阵列基板及制作方法、内嵌式触控显示面板与流程

本发明涉及显示器的，特别是涉及一种阵列基板及制作方法、内嵌式触控显示面板。

背景技术：

1、液晶显示面板具有画质好、体积小、重量轻、低驱动电压、低功耗、无辐射和制造成本相对较低的优点，在平板显示领域占主导地位。随着显示技术的飞速发展，触控显示面板已经广泛地被人们所接受及使用，如智能手机、平板电脑等均使用了触控显示面板。触控显示面板采用嵌入式触控技术将触控面板和液晶显示面板结合为一体，并将触控面板功能嵌入到液晶显示面板内，使得液晶显示面板同时具备显示和感知触控输入的功能。

2、根据触控感测层在显示面板中的设置方式不同，触控显示面板分为外挂式(addonmode)、内嵌式(in-cell)和外嵌式(on-cell)等结构。内嵌式触摸屏将触控功能整合于显示屏内，因而能够有效的减少整个显示器的厚度并简化生产工艺，使得产品更加轻薄，生产成本更低，从而广受欢迎。

3、目前，对于内嵌式(in-cell)触摸屏，通常是将触摸屏结构直接设置在阵列基板上，主要是在阵列基板中将用于传输显示信号的一些结构部件复用为触控电极，比较常见的就是将公共电极块复用为触控电极。如图1所示，阵列基板上不仅需要设置扫描线1和数据线2，还需要设置触控走线3，然后通过触控走线3给公共电极块传递公共信号和触控信号。为了简化工艺制成，通常是将数据线2和触控走线3采用同一金属层蚀刻而成，但是，在双点反转显示时，为了降低驱动功耗，数据线2通常采用“z”字形结构，使得数据线2上的驱动信号只需要每帧反转一次，就可以实现双点反转的显示效果。由于，数据线2和触控走线3是采用同一金属层蚀刻而成，因此，触控走线3也需要采用“z”字形结构，这大大增加了触控走线3阻抗，导致触控响应时间增加，还会存在远端触控横纹的问题；而且，“z”字形结构还会导致横向黑矩阵的宽度增加，使得像素的开口率降低。

技术实现思路

1、为了克服现有技术中存在的缺点和不足，本发明的目的在于提供一种阵列基板及制作方法、内嵌式触控显示面板，以解决现有双点反转触控显示面板中，数据线和触控走线的阻抗较大，以及像素的开口率降低的问题。

2、本发明的目的通过下述技术方案实现：

3、本发明提供一种阵列基板，包括衬底，所述衬底上设有多条扫描线、多条数据线、多条触控走线以及多个公共电极块，多条所述扫描线与多条所述数据线相互绝缘交叉限定形成多个像素单元组，所述触控走线与所述数据线位于同一层且相互平行的交替排列，每个所述公共电极块与对应的所述触控走线电性连接；

4、每条所述触控走线贯穿一列所述像素单元组，所述像素单元组包括分别位于所述触控走线的两侧第一像素单元和第二像素单元，同一个所述像素单元组中的所述第一像素单元和所述第二像素单元连接同一条所述数据线且连接不同所述扫描线，相邻两个所述像素单元组分别连接不同的所述数据线；

5、两条相邻的所述扫描线分别为第一扫描线和第二扫描线，所述第一扫描线和所述第二扫描线相互交替排列，每一行所述像素单元组的两侧分别设有所述第一扫描线和所述第二扫描线，相邻两行所述像素单元组之间设有所述第一扫描线和所述第二扫描线，同一个所述像素单元组中的所述第一像素单元和所述第二像素单元其中之一连接所述第一扫描线，其中另一连接所述第二扫描线。

6、进一步地，所述第一像素单元内设有第一像素电极，所述第二像素单元内设有第二像素电极，所述第一像素电极具有第一连接导线，所述第一像素电极通过所述第一连接导线跨越所述触控走线与对应的所述数据线电性连接，所述第二像素电极与邻近所述第二像素单元的所述数据线电性连接。

7、进一步地，所述第二像素电极具有第二连接导线，所述第二像素电极通过所述第二连接导线与邻近所述第二像素单元的所述数据线电性连接。

8、进一步地，所述衬底上设有与所述公共电极块位于同一层的桥接电极，所述桥接电极位于所述第一像素电极和所述第二像素电极的上方，所述第一像素单元和所述第二像素单元内均设有所述桥接电极和薄膜晶体管，所述第一连接导线和所述第二像素电极分别通过对应的所述桥接电极与对应的所述薄膜晶体管的漏极电性连接。

9、本技术还提供一种内嵌式触控显示面板，包括阵列基板、与所述阵列基板相对设置的彩膜基板以及位于所述阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶层，所述阵列基板采用如上所述的阵列基板。

