二氧化硅粒子、调色剂、显影剂、盒、成像装置及成像方法与流程

本发明涉及一种二氧化硅粒子、静电荷图像显影用调色剂、静电荷图像显影剂、调色剂盒、处理盒、图像形成装置及图像形成方法。

背景技术：

1、在日本特开2021-151944号公报中，公开了“一种二氧化硅粒子，其含有季铵盐，由氮气吸附法的细孔分布曲线求出的清洗前的二氧化硅粒子中的细孔径为2nm以下的频度的最大值fbefore与由氮气吸附法的细孔分布曲线求出的清洗后的二氧化硅粒子中的细孔径为2nm以下的频度的最大值fafter之比fbefore/fafter为0.90以上且1.10以下，并且最大值fbefore与由氮气吸附法的细孔分布曲线求出的将清洗前的二氧化硅粒子在600℃下煅烧后的二氧化硅粒子中的细孔径为2nm以下的频度的最大值fsintering之比fsintering/fbefore为5以上且20以下”。

2、在日本专利6968632号说明书中，公开了“一种疏水性二氧化硅粉末，其特征在于，疏水化度为50％以上，饱和含水量为4％以下，氮含量为0.05％以上，并且包含0.1％以上的沸点为100℃以上的胺。”。

技术实现思路

1、本发明的课题在于提供一种二氧化硅粒子，相较于为如下二氧化硅粒子的情况，能够提高带电上升性：即，该二氧化硅粒子在氮气吸附法的350℃煅烧后的细孔分布曲线中，在细孔径为2nm以下的范围及超过2nm且50nm以下的范围内分别具有至少一个峰，在将由氮气吸附法的350℃煅烧后的细孔分布曲线求出的细孔径为2nm以下的范围及2nm以上且25nm以下的范围内的细孔体积分别设为d及b时，d/b小于0.50。

2、根据本发明的第一方案，提供一种二氧化硅粒子，其在氮气吸附法的350℃煅烧后的细孔分布曲线中，在细孔径为2nm以下的范围及超过2nm且50nm以下的范围内分别具有至少一个峰，在将由氮气吸附法的350℃煅烧后的细孔分布曲线求出的细孔径为2nm以下的范围及2nm以上且25nm以下的范围内的细孔体积分别设为d及b时，d/b为0.50以上且2.50以下。

3、根据本发明的第二方案，在基于所述第一方案的所述二氧化硅粒子中，所述d/b为0.55以上且2.00以下。

4、根据本发明的第三方案，在基于所述第一或第二方案的所述二氧化硅粒子中，所述d为0.10cm3/g以上且1.10cm3/g以下。

5、根据本发明的第四方案，基于所述第一至第三方案中的任一个的所述二氧化硅粒子包含含氮元素化合物。

6、根据本发明的第五方案，在基于所述第四方案的所述二氧化硅粒子中，含氮元素化合物的含量以相对于所述二氧化硅粒子的氮含量计为0.02质量％以上且1.20质量％以下。

7、根据本发明的第六方案，在基于所述第四或第五方案的所述二氧化硅粒子中，在将由氮气吸附法的350℃煅烧前的细孔分布曲线求出的细孔径为2nm以下的细孔体积设为c时，所述c与所述d之比c/d为0.05以上且0.82以下。

8、根据本发明的第七方案，在基于所述第六方案的所述二氧化硅粒子中，所述c/d为0.05以上且0.70以下。

9、根据本发明的第八方案，在基于所述第四至第七方案中的任一个的所述二氧化硅粒子中，在将由氮气吸附法的350℃煅烧前的细孔分布曲线求出的细孔径为2nm以上且25nm以下的细孔体积设为a时，所述a与所述b之比a/b为0以上且0.92以下。

10、根据本发明的第九方案，在基于所述第四至第八方案中的任一个的所述二氧化硅粒子中，个数平均粒径为40nm以上且200nm以下。

11、根据本发明的第十方案，在基于所述第四至第九方案中的任一个的所述二氧化硅粒子中，所述含氮元素化合物为选自由季铵盐、伯胺化合物、仲胺化合物、叔胺化合物、酰胺化合物、亚胺化合物及腈化合物组成的组中的至少一种。

12、根据本发明的第十一方案，提供一种静电荷图像显影用调色剂，其包含：调色剂粒子；以及基于所述第四至第十方案中的任一个的所述二氧化硅粒子，其外添于所述调色剂粒子。

13、根据本发明的第十二方案，提供一种静电荷图像显影剂，其包含基于所述第十一方案的所述静电荷图像显影用调色剂。

14、根据本发明的第十三方案，提供一种调色剂盒，其容纳基于所述第十一方案的所述静电荷图像显影用调色剂，所述调色剂盒装卸于图像形成装置。

15、根据本发明的第十四方案，提供一种处理盒，其具备显影构件，所述显影构件容纳基于所述第十二方案的所述静电荷图像显影剂，并且通过所述静电荷图像显影剂将形成于图像保持体的表面上的静电荷图像显影为调色剂图像，所述处理盒装卸于图像形成装置。

