阵列基板以及显示面板的制作方法

本申请涉及显示面板，具体涉及一种阵列基板以及显示面板。

背景技术：

1、随着显示技术的发展，市场对tft-lcd(薄膜电晶体液晶显示器，thin filmtransistor liquid crystal display)的需求越来越高，大尺寸、高分辨率、高刷新率的产品开始大规模研发和生产。随着产品规格的提升，对产品tft(薄膜晶体管，thin filmtransistor)器件的电学性能要求也就进一步提高，因此，如何进一步提高tft器件的电学性能是亟需解决的问题。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种阵列基板以及显示面板，能够提高tft器件的电学性能。

2、第一方面，本申请实施例提供一种阵列基板，包括多条栅极线、多条数据线和多个像素单元，多条所述栅极线和多条所述数据线绝缘交叉限定出多个像素区域，每一个所述像素区域内的设置一个所述像素单元，所述像素单元包括：

3、tft单元，所述tft单元包括的多个子tft，每一所述子tft均具有子栅极、子源极以及子漏极，多个所述子栅极相互之间电性连接，多个所述子源极相互之间电性连接，多个所述子漏极相互之间电性连接；其中，至少一个所述子栅极与所述栅极线电性连接，至少一个所述子源极与所述数据线电性连接；以及，

4、像素电极，所述像素电极设置于所述tft单元之上，且与至少一个所述子漏极电性连接。

5、在一实施例中，所述像素电极包括主电极以及多个子电极，所述主电极环绕于所述tft单元的外围，所述主电极内划分有多个布线区，多个所述布线区沿所述主电极的周向呈辐射状排布，且与多个所述子tft一一对应，每一所述布线区均呈三角形设置，每一所述子电极对应处于一个所述布线区内，并与所述主电极电性连接，其中的一个所述子电极与一个所述子漏极电性连接。

6、在一实施例中，多个所述子tft呈环形阵列布设；

7、所述子源极呈u型设置且具有一弧形电极段和与所述弧形电极段相对的开口，多个所述子源极呈环形阵列布设，且其多个所述弧形电极段相互连接，多个所述弧形电极段围合形成一镂空部；

8、多个所述子漏极分别于多个所述子源极一一对应设置，每一所述子漏极呈条形设置，所述子漏极的一端自对应的所述子源极的所述开口延伸至对应的所述子源极内，多个所述子漏极的另一端依次电性连接。

9、在一实施例中，所述像素电极包括主电极以及多个子电极，所述主电极环绕于所述tft单元的外围；

10、每一所述弧形电极段与相邻的两个所述弧形电极段之间具有呈交叉设置的两条公共切线，两条所述公共切线与所述主电极共同限定出一个所述布线区；

11、其中，一个所述子电极对应一个所述布线区设置。

12、在一实施例中，所述子源极呈条形设置，多个所述子源极沿所述像素区域的周向呈辐射状排布，且其多个端部相互连接；

13、所述子漏极呈条状设置，每一所述子漏极的一端处于相邻两个所述子源极之间，多个所述子漏极的另一端依次电性连接。

14、在一实施例中，所述像素单元还包括栅极辅助线、源极辅助线以及漏极辅助线，所述栅极辅助线电性连接所述栅极线以及所述栅极，所述源极辅助线电性连接所述数据线与其中的一个所述子源极，所述漏极辅助线电性连接依次电性连接多个所述子漏极，并通过过孔与所述像素电极电性连接；

15、其中，所述漏极辅助线上设置有用以避让所述源极辅助线的缺口。

16、在一实施例中，多个所述子tft包括最靠近所述栅极线的第一子tft；

17、所述栅极辅助线电性连接所述栅极线以及与所述第一子tft的所述子栅极。

18、在一实施例中，所述漏极辅助线包括第一辅助线和第二辅助线，所述第一辅助线环绕于所述tft单元的外围且依次电性连接多个所述子漏极，所述第二辅助线的一端与所述第一辅助线电性连接，所述第二辅助线的另一端通过所述过孔与所述像素电极电性连接；

19、其中，所述缺口设置于所述第一辅助线上。

20、在一实施例中，多个所述子tft包括最靠近所述数据线的第二子tft；

21、所述源极辅助线电性连接所述数据线以及所述第二子tft的所述子源极。

22、第二方面，本申请提供一种显示面板，所述显示面板包括上述的阵列基板。

23、有益效果：本申请提供的阵列基板中，tft单元包括的多个子tft，每一所述子tft均具有子栅极、子源极以及子漏极，多个所述子栅极相互之间电性连接，多个所述子源极相互之间电性连接，多个所述子漏极相互之间电性连接；也就是说，所述tft单元内的多个所述子tft并联设置；可以知道的是，每一所述子源极和对应的所述子漏极之间形成有沟道，将多个所述子tft并联设置，能够提升所述tft单元的沟道的w/l数值，从而提高所述tft单元的电学性能。

技术特征：

1.一种阵列基板，包括多条栅极线、多条数据线和多个像素单元，多条所述栅极线和多条所述数据线绝缘交叉限定出多个像素区域，每一个所述像素区域内的设置一个所述像素单元，其特征在于，所述像素单元包括：

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极包括主电极以及多个子电极，所述主电极环绕于所述tft单元的外围，所述主电极内划分有多个布线区，多个所述布线区沿所述主电极的周向呈辐射状排布，且与多个所述子tft一一对应，每一所述布线区均呈三角形设置，每一所述子电极对应处于一个所述布线区内，并与所述主电极电性连接，其中的一个所述子电极与一个所述子漏极电性连接。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，多个所述子tft呈环形阵列布设；

4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极包括主电极以及多个子电极，所述主电极环绕于所述tft单元的外围；

5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述子源极呈条形设置，多个所述子源极沿所述像素区域的周向呈辐射状排布，且其多个端部相互连接；

6.如权利要求3或5所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元还包括栅极辅助线、源极辅助线以及漏极辅助线，所述栅极辅助线电性连接所述栅极线以及所述栅极，所述源极辅助线电性连接所述数据线与其中的一个所述子源极，所述漏极辅助线电性连接依次电性连接多个所述子漏极，并通过过孔与所述像素电极电性连接；

7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，多个所述子tft包括最靠近所述栅极线的第一子tft；

8.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述漏极辅助线包括第一辅助线和第二辅助线，所述第一辅助线环绕于所述tft单元的外围且依次电性连接多个所述子漏极，所述第二辅助线的一端与所述第一辅助线电性连接，所述第二辅助线的另一端通过所述过孔与所述像素电极电性连接；

9.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，多个所述子tft包括最靠近所述数据线的第二子tft；

10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-9中任意一项所述的阵列基板。

技术总结
本申请公开了一种阵列基板以及显示面板，阵列基板包括多条栅极线、多条数据线和多个像素单元，多条栅极线和多条数据线绝缘交叉限定出多个像素区域，每一个像素区域内的设置一个像素单元，像素单元包括TFT单元以及像素电极；TFT单元包括多个子TFT，每一子TFT均具有子栅极、子源极以及子漏极，多个子栅极相互之间电性连接，多个子源极相互之间电性连接，多个子漏极相互之间电性连接，其中，至少一个子栅极与栅极线电性连接，至少一个子源极与数据线电性连接；像素电极设置于TFT单元之上，且与至少一个子漏极电性连接。

技术研发人员：巴静
受保护的技术使用者：TCL华星光电技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/17