控层中含有公共电极，产生触控时，公共电极同时作为触控电极。在第二金属层sd同时设置连接画素电极pe的漏极、source信号走线sd以及触控信号走线cm。触控层中的触控电极通过过孔与触控信号走线连接，由触控走线控制信号，实现面板的显示/触控功能集成。

4、此面板设计，触控信号走线cm与源漏级处于同一膜层，且触控信号走线与栅极线在投影方向重叠，因此触控信号走线的寄生电容主要由侧向的源极/漏极和触控信号线形成的电容c3以及栅极线和触控信号走线形成的电容c4组成。

5、但因触控信号走线cm同source信号走线同层设置，不利于显示面板提升分辨率。在高分辨率显示面板中，由于触控信号走线cm同source信号走线间距较小，侧向寄生电容增加，而且，触控信号走线cm同source信号走线同层设置，容易使触控信号走线cm与source信号走线或第二金属层sd短接，制程short(短路)风险显著增加，不利于良率提升及兼容面板触控和显示性能。

技术实现思路

1、本实用新型要解决的技术问题，在于提供一种低寄生电容的触控显示结构，减小触控信号走线与source信号走线的寄生电容，提高产品的良率，兼容面板触控和显示性能。

2、本实用新型是这样实现的：本实用新型提供了一种低寄生电容的触控显示结构，包括有基板，所述基板的顶部设置有中间层，所述中间层内设置有第二金属层sd、半导体层se和source信号走线sd，所述第二金属层sd和source信号走线sd分别与半导体层se搭接，所述中间层顶部设置有第三绝缘层oc，所述中间层和第三绝缘层oc之间设置有触控信号走线cm。

3、进一步的，所述中间层包括有第一绝缘层gi和第二绝缘层pv，所述第一绝缘层gi设置在基板的顶部，所述第二绝缘层pv设置在第一绝缘层gi顶部。

4、进一步的，所述第二金属层sd、半导体层se和source信号走线sd设置在第一绝缘层gi和第二绝缘层pv之间。

5、进一步的，所述第一绝缘层gi和基板之间设置有栅极金属层ge，所述第一绝缘层gi设置有第一过孔，所述第二金属层sd通过第一过孔与栅极金属层ge连接。

6、进一步的，所述第三绝缘层oc的顶部设置有画素电极pe，在所述第三绝缘层oc和第二绝缘层pv上设置有第二过孔，所述画素电极pe通过第二过孔与第二金属层sd连接。

7、进一步的，所述第三绝缘层oc的顶部设置有第四绝缘层ch，所述第四绝缘层的顶部设置有触控层，在所述第四绝缘层ch和第三绝缘层oc上设置有第三过孔，所述触控层通过第三过孔与触控信号走线cm连接。

8、进一步的，所述触控信号走线cm与source信号走线sd在垂直方向上无交叠。

9、本实用新型的优点在于：

10、1、将触控信号走线cm设置在第二绝缘层pv的上方后，使触控信号走线cm同source信号走线的寄生电容减小，还能减小触控信号走线cm同栅极金属层ge间的寄生电容，获得更优的面板点触信噪比。其次，触控信号走线cm与第二金属层sd和source信号走线sd分层设置后，能够有效降低制程short(短路)风险，有利于面板良率提升，有利于分辨率的提高，提高了面板触控和显示性能。

11、2、触控信号走线cm和画素电极pe之间通过第三绝缘层oc隔开，能够有效的降低触控信号走线cm与画素电极pe、触控信号走线cm与触控电极间的寄生电容，进一步的提高了面板点触信噪比，能够达到更好的显示品质，能够减少mura(显示异常)出现几率。

技术特征：

1.一种低寄生电容的触控显示结构，包括有基板(1)，其特征在于：所述基板(1)的顶部设置有中间层(2)，所述中间层(2)内设置有第二金属层sd(3)、半导体层se(4)和source信号走线sd(5)，所述第二金属层sd(3)和source信号走线sd分别与半导体层se(4)搭接，所述中间层(2)顶部设置有第三绝缘层oc(6)，所述中间层(2)和第三绝缘层oc(6)之间设置有触控信号走线cm(7)。

2.如权利要求1所述的一种低寄生电容的触控显示结构，其特征在于：所述中间层(2)包括有第一绝缘层gi(8)和第二绝缘层pv(9)，所述第一绝缘层gi(8)设置在基板(1)的顶部，所述第二绝缘层pv(9)设置在第一绝缘层gi(8)顶部。

3.如权利要求2所述的一种低寄生电容的触控显示结构，其特征在于：所述第二金属层sd(3)、半导体层se(4)和source信号走线sd(5)设置在第一绝缘层gi(8)和第二绝缘层pv(9)之间。

4.如权利要求3所述的一种低寄生电容的触控显示结构，其特征在于：所述第一绝缘层gi(8)和基板(1)之间设置有栅极金属层ge(10)，所述第一绝缘层gi(8)设置有第一过孔，所述第二金属层sd(3)通过第一过孔与栅极金属层ge(10)连接。

5.如权利要求3所述的一种低寄生电容的触控显示结构，其特征在于：所述第三绝缘层oc(6)的顶部设置有画素电极pe(11)，在所述第三绝缘层oc(6)和第二绝缘层pv(9)上设置有第二过孔，所述画素电极pe(11)通过第二过孔与第二金属层sd(3)连接。

6.如权利要求1至5任一项所述的一种低寄生电容的触控显示结构，其特征在于：所述第三绝缘层oc(6)的顶部设置有第四绝缘层ch(12)，所述第四绝缘层的顶部设置有触控层(13)，在所述第四绝缘层ch(12)和第三绝缘层oc(6)上设置有第三过孔，所述触控层(13)通过第三过孔与触控信号走线cm(7)连接。

7.如权利要求6所述的一种低寄生电容的触控显示结构，其特征在于：所述触控信号走线cm(7)与source信号走线sd(5)在垂直方向上无交叠。

技术总结
本技术提供一种低寄生电容的触控显示结构，包括有基板，基板顶部设有中间层，中间层内设有第二金属层SD、半导体层SE和source信号走线SD，中间层顶部设有第三绝缘层OC，中间层和第三绝缘层OC之间设有触控信号走线CM。触控信号走线CM设在第二绝缘层PV的上方后，使触控信号走线CM同source信号走线的寄生电容减小，还能减小触控信号走线CM同栅极金属层GE间的寄生电容，获得更优的面板点触信噪比，有效的降低了制程short风险，有利于面板良率提升，提高了面板触控和显示性能。触控信号走线CM和画素电极PE之间通过第三绝缘层OC隔开，能有效降低触控信号走线CM与画素电极PE、触控信号走线CM与触控电极间的寄生电容，进一步的提高了面板点触信噪比。

技术研发人员：池炜,李元行
受保护的技术使用者：华映科技（集团）股份有限公司
技术研发日：20221221
技术公布日：2024/1/12