多模光纤的设计和制造

多模光纤的设计和制造
【专利摘要】描述了一种用于设计和制造MMF的技术。该设计被实施以限制z(r,λ)相对于波长的最大变化，其中z(r,λ)是由波长的平方加权的介电常数。用在CWDM应用中的MMF被具体地描述了。
【专利说明】
多模光纤的设计和制造
[0001] 相关申请的交叉引用
[0002] 本申请要求2014年1月31日递交且标题为"CWDM-optimized MMF"的临时申请序列 号No. 61/934223的优先权。
技术领域
[0003] 本发明设及多模光纤(MMF)并且更具体地，设及对于稀疏波分复用（CWDM)应用优 化的运种光纤的设计和制造。
【背景技术】
[0004] 如Fleming等人在美国专利No. 7，421，174(2008)(通过引用将其结合在运里）中讨 论的，MMF设计的早期研究者认识到忍中的抛物线折射率轮廓显著地减小了光纤中的模间 色散。然而，他们假设该抛物线轮廓应当被优化并且应当对于全部传输波长和光纤成分相 同。该途径并未考虑建造光纤的不同材料成分中的折射率色散的变化。在1975年前后，Keck 和Olshansky认识到MMF中的忍和包层材料的色散特性的变化确实影响对于任意操作波长 的优化轮廓形状。在1975年9月9日公开的美国专利No. 3，904，268(通过引用将其结合在运 里）中，他们描述了现在用于计算光纤中的优化折射率轮廓形状的标准表示。在该表示中， 在小于忍半径a的任意半径r处，忍的折射率nc(r)由W下方程式给出：
[000引 nc(r)=nci[l-2A (r/a)a]i/2 (1)
[0006] 其中，A = (nci2-nc22)/化ci2，nci和nc2分别是在r = 0和r = a处的忍的折射率，并且入 是结合光纤作为传输介质的系统的工作波长。在认识到折射率色散〇Dpt的影响之前，轮廓形 状参数α的优化值被认为是对于全部光纤传输波长都等于二。
[0007] 该MMF设计的途径充满了多个困难。首先，需要ciDpt在光纤的整个工作带宽下独立 于波长。其次，它先验地对设计过程强加了折射率轮廓的形状(方程式(1))。
[000引此外，(ie渗杂剂通常被用来在MMF中形成接近抛物线的折射率轮廓。虽然MMF中的 Ge渗杂的折合率轮廓可W被优化(经由anpt，如上所述）W实现高带宽，但是Ge渗杂的二氧化 娃的高材料色散限制了高带宽区域的光谱宽度。已知P和F渗杂的二氧化娃二者都具有相对 于Ge渗杂的二氧化娃小得多的材料色散，并且由P渗杂剂和/或F渗杂剂制造的光纤具有比 传统的Ge渗杂的光纤宽得多的光谱宽度。然而，难W在预制件处理期间引入高P渗杂剂浓 度，因为P渗杂的二氧化娃具有高的蒸发压并且很大比例的P渗杂剂在预制件塌缩 (collapse)的过程中被烧掉。也难W保持含有高P浓度的圆形预制件忍，因为其相比于周围 的二氧化娃(通常是二氧化娃衬底管)具有低得多的粘性。
[0009] 此外，在暴露到氨或福射时，含有高P浓度的光纤具有显著地更高的增加的衰减， 其随着P渗杂剂浓度而单调地增加。因此，期望限制光纤忍中的P浓度。
[0010] 因此，诸如66、？、41、8、。的渗杂剂的组合需要满足由所需的〔胖1^操作所强加的材 料色散特性，W及解决上述制造议题。通常，MMF已经被使用其中折射率轮廓形状是双曲线 的所谓的"α轮廓"来分析并设计。运种过程可能太限制性，而不能在解决处理/制造议题的 同时实现期望的有效的CWDM优化的IMF。

【发明内容】

[0011]根据本发明的一个方面，一种宽带多模光纤包括:具有横向截面和纵向轴线的忍 区和围绕所述忍区的包层区，所述忍区被配置为用于在预定波长范围A内的波长λ下的宽 带操作。所述忍区和所述包层区被配置为支持光学福射同时W多个横模在所述忍区中并沿 着所述轴线的传播;即，该光纤是多模光纤(MMF)。所述忍区被共同渗杂有多种渗杂剂，所述 渗杂剂的浓度和分布在所述忍区的所述横向截面内径向地变化，使得所述忍区的折射率是 径向地渐变的并且使得ζ0-，λ)随着波长的变化被减小，其中 [001^
(2)
[0013] ko是波数，η0-，λ)是折射率轮廓，并且其中所述渗杂剂的所述浓度和分布也在所 述忍区的所述横向截面内径向地变化，使得，
[0014]
[0015] 其中Zci(A)是所述包层区的Ζ，并且El是容许系数。
[0016] 在本发明的一些实施方式中，对于CWDM引用优化的宽带MMF由纯二氧化娃或下渗 杂的二氧化娃外套（即，外套管）制成。下渗杂的二氧化娃外套具有相比于纯二氧化娃外套 更地的折射率并且允许W明显地更低的浓度将Ge、P、Al、B和F渗杂剂选择性地放置在忍中， W实现W下有利特性：（i)渐小的材料色散，（ii)加宽的用于CWDM应用的高带宽区域的光谱 宽度，和(i i i)渐小的从氨和福射暴露引入的衰减。
[0017] 根据本发明的另一个方面，一种制造宽带MMF的方法包括W下步骤:经由方程式 (2)和(3)确定忍区中的渗杂剂的浓度和分布轮廓，和将运些轮廓提供给制造 MMF的光纤预 制件的沉积系统的输入。预制件之后可W受到标准拉出操作，W产生多模光纤。
[0018] 根据本发明的一些实施方式，制造光纤的方法包括W下步骤：（i)确定光纤数据的 集合，包括例如期望性能特征、期望结构特征、期望的数值孔径和带宽、将被结合到忍区中 的具体渗杂剂，（ii)通过减小ζ0-，λ)随着波长的变化来建立用于产生每一个渗杂剂的渗杂 剂浓度轮廓的数值优化代码，其中，ζ0-，λ)由方程式(2)限定；W及(iii)向生产光纤预制件 的沉积系统提供渗杂剂浓度轮廓，其中每个渗杂剂在预制件的忍区中的浓度对应于输入的 轮廓。之后可W从预制件拉出期望的光纤。
