发光装置的制作方法

1.本公开涉及发光器件，并更具体地涉及高效发光器件(例如，通过包含量子点和与规定量的量子点共混的一种或多种电荷传输材料的发光层)。这些发光器件可以在显示应用(例如高分辨率、多色显示)中实现。本公开进一步涉及制造所述发光器件的方法及其配置。


背景技术：

2.量子点(quantum dot，qd)是包括核、壳和配体结构的纳米晶半导体材料。qd的一特征是量子限制效应，从qd发射的光的波长取决于qd尺寸。此外，与其他发光器件(如有机半导体)相比，qd能够发射具有更高的色纯度的光且产生具有更高的内量子效率(internal quantum efficiency，iqe)的光。在将qd应用至光电子器件(如发光器件)中，这些特性已经引起了大量的关注。
3.常规的qd-led可以包括夹在空穴传输层(hole transport layer,htl)与电子传输层(electron transport layer,etl)之间的qd发光eml(emissive layer,发光层)。由于etl的导带(conduction band，cb)与qd层的导带之间的良好匹配，在qd-led中,从etl至eml的电荷注入通常是有效的。然而，qd-led通常遭受从htl至eml的相对不良的空穴注入。
4.这种不良的空穴注入通常是eml的htl与qd之间的界面处的显著的能量势垒(其价带(valence band，vb)最高可达7ev)以及由于使用了基本上绝缘的有机配体这两者的结果。结果导致进入eml的低效率的电荷平衡。与这种不平衡电荷相关的两个问题是：电荷在电荷传输层(charge transport layer，ctl)(例如，htl)与发光层的qd的界面处累积，以及从一个ctl(例如，htl)到相对的ctl(例如，etl)电荷逾渗穿过发光层，导致辐射发射的显著淬灭。这些因素导致跨器件结构的电流泄漏，以及此类器件的效率的降低。
5.因此，实现具有增强的电荷平衡的qd以防止跨结构的电流泄漏是主要的挑战。已经研究和开发了几种从etl到qd中的电子注入的策略，以补偿较低效的空穴注入机制。这些策略包括改造过的空穴传输材料，以及在与eml的界面处添加电荷阻挡层。大多数克服这个缺点的策略涉及设计过的qd、htl和etl、或在qd与ctl之间插入电荷阻挡层。这些策略中的大多数在制造过程中要求额外步骤或对htl、etl或qd的化学设计和合成增加更多的复杂性。
6.因此，需要改进qd-led的性能和效率。


技术实现要素：

7.根据本公开的一方面，qd-led装置包括基板以及设置在该基板上第一电极层。承载有第一组量子点的发射层与所述第一电极层电耦合。第二电极层与该发射层电耦合。该第二电极层相对于发射层与该第一电极层相对配置。第一电荷传输层设置在该发射层和该第一电极层之间，第二电荷传输层被配置在该发射层与该第二电极层之间。该第一电荷传输层和该第二电荷传输层中的至少一个包括一第二组量子点。
8.在一实施方式中，该第一组量子点和该第二组量子点中的量子点在结构上相同。在另一实施方式中，所述第一电荷传输层和所述第二电荷传输层中至少一个中的qd浓度在0.1wt％至20wt％的范围内。在另一实施方式中，所述第一电荷传输层和所述第二电荷传输层中的至少一个包含有机半导体。所述有机半导体被配置为具有空穴传输特性。可选地，所述有机半导体被配置为具有电子传输特性。
9.在另一实施方式中，所述第一电荷传输层和所述第二电荷传输层中的至少一个包含无机半导体。该无机半导体被配置为具有空穴传输特性。该空穴传输特性是被空穴传输金属氧化物纳米颗粒赋予的，所述空穴传输金属氧化物纳米颗粒包含选自v族、vi族、ix族、x族或xi族的金属。可选地，所述无机半导体被配置为具有电子传输特性。该电子传输特性是被电子传输金属氧化物纳米颗粒赋予的，所述电子传输金属氧化物纳米颗粒包含选自i族、iv族、xii族、xiii族或xiv族的金属。该无机半导体包括具有3nm至20nm范围内的纳米颗粒尺寸的金属氧化物纳米颗粒。此外，所述第一电荷传输层和所述第二电荷传输层中的至少一个包含金属氧化物纳米颗粒，所述金属氧化物纳米颗粒的尺寸等于或小于所述第二组量子点中的量子点。