10、本技术还提供一种阵列基板的制作方法，包括：

11、提供衬底；

12、在所述衬底的上方形成第一金属层，所述第一金属层包括扫描线和栅极，所述栅极与所述扫描线导电连接，两条相邻的所述扫描线分别为第一扫描线和第二扫描线，所述第一扫描线和所述第二扫描线相互交替排列；

13、在所述第一金属层的上方形成覆盖住所述扫描线和所述栅极的第一绝缘层；

14、在所述第一绝缘层的上方形成半导体层，所述半导体层包括与所述栅极对应的有源层；

15、在所述第一绝缘层和所述半导体层的上方形成第二金属层，所述第二金属层包括数据线、源极、漏极以及触控走线，所述数据线与所述源极导电连接，所述源极与所述漏极通过所述有源层导电连接，所述触控走线与所述数据线相互平行且交替排列，多条所述扫描线与多条所述数据线相互绝缘交叉限定形成多个像素单元组，每一行所述像素单元组的两侧分别设有所述第一扫描线和所述第二扫描线，相邻两行所述像素单元组之间设有所述第一扫描线和所述第二扫描线；每条所述触控走线贯穿一列所述像素单元组，所述像素单元组包括分别位于所述触控走线的两侧第一像素单元和第二像素单元，一个所述像素单元组中的所述第一像素单元和所述第二像素单元连接同一条所述数据线且连接不同所述扫描线，相邻两个所述像素单元组分别连接不同的所述数据线；

16、在所述第二金属层的上方形成覆盖住所述数据线、所述源极、所述漏极、所述触控走线以及有源层的平坦层；

17、在所述衬底的上方形成第一透明导电层，所述第一透明导电层包括与所述第一像素单元对应的第一像素电极、与所述第二像素单元对应的第二像素电极以及与所述第一像素电极配合的第一连接导线，所述第一像素电极通过所述第一连接导线跨越所述触控走线与对应的所述数据线电性连接，所述第二像素电极与邻近所述第二像素单元的所述数据线电性连接；

18、在所述平坦层的上方形成第二透明导电层，对所述第二透明导电层进行蚀刻，所述第二透明导电层形成图案化的多个公共电极块，每个所述公共电极块与对应的所述触控走线电性连接。

19、进一步地，所述第一透明导电层还包括第二连接导线，所述第二像素电极通过所述第二连接导线与邻近所述第二像素单元的所述数据线电性连接。

20、进一步地，制作所述半导体层和所述第二金属层的步骤包括：

21、在所述第一绝缘层上方依次形成所述半导体层和所述第二金属层；

22、采用半色调掩膜工艺，先对所述半导体层和所述第二金属层同时进行蚀刻，使所述半导体层形成所述有源层以及所述第二金属层形成所述数据线和所述触控走线，再单独对所述第二金属层进行蚀刻，去除沟道处的所述第二金属层，使所述第二金属层形成所述源极和所述漏极。

23、进一步地，所述第一透明导电层位于所述第一金属层的下方，制作所述第一透明导电层和所述第一金属层的步骤包括：

24、在所述衬底的上方依次形成所述第一透明导电层和所述第一金属层；

25、采用半色调掩膜工艺，先对所述第一透明导电层和所述第一金属层同时进行蚀刻，使所述第一透明导电层形成所述第一像素电极、所述第二像素电极以及所述第一连接导线，再单独对所述第二金属层进行蚀刻，去除所述第一像素电极、所述第二像素电极以及所述第一连接导线上方的所述第二金属层，使所述第二金属层形成所述扫描线和所述栅极。

26、进一步地，所述第一透明导电层和所述第二透明导电层均设于所述平坦层的上方，所述第一透明导电层和所述第二透明导电层之间设有第二绝缘层；

27、或者，所述第二透明导电层位于所述第一透明导电层的上方，所述第二透明导电层还包括桥接电极，所述第一像素单元和所述第二像素单元内均设有所述桥接电极，所述第一连接导线和所述第二像素电极分别通过对应的所述桥接电极与对应的所述漏极电性连接。

28、本发明有益效果在于：通过将触控走线与数据线位于同一层且相互平行的交替排列，可以简化触控走线与数据线的制作工艺。每条触控走线贯穿一列像素单元组，像素单元组包括分别位于触控走线的两侧第一像素单元和第二像素单元，再将同一个像素单元组中的第一像素单元和第二像素单元连接同一条数据线且连接不同扫描线，相邻两个像素单元组分别连接不同的数据线，从而在实现低驱动功耗的双点反转的前提下，使得数据线和触控走线可以由同一金属层做成直线形结构，在减小阻抗的同时，增加了像素的开口率。