[0019] 在本发明的运两个方面的优选实施方式中，ζ0-，λ)随着波长的变化被最小化。
【附图说明】
[0020] 本发明连同其各种特征和优点可W通过W下更加具体的描述、结合附图而被容易 地理解，在附图中：
[0021 ]图1Α是根据本发明的示意性实施方式的MMF的概要横向截面的部分剖视图；
[0022] 图1Β示出了图1Α的MMF的另一个实施方式的沿着光纤的直径的示意性折射率轮 廓；
[0023] 图1C示出了图1Α的MMF的再一个实施方式的沿着光纤的直径的另一个示意性折射 率轮廓；
[0024] 图2是对于类型α轮廓的光纤对比度（Δ )的计算图，其中
[0025]
[0026] 并且雌层分别等于图1B中的n〇c或图1C中的n〇c'。
[0027] 图3A和图3B示出了对于840-990nm的示意性操作波长窗口的相对偏差标准[方程 式(6)]的上界限（图3A)和下界限（图3B)。
[0028] 图4是示出了基于W下表达式的界限：
[0029]
[0030] 作为设计窗口波长从内部设计波长的偏离的函数；
[0031] 图5是示出了斜率参数(μ)如何选择的图；
[0032] 图6是根据本发明的示意性实施方式的、CWDM优化的MMF的计算的折射率轮廓，该 MMF具有0.2ΝΑ和50μπι忍直径并在具有Δ η = -0.0055的外套管内；
[003引图7Α是根据本发明的示意性实施方式的、在图6的CWDM优化的MMF的忍区中的Ge渗 杂剂的计算的折射率轮廓，其中MMF示意性地包括在低折射率外套内的渗杂有Ge、P和F的忍 区；
[0034] 图7B是根据本发明的示意性实施方式的、在图6的CWDM优化的MMF的忍区中的P渗 杂剂的计算的折射率轮廓，其中MMF示意性地包括在低折射率外套内的渗杂有Ge、P和F的忍 区；
[0035] 图7C是根据本发明的示意性实施方式的、在图6的CWDM优化的MMF的忍区中的F渗 杂剂的计算的折射率轮廓，其中MMF示意性地包括在低折射率外套内的渗杂有Ge、P和F的忍 区；
[0036] 图8是在根据本发明的示意性实施方式的、图6的CWDM优化的MMF的对应折射率轮 廓处的多个主模式组(PMG)的有效折射率差的计算图，其中MMF示意性地包括在低折射率外 套内的渗杂有Ge、P和F的忍区；
[0037] 图9A是根据本发明的示意性实施方式的、CWDM优化的MMF的计算的折射率轮廓，该 MMF具有0.2NA和50皿忍直径并在具有Δ n = -0.010的外套管内，其中，忍区被渗杂有Ge和F;
[0038] 图9B是在根据本发明的示意性实施方式的、图9A的CWDM优化的MMF的忍区中的Ge 渗杂剂的计算的折射率轮廓；
[0039] 图9C是在根据本发明的示意性实施方式的、图9A的CWDM优化的MMF的忍区中的F渗 杂剂的计算的折射率轮廓；
[0040] 图10A和图10B示出了在接近零折射率的区域中添加 P渗杂剂W减小粘性错配 (mismatch)和引入过量F渗杂剂W保持目标CWDM优化的折射率轮廓。图10A示出了P渗杂剂 轮廓和F渗杂剂轮廓的阶梯轮廓，而图10B示出了运些渗杂剂的渐变轮廓。在图10A中，接近 零折射率的区域在约10-15皿之间，在图10B中，接近零折射率的区域在约9-1祉m之间。
[0041] 图11示出了根据本发明的示意性实施方式的CWDM优化的和弯曲优化的MMF的示意 性折射率轮廓，其中沟槽已经被包括到设计中；和
[0042] 图12是用于描述将本发明实施在MMF的设计和制造中的示意性优化技术的示意框 图。
[0043] W上附图中的各个图是示意性地示出的，因为它们没有被按照比例绘制和/或考 虑到图示的简单和清楚，不包括描绘的实际的光纤或产品的全部细节。
[0044] 此外，在图6、图8、图9A和图11中，轮廓形状参数被指示为α = 2,其仅为示意性值。 总的来说，α可W取一些值，例如，日=2.08±0.1。
【具体实施方式】
[0045] 词汇表
[0046] 弯曲：宏弯曲（通常被简称为弯曲）在光纤弯曲、盘绕或卷曲时发生，使其曲率沿着 其长度的至少一部分相对恒定。相反，微弯曲在曲率在对于特定光纤的隔热长度尺度内（例 如，沿着毫米W下尺度的光纤长度)显著地改变时发生。运种微弯曲例如在标准微弯曲测试 中通过将光纤按压到砂纸上来形成。
[0047] 中间波长:在运里的讨论中提到的波长意图指的是表示具体光发射的中间波长的 波长，可W理解，全部运种发射具有包括中间波长之上和之下的波长的已知范围的特征线 宽度。
[0048] 玻璃光纤:运里描述的光纤类型基本是由玻璃(例如，二氧化娃)制成，其中，忍区 和包层区的折射率由一个或多个渗杂剂(例如，P、Al、Ge、F、Cl)的量和类型来控制或者通过 在光纤的制造过程中引入其中的中空空位来控制，如本领域中已知的。运些折射率W及忍 区/包层区的厚度/直径确定重要的操作参数，如本领域中已知的。
[0049] 折射率:术语折射率的单数和复数形式都表示折射率。在特定区域(例如，包层区） 包括微结构[例如，孔，无论是填充的（例如，具有低折射率玻璃、液体或固体)还是未填充的 (例如，空气孔）]的设计中，运种区域的折射率意图表示由在该区域中传播的光看到的平均 折射率。
[0050] 折射率轮廓:示意的折射率轮廓（例如，图1B到图1C)描绘了在光纤中可W观察到 的折射率的实际最小变化的平均值。此外，虽然折射率轮廓的各个区域可W被示出为矩形 的，但是运些区域的边界不需要是水平的或垂直的；一个或多个边界可W是倾斜的，例如， 区域可W是梯形或Ξ角形。
[0051] 模式:术语模式应当表示电磁波(例如，信号光，其包括在光学放大器的情况中被 放大的信号光或者在激光器的情况下的激励发射)的横模。