10.在另一实施方式中，所述第一电荷传输层和所述第二电荷传输层中的至少一个包括多个电荷传输子层。所述多个电荷传输子层中的每一个具有不同大小的金属氧化物纳米颗粒。可选地，所述多个电荷传输子层根据每一电荷传输子层的电子传输金属氧化物纳米颗粒尺寸按升序沉积。在另一实施方式中，所述第一电荷传输层和所述第二电荷传输层中的至少一个具有不同大小的金属氧化物纳米颗粒共混物。在另一实施方式中，所述纳米颗粒共混物中的至少一种包含具有等于或小于所述第二组量子点中的量子点的尺寸的金属氧化物纳米颗粒。
11.在一些实施方式中，所述第二组量子点随机地分散在所述第一电荷传输层和所述第二电荷传输层中的至少一个中。可选地，在另一实施方式中，所述第二组量子点在所述第一电荷传输层和所述第二电荷传输层中的至少一个中具有渐变的分散。
附图说明
12.结合附图一起阅读时，从以下详细描述中最佳地理解示例性公开的方面。不同特征不是按比例绘制的，为了讨论的清楚起见，不同特征的尺寸可以任意增大或缩小。
13.图1示出了常规qd-led结构的常规二极管的正视图。
14.图2a示出了常规qd-led结构的ctl/eml部分的能级图。
15.图2b示出了常规qd-led结构的ctl/eml界面的一部分的剖切正视图。
16.图3示出了根据本公开的示例性实现方式的qd结合到其中一个ctl中的qd-led结构的一部分的剖切正视图。
17.图4a示出了根据本公开的示例性实施方式的常规单核-壳qd的图。
18.图4b示出了根据本公开的示例性实施方式的常规核-多壳qd的图。
19.图5a示出了根据本公开的示例性实施方式的qd-led的ctl/eml界面的能级图。
20.图5b示出了根据本公开的示例性实施方式的qd-led的ctl/eml界面的一部分的剖视图。
21.图6a示出了根据本公开的示例性实施方式的第一替代性qd-led的ctl/eml界面的
能级图。
22.图6b示出了根据本公开的示例性实施方式的第一替代性qd-led的ctl/eml界面的一部分的剖视图。
23.图7a示出了根据本公开的示例性实施方式的第二替代性qd-led的ctl/eml界面的能级图。
24.图7b示出了根据本公开的示例性实施方式的第二替代性qd-led的ctl/eml界面的一部分的剖视图。
25.图8示出了根据本公开示例性实施方式的qd-led的ctl/eml界面的一部分的剖视图，其中qd渐变分布在htl中。
26.图9示出了根据本公开示例性实施方式的qd-led的ctl/eml界面的一部分的剖视图，qd随机地分布在htl中。
27.图10示出了根据本公开的示例性实施方式的qd-led的ctl/eml界面的一部分的剖切正视图，其中qd渐变分布在etl中。
28.图11示出根据本公开的示例性实现方式的qd-led的ctl/eml界面的一部分的剖切正视图，其中qd随机分布在etl中。
具体实施方式
29.以下描述包含与本公开中的实施例有关的具体信息。本公开中的附图及其附图说明仅涉及实施例。然而，本公开并不仅限于这些实施例。本领域技术人员将想到本公开的其他变形和实施方式。除非另外指出，否则附图中相同或相应的元件可以由相同或相应的附图标记表示。此外，本公开中的附图和说明通常不是按比例的，并不旨在对应于实际的相对尺寸。
30.为了一致性和易于理解的目的，相似的特征可以由示例图中的标号来标识(尽管在一些示例中未示出)。然而，在不同实施方式的特征可以在其他方面不同，且因此不应局限于附图中所示出的。
31.本描述使用短语“在一个实施方式中”、或“在一些实施方式中”，这些短语各自可以指代相同或不同的实施方式中的一个或多个。术语“耦合”被定义为连接，无论是直接地还是间接地通过介入部件，且不一定限于物理连接。当使用术语“包括”时是指“包括，但不必限于”；它确切地在如此描述的组合、组、系列和等效物中指代不限成员名额或成员资格。
32.另外，出于解释和非限制的目的，阐述了例如功能实体、技术、协议、标准等具体细节以便提供对所描述技术的理解。在其他例子中，省略对众所周知的方法、技术、系统、架构等的详细描述，使得不会以不必要的细节模糊描述。
33.现在将参考附图描述本公开的实施方式，其中相同的附图标记始终用于表示相同的元件。将理解的是，附图不一定按比例绘制。
34.本公开描述了一种增强的qd-led层结构和制造这种结构的相关方法，通过将qd结合在上述ctl中的至少一种中来改进该eml内的电荷平衡。公开了示例性结构，这些结构可以提供改进的qd和etl的界面以及在qd-led的eml中的增强电荷平衡。
