一种可提升电磁屏蔽性能的光模块的制作方法

本技术涉及光通信，具体为一种可提升电磁屏蔽性能的光模块。

背景技术：

1、随着光模块传输速率的提高，模块的信号频率以及本身的功耗不断提高，所以模块的电磁屏蔽面临了较为严峻的考验，也是当前客户重点关注的指标。

2、部分光模块产品因为方案设计的需要，会将光口的完整屏蔽壳体拆分为多个零件配合的方式，此时各个零件之间就会存在装配缝隙，无法完全达到理论的零间隙配合，光发射组件、光接收组件以及主芯片等部件产生的电磁波就会从这些间隙泄漏。为了在模块的emc测试中满足规范及客户的要求，在结构设计中需要对这些缝隙进行处理，尽可能缩短缝隙的长度，提高结构件的屏蔽效能。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种可提升电磁屏蔽性能的光模块，至少可以解决现有技术中的部分缺陷。

2、为实现上述目的，本实用新型实施例提供如下技术方案：一种可提升电磁屏蔽性能的光模块，包括底座、设于所述底座上的lc光口以及盖合在所述底座上的上盖，还包括光接收组件和光发射组件，所述lc光口的端部具有供所述光接收组件的适配器和所述光发射组件的适配器插入的插入口，所述端部的外沿上套设有导电套，部分所述导电套由所述lc光口按压在所述底座上。

3、进一步，所述导电套为具有压缩量的弹性导电套。

4、进一步，还包括用于吸收电磁波的吸波结构。

5、进一步，所述吸波结构包括第一吸波块，所述第一吸波块具有供所述光接收组件的适配器和所述光发射组件的适配器穿过的孔洞。

6、进一步，所述第一吸波块有两块，两块所述第一吸波块相对设置，且所述第一吸波块相对另外一个所述第一吸波块的面上具有缺口，两个所述第一吸波块的缺口围合形成所述孔洞。

7、进一步，所述孔洞有两个，两个孔洞分别供所述光接收组件的适配器和所述光发射组件的适配器通过。

8、进一步，所述第一吸波块设在所述底座上。

9、进一步，所述第一吸波块与所述底座卡接。

10、进一步，所述吸波结构还包括第二吸波块，所述第二吸波块设在pcb板朝向所述上盖的面上，所述pcb板设在所述底座上。

11、进一步，所述光接收组件的适配器和所述光发射组件的适配器通过压块固定在所述lc光口上。

12、与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：一种可提升电磁屏蔽性能的光模块，通过在lc光口上套导电套，可以封堵lc光口和底座组件的间隙，提高电磁屏蔽能力。

技术特征：

1.一种可提升电磁屏蔽性能的光模块，包括底座、设于所述底座上的lc光口以及盖合在所述底座上的上盖，其特征在于：还包括光接收组件和光发射组件，所述lc光口的端部具有供所述光接收组件的适配器和所述光发射组件的适配器插入的插入口，所述端部的外沿上套设有导电套，部分所述导电套由所述lc光口按压在所述底座上。

2.如权利要求1所述的一种可提升电磁屏蔽性能的光模块，其特征在于：所述导电套为具有压缩量的弹性导电套。

3.如权利要求1所述的一种可提升电磁屏蔽性能的光模块，其特征在于：还包括用于吸收电磁波的吸波结构。

4.如权利要求3所述的一种可提升电磁屏蔽性能的光模块，其特征在于：所述吸波结构包括第一吸波块，所述第一吸波块具有供所述光接收组件的适配器和所述光发射组件的适配器穿过的孔洞。

5.如权利要求4所述的一种可提升电磁屏蔽性能的光模块，其特征在于：所述第一吸波块有两块，两块所述第一吸波块相对设置，且所述第一吸波块相对另外一个所述第一吸波块的面上具有缺口，两个所述第一吸波块的缺口围合形成所述孔洞。

6.如权利要求4所述的一种可提升电磁屏蔽性能的光模块，其特征在于：所述孔洞有两个，两个孔洞分别供所述光接收组件的适配器和所述光发射组件的适配器通过。

7.如权利要求4所述的一种可提升电磁屏蔽性能的光模块，其特征在于：所述第一吸波块设在所述底座上。

8.如权利要求7所述的一种可提升电磁屏蔽性能的光模块，其特征在于：所述第一吸波块与所述底座卡接。

9.如权利要求3所述的一种可提升电磁屏蔽性能的光模块，其特征在于：所述吸波结构还包括第二吸波块，所述第二吸波块设在pcb板朝向所述上盖的面上，所述pcb板设在所述底座上。

10.如权利要求1所述的一种可提升电磁屏蔽性能的光模块，其特征在于：所述光接收组件的适配器和所述光发射组件的适配器通过压块固定在所述lc光口上。

技术总结
本技术涉及光通信技术领域，提供了一种可提升电磁屏蔽性能的光模块，包括底座、设于所述底座上的LC光口以及盖合在所述底座上的上盖，还包括光接收组件和光发射组件，所述LC光口的端部具有供所述光接收组件的适配器和所述光发射组件的适配器插入的插入口，所述端部的外沿上套设有导电套，部分所述导电套由所述LC光口按压在所述底座上。本技术的一种可提升电磁屏蔽性能的光模块，通过在LC光口上套导电套，可以封堵LC光口和底座组件的间隙，提高电磁屏蔽能力。

技术研发人员：舒坤,许其建,汤彪
受保护的技术使用者：武汉华工正源光子技术有限公司
技术研发日：20230228
技术公布日：2024/3/12