[0052] 多模:术语多模表示光纤能够支持同时传播多于一个模式。多模光纤W及少模光 纤都被包括在本发明的范围中。
[0053] 半径/直径：虽然在前述(和W下）讨论中使用术语半径和直径暗示各个区域的横 向截面(例如，忍、沟槽、包层)是圆形的和/或环形的，但是实践中，但是运些区域可W是非 环形的；例如，它们可W是矩形的、楠圆形的、多边形的、任意的或者其他更多复杂形状。然 而，如本领域中公知的，为了简单和清楚我们频繁地使用术语半径和/或直径。
[0054] 信号传播:虽然信号光可W实际上在沿着光纤传播时与光纤的纵向轴线交叉，但 是本领域都理解传播的一般方向被适当地陈述为沿着轴线(例如，图1的轴线10.5)。
[0055] 横向截面:术语横向截面表示光纤的在垂直于光纤的纵向轴线的平面中的截面。
[0056] 未渗杂的：术语未渗杂的或未有意渗杂的表示光纤的区域或用来形成运个区域的 起始管（staging tube)可W包括在制造过程中在该区域中未有意地添加或控制的渗杂 剂，但是该术语不排除可能在制造过程中固有地结合的低水平的背景渗杂。术语纯二氧化 娃表示二氧化娃体(例如，外包层)是未渗杂的。
[0057 ] 一般光纤结构
[005引根据本发明的一些实施方式，如图1A、图1B和图1C所示，多模、二氧化娃光纤10包 括由环形的、低折射率包层区10.4围绕的相对高折射率(η芯)的娃酸盐忍区10.1。包层区 10.4包括围绕内包层区10.2(折射率m。)的外包层区10.3 (折射率η。。），该内包层区10.2转 而围绕忍区10.1。因此，内包层区10.2从忍区10.1的外边缘10.6(在r = ；ra处)延伸到外包层 区10.3的内边缘10.7(在r = r。。处）。根据设计，外包层区10.3可W具有比内包层区10.2低的 折射率，即，n0c<nic(图1B)，或者具有比内包层区10.2高的折射率，即，11。。'〉山。（图10，或者 具有基本与内包层区10.2相等的折射率。即，n0c'~n0c(未示出）。
[0059] 此外，忍区10.1的折射率从在其中屯、(纵向轴线10.5)处或附近的最大值(η芯)渐变 到在其与内包层区10.2的界面10.6处的最小值(m。）。通常，渐变轮廓近似为抛物线。
[0060] 根据本发明的一些实施方式，忍区10.1包括共渗杂有适当量的一种或多种W下渗 杂剂的二氧化娃:P (例如，憐的氧化物，诸如P2化）、Ge (例如，错的氧化物，诸如Ge化）、A1 (例 如，侣的氧化物，诸如Al2〇3)和F。一般来说，P2〇5、Ge化和Al2〇3被用来增加二氧化娃的折射 率，而F被用来降低它。然而，重要地，共渗杂物的具体成分和在忍区内它们的分布由下文描 述的方程式(2)和(3)确定，W产生具有约0.2的NA和约780-1550nm的带宽的宽带MMF。
[0061 ] 设计宽带MMF的框架
[0062] W下阐述的内容描述了根据本发明的示意性实施方式的、可W应用到用在CWDM系 统中的MMF的设计途径。然而，本领域技术人员明白相同的途径可W被容易地应用到用在其 他应用中的MMF的设计。
[0063] 使用MMF在具体波段(例如780nm-155化m)上的CWDM操作对于在感兴趣的波长处的 MMF的有效模带宽化MB)施加了最小要求。例如，对于0M4光纤操作，最小EMB = 4700MHz-km， 而对于0M3光纤操作，最小EMB = 3500MHz-km。其他性能度量(诸如差分模式延迟(DMD))也可 W结合EMB或单独地采用。基于运些度量的令人满意的CWDM性能转而取决于由MMF支持的基 本模式结构一特别是诸如传播常数、群延迟和色散的模式特性的波长依赖性。
[0064] 在文献中，运些模式特性的波长依赖性的分析通常依赖于所谓的α轮廓[方程式 (1)]，其中折射率是抛物线（图2)。虽然该方法产生了对于单个波长操作的优化的折射率轮 廓，但是运种途径在设计用于CWDM操作的ΜΜ即寸太过局限性。我们提出了基于光传播方程式 的更加普遍的框架。
[0065] 在多模光纤中的光的传播由麦克斯韦方程式来掌控，该麦克斯韦方程式在弱导假 设下可W被减小到标量波动方程式。由方位角模式数（1)和径向模式数(m)表征的模形状 Fi,m(r，Φ ) =R(r) Φ ( Φ )可W由W下本征方程式描述：
[0069] 其中方程式(6)与方程式(2)相同并且已经假设了折射率轮廓n(r)的方位角对称。 R(r)和Φ ( Φ )是模式形状的径向和方位角成分，并且k〇 =化A是波数。
[0070] 方程式(4)是可W容易地对传播常数(β)和径向模式形状(R)二者求解的公知本征 值问题。因此，从方程式(4)-(6)，可W得出β、其相对于波长λ的导数和它们随着波长的变化 纯粹是ζ0-，λ)的函数，该函数如公式(6)中所限定的设及折射率轮廓和波数。换言之，一旦Ζ 0-，λ)已知，诸如相速度、群延迟和色散的模式特性随着波长的变化可W被唯一地确定。因 此，对于ΕΜΒ(或DMD)的波长依赖性的直接控制可W通过控制ζ0-，λ)随着波长的变化来实 施。
[0071] 基于W上讨论，通过减小（优选地，最小化)ζ0-，λ)随着波长的变化来设计了用于 CWDM(或其他形式的WDM)操作的创新性MMF。数学上，MMF被设计为使得：
[0072]
[0073] 其中方程式(6)与方程式(2)相同，Λ是期望波长范围（即，带宽），并且El是容许 系数。方程式(7)基于[z(r，λ)-z。l(λ)]随着波长的最大变化应当被限制到低于某一值的观 念。外包层区具有恒定折射率。因为光纤的导模由量[Ζ0-，λ)-ΖΕ?(λ)]来掌控，所W该量的波 长依赖性应当被考虑，而不仅仅考虑Ζ (r，λ)的波长依赖性。