35.参考图1，示出了示例性发光二极管(led)100。led100包括基板101、第一电极102、第一ctl103、eml104、第二ctl105和第二电极106。在电极与eml104之间可以存在另外的层，
例如一个或多个电荷注入层、电荷传输层以及电荷阻挡层。本公开描述了一种“直接”(也称为“标准”或“常规”)结构，其中第一电极102更靠近基板101并为阳极，且在阳极(第一电极102)与eml104之间的任何层(例如，第一ctl103)是空穴传输层(htl)、空穴注入层(hil)或电子阻挡层(ebl)。因此，第二电极106远离基板101且为阴极，阴极(第二电极106)与eml104之间的任何层(例如，第二ctl105)为etl、电子注入层(eil)、电子阻挡层(ebl)或空穴阻挡层(hbl)。
36.当向led100施加电偏压时，空穴(未示出)从阳极(例如，第一电极102)传输并且注入到eml104中，电子(未示出)从阴极(例如，第二电极106)传导并且注入到eml104中。空穴和电子在eml104中在有机半导体材料或qd处辐射复合，从而产生光。辐射复合是指发射光子时电子从无机半导体的导带(如果是有机半导体，则为最低未占分子轨道(lumo))到价带(如果是有机半导体，则为最高占据分子轨道(homo))的直接带间跃迁。该光的一部分从led100结构射出该结构可由外部观察者感知，从而提供了发光装置。光可通过基板101发射，在这种情况下，led100被称为“底部发射”，或者可与基板101对向地发射，在这种情况下，该装置被称为“顶部发射”。
37.第一ctl103(例如，htl)、eml104、以及第二ctl105(例如，etl)层可以溶液加工，且薄膜可以通过任意适当的方法形成，这些方法包括但不限于旋涂、刮刀涂覆、喷墨印刷、线材涂覆、槽模涂覆、凹版印刷、丝网印刷以及滴落涂布。
38.继续参考图1，基板101可以由任意合适的材料制成。示例性基板可以包括玻璃基板和聚合物基板。基板的材料的更具体实例包括聚酰亚胺，聚乙烯，聚乙烯，聚酯，聚碳酸酯，聚醚砜，聚丙烯和/或聚醚醚酮。基板101可以是任何合适的形状和尺寸。第一ctl103(例如，htl)可以包括一个或多个层，其被配置用于将空穴从第一电极102(例如，阳极)传输到eml104。第一ctl103(例如，htl)可由任何适合的材料制成。在倒置结构中，第二ctl105将是htl。
39.在某些实施方式中，htl、第一ctl103(如果倒置，则为第二ctl105)可以包括以下一种或多种：聚(3，4-亚乙基二氧噻吩)：聚(苯乙烯磺酸盐)(pedot：pss)、聚(9，9-二辛基芴-共-n-(4-仲丁基苯基)-二苯胺)(tfb)、聚(9-乙烯基咔唑)(pvk)、聚(n，n
’‑
双(4-丁基苯基)-n，n
’‑
双苯基联苯胺)(聚-tpd)、金属氧化物材料(例如，v2o5、nio、cuo、wo3和/或moo3)、以及有机小分子材料(例如，2，3，5，6-四氟-7，7，8，8-四氰基醌二甲烷(f4tcnq)，1，4，5，8，9，11-六氮杂苯甲腈(hatcn)、n4，n4
’‑
双(4-(6-((3-乙基氧杂环丁烷-3-基)甲氧基)己基)苯基)-n4，n4'-二苯基联苯基-4，4
’‑
二胺(otpd)、n4，n4
’‑
双(4-(6-((3-乙基氧杂环丁烷-3-基)甲氧基)己氧基)苯基)-n4，n4
’‑
双(4-甲氧基苯基)联苯基-4，4
’‑
二胺(qupd)、和/或n，n
’‑
(4，4
”‑
(环己烷-1，1-二基)双(4，1-亚苯基))双(n-(4-(6-(2-乙基氧杂环丁烷-2-基氧基)己基)苯基)-3，4，5-三氟苯胺)(x-f6-tapc))。
40.在其中htl(例如，第一ctl103(如果倒置，则第二ctl105))包括多于一层的实施方式中，各层之一的材料可以不同于一个或多个其他层中的材料。在ctl103包含多于一层的其他实施例中，相应层的材料可相同。etl(例如，第二ctl105(如果倒置，则第一ctl103))可以包括金属氧化物，如zno、mg
x
zn
1-x
o(其中0≤x≤1)、al
x
zn
1-x
o(其中0≤x≤1)、ga
x
zn
1-x
o(其中0≤x≤1)、以及li
x
zn
1-x
o(其中0≤x≤1)、sno2、tio2和zro2。
41.参照图2a和图2b，示出了常规qd-led200的ctl/eml界面，包括htl201、eml202和
