偏光膜的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种在正交尼克尔状态下蓝色光泄露少的薄型偏光膜及其制造方法。
【背景技术】
[0002] 具有光透过和遮蔽功能的偏振片与使光的偏光状态变化的液晶一起，是液晶显示 器(LCD)的基本构成要素。多数偏振片具有在偏光膜表面上贴合了三乙酸纤维素(TAC)膜等 保护膜的构造，作为构成偏振片的偏光膜，主流是在聚乙烯醇膜（以下聚乙烯醇有时简称为 PVA)单轴拉伸而成的基材(单轴拉伸取向的拉伸膜）中吸附了碘系色素（If或If等）的。这 种偏光膜通过将预先含有碘系色素的PVA膜进行单轴拉伸，或者在PVA膜进行单轴拉伸的同 时使其吸附碘系色素，或者PVA膜单轴拉伸之后使其吸附碘系色素等而制造。
[0003] IXD逐渐应用于台式机和手表等小型机器、笔记本电脑、液晶监视器、液晶彩色投 影仪、液晶电视机、车载导航系统、便携式电话、屋内外使用的计测机器等广泛的用途，近年 来越来越多应用于特别是小型笔记本电脑和便携式电话等个人用途，强烈要求偏振片的薄 型化。
[0004] 作为使构成偏振片的偏光膜薄型化的方法，已知有将在热塑性树脂膜的单面上形 成PVA层而成的叠层体进行拉伸、染色和干燥之后，根据需要将拉伸的热塑性树脂膜的层剥 离除去的方法(参照专利文献1和2等）。
[0005] 现有技术文献 专利文献1:国际申请公开W02010/100917号 专利文献2:日本专利第4691205号说明书。
【发明内容】
[0006] 但是，根据以往公知方法制造薄型偏光膜时，存在正交尼克尔状态下蓝色光泄露 多的问题。因此，本发明的目的在于提供正交尼克尔状态下蓝色光泄露少的薄型偏光膜及 其制造方法。
[0007] 本发明的发明人为了实现前述目的进行了深入的研究，结果发现在通过染色并拉 伸薄型PVA膜来制造偏光膜时，通过将所使用的含有碘系色素的染色浴的温度和在染色浴 中的浸渍时间控制在特定范围，就能够容易地获得通过拉曼光谱法测量截面而获得的膜的 厚度方向中央位置处与表面附近处各测量结果满足特定关系、且正交尼克尔状态下蓝色光 泄露少的以往所没有的薄型偏光膜，并基于该发现进行更为深入的研究而完成本发明。
[0008] SP，本发明涉及： 【1】一种偏光膜，在含有PVA的基材中吸附了碘系色素，厚度为25微米以下，正交尼克尔 状态下波长480nm处吸光度(A)与波长700nm处吸光度(B)的比例(A/B)为1.42以上。以下，将 该偏光膜有时称为偏光膜(1)。
[0009] 【2】一种偏光膜，在含有PVA的基材中吸附了碘系色素，厚度为25微米以下，设拉曼 光谱法测量所述偏光膜截面而获得的膜厚度方向中央位置处的310CHT 1处信号强度(Int31()) 与210CHT1处信号强度（Int21())的比例（Int31Vl nt21())为L，从膜的一侧表面开始沿厚度方向 向内部相对于厚度进入10%的位置处的310CHT1处信号强度（Int31())与210CHT 1处信号强度 (Int21，的比例（Int31Vlnt 21())为M，从膜的另一侧表面开始沿厚度方向向内部相对于厚度 进入10%的位置处的310CHT1处信号强度（Int 31())与210CHT1处信号强度（Int21())的比例 (Int 31Q/Int21Q)为N时(其中M < N)，2 XL/(M+N)是0.91以下。以下，将该偏光膜有时称为偏光 膜(2)。
[0010]【3】前述【2】的偏光膜，正交尼克尔状态下波长480nm处吸光度(A)与波长700nm处 吸光度(B)的比例(A/B)为1.42以上。
[0011]【4】前述【1】至【3】任一项的偏光膜，其中设偏光膜所含的碱金属的含量为X摩尔/ kg，偏光膜的厚度为Y微米时，式Z=XX log(Y)所示的Z为0.19以下。
[0012]【5】前述【1】至【4】任一项的偏光膜，其中单体透过率为40-45%。
[0013]【6】一种制造方法，是偏光膜的制造方法，包含染色和拉伸厚度为50微米以下的 PVA膜的步骤，其中染色通过将PVA膜浸渍在含有碘系色素的染色浴中来进行，染色浴的温 度为25°C以下，浸渍时间为1.5分钟以下。
