一种光刻胶厚胶坚膜方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及光学技术领域，尤其涉及一种光刻胶厚胶坚膜方法。
【背景技术】
[0002]光刻胶，又称光致抗蚀剂(photoresist)，是指通过紫外光、电子束、离子束或X射线等的照射或辐射，使溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料。半导体工业中通过将光刻胶旋涂到基片上，随后显影，使曝光区域光刻胶溶解，非曝光区光刻胶残留，从而在晶片上产生特定的图案化区域。
[0003]在液态的光刻胶中，溶剂成分占65% — 85%，用胶之后虽然液态的光刻胶已经成为固态的薄膜，但仍有10% — 30%的溶剂，造成光刻胶材质较软，且容易玷污灰尘，因此，光刻胶的应用过程中不可避免的要涉及到光刻胶的烘焙，具体包括前烘、后烘以及坚膜工
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[0004]前烘主要用于蒸发光刻胶中的有机溶剂，增强胶膜与基片之间的粘附性，通过在较高温度下进行烘培，可以使溶剂从光刻胶中挥发出来(前烘后溶剂含量降至5%左右)，从而降低了灰尘的玷污，同时还可以减轻因高速旋转形成的薄膜应力，提高光刻胶的附着性。后烘是为了提高光刻面形，厚胶大于5 μ m时则不需使用后烘工艺，而采用坚膜工艺，通过坚膜可以去除残余的显影液和水分，改善胶膜与基片的粘附性，使光刻胶韧化，提高抗刻蚀能力且不易浮胶。采用适用于薄胶的恒温坚膜法，温度过低时，坚膜不足，溶剂残留，且后续工艺过程中易浮胶，胶层易被破坏，而坚膜温度过高时，图形表面迅速硬化，内部却依然存在部分溶剂，使材质较软易塌陷，或者会由于溶剂挥发热膨胀翘曲、剥落或变形。
【发明内容】
[0005]鉴于上述的分析，本发明旨在提供一种光刻胶厚胶坚膜方法，用以解决现有技术中对厚胶坚膜易变性的问题。
[0006]为解决上述问题，本发明主要是通过以下技术方案实现的:
[0007]本发明提供了一种光刻胶厚胶坚膜方法，该方法包括:
[0008]将光刻胶依次进行多次温度递增的升温处理和保温处理，使所述光刻胶从室温最终升至65-75°C，并进行降温处理，所述升温处理、所述保温处理和所述降温处理的总时间和为 1.5-2.5min。
[0009]优选地，所述将光刻胶依次进行多次温度递增的升温处理和保温处理，使所述光刻胶从室温最终升至65-75?，并进行降温处理的步骤具体包括:
[0010]对所述光刻胶进行第一阶段升温处理，所述第一阶段升温处理的温度达到45-55 0C，并保温 20-30min ；
[0011]将第一阶段升温处理后的所述光刻胶进行第二阶段升温处理，所述第二阶段升温处理的温度达到65-75°C，并保温25-35min后降至室温。
[0012]优选地，所述第一阶段升温处理的升温速度为0.5-rC /S。
[0013]优选地，所述第二阶段升温处理的升温速度为0.5-re /S。
[0014]优选地，所述降温处理的降温速度为30-50°C /Imin0
[0015]优选地，所述光刻胶的厚度为7-10 μ m。
[0016]本发明有益效果如下:
[0017]本发明采用梯度升温的方式对光刻胶进行坚膜，由于采用了梯度升温的方式，使光刻胶由内到外受热均匀，有效避免了现有技术中对厚胶坚膜易变性、变形的问题，并提高了光刻胶的抗性。
[0018]本发明的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且部分的从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
【附图说明】
[0019]图1为本发明实施例的光刻胶厚胶坚膜梯度升温的流程图；
[0020]图2为本发明实施例的光刻胶厚胶坚膜中温度变化曲线。
【具体实施方式】
[0021]下面结合附图来具体描述本发明的优选实施例，其中，附图构成本申请一部分，并与本发明的实施例一起用于阐释本发明的原理。为了清楚和简化目的，当其可能使本发明的主题模糊不清时，将省略本文所描述的器件中已知功能和结构的详细具体说明。
[0022]本发明实施例的主要目的是提供一种光刻胶厚胶坚膜方法，本发明采用梯度升温的方式对光刻胶进行坚膜，由于采用了梯度升温的方式，使光刻胶由内到外受热均匀，有效避免了现有技术中对厚胶坚膜易变性及变形的问题，并提高了光刻胶的抗性。下面就通过几个具体实施例对本发明的技术方案进行详细说明。
[0023]本发明实施例提供的一种光刻胶厚胶坚膜方法，包括:
[0024]将光刻胶依次进行多次温度递增的升温处理和保温处理，使所述光刻胶从室温升至70-75°C，并进行降温处理，所述升温处理、所述保温处理和所述降温处理的总时间和为2h。