etl203。图2a示出了显示电荷注入的能级图，其中，来自两个ctl(例如，htl 201和etl203)的空穴204和电子205以不相等的效率移动到eml202中。尤其是，从htl201至eml202的空穴注入206通常比从etl203至eml202的电子注入207的效率更低。
42.这些电荷的部分(例如，空穴204和电子205)在eml202的qd内辐射复合并产生光子209，但是一些电荷210将通过在对向的ctl(例如，htl 201和etl203)的界面处累积以继续穿透eml202。该机制导致所示的电荷累积以及不平衡的电荷注入。在一些示例中，htl/eml界面211a和/或etl/eml界面211b处的累积电荷210的一部分经由与积累在ctl(例如，htl201和etl203)中的电荷或与ctl的缺陷状态213的非辐射复合212猝灭。此复合会产生跨结构的电流泄漏，因此使工作退化(例如，产生高驱动电压和电流、低效率和短装置寿命)。图2b示出了在图2a的示图中示出的htl201、eml202和etl203的层结构的实例。
43.参考图3，可以将少量qd301掺入ctl(例如，第一ctl302或第二ctl 304)(在这种情况下，第一ctl302)中的至少一者中。多个qd301可以作为辐射复合状态，使得过量电荷从相对的第二ctl304跨eml303移动。第一ctl302或第二ctl304可包括有机或无机半导体。在无机纳米颗粒(nano particle,np)半导体(如金属氧化物np)的情况下，优选np大小等于或小于5nm，或具有不同np大小的ctl np的共混物，其中至少一组etl np小于5nm。这主要是因为具有更小qd尺寸(通常》5nm)的ctl np使得通过钝化发射层缺陷来改进qd层的均匀性。在某些实施方式中，可以在eml303的底部和/或顶部上沉积两个或更多个连续的ctl层。
44.一种被选择用于将qd放置和/或混合到至少一个ctl(例如，第一ctl302或第二ctl304)中的溶剂的特征可以是与该一个或多个ctl分散体的可混溶兼容性。示例性溶剂可以包括但不限于：氯仿，直链或支链烷烃(例如，戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、十一烷、十二烷)，直链或支链醇(例如，丁醇、2-丙醇、丙醇、乙醇、甲醇)，单卤素、二卤素和三卤素取代的苯(例如，氯苯、1，2-二溴苯、1，3-二溴苯、1，4-二溴苯、1，3，5-三溴苯、1，2，4-三溴苯)，直链或支链的醚，和/或单烷基、二烷基和三烷基取代的苯(例如，甲苯、1，2-二甲基苯、1，3-二甲基苯、1，4-二甲基苯)。
45.在一些实施方式中，qd溶剂交换可以用于在适合的溶剂(例如，与用于分散ctl化合物的溶剂可混溶的溶剂)中转移qd。在一些实施方式中，上述qd可以与eml303的qd相同。在一些其他实施方式中，上述qd可不同于发射层的qd。ctl溶液中的qd浓度可以在从0.1wt％至20wt％的范围内。溶液中ctl材料的浓度可以在从0.1wt％至20wt％的范围内。可以向分散体中加入分散剂、稳定剂或添加剂以提高配方的化学稳定性。在一些实施方式中，结合到ctl(例如，第一ctl302或第二ctl304)中的qd纳米颗粒可在沉积之后用从60℃至210℃的温度范围进行热处理。在一些实施方式中，结合到ctl(例如，第一ctl302或第二ctl304)中的qd在沉积之后可以不处理。在一些其他实施例中，结合到ctl中的qd可以在不同温度下真空干燥，从室温开始到210℃。这些实施例中的退火时间可在30秒至12小时之间变化。
46.所公开的配置具有若干潜在优点。首先，可以通过扩大空穴和电子可辐射复合的结构的区域来改进辐射复合。另外，跨结构的渐变qd分布可促使电流泄漏和驱动电压的减小、电荷注入效率的提高(例如，较高内量子效率)和电荷平衡的改进。最后，通过增加器件的寿命，具有增强的电荷平衡的qd-led可以减少整个结构上的电荷积累。
47.参照图4a，示出了量子点400的示意图。量子点核401和壳402的实例可以包括以下
中的一种或多种：inp，cdse，cds，cdse
xs1-x
，cdte，cd
x
zn
1-x
se，cd
x
zn
1-x
seys
1-y