[0014]发明效果 根据本发明，提供了正交尼克尔状态下蓝色光泄露少的薄型偏光膜。另外，根据本发 明，提供了能够容易制造该偏光膜的偏光膜的制造方法。
【具体实施方式】
[0015] 以下对本发明进行详细的说明。
[0016] (偏光膜） 本发明的偏光膜在含有PVA的基材中吸附了碘系色素。这种偏光膜可以通过将预先含 有碘系色素的PVA膜进行单轴拉伸，或者在PVA膜拉伸的同时使其吸附碘系色素，或者PVA膜 拉伸形成基材之后使其吸附碘系色素等而制造。
[0017] 本发明的偏光膜的厚度为25微米以下。通过使厚度为25微米以下，容易获得近些 年来要求的薄型偏振片。从该角度出发，偏光膜的厚度优选23微米以下，更优选20微米以 下，进一步优选10微米以下，特别优选5微米以下。并且，厚度过薄的偏光膜其制造困难，因 此偏光膜的厚度比如是1微米以上(比如2.5微米以上）。
[0018] 就构成本发明的一个方面的偏光膜（1)而言，其正交尼克尔状态下波长480nm处吸 光度(A)与波长700nm处吸光度(B)的比例(A/B)为1.42以上。通过使该比例(A/B)为1.42以 上，成为蓝色光泄露少的偏光膜。从该角度出发，该比例(A/B )优选1.43以上，更优选1.44以 上。另一方面，该比例(A/B)太过高时，红色光的泄露有增多的倾向，因此该比例(A/B)优选 为2以下，更优选为1.8以下，进一步优选1.6以下。并且，所述吸光度(A)和吸光度(B)可以使 用分光光度计求得，具体可以通过在实施例中后述的方法求得。
[0019] 另外，就构成本发明的另一个方面的偏光膜(2)而言，设拉曼光谱法测量所述偏光 膜截面而获得的膜厚度方向中央位置处的310CHT 1处信号强度（Int31())与210CHT1处信号强 度（Int 21())的比例（Int31Vlnt21())为L，从膜的一侧表面开始沿厚度方向向内部相对于厚度 进入10%的位置处的310CHT 1处信号强度（Int31())与210CHT1处信号强度（Int21())的比例 (Int 31()/Int21())为M，从膜的另一侧表面开始沿厚度方向向内部相对于厚度进入10%的位置 处的310CHT1处信号强度(Int31Q)与210CHT1处信号强度(Int 21Q)的比例（Int31Q/Int21Q)为N时 (其中]\^~)，2\17(]\?^)是0.91以下。
[0020] 在拉曼光谱法测量偏光膜的截面时，比如使用将目标偏光膜沿其厚度方向切割而 获得的试样，通过拉曼分光光度计进行拉曼光谱测量即可，具体而言，使用堀场制作所制造 的显微激光拉曼光谱测量装置(LabRAM ARAMIS VIS)等激光拉曼光谱测量装置，向前述试 样的目标测量位置照射波长532nm的激光进行拉曼光谱测量即可。然后，从如此获得的各目 标测量位置各处的310CHT 1处信号强度（Int31())与210CHT1处信号强度（Int21())，计算该位置 处的比例（Int 31()/Int21())。作为求出膜各位置处的比例（Int31()/Int 21())时更为具体的各种测 量方法乃至条件，可以分别采用实施例中后述的那些。并且，就偏光膜(2)规定的从膜的各 面沿厚度方向向内部相对于厚度进入10%的位置而言，比如在厚度为10微米的偏光膜的情 况下，该位置相当于从偏光膜的各面沿厚度方向向内部进入1微米(10微米X 1〇%=1微米)的 位置。虽然对本发明不构成任何限定，但认为膜各位置处的比例（Int31()/Int 21())仰赖于该位 置处15_存在量相对于13_存在量的比例。
[0021] 偏光膜(2)中，前述的2XL/(M+N)是0.91以下。通过使2XL/(M+N)是0.91以下，成 为正交尼克尔状态下蓝色光泄露少的偏光膜。从可以获得正交尼克尔状态下蓝色光泄露更 少的偏光膜的角度出发，2XL/(M+N)优选0.88以下，更优选0.85以下。并且，从降低正交尼 克尔状态下红色光泄露的角度出发，2 XL/(M+N)优选为0.01以上，更优选0.1以上，进一步 优选0.5以上。
[0022]偏光膜(2)从降低蓝色光泄露