[0074] 注意，Λ可W是诸如780nm-1550nm的连续波长范围或者一组离散的波长，诸如 (入1，人2，。，人山或者，可^选择^一组离散波长为中屯、的小波长区间，例如，50皿。注意，外包 层的贡献ΖΕ?(λ)已经被在方程式(7)中扣除，因为(在不具有明显损耗的状态下)传播的模具 有比外包层折射率高的有效折射率。项[z(r，λ)-z。l(λ)]用作在模传播观点下的势阱的目 的。
[0075] 或者，我们可W将最小-最大准则施加到[ζ0-，λ)-ΖΕ?(λ)]本身；即，
[0076] maximumAeA | [z(r ,λ)-ζ0ι(λ) ]-ed | < (8)
[0077] 其中，￡2是另一个容许系数，其不一定等于E2。在公知的优化原理中，最小-最大 准则意味着一些目标函数的最大值将被最小化。换言之，[z(r，λ)-z。l(λ)]在感兴趣的波长 范围上从期望值(ed)的最大偏离需要具有上界限。类似地，本领域技术人员可W容易地采 用其他基本指导原则是限制[Ζ0-，λ)-ΖΕ?(λ)]的波长变化的各种优化准则。本发明包括全部 运些准则。最小-最大准则在求解最差情况问题的领域中公知。例如，见Schjaer-化cobsen 等人的('Algorithms for Worst-C曰se Toler曰nee Optimiz曰tionIEEE Tr曰ns. Cir州its and Systems，Vol. CAS-26，No. 9，pp. 775-783(1979)，通过引用将其全部结合在运里。
[0078] 此外，我们可W使用[ζ0-，λ)-ΖΕ?(λ)]跨波长范围Λ的相对偏差作为优化准则：
[0079]
[0080] 期望的ed的一个选择可W是6<1=^^，人<〇-2。1^<〇]，其中设计波长人<1被适当地选 择为在操作波长范围A内并且Ερ= E2/ed。
[0081] 方程式(9)通过将方程式(8)相对于量ed归一化来得到。假设光纤在一个波长Ad处 被优化；即，忍区渗杂剂的渗杂剂轮廓被选择为使得光纤在该波长处具有最佳的可能的性 能(例如，EMB、DMD等）。由方程式(9)表示的归一化意味着仅需要关注[z(r，A)-ZcaW]相对 于6<1=^^，人<〇-2。1^<〇]的偏离。运种归一化仅仅允许度量￡0尽可能地独立于材料特性。 相反，未被归一化的度量E 2 [方程式(8)]依赖于在Ad处的材料特性，如可w从e p = e 2/ed看 到的。
[0082] 优化参数El、或Ep的具体值取决于期望波长范围AW及所需要的光纤性能。 例如，模式带宽或差分模式延迟(DMD)可W被限制到遵从0M4或0M3。更简单的量度可W是传 播模式的最差情况群延迟或RMS脉冲宽度。例如，ed可W被选择使得在基准波长Ad处的基准 折射率轮廓[即，n(r，Ad)]产生在Ad处的期望传输和带宽(例如，DMD)。此外，El和￡2被选择 为使得光纤在操作波长范围A内具有期望的传输和带宽(例如，DMD)性能。
[0083] 根据本发明的图示实施方式，相对偏离准则[方程式（9)]被用来建立Ερ的典型 值。为了该目的，选择了四个示意性波长窗口 ： 840-990nm、840-1120nm、1000-1330nm和780- 1550nm。分析了使用不同的渗杂剂组合的各种光纤设计，包括向下渗杂的外包层设计。所遵 从的每个设计可W具有比期望的波长窗口略微更宽的实际操作波长范围。对于每个设计， 为了适应性估计了
的上边界和下边界。
[0084] 图3A和图3B对于0M4级别的MMF的操作波长窗口 840-990nm分别示出了关于相对偏 离准则(方程式(9))的上边界和下边界。无论是否采用了下渗杂外包层设计，上边界和下边 界线性地跟随波长窗口限制，独立于包括的渗杂剂混和物。通过运种观察，可W经由线性曲 线拟合来估计Ep的合适值。虽然仅对于840-990nm设计窗口示出了拟合，但是也已经对于 其他的Ξ个设计窗口观察到相同的特征。对于全部设计窗口的运些上边界和下边界的值都 在表1中给出。
[0085] 表 1
[0086]
[0087] 光纤设计过程采用了可W在设计窗口（Λ=[λL，λu]，其中，λL和λu分别是上极限波 长和下极限波长）内的任意位置处的内部设计波长λ<ι。可W示出表1中的上边界和下边界分 别取决于λd-λL和λ<ι-λυ。对于所讨论的设计窗口，线性模型证明了充分的精确性，如图4所 示。因此，本发明的一个实施方式使用了 W下的准则来设计相对偏离准则方程式(9)的边界 Ε Ρ 〇
[008引 Ερ二 0·0018(λ 厂 λ0)+0·049 (10)
[0089] 其中设计窗口波长λ〇为或λυ。方程式（10)是图4中示出的线性曲线拟合。度量Ερ 的更加一般和清楚的形式可W如下所述地表示：
[0090] Ep，L二ai(Ad-AL)+ao, Ερ，υ二ai(Ad_Au)+a〇Ep二min( I Ep，L I , I Ερ，υ I )
[0091] (10a)
[0092] 其中，0<ai<0.00 化，0<日〇<0.05。
[0093] 设计过程的目的是在每个半径r处得到一组渗杂物浓度(例如，摩尔分数），使得方 程式(7)-(9)中的优化准则或者其任何变化形式被满足。为了使得所得到的设计是可实现 的，对各个渗杂剂浓度施加了附加的连续约束，作为半径r的函数。例如，从一个点到另一个 点的渗杂剂浓度的最大斜率(μ)可W被如下所述地约束：
[0094]
[00Μ]其中，Xd(r)是在半径r处的渗杂剂浓度，R是被考虑的半径的范围（例如，对于忍 区，0含r含rs)。再次，用于实现连续约束的可选数学表达式[例如，实施方程式（11)的有限 差分近似]都被包括在本发明中。