，znse，zns，znste，znsete，abx3形式的钙钛矿，znwcuzin
1-(w+z)
s，碳，其中0≤w，x，y，z≤1，(w+z)≤1。所形成的核401和壳402可以被配体405包围。配体405可以钝化核-壳量子点400中的晶体缺陷，在一些实施方式中，可以改善在一些溶剂中的溶解度以及将电荷从ctl传输至eml。配体405的示例性实施方式是长链有机配体、短链有机配体、无机分子配体和/或无机离子配体。
48.在一个示例性实施方式中，qd400的外表面可以与电子传输配体405结合。这些配体405具有电子传导性质以改善电子从etl(未示出)向qd400表面的注入。示例性电子传输配体405可以包括烷基、烯基、炔基或芳基(直链、支链或环状)、羧酸、不饱和及饱和酸(例如，辛酸、十二烷酸、油酸)等。配体405的其他实现方式可以包括诸如磷酸酯、亚膦酸酯或硫醇酯基团的化合物。示例性无机分子配体可以包括金属-有机络合物等。示例性无机离子配体可以包括过渡金属(例如，zn
2+
)等。
49.在其他示例性实施方式中，qd400的外表面可以与空穴传输配体405结合。这些配体405具有空穴传导特性以有效地将正电荷载流子从htl(未显示)传输到qd400表面。示例性空穴传输配体405可以包括具有1至20个碳原子的烷基、脂环族、芳香族、叔胺、乙烯(直链或支链的)胺；具有1至60个碳原子的一价(或二价或三价)烷基、烯基、炔基或芳基(直链、支链或环状的)膦或氧化膦；具有1至30个碳原子的烷基、烯基、炔基或芳基(直链、支链或环状的)硫醇等等。示例性无机分子配体可以包括金属-有机络合物等。示例性无机离子配体可以包括卤化物(例如，i-、br-和cl-)、硫族化物(例如，s
2-、se
2-、te
2-)、硫氰酸酯(scn-)。
50.用于分散qd400的示例性溶剂包括但不限于：丙酮、二氯甲烷、氯仿、乙酸乙酯、直链或支链烷烃(例如，戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、十一烷、十二烷)，直链或支链醇(例如，丁醇、2-丙醇、丙醇、乙醇、甲醇)，直链或支链的烷氧基醇(例如2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇)，单、二和三卤素取代的苯类(例如，氯苯、1，2-二溴苯、1，3-二溴苯、1，4-二溴苯、1，3，5-三溴苯、1，2，4-三溴苯)，线性或支链醚，和/或一、二和三烷基取代的苯(例如，甲苯、1，2-二甲苯、1，3-二甲苯、1，4-二甲苯)。溶液的总浓度可以在0.1wt％至20wt％的范围内。一些实施方式可能需要qd溶剂交换以匹配电荷传输材料的可混溶性和沉积要求。
51.应当理解的是，虽然本公开主要将qd视为如图4a所示的核-壳(例如，核401、壳402)qd，但是在一些实施方式中，qd可以不是核-壳型，或者也可以是如图4b所示的核-多壳型(例如，核401、内壳403、外壳404)。非核壳型qd可以由一种或多种上述材料制成，并且根据本发明的qd可以不包括核壳结构。
52.参照图5a和图5b，在一实施方式中，在eml503和etl504的基础上，qd-led结构500的一部分还包括结合有少量qd502的htl501。从etl504移动到eml503的电子电荷505将通过在eml503内发射光子来部分复合507，同时空穴电荷508从htl501移动到eml503(509)。在将不平衡的电荷注入eml503的qd中之后，部分电子电荷505将穿过eml503移动510到htl501内的qd502中。这些电子505与传输穿过htl501的空穴508辐射复合511。预计eml503之外的该复合机制在驱动电压高于qd-led500的开启电压(turn-on voltage，von)时发生。如图5b所示，在本实施方式中，htl501中的qd502可以渐变分布在htl501内，其在更靠近eml503而非靠近玻璃基板101(例如，如图1所示)处具有更高密度。
53.参照图6a和图6b，在另一具体实施方式中，qd-led结构600的一部分包括htl601、eml602以及结合有少量qd604的etl603。从etl603移动到eml602中的电子电荷605将与从