16、根据本发明的第十五方案，提供一种图像形成装置，其具备：图像保持体；充电构件，其使所述图像保持体的表面带电；静电荷图像形成构件，其在带电的所述图像保持体的表面上形成静电荷图像；显影构件，其容纳基于所述第十二方案的所述静电荷图像显影剂，并且通过所述静电荷图像显影剂将形成于所述图像保持体的表面上的静电荷图像显影为调色剂图像；转印构件，其将形成于所述图像保持体的表面上的调色剂图像转印到记录媒体的表面上；以及定影构件，其对转印到所述记录媒体的表面上的调色剂图像进行定影。

17、根据本发明的第十六方案，提供一种图像形成方法，其包括：充电工序，使图像保持体的表面带电；静电荷图像形成工序，在带电的所述图像保持体的表面上形成静电荷图像；显影工序，通过基于所述第十二方案的所述静电荷图像显影剂将形成于所述图像保持体的表面上的静电荷图像显影为调色剂图像；转印工序，将形成于所述图像保持体的表面上的调色剂图像转印到记录媒体的表面上；以及定影工序，对转印到所述记录媒体的表面上的调色剂图像进行定影。

18、(效果)

19、根据所述第一方案，可提供一种二氧化硅粒子，其相较于如下情况，能够提高带电上升性：即，二氧化硅粒子在氮气吸附法的350℃煅烧后的细孔分布曲线中，在细孔径为2nm以下的范围及超过2nm且50nm以下的范围内分别具有至少一个峰，在将由氮气吸附法的350℃煅烧后的细孔分布曲线求出的细孔径为2nm以下的范围及2nm以上且25nm以下的范围内的细孔体积分别设为d及b时，d/b小于0.50。

20、根据所述第二方案，可提供一种二氧化硅粒子，其相较于d/b小于0.55的情况，能够提高带电上升性。

21、根据所述第三方案，可提供一种二氧化硅粒子，其相较于d小于0.10cm3/g的情况，能够提高带电上升性。

22、根据所述第四方案，可提供一种二氧化硅粒子，其相较于不包含含氮元素化合物的情况，带电上升性优异。

23、根据所述第五方案，可提供一种二氧化硅粒子，其相较于含氮元素化合物的含量以相对于二氧化硅粒子的氮含量计小于0.02质量％的情况，带电上升性优异。

24、根据所述第六方案，可提供一种二氧化硅粒子，其相较于包含含氮元素化合物、在将由氮气吸附法的350℃煅烧前的细孔分布曲线求出的细孔径为2nm以下的细孔体积设为c时的c与d之比c/d超过0.82的情况，带电上升性优异。

25、根据所述第七方案，可提供一种二氧化硅粒子，其相较于c/d超过0.70的情况，带电上升性优异。

26、根据所述第八方案，可提供一种二氧化硅粒子，其相较于包含含氮元素化合物、在将由氮气吸附法的350℃煅烧前的细孔分布曲线求出的细孔径为2nm以上且25nm以下的细孔体积设为a时的a与b之比a/b超过0.92的情况，带电上升性优异。

27、根据所述第九方案，可提供一种二氧化硅粒子，其相较于如下情况，即使个数平均粒径为40nm以上且200nm以下，带电上升性也优异：即，二氧化硅粒子包含含氮元素化合物，在氮气吸附法的350℃煅烧后的细孔分布曲线中，在细孔径为2nm以下的范围及超过2nm且50nm以下的范围内分别具有至少一个峰，在将由氮气吸附法的350℃煅烧后的细孔分布曲线求出的细孔径为2nm以下的范围及2nm以上且25nm以下的范围内的细孔体积设分别为d及b时，d/b小于0.50。

28、根据所述第十方案，可提供一种二氧化硅粒子，其包含选自由季铵盐、伯胺化合物、仲胺化合物、叔胺化合物、酰胺化合物、亚胺化合物及腈化合物组成的组中的至少一种，并相较于如下情况，带电上升性优异：即，二氧化硅粒子包含含氮元素化合物，在氮气吸附法的350℃煅烧后的细孔分布曲线中，在细孔径为2nm以下的范围及超过2nm且50nm以下的范围内分别具有至少一个峰，在将由氮气吸附法的350℃煅烧后的细孔分布曲线求出的细孔径为2nm以下的范围及2nm以上且25nm以下的范围内的细孔体积分别设为d及b时，d/b小于0.50。

29、根据所述第十一、第十二、第十三、第十四、第十五及第十六方案，可提供一种静电荷图像显影用调色剂及使用该静电荷图像显影用调色剂的静电荷图像显影剂、调色剂盒、处理盒、图像形成装置及图像形成方法，其相较于作为外添剂将如下二氧化硅粒子应用于静电荷图像显影用调色剂的情况，带电上升性优异：即，该二氧化硅粒子包含含氮元素化合物，在氮气吸附法的350℃煅烧后的细孔分布曲线中，在细孔径为2nm以下的范围及超过2nm且50nm以下的范围内分别具有至少一个峰，将由氮气吸附法的350℃煅烧后的细孔分布曲线求出的细孔径为2nm以下的范围及2nm以上且25nm以下的范围内的细孔体积分别设为d及b时，d/b小于0.50。