掩模版上污染物的去除方法及吹扫装置与流程

本发明涉及半导体制造，尤其涉及一种掩模版上污染物的去除方法及吹扫装置。

背景技术：

1、掩模版是集成电路光刻工艺生产的图案模板，为了确保在晶圆表面形成的刻蚀图案的准确性，需要确保掩模版上的有效图形区域不存在任何污染物颗粒。为了保护掩模版上的有效图形区域，通常需要在掩模版上安装覆盖所述有效图形区域的保护膜。在掩模版制造和使用过程中，会有污染物颗粒从外界环境中掉落至掩模版的基板表面和保护膜表面。为了去除掩模版表面和保护膜表面的污染物颗粒，通常会使用吹扫装置进行气体吹扫。但是，现有的气体吹扫装置仅依靠气体吹扫产生的作用力来去除掩模版表面和保护膜表面的污染物颗粒，作用力较为单一，污染物颗粒的去除效果较差。而且，由于所述保护膜的厚度较薄，无法承受较大的气体吹扫力，因此，为了避免对保护膜造成损伤，吹扫装置需采用较小压力的气体吹扫所述保护膜，这样则会降低污染物颗粒的去除效果。而一旦气体吹扫装置无法有效去除掩模版表面和保护膜表面的污染物颗粒，则需要通过化学药剂处理的方式来去除，这有可能引发良率损失的问题。

2、因此，如何提高掩模版上污染物颗粒的去除效果，同时避免对掩模版及掩模版上的保护膜造成损伤，是当前亟待解决的技术问题。

技术实现思路

1、本发明提供一种掩模版上污染物颗粒的去除方法及吹扫装置，用于提高掩模版上污染物颗粒的去除效果，同时避免对掩模版及掩模版上的保护膜造成损伤。

2、根据一些实施例，本发明提供了一种掩模版上污染物的去除方法，包括如下步骤：

3、提供待清洁的掩模版，所述掩模版的表面具有污染物颗粒，所述污染物颗粒的热膨胀系数与所述掩模版的热膨胀系数不同；

4、交替采用具有第一温度的第一吹扫气体和具有第二温度的第二吹扫气体对所述掩模版的表面进行气体吹扫，所述第一温度高于所述第二温度，去除所述掩模版上的所述污染物颗粒。

5、在一些实施例中，所述第一温度与所述第二温度之间的温度差值为10℃~80℃。

6、在一些实施例中，交替采用具有第一温度的第一吹扫气体和具有第二温度的第二吹扫气体对所述掩模版的表面进行气体吹扫的具体步骤包括：

7、交替采用具有第一温度的第一吹扫气体和具有第二温度的第二吹扫气体对所述掩模版的表面进行气体吹扫；

8、判断所述掩模版上的所述污染物颗粒是否全部去除，若否，则增大所述第一温度与所述第二温度之间的温度差值，并采用增大温度差值后的所述第一吹扫气体和所述第二吹扫气体交替对所述掩模版的表面进行气体吹扫。