htl601移动到eml602的空穴607部分地复合，从而在eml602内发射光子。伴随不平衡电荷注入eml602中，该空穴607的一部分移动609穿过eml602并进入etl603内的qd604中。上述空穴607与etl603内传输的电子605辐射复合610。预计eml602之外的该复合机制在驱动电压高于qd-led600的开启电压(von)时发生。在一些实施方式中，可以通过etl603材料中的缺陷状态611的密度来促进将过量空穴607注入etl603中。如图6b所示，期望qd604随机地分布在etl603内。
54.参考图7a和图7b，在另一实施方式中，qd-led结构700的一部分包括：结合少量qd702的htl701、eml703和结合少量qd705的etl704。从htl701移动707的空穴706以及从etl704移动709进入eml703的电子708将在eml703内部分地复合710，并且在eml703内发射光子。在不平衡电荷注入eml703之后，剩余的空穴706移动711穿过eml703、剩余的电子708移动712穿过eml703，分别进入etl704内的qd705和htl701内的qd702。那些空穴706和电子708分别与etl704内传输的电子708辐射复合713，以及与穿过htl701传输的空穴706辐射复合714。对于qd-led700，预计eml703之外的这种复合机制在驱动电压高于导通电压(von)时发生，并同时发生进入eml703的不平衡电荷机制。在一些实施例中，可通过缺陷状态715到etl704材料中的密度来促进过量空穴706到etl704中的注入711。
55.参考图7b，并入ctl(例如，htl701和etl704)中的qd702和705可以如下渐变分布：htl701中的qd702可比靠近玻璃基板101更靠近eml703具有更高的密度(例如，如图1所示)。etl704中的qd705可以随机地分布在etl704内。然而，在一些实施例中，该渐变分布可以不同于上述分布，因为这严格地取决于qd，以及在各种qd-led结构中使用的ctl材料。
56.在上述不同实施方式中，无机ctl材料可以包括金属和基于金属的纳米颗粒。有机ctl材料可以包括包含碳和氢原子以及(但不限于)例如氮、硫和氧的杂原子的分子或聚合物。通常，在qd-led结构中，htl是有机ctl，etl是无机ctl。然而，一些实施方式可以具有作为无机ctl的htl和etl、作为有机ctl的htl和etl，或者无机htl作为ctl，且有机etl作为ctl。
57.参考图8-图11，示出和描述了qd在ctl中的各种分布。通常，分布可以是随机的或渐变的。在随机分布中，不存在分布函数(例如，在相/三维空间中单位体积的纳米颗粒数目)可以限定qd跨ctl的分布。相反，渐变分布具有分布函数，且可以确定qd分布函数。
58.图8示出了在htl802中渐变分布的qd801的示例(例如，qd801被设置为更接近eml803，与etl804相对)。分布图805示出在一维空间中的分布的表示。如图所示，分布图805表示htl802内相对于沿着z轴(例如，垂直向下)的位置的qd801的浓度，其中，qd801的浓度在htl802和eml803的边界处最高，并且随着距该边界的距离的增加而逐渐减小。图9示出了在htl902中随机分布的qd901的实例，还示出了eml903和etl904。图10示出了在etl1004中渐变分布的qd1001的示例(例如，qd1001被设置为更接近eml1003，与htl1002相对)。分布图1005示出在一维空间中的分布的表示。如图所示，分布图1005表示相对于etl1004内沿z轴(例如，垂直向上)的位置的qd1001的浓度，其中qd1001的浓度在etl1004和eml1003的边界处最高，并且随着距该边界的距离增加而逐渐减小。图11示出了在etl1104中随机分布的qd1101的实例，还示出了eml1103和htl1102。在其他实施方式中，其他类型的qd浓度分布也是可能的。
59.根据本发明，在不脱离本公开中所描述的概念的范围的情况下，可以使用不同技
术来实现这些概念。虽然已经具体参考某些实施方式描述了概念，但是本领域技术人员可以认识到，在不脱离那些概念的范围的情况下，可以在形式和细节上做出改变。这样，所描述的实施方式在所有方面都被认为是说明性的而不是限制性的。还应当理解的是，虽然本公开不限于以上描述的实施方式，但在不脱离本公开的范围的情况下，许多其他重排、修改和替换是可能的。