[0025]具体实施时，本领域的技术人员可以根据实际情况，设置两级、三级或更多级数的梯度升温，直至达到设定的最高温度。
[0026]本发明通过采用梯度升温的方式对光刻胶进行坚膜，使光刻胶由内到外受热均匀，提高了光刻胶的抗性，且坚膜后的光刻胶不易变形和变性。
[0027]图1为本发明实施例的光刻胶厚胶坚膜梯度升温的流程图，下面将结合图1以一个具体的例子对本发明进行详细的解释和说明:
[0028]S101、对原片清洗、涂胶、前烘、曝光和显影；
[0029]S102、对所述光刻胶进行第一阶段升温处理，所述第一阶段升温处理的温度达到45-55 0C，并保温 20-30min ；
[0030]S103、将第一阶段升温处理后的所述光刻胶进行第二阶段升温处理，所述第二阶段升温处理的温度达到65-75°C，并保温25-35min ;
[0031]S104、降温至室温，由于降温速度不影响光刻胶坚膜效果，因此降温速度可以根据实际需要进行任意设置。
[0032]当然本领域的技术人员也可以根据实际坚膜的需要设置三次升温处理，即从室温到达最高温度过程中设置三个温度梯度。
[0033]图2为本发明实施例的光刻胶厚胶坚膜中温度变化曲线，如图2所示，图2中第一个升温和保温为本发明的第一阶段升温处理，第二个升温和保温为本发明的第二阶段升温处理。
[0034]本发明实施例的所述第一阶段升温处理的升温速度为0.5-rC /5min。
[0035]本发明实施例的所述第二阶段升温处理的升温速度为0.5-rC /min。
[0036]本发明实施例的所述光刻胶的厚度为7-10 μ m。
[0037]本发明实施例的升温速度和降温速度可以根据实际需要进行调节，宗旨是光刻胶的厚度越厚升温速率越慢，实际坚膜过程中可根据需要调剂温度梯度，包括梯度次数，每个梯度的温度和时间。
[0038]本发明提供的一种光刻胶厚胶坚膜方法，能够带来以下有益效果:
[0039]本发明采用梯度升温的方式对光刻胶进行坚膜，由于采用了梯度升温的方式，使光刻胶由内到外受热均匀，有效避免了现有技术中对厚胶坚膜易变性、变形的问题，并提高了光刻胶的抗性。
[0040]以上所述，仅为本发明较佳的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。
【主权项】
1.一种光刻胶厚胶坚膜方法，其特征在于，包括: 将光刻胶依次进行多次温度递增的升温处理和保温处理，使所述光刻胶从室温最终升至65-75°C，并进行降温处理，所述升温处理、所述保温处理和所述降温处理的总时间和为1.5-2.5min0
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将光刻胶依次进行多次温度递增的升温处理和保温处理，使所述光刻胶从室温最终升至65-75?，并进行降温处理的步骤具体包括: 对所述光刻胶进行第一阶段升温处理，所述第一阶段升温处理的温度达到45-55?，并保温 20-30min ； 将第一阶段升温处理后的所述光刻胶进行第二阶段升温处理，所述第二阶段升温处理的温度达到65-75°C，并保温25-35min后降至室温。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于， 所述第一阶段升温处理的升温速度为ο.5-rc /s。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于， 所述第二阶段升温处理的升温速度为0.5-rc /S。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于， 所述降温处理的降温速度为30-50°C /Imin0
6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于， 所述光刻胶的厚度为7-10 μ m。
【专利摘要】本发明公开了一种光刻胶厚胶坚膜方法，该方法包括：将光刻胶依次进行多次温度递增的升温处理和保温处理，使所述光刻胶从室温升至65-75℃，并进行降温处理，所述升温处理、所述保温处理和所述降温处理的总时间和为2h。本发明由于采用了梯度升温的方式对光刻胶进行坚膜，使光刻胶由内到外受热均匀，有效避免了现有技术中对厚胶坚膜易变性和变形的问题，并提高了光刻胶的抗性。
【IPC分类】G03F7-16
【公开号】CN104536268
【申请号】CN201410836325
【发明人】李海燕, 李忠贺, 杜红艳
【申请人】中国电子科技集团公司第十一研究所
【公开日】2015年4月22日
【申请日】2014年12月26日