专利名称：可减少磁漏的阴极射线管装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及配有偏转系统的阴极射线管(CRT)装置，特别涉及减少从偏转系统泄漏的磁场的技术。
近年来，在北欧就与CRT装置产生的低频磁场有关的问题进行了研究。认为这样的磁场可能影响人的身体。尤其是在瑞典，已建立了例如MPR II和TCO标准等的标准，其目的是抑制从偏转系统泄漏或特别是从水平偏转线圈泄漏的磁场。以下将从偏转系统或从水平偏转线圈泄漏的磁场称为“磁漏”。为了满足由那些标准规定的泄漏界限，应该对CRT装置进行必须的测量，以减少磁漏。
为了减少磁漏，已提出了一种技术。作为这种技术的一个实例，在与从偏转系统泄漏的磁场方向相反的方向上产生“抵消磁场”。为此，“抵消线圈”用于产生抵消磁场，以便抵消磁漏。
使用抵消线圈的CRT装置披露于日本专利申请特开平3-165428(称为第一现有技术)和特开平6-176714(称为第二现有技术)中。
对于在第一现有技术中公开的CRT装置来说，用于减少磁漏的抵消线圈设置于偏转系统的上部，并且将电流提供给抵消线圈以便产生抵消磁场。图1表示第一现有技术的水平偏转线圈27和抵消线圈28的示意性电路图。
如图1所示，水平偏转线圈27和抵消线圈28串联连接。由于水平偏转电流流过抵消线圈28和水平偏转线圈27，因而抵消线圈28可产生随水平偏转线圈27的磁漏改变而改变的抵消磁场。抵消线圈28设置成可在适当的方向产生抵消磁场以抵消磁漏。
同时，对于在第二现有技术中公开的CRT装置来说，用于减少磁漏的抵消线圈由闭合的电路绕组构成并设置于CRT的各上部和下部以便面对偏转系统。图2表示第二现有技术的水平偏转线圈37和抵消线圈38的示意性电路图。
如图2所示，由闭合的电路绕组构成的抵消线圈38面对偏转系统37地设置。利用这种结构，在抵消线圈38中产生随从水平偏转磁场产生的磁漏改变而改变的电动势。利用该电动势，抵消线圈38在适当方向上产生抵消磁场以抵消磁漏。
可是，使用分别在第一和第二现有技术中所述技术的CRT装置存在下列问题。
就第一现有技术而言，偏转电流需要流过对水平偏转没有贡献的抵消线圈28。因而不必要地消耗功率，并且除此之外，偏转灵敏度可能被降低。
就第二现有技术而言，不必对抵消线圈38供电，因而没有第一现有技术中的问题。可是，第二现有技术存在另外的问题。如果从偏转系统泄漏的磁场对人体有害，那么应该减少CRT面板前面的磁漏，这是用户最期望的。可是，抵消线圈38设置在CRT的上部和下部并且面对偏转系统，以便在最要求减少磁漏的重要位置可有效地减少磁漏。为了减少在该位置的磁漏，可减少形成抵消线圈38的匝数。然而，抵消线圈38匝数的减少本身还对水平偏转磁场产生不利影响。
如同磁漏一样，电场泄漏也要符合瑞典MPR II和TCO标准。电场泄漏主要是由于包括在偏转系统中的相面对的偏转线圈之间的电压差产生的电场被泄漏到外部。在例如日本专利申请特开平5-207404(称为第三现有技术)中披露了可减少这种电场泄漏的技术。
对于在第三现有技术中披露的CRT装置来说，配置反向的电压供给装置，以提供具有与施加给偏转线圈的偏转电压波形的极性相反的极性的电压。此外，电极设置在面板侧的CRT内壁的顶部和底部。反向电压供给装置对该对电极提供反向的电压。这能够使电极产生其极性与VLMF(极低磁场)泄漏(即，不希望的VLMF泄漏)相反的电场。具有相反极性的电场可抵消不希望的VLMF泄漏。
可是，使用第三现有技术的技术，还需要提供反向电压供给装置。除此之外，用该技术不能减少磁漏。
因此，本发明的第一目的是提供一种低成本的具有简单结构的可防止不希望的功率消耗和减少磁漏的CRT装置。
本发明的第二目的是提供一种低成本的具有简单结构的可防止不希望的功率消耗和减少磁漏和电场泄漏的CRT装置用下列结构的阴极射线管装置可实现本发明的第一目的，该阴极射线管装置包括具有面板和锥体的阴极射线管；设置在锥体的颈部内且将电子束发射到面板内表面上的电子枪；设置于锥体上颈部并使电子枪发射的电子束偏转的偏转系统；和抵消线圈，该抵消线圈具有至少一个闭合环线圈且与偏转系统的磁漏磁链接，并产生在一个方向上的磁场以便抵消磁漏，其中各闭合环线圈设置在第一位置或第二位置，第一位置在阴极射线管的顶部，闭合环线圈的一部分沿面板有效显示区域的顶部边缘设置，第二位置在阴极射线管的底部，并且闭合环线圈的一部分沿所述有效显示区域的底部边缘设置。
利用该结构，使CRT的磁漏与闭合环线圈链接，从而可抵消磁漏。由于沿有效显示区域的顶部或底部边缘布置闭合环线圈，因而可使在最需要减少磁漏的重要位置上产生的磁漏与闭合环线圈链接。因此，实际上可最大地获得抵消磁漏的效果而不会干扰图象显示。