9、在一些实施例中，交替采用具有第一温度的第一吹扫气体和具有第二温度的第二吹扫气体对所述掩模版的表面进行气体吹扫的具体步骤包括：

10、设定依次增大的多个预设温度差值；

11、执行至少一次如下循环步骤，直至所述掩模版上的所述污染物颗粒全部去除；

12、所述循环步骤包括：

13、选择一个所述预设温度差值作为当前温度差值；

14、采用具有所述当前温度差值的所述第一温度的所述第一吹扫气体和所述第二温度的所述第二吹扫气体交替对所述掩模版的表面进行气体吹扫；

15、判断所述掩模版上的所述污染物颗粒是否全部去除，若否，则以与当前温度差值相邻的下一个预设温度差值作为下一次循环步骤的当前预设温度差值。

16、在一些实施例中，所述第一吹扫气体和所述第二吹扫气体的组成相同。

17、在一些实施例中，交替采用具有第一温度的第一吹扫气体和具有第二温度的第二吹扫气体对所述掩模版的表面进行气体吹扫的具体步骤包括：

18、采用具有所述第一温度的所述第一吹扫气体对所述掩膜版的表面进行气体吹扫，并持续第一预设时间；

19、采用具有所述第二温度的所述第二吹扫气体对所述掩模版的表面进行气体吹扫，并持续第二预设时间，所述第一预设时间和所述第二预设时间均大于3秒。

20、在一些实施例中，交替采用具有第一温度的第一吹扫气体和具有第二温度的第二吹扫气体对所述掩模版的表面进行气体吹扫的具体步骤包括：

21、提供用于存储吹扫气体的气源；

22、加热所述气源输出的气体至所述第一温度，以加热后的所述吹扫气体作为所述第一吹扫气体并喷射至所述掩模版表面；

23、冷却所述气源输出的气体至所述第二温度，以冷却后的所述吹扫气体作为所述第二吹扫气体并喷射至所述掩模版表面。

24、根据另一些实施例，本发明还提供了一种吹扫装置，包括：

25、喷嘴；

26、加热结构，连接所述喷嘴，用于向所述喷嘴传输具有第一温度的第一吹扫气体；

27、冷却结构，连接所述喷嘴，用于向所述喷嘴传输具有第二温度的第二吹扫气体，所述第一温度高于第二温度；

28、控制器，连接所述喷嘴、所述加热结构和所述冷却结构，用于控制所述喷嘴向掩模版表面交替喷射具有所述第一温度的所述第一吹扫气体和具有所述第二温度的所述第二吹扫气体，所述掩模版的表面具有污染物颗粒，所述污染物颗粒的热膨胀系数与所述掩模版的热膨胀系数不同。

29、在一些实施例中，还包括：

30、气源，用于存储吹扫气体；

31、所述加热结构连接所述气源，用于将所述气源输出的所述吹扫气体加热至所述第一温度，并以加热后的所述吹扫气体作为所述第一吹扫气体；

32、所述冷却结构连接所述气源，用于将所述气源输出的所述吹扫气体冷却至所述第二温度，并以冷却后的所述吹扫气体作为所述第二吹扫气体。

33、在一些实施例中，所述加热结构包括：

34、加热腔室，用于容纳来自于所述气源的所述吹扫气体；

35、加热器，位于所述加热腔室内，所述加热器包括环绕所述加热腔室的内壁分布的电阻丝，所述电阻丝用于对所述吹扫气体进行加热处理。

36、在一些实施例中，所述冷却结构包括：

37、冷却腔室，用于容纳来自于所述气源的所述吹扫气体；

38、冷却器，位于所述冷却腔室内，所述冷却器包括环绕所述冷却腔室的内壁分布的冷却管道，所述冷却管道用于传输冷却介质，所述冷却介质用于对所述吹扫气体进行冷却处理。

39、在一些实施例中，还包括：

40、第一过滤器，所述第一过滤器的输入端连接所述加热结构、所述第一过滤器的输出端连接所述喷嘴，所述第一过滤器用于对所述第一吹扫气体进行过滤处理；

41、第二过滤器，所述第二过滤器的输入端连接所述冷却结构、所述第二过滤器的输出端连接所述喷嘴，所述第二过滤器用于对所述第二吹扫气体进行过滤处理。

42、在一些实施例中，所述第一温度与所述第二温度之间的温度差值为10℃~80℃。

43、本发明提供的掩模版上污染物的去除方法及吹扫装置，通过交替采用具有第一温度的第一吹扫气体和具有第二温度的第二吹扫气体对所述掩模版的表面进行气体吹扫，且所述第一温度高于所述第二温度，所述掩模版的热膨胀系数与所述掩模版上的污染物颗粒的热膨胀系数不同，因此，所述污染物颗粒不仅受到来自于所述第一吹扫气体和所述第二吹扫气体的吹扫作用力，还受到因污染物颗粒本身和黏附表面（即所述掩模版表面）热胀冷缩形变量的不同产生的作用力，从而降低所述污染物颗粒与掩模版之间的附着力，提高了所述污染物颗粒的去除效果。并且，本发明无需使用高压吹扫气体进行吹扫，从而避免吹扫过程了对掩模版及掩模版上的保护膜造成损伤。