一种曝光定位装置及接触式曝光机的制作方法

本申请属于量子芯片加工装置，特别是涉及一种曝光定位装置及接触式曝光机。

背景技术：

1、光刻的过程说起来很简单，在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移到光刻胶上，是将器件或电路结构临时“复制”到晶圆上的过程。

2、目前主流曝光机分为：接触式曝光机、接近式曝光机、投影式曝光机，其中接触式曝光机因设备比简单、精度高等优点仍在大量使用。

3、接触式曝光机在正式曝光前会有一次机台在竖直方向上的定位过程，在此过程中，掩膜版与位于托盘上的晶圆会进行一次接触，但掩模版和晶圆直接接触，会对掩膜版或晶圆造成损伤和污染。

技术实现思路

1、本申请的目的是提供一种曝光定位装置及接触式曝光机，以解决现有技术中，接触式曝光机在正式曝光前，进行机台定位过程中掩模版和晶圆直接接触，导致掩膜版和晶圆造成损伤和污染的问题，能够顺利完成机台定位且不对掩膜版和晶圆产生损伤或污染。

2、为解决上述技术问题，本实用新型提供一种曝光定位装置，适用于接触式曝光机，所述接触式曝光机包括用于承载晶圆4的托盘1，以及托盘1上方的掩膜版3，曝光定位装置包括支撑部2和限位机构，所述限位机构设置于所述托盘1上，数量为至少三个，且所述限位机构不超出所述托盘1表面，每个所述限位机构上滑动连接有至少一个所述支撑部2，所述支撑部2超出所述托盘1表面，且超出托盘1表面的高度被设置为大于所述晶圆4的高度，使得所述支撑部2先于所述晶圆4接触到掩膜版3。

3、优选的，所述支撑部2的形状为柱状。

4、优选的，所述支撑部2由第一体和第二体构成，所述第一体设置有螺柱，所述第二体设有与螺柱配合的螺孔。

5、优选的，所述至少三个支撑部2超出托盘1表面的高度一致。

6、优选的，所述限位机构为滑槽11。

7、优选的，所述支撑部2与所述滑槽11可拆卸连接。

8、优选的，所述支撑部2为折叠机构，具有展开状态和折叠状态，处于所述折叠状态的折叠机构被收纳入滑槽11中。

9、优选的，所述至少三个滑槽11分布在以相同点为圆心的不同径向上。

10、优选的，所述至少三个滑槽11相邻之间的夹角相同。

11、本申请还提供一种接触式曝光机，用于对所述晶圆4进行曝光，包括前述任一项所述的曝光定位装置。

12、与现有技术相比，本申请通过增加支撑部2用于代替晶圆4接触掩膜版3，并且改良接触式曝光机的托盘1，在其表面增设至少三个供支撑部2滑动的滑槽11，可以在进行机台定位过程中，通过调整支撑部2的高度以及在滑槽11上的位置，防止晶圆4与掩膜版3直接接触，从而防止晶圆4与掩膜版3受到损伤和污染。

技术特征：

1.一种曝光定位装置，适用于接触式曝光机，所述接触式曝光机包括用于承载晶圆(4)的托盘(1)，以及托盘(1)上方的掩膜版(3)，其特征在于，曝光定位装置包括支撑部(2)和限位机构，所述限位机构设置于所述托盘(1)上，数量为至少三个，且所述限位机构不超出所述托盘(1)表面，每个所述限位机构上滑动连接有至少一个所述支撑部(2)，所述支撑部(2)超出所述托盘(1)表面，且超出托盘(1)表面的高度被设置为大于所述晶圆(4)的高度，使得所述支撑部(2)先于所述晶圆(4)接触到掩膜版(3)。

2.根据权利要求1所述的曝光定位装置，其特征在于，所述支撑部(2)的形状为柱状。

3.根据权利要求2所述的曝光定位装置，其特征在于，所述支撑部(2)由第一体和第二体构成，所述第一体设置有螺柱，所述第二体设有与螺柱配合的螺孔。

4.根据权利要求2所述的曝光定位装置，其特征在于，所述至少三个支撑部(2)超出托盘(1)表面的高度一致。

5.根据权利要求1所述的曝光定位装置，其特征在于，所述限位机构为滑槽(11)。

6.根据权利要求5所述的曝光定位装置，其特征在于，所述支撑部(2)与所述滑槽(11)可拆卸连接。

7.根据权利要求5所述的曝光定位装置，其特征在于，支撑部(2)为折叠机构，具有展开状态和折叠状态，处于所述折叠状态的折叠机构被收纳入滑槽(11)中。

8.根据权利要求5所述的曝光定位装置，其特征在于，所述至少三个滑槽(11)分布在以相同点为圆心的不同径向上。

9.根据权利要求8所述的曝光定位装置，其特征在于，所述至少三个滑槽(11)相邻之间的夹角相同。

10.一种接触式曝光机，用于对所述晶圆(4)进行曝光，其特征在于，包括根据权利要求1－9任一项所述的曝光定位装置。

技术总结
本申请公开了一种曝光定位装置及接触式曝光机，属于量子芯片加工装置技术领域。一种曝光定位装置，适用于接触式曝光机，所述接触式曝光机包括用于承载晶圆的托盘，以及托盘上方的掩膜版，曝光定位装置包括支撑部和限位机构，所述限位机构设置于所述托盘上，数量为至少三个，且所述限位机构不超出所述托盘表面，每个所述限位机构上滑动连接有至少一个所述支撑部，所述支撑部超出所述托盘表面，且超出托盘表面的高度被设置为大于所述晶圆的高度，使得所述支撑部先于所述晶圆接触到掩膜版。通过上述设置，防止直接接触给晶圆和掩膜版带来损伤、污染等，从而影响最终曝光质量。

技术研发人员：李舒啸
受保护的技术使用者：本源科仪(成都)科技有限公司
技术研发日：20230510
技术公布日：2024/1/15