[00%] 连续约束参数μ
[0097]各种方法论可W被用来选择连续约束参数μ。一个途径开始于假设被考虑的渗杂 剂将被唯一地使用来实现数值孔径要求，同时考虑下渗杂的外包层区。（类似的途径应用到 诸如上渗杂外包层区和未渗杂的外包层区的其他设计。）使用数值孔径和示意性下渗杂要 求，可W容易地确定在光纤轴线处和在忍区与内包层区之间的界面处的渗杂剂浓度。
[009引在任何情况下，在光纤轴线(r = 0)处和在忍区/内包层界面(r = a)处的渗杂剂浓 度分别由和Xrfa表示，如图5所示。因此，跨忍区的渗杂剂浓度的最大可能斜率为：
[0099]
[0100] 其中丫是任意缩放参数并且a = rs。该算法可W被应用到具体设计中所考虑的全 部渗杂剂。一旦对于每个渗杂剂选择了连续约束参数μ，那么分析过程恢复到共渗杂设计； 良Ρ，方程式(8)-(9)被创建为优化代码的一部分;方程式（12)的连续约束也被结合到代码 中。之后，优化代码被运行W确定渗杂剂浓度轮廓，并且因此确定光纤设计。
[0101] 除了连续约束之外，也可W包括将各种处理议题囊括进优化过程的附加约束。示 例包括对具体渗杂剂浓度的限制W解决衰减问题和/或粘性错配议题。 帅]制作/制造过程
[0103] 在具体讨论本发明的多个【具体实施方式】之前，转向图12是有益的，图12描绘了用 于生产根据本发明的MMF预制件12.5和/或MMF光纤12.6的设计和制造系统12。更具体地，通 常先验地知道各种设计和性能特征，并且它们被作为输入提供到计算机(或计算机系统） 12.1。示意性性能特征输入12.11包括有效模带宽化MB)和差分模式延迟(DMD)中的一者或 两者。设计输入包括针对MMF的具体应用的数值孔径(NA)12.12和带宽（Λ )12.13。其他设计 输入包括与光纤的各个渗杂区域相关联的渗杂剂数据12.14;即，渗杂剂的类型(例如，Ge、 P、A1和/或它们的氧化物，W及F)、折射率与渗杂剂之间的关系W及将被渗杂的区域(例如， 忍区、沟槽区、内包层区或外包层区）。最终，任何结构特征12.15(例如，诸如沟槽的包层特 征)也被输入到计算机12.1，计算机根据上文表述的方程式(7)-(9)处理全部运些输入。
[0104] 计算机计算的输出是一组渗杂剂浓度轮廓12.16(每个轮廓对应于输入到计算机 12.1的每个渗杂剂）。运些轮廓作为向控制器12.2的输入，该控制器转而控制沉积系统12.3 (例如，MCVD系统）；即，各种玻璃层被沉积到合适的衬底上，并且运些层中的每一个都根据 渗杂剂轮廓12.16被渗杂(或不渗杂）W产生MMF预制件12.5。示意性地，玻璃层由MCVD在未 渗杂的玻璃衬底管内沉积。如此沉积的管之后塌缩w形成固体忍棒。之后，通过将忍棒放置 在另一个覆盖包层管(overclad tube)内而将忍棒被进一步覆盖包层。热和真空被用来一 同烙化忍棒和覆盖包层管W形成更大的预制件。示意性地，衬底管和覆盖包层管具有相同 的折射率。
[0105] 或者，覆盖包层处理也可W与光纤拉伸处理同时执行。在拉伸期间覆盖包层 (overclad-during-化aw，0孤）工艺中，忍棒被放置在覆盖包层管内，并且二者在被拉伸成 为光纤的过程中被一同烙化。
[0106] 在对弯曲不敏感的光纤的ODD的情况下，忍棒被放置在F渗杂的内管和另一个未渗 杂的二氧化娃外套管内。在光纤拉出之后，Ge-P-F忍位于未渗杂的二氧化娃[衬底]包层内， 该包层被F渗杂的内包层围绕且之后被未渗杂的外包层围绕。F渗杂的内管具有比衬底和外 套管更低的折射率。
[0107] 在任何情况下，预制件可W本质上或本身是中间产品，或者可W作为拉出塔的"输 入"，该拉出塔W标准方式将预制件拉出为MMF12.6。
[0刪设计过程
[0109] 编程到计算机12.1中的设计过程一般来说一步一步地按照下述程序。虽然该程序 描述了具有下渗杂的包层区10.4(图1A)的MMF的设计，其原则上可W被相等地应用到其他 MMF的设计，诸如具有上渗杂的外包层区或未渗杂的外包层区或者沟槽区的那些MMF的设 计。[短语下渗杂的包层区或仅下渗杂MMF表示整个包层区（内包层区和外包层区二者）的折 射率都低于纯二氧化娃的折射率。]
[0110] 步骤1: W下的量是先验地已知的：
[0111] a.指定光纤增量(delta)
的设计波长λ<ι，其中η芯和 η煙I分别是在光纤轴线10.5处和在忍-包层界面10.6处的忍区的折射率。
[0112] b.包层折射率差被给出为Δ η規=η規-ns，其中η银是包层区的折射率并且ns是在 波长Ad处的纯二氧化娃的折射率。注意，η银可W高于或低于ns，或者可W等于ns。
[011引C.宽带MMF被指定的波长窗口的下限和上限^，λυ)。
[0114] d.假设折射率的平方与渗杂剂浓度成比例；即，
[0115]
[0116] 其中，Xi是W摩尔分数比例表示的第i个渗杂剂的浓度，ηι,κ(λ4)是仅渗杂剂(没有 二氧化娃)的折射率，并且m^d)是在用特定渗杂剂渗杂纯二氧化娃之后的期望折射率。类 似地，Zi,R(Ad)是仅渗杂剂(没有二氧化娃)的Z，并且Ζι(λ<〇是在用特定渗杂剂渗杂纯二氧化 娃之后的期望Ζ，并且Zs(Ad)是纯的二氧化娃的Ζ。然而，当折射率的平方不严格地与渗杂剂 浓度成比例时，仍然可W使用该方法论来计算由给定渗杂剂引起的所需折射率，并且之后 基于实验数据计算所需的渗杂剂浓度。
[0117] e.选择在光纤轴线上的除了 Ge化之外的全部渗杂剂浓度。基于可制造性的公知的 最大限制被用来估计运些渗杂剂浓度。之后，该设计将对于运些渗杂剂浓度的不同值进行 重复。
[0118] 步骤2:确定在光纤轴线处和在包层区内的渗杂剂浓度：
