1.一种基于相变材料的可调谐硅光起偏器，其特征在于：包括依次相连的输入区域(i)、耦合区域(ii)和输出区域(ⅲ)；
2.根据权利要求1所述的基于相变材料的可调谐硅光起偏器，其特征在于：所述的直波导a(1)、s型波导a(2)、直波导b(3)、s型波导b(4)和直波导c(5)具有相同的材料，相同的厚度和宽度，即由硅纳米线介质波导(11)构成的。
3.根据权利要求1所述的基于相变材料的可调谐硅光起偏器，其特征在于：直波导d(6)、s型波导c(7)、直波导e(8)、s型波型导d(9)和直波导f(10)具有相同的材料，相同的厚度和宽度，即均为上表面为二氧化钒波导(12)和下表面为富硅氮化硅波导(13)构成的混合波导。
4.根据权利要求1所述的基于相变材料的可调谐硅光起偏器，其特征在于：所述的硅纳米线介质波导(11)为器件的总线波导，混合波导为器件的耦合波导，光信号光源从直波导a(1)输入，经器件处理后从直波导c(5)输出，在中心波长1550±100nm及1310±100nm处，二氧化钒材料在加热后具有较高的吸收系数，所述的总线波导的厚度为0-1um，宽度为0-1um，所述的耦合波导的宽度为0-1um，所述的二氧化钒波导(12)的厚度为0-1um，富硅氮化硅波导(13)的厚度为0-1um。
5.根据权利要求1或2或3或4所述的基于相变材料的可调谐硅光起偏器，其特征在于：加热前，对于te偏振光，耦合区域中硅纳米线介质波导(11)要和混合波导实现相位匹配，tm偏振光相位失配；加热后，对于tm偏振光，耦合区域中硅纳米线介质波导(11)要和混合波导实现相位匹配，而te偏振光相位失配。
6.根据权利要求5所述的基于相变材料的可调谐硅光起偏器，其特征在于：加热前，所述的耦合区域(ii)中耦合波导的长度要满足te偏振光能够实现一次完整的耦合，器件的输出端口输出波导直波导c(5)只输出tm偏振光，所述的耦合波导长度设定值为0-100um。
7.根据权利要求1或2或3或4或6所述的基于相变材料的可调谐硅光起偏器，其特征在于：加热后，所述的耦合区域(ii)中耦合波导的长度要满足tm偏振光能够实现一次完整的耦合，器件的输出端口输出波导直波导c(5)只输出te偏振光，所述的耦合波导长度设定值为0-100um。
8.根据权利要求7所述的基于相变材料的可调谐硅光起偏器，其特征在于：所述的硅纳米线介质波导(11)和混合波导均位于带有光隔离层(15)的硅芯片(16)上。
9.根据权利要求1或2或3或4或6或8所述的基于相变材料的可调谐硅光起偏器，其特征在于：所述的光隔离层(15)的材料为二氧化硅，硅纳米线介质波导(11)和混合波导的上包层(14)的材料为二氧化硅。