[0119] a.从Δ η規确定在包层区的氣浓度，Xf,银，如下所述：
[0120] 雌jg=An規+ris (13)
[0121]
(14)
[0122] b.从Δ确定在光纤轴线上的渗杂剂浓度，如下所述：
[0125] 步骤3:通过W下方式来选择优化容许参数Ερ:
[0126] Ep,L = ai(Ad-AL)+ao; Ερ,υ=3?(λ(?-λυ)+3〇 (17)
[0127] ep=min( I Ep,l| , I Ερ,υΙ ) (18)
[012 引 其中 0<ai<0.00 化，0<日0<0.05。
[0129]步骤4:建立W下优化问题：
[0133] 使得渗杂剂浓度极限被满足：
[0134] Xi,L<Xi(r) <Xi,u (21)
[0135] 并且渗杂剂浓度连续性约束被满足：
[0136]
[0137] 其中，Xi,L和Xi,u是渗杂剂浓度的下边界和上边界，Xi,o是在光纤轴线处的渗杂剂浓 度，并且Xi,a是在忍/包层界面处的渗杂剂浓度，a是光纤忍半径。
[013引步骤5:在计算机12.1中数值地解出步骤4中的优化问题。
[0139] 步骤6:对在步骤1中限定的输入参数重复进行设计。
[0140] 减小材料色散来增加光谱宽度
[0141] 在之后的示例中，根据本发明的示意性宽带二氧化娃MMF设计被配置为减小在主 要(或主)模式组上的材料色散贡献，W增加光纤的光谱宽度。
[01创示例(a):在低折射率外套管内的Ge-P-F忍
[0143] 该示例描述了宽带二氧化娃MMF的设计，其中忍区被渗杂有Ge、P和F。忍区被沉积 在低折射率二氧化娃外套管内，并且之后被塌缩W形成忍棒。
[0144] CWDM优化的MMF光纤预制件是通过将Ge-P-F渗杂的二氧化娃沉积在低折射率衬底 管内并随后再由另一个低折射率覆盖包层外套覆盖包层来制成的。特定浓度的Ge、P和F渗 杂剂被沉积在不同的忍径向位置。渗杂剂类型和浓度被选择为将P渗杂的和F渗杂的二氧化 娃对于增加用于CWDM优化的MMF操作的高带宽波长范围的光谱宽度的材料贡献最大化。具 体地，更多主模式组(PMG)将被在主要渗杂有P和F的径向区域中引导，并且更少的PMG将被 在Ge渗杂的区域中引导，即，在图7A的忍区的截面的零到约14WI1之间的部分中。
[0145] 低折射率介质和覆盖包层外套管允许使用低浓度的Ge和P渗杂剂，同时保持与传 统的MMF类似的折射率轮廓。更低的Ge渗杂剂浓度减小其材料色散贡献，运使得MMF光谱宽 度变窄。此外，折射率轮廓的相当大的径向部分(即，在约14μπι与25WI1之间的径向部分)唯一 地由具有低材料色散的Ρ渗杂剂或F渗杂剂做成。
[0146] 更低的Ρ渗杂剂浓度减小了在光纤被暴露到氨或福射时引起的衰减。
[0147] 图6示出了具有0.2ΝΑ和50μπι忍直径的创造性的CWDM优化的MMF的总的（或合成)折 射率轮廓。MMF在具有-0.005加 Ν的低折射率二氧化娃外套内做成。(DN是表示折射率对比度 A η的符号。）F渗杂的或Β渗杂的或者F和Β共渗杂的外套管可W被用于本发明的该实施方 式。F渗杂的外套管是优选的，因为其热膨胀系数与GP-F渗杂的二氧化娃忍区更兼容。然而， 可W使用具有在-0.0012DN与-0.015DN之间的不同折射率的外套管。
[0148] 表2示出了对应于图6中示出的MMF折射率轮廓的不同径向位置的渗杂剂类型。对 于不同渗杂剂的分布连同它们的近似分布轮廓给出内部或外部径向位置。
[0149] 表2
[0150]
[0151] 由运Ξ种渗杂剂产生的折射率轮廓在图7Α、图7Β和图7C中示出。在表2中，Ge渗杂 物的浓度轮廓被说是渐变的；实际上，渐变是抛物线的。MMF目标折射率轮廓是运些轮廓的 合成。此外，短语接近线性的被用来表征P和F渗杂剂浓度轮廓。术语接近并不是量化的，但 是也不是关键的，并且本领域技术人员对其非常理解。此外，从设计立场可W足够理解运些 轮廓是随着光纤位置(半径)增加而单调地减小的。
[0152] 图7A示出了由在创造性的CWDM优化的MMF的忍区域中的Ge渗杂剂形成的折射率轮 廓。(?渗杂剂贡献了0.0048DN的最大值，其有利地是传统的MMF中的DN的Ξ分之一。另一个 有利特征:相比于传统MMF中的25皿，(?渗杂剂被局限到约14.1皿半径内。运些特征对于带 宽具有重要影响；即，因为Ge渗杂剂具有比P渗杂剂和F渗杂剂高得多的材料色散，所W更小 的Ge渗杂剂贡献连同P渗杂剂和F渗杂剂的更大的贡献导致了在创造性的CWDM优化的MMF中 的宽得多的光谱宽度。
[0153] 图7B示出了由在创造性的CWDM优化的MMF的忍区域中的F渗杂剂形成的折射率轮 廓。P渗杂剂在忍区域的约Η.?μπι内贡献了0.004DN的最大值折射率，W减小由氨或福射引 起的衰减。此外，Ρ渗杂剂在约14.1和19.5皿之间迅速地减小。
[0154] 图7C示出了由在创造性的CWDM优化的MMF的忍区域中的F渗杂剂形成的折射率轮 廓。F渗杂剂在约19.5皿与254111内对于折射率轮廓有贡献，并且具有0.00550加勺最大值折射 率幅度，从而在25μπι径向位置处与F渗杂的外套管匹配。
[0155] MMF通常具有大量的传播模式(例如，100个模式）。具有非常相似有效折射率的运 些模式中的一些被分组到一起，从而形成主模式组(PMG)。每个MMF具有多个PMG，并且每个 PMG包括多个模式。例如，具有0.2ΝΑ和50皿忍直径的MMF具有19个PMG，并且每个PMG包括具 有非常近似的有效折射率的多个模式。图8示出了对应于上述MMF的折射率轮廓的多个PMG 的有效折射率差。
[0156] 此外，不同模式组的有效折射率可W被评价并与对应于折射率轮廓的径向位置相 关联。径向位置可W转而与具体的渗杂物贡献相关联。例如PMG-1中的neff比二氧化娃高 7.21χ1〇Λ并且该neff对应于MMF折射率轮廓中的7.35皿径向位置。PMG-5中的neff比二氧化 娃高4.29χ10-3且对应于13.65WI1光纤径向位置。对于不同的PMG的neff和对应的光纤径向位 置在表3中示出。第4、第5和第6栏分别示出了Ge、P和巧参杂剂的折射率贡献，WDN表示。最后 Ξ栏示出了来自于运些渗杂剂的百分比折射率贡献。
[0157] 在传统MMF中，所有的模式组都由来自于Ge渗杂剂的更高的折射率支持。在创造性 的CWDM优化的MMF中，Ge渗杂剂有利地仅贡献PMG-1的45%和PMG-5的仅7% sGe渗杂剂对于 PMG-6到PMG-19不具有任何贡献。P渗杂剂贡献PMG-1的55%并且对于?16-4到?16-10具有更 高的贡献。对于从PMG-11到PMG-19的更高的PMG的贡献主要是唯一地由于F渗杂剂。因为Ge 渗杂剂具有比P渗杂剂和F渗杂剂高得多的材料色散，所W更小的Ge渗杂剂贡献连同来自P 渗杂剂和F渗杂剂的更大的贡献导致了在创造性的CWDM优化的MMF中的宽得多的光谱宽度。 [015引 表3
[0159]
[0160] 虽然示例（a)的MMF是在具有-0.0055DN的低折射率管中做出的，但是其他CWDM优 化的IMF设计可W用具有在ο. OOODN与-ο. 015DN之间的折射率的管做出。
[0161] 示例(b):在低折射率外套管内的Ge-F忍
[0162] 该示例描述了宽带二氧化娃MMF的设计，其中忍区被渗杂有Ge和F。忍区被形成在 低折射率(-0.010DN)二氧化娃外套管内，并且之后被塌缩W形成忍棒。
[0163] CWDM优化的MMF也被制成为具有沉积在低折射率外套内的Ge-F忍区域，如图9A中 示出的折射率轮廓所示。由Ge渗杂剂和F渗杂剂形成的折射率轮廓分别在图9B和图9C中示 出。(?渗杂的二氧化娃对于前四个PMG有贡献，但是有利地具有比传统的MMF中在对应的模 式组处的G浓度低得多的Ge浓度。模式组PMG-5到PMG-19中的信号仅在具有小得多的材料色 散的F渗杂的二氧化娃中传播。该设计导致了适合于CDWM应用的更宽的光谱宽度。表4A示出 了在支持前四个模式组的波导区域中的Ge渗杂剂的浓度(摩尔％)。（表4B示出了对应的Ge 折射率。）在该CWDM优化的设计中，前四个模式组有利地在相比于传统的MMF仅包括约五分 之一到二十分之一的Ge浓度的镜像区域中传播，运因为更小的来自于Ge渗杂剂的材料色散 而导致了更宽的光谱宽度。更高级数的模式组由本创造性MM的受计中的F渗杂的区域支持。 通过假设渗杂有10摩尔％的66化的二氧化娃具有比二氧化娃的折射率高0.0146DN的折射 率，来估计Ge浓度。（然而，该假设并不是关键的。）
[0164]
[01化]示例(C):跨忍减小粘性错配
[0166] 在图9A中示出的光纤折射率轮廓中，忍区的在13.2WI1径向位置附近的中央部分具 有净零折射率差。通过几乎不具有任何显著量的渗杂剂We和F)，该区域具有比含有显著的 渗杂剂浓度的周围区域明显更高的粘性。该夹置在相对低粘性区域之间的高粘性区域在预 制件塌缩期间弯曲和变形。此外，忍区的中央的明显粘性错配也增加了光纤衰减。
[0167] 因为P渗杂剂极大地减小二氧化娃的粘性，所W在接近零的折射率区域引入少量 的P渗杂剂浓度减小了粘性错配。接近零的折射率在±〇.〇〇lDN之间，其对应于约ΙΟμπι到 15.6皿的径向区域。
[016引图10Α和图10Β示出了创造性的CWDM优化的ΜΜ的受计，其通过在接近零折射率区域 中添加 P渗杂剂来达到了显著地减小粘性错配W及引入F渗杂剂来保持目标CWDM优化的折 射率轮廓。图10A示出了P和F渗杂剂轮廓的阶梯轮廓，并且图10B示出了运些渗杂剂的渐变 轮廓。阶梯轮廓可W通过在预制件处理期间的化学渗杂的径向变化连同在光纤拉出期间的 热扩散来实现。
[0169] 应当理解，上述布置仅仅是可W想到来代表本发明的原理的应用的许多可能的实 施方式的示意。本领域技术人员可W根据运些原理得出大量的和变化的其他布置，而不背 离本发明的精神和范围。具体地，本发明的设计框架也可W应用到可能用在WDM或DWDM(密 集WDM)长距离系统中的共渗杂的、少模光纤。此外，本发明也可W被配置为解决弯曲损耗问 题和/或氨敏感性问题，如下所述。
[0170] 弯曲优化和CWDM优化的MMF
[0171] CWDM优化的MMF可W通过在包层区(通常为内包层区）中引入沟槽而被制成弯曲优 化的，如图11中示出的折射率轮廓所示。现有技术中已知，沟槽的位置、宽度和折射率深度 可W被选择W保持弯曲光纤的带宽并且也减小弯曲引起的衰减。因为沟槽用来保持弯曲光 纤中的模式结构，所W增加沟槽不会使得针对CWDM应用的大光谱带宽劣化。
[017。减小氨敏感性
[0173] 为了进一步减小氨引入的衰减，密封涂层可W被涂布到创造性的CWDM优化的MMF， W减慢氨扩散速率。密封涂层示意性地由碳、金属或氮化娃制成。
[0174] 此外，氨获得层可W被引入到外包层区中。氨获得层可W由Ge渗杂的或P渗杂的二 氧化娃制成，其对于氨具有高的反应性。在暴露到氨时，扩散的氨分子与获得层反应，并且 变得不能移动。因为反应后的氨分子保持为远离忍区域，所W它们不引起传播的光信号的 显著的衰减。此外，氨敏感性可W通过在光纤拉出之后使用大量的已知技术来纯化光纤来 减小。全部运些敏感性减小方法可W被独立地或彼此结合地应用。
【主权项】
1. 一种宽带多模光纤，包括： 具有横向截面和纵向轴线的芯区，所述芯区被配置为用于在预定波长范围Λ内的波长 λ下的宽带操作，和 围绕所述芯区的包层区， 所述芯区和所述包层区被配置为支持光学辐射同时以多个横模在所述芯区中并沿着 所述轴线的传播， 所述芯区被共同掺杂有多种掺杂剂，所述掺杂剂的浓度和分布在所述芯区的所述横向 截面内径向地变化，使得所述芯区的折射率是径向地渐变的并且使得ζ(Γ，λ)随着波长的变 化被减小，其中r是半径，λ是所述光学辐射的波长，η是所述芯区的折射率，k〇 = 2VA是波数，并且其中 所述掺杂剂的所述浓度和分布也在所述芯区的所述横向截面内径向地变化，使得，其中^ι(λ)是所述包层区的z，并且是被选择为使得所述光纤在所述工作波长范围 Λ内具有期望的传输和带宽性能的容许系数。2. 根据权利要求1所述的光纤，其中，所述掺杂剂的所述浓度和分布在所述芯区的横向 截面内径向地变化，使得其中，6<] = 2(1'，1(：1)-2。1(>(：1)，设计波长\(：16人，62是被选择为使得所述光纤在所述工作 波长范围Λ内具有期望的传输和带宽性能的容许系数。3. 根据权利要求2所述的光纤，其中，所述掺杂剂的所述浓度和分布在所述芯区的横向 截面内径向地变化，使得其中，Gp是优化容许参数，使得Gp = h/ed。4. 根据权利要求3所述的光纤，其中，对于具有下波长界限k和上波长界限λυ的设计波 长窗口来说，所述掺杂剂的所述浓度和分布在所述芯区的横向截面内径向地变化，使得 ^ p, l = ai (Ad-AL) +ao ； ￡P,u = ai (Ad-λυ) +ao ep=min( I eP)L| , I ep；u|) 其中0 < ai < 0.0025，0 < a〇 < 0.05，并且人<!是在所述窗口内的设计波长。5. 根据权利要求1所述的光纤，其中，所述掺杂剂中每一个的浓度由径向浓度轮廓表 示，并且所述掺杂剂中每一个的所述浓度轮廓的最大斜率满足其中Xd(r)是在半径r处的掺杂剂浓度，R是被考虑的半径的范围，μ由只= 给出，γ =0.5-2.5,其中Ido是在r = 0处的掺杂剂浓度并且是在r = a处的掺杂剂浓 度。6. 根据权利要求1所述的光纤，其中， 所述光纤包括二氧化硅，被设计为在CWDM系统中工作并具有约0.2的NA， 所述芯区被共同掺杂有Ge、P和F，具有α = 2.08 ±0.1的抛物线折射率轮廓，并且具有约 50μηι的直径， 所述Ge掺杂物的折射率轮廓从在所述轴线处的最大值渐变到在约14μπι的半径处的零， 所述Ρ掺杂物的折射率轮廓从所述轴线到约14μπι的半径是基本均匀的并且之后渐变到 在约19μπι的半径处的零，和 所述F掺杂物的折射率轮廓从所述轴线到约19μπι的半径是基本均匀的并且之后渐变到 在约25μπι的半径处的零。7. 根据权利要求1所述的光纤，其中， 所述光纤包括二氧化硅，被设计为在CWDM系统中工作并具有约0.2的ΝΑ， 所述芯区被共同掺杂有Ge和F，具有α = 2.08 ± 0.1的抛物线折射率轮廓，并且具有约50 μπι的直径， 所述Ge掺杂物的折射率轮廓从在所述轴线处的最大值渐变到在约13μπι的半径处的零， 和 所述F掺杂物的折射率轮廓从所述轴线到约13μπι的半径是基本均匀的并且之后渐变到 在约25μπι的半径处的零。8. 根据权利要求7所述的光纤，其中， 所述光纤的所述折射率轮廓在约1〇_15μπι之间的径向部分中具有基本上净零的折射率 差，所述区域具有比围绕所述部分的区域更高的二氧化硅粘性，并且 其中，所述部分被掺杂有Ρ以减小其粘性。9. 根据权利要求1所述的光纤，其中，所述掺杂剂的所述浓度和分布在所述芯区的所述 横向截面内径向地变化，使得ζ(Γ，λ)随着波长的所述变化被最小化。10. -种制造光纤的方法，包括以下步骤： (a) 确定光纤的期望性能特征，至少包括芯区、内包层区和外包层区， (b) 确定光纤的期望结构特征， (c) 确定光纤的数值孔径和带宽， (d) 确定将被结合到光纤的芯区中的掺杂剂， (e) 通过减小ζ(Γ，λ)随着波长的变化来建立用于产生所述掺杂剂中每一个的掺杂剂浓 度轮廓的数值优化代码，其中，，r是半径，λ是波长，η是芯区的折射 率并且ko = 2π/λ是波数，和(f) 向生产光纤预制件的沉积系统提供掺杂剂浓度轮廓，其中每个掺杂剂在芯区中的 浓度对应于输入的轮廓。11. 根据权利要求10所述的方法，还包括从预制件拉出光纤的步骤。12. 根据权利要求10所述的方法，其中，在步骤(e)中，ζ(Γ，λ)随着波长的变化被如下所 述地减小：其中，Λ是期望的带宽，ζ^(λ)是内包层区的z，并且￡:是被选择为使得所述光纤在所 述工作波长范围Λ内具有期望的传输和带宽性能的容许系数。13. 根据权利要求12所述的方法，其中，所述减小步骤是如下所述的最小-最大运算：其中，6<] = 2(1'，1(：1)-2。1(>(：1)，设计波长\(：16人，62是被选择为使得所述光纤在所述工作 波长范围Λ内具有期望的传输和带宽性能的容许系数。14. 根据权利要求13所述的方法，其中，所述减小步骤如下所述的最小-最大运算：其中，Gp是优化容许参数，使得Gp = h/ed。15. 根据权利要求10所述的方法，其中，步骤(e)包括通过将ζ(Γ，λ)随着波长的变化最 小化，来建立用于产生所述掺杂剂中每一个的掺杂剂浓度轮廓的数值优化代码。16. 根据权利要求11所述的方法，其中，所述光纤是适合用在CWDM系统中的多模光纤。
【文档编号】G02B6/02GK105829928SQ201580003260
【公开日】2016年8月3日
【申请日】2015年1月30日
【发明人】K·巴尔玛蒂, J·W·弗莱明, 金真基, R·L·灵戈, R·舒伯金, D·维德雅, M·F·彦
【申请人】Ofs菲特尔有限责任公司