优选地，阴极射线管装置的闭合环线圈还到达面板的右侧和左侧角部附近和面板侧的偏转系统的开口附近。
由此，在从面板到面板侧的水平线圈的开口的空间中产生的磁漏与闭合环线圈链接。结果，可更有效地抵消磁漏。
用该阴极射线管装置可实现本发明的第二目的，其中抵消线圈的闭合环线圈在闭合环线圈的一个点接地。更具体地说，闭合环线圈用作电场泄漏的屏蔽并由此减少从偏转系统泄漏的电场。
本发明的第二目的还可由下列结构的阴极射线管装置来实现，该装置包括具有面板和锥体的阴极射线管；设置在锥体的颈部内且将电子束发射到面板内表面上的电子枪；一个偏转系统包括一个水平偏转线圈，它设置于锥体的颈部并使电子枪发射的电子束偏转；流过电流的第一线圈，该电流与流过水平偏转线圈中的偏转电流变化同步地变化；和第二线圈，该第二线圈具有至少一个闭合环线圈且与偏转系统的磁漏磁链接，并在一个方向上产生一个磁场以便抵消磁漏，其中各闭合环线圈的一部分与第一线圈磁耦合，以便产生电动势，该电动势导致在与磁漏链接产生的磁场相同的方向上的磁场，从而进一步抵消磁漏。
利用该结构，通过在闭合环线圈与第一线圈之间的磁耦合，在闭合环线圈中产生电动势，其中流过第一线圈的电流与水平偏转电流同步地变化。利用该电动势，闭合环线圈产生在适当的方向上的磁场(即抵消磁场)以进一步抵消磁漏。与闭合环线圈不与第一线圈磁耦合的情况相比，可产生更强的抵消磁场。此外，通过调节磁耦合的强度可容易地调整抵消磁场的强度。
优选地，阴极射线管装置的闭合环线圈的一部分围绕校正线圈设置，以与校正线圈磁耦合。由此，可容易地调整在闭合环线圈与差动线圈之间的磁耦合。通过改变围绕第一线圈设置的闭合环线圈的匝数可调整抵消磁场的强度。
根据结合展示本发明特定实施例的附图进行的下列描述，可明了本发明的这些和其它目的、优点和特征。附图中图1是第一现有技术的水平偏转线圈和抵消线圈的示意性电路图；图2是第二现有技术的水平偏转线圈和抵消线圈的示意性电路图；图3是本发明第一实施例的CRT装置的透视外部图；图4是第一实施例的CRT装置的示意性正视图；图5是第一实施例的CRT装置的后视图；图6是帮助说明由闭合环线圈产生的抵消磁场与偏转系统的磁漏之间关系的图，其中该关系是从图4所示的CRT装置的左侧观察的；图7是表示在第一实施例中测量的磁漏结果的表；图8表示测量磁漏的位置；图9是表示在第一实施例中测量的电场泄漏结果的表；图10是本发明第二实施例的CRT装置的透视外部图；图11A是第二实施例的CRT装置的水平偏转线圈、差动线圈和闭合环线圈的示意性电路图；图11B表示将水平偏转电流提供给水平偏转线圈和差动线圈的水平输出电路；图12表示在第二实施例中闭合环线圈的一部分围绕差动线圈设置；图13表示在第二实施例中差动线圈与闭合环线圈之间磁耦合部分的结构实例；图14是表示在第二实施例中测量的磁漏结果的表；和图15是表示在第二实施例中测量的电场泄漏结果的表。
下面参照
本发明的实施例。
第一实施例图3是本发明第一实施例的CRT装置的透视外部图。图4是CRT装置的示意性正视图，而图5是CRT装置的后视图。
如图3所示，本发明的CRT装置包括CRT1、偏转系统2、电子枪11、增强带(或防爆带)3、第一闭合线圈5和第二闭合线圈6。CRT1包括面板1a和锥体1b。偏转系统2包括上(北极侧)水平偏转线圈2a、下(南极侧)水平偏转线圈2b、垂直偏转线圈(未示出)和磁芯(未示出)。电子枪11装在颈部1c内。增强带3设置在面板1a的外边缘。
增强带3一般由金属构成并设置成可牢固地覆盖在面板1a与锥体1b的连接部分上，用于防止CRT着火或爆炸。第一至第四个耳朵状的部件(简单地称为“耳朵”)4a-4d分别形成在增强带3的四个角上。注意，为便于说明，在图4中未示出增强带3和四个耳朵4a-4d。
如图4和图5所示，在面板1a的上部设置第一闭合环线圈5。更明确地讲，第一闭合环线圈5正好设置在其内电子束进行荧光屏光栅扫描的有效显示区域40的顶部边缘40a之上。同时，第一闭合环线圈5设置在面板侧的第一耳朵4a和第二耳朵4b下并在上水平偏转线圈2a的开口附近。同时，第二闭合环线圈6设置在面板1a的下部。更明确地讲，第二闭合环线圈6正好设置在有效显示区域40的底部边缘40a的下面，同时在面板侧的第三耳朵4c和第四耳朵4d的上面并在下水平偏转线圈2b的开口附近。用粘结剂或自助胶带将第一闭合环线圈5和第二闭合环线圈6固定到CRT1和增强带3上以便它们不误对准。
第一闭合环线圈5和第二闭合环线圈6分别设置在耳朵4a和4b的下面，和4c和4d的上面，并且还以这样的方式设置以便它们包围CRT1的面板1a和锥体1b。利用这种设置，从面板1a或锥体1b泄漏到外部的磁场与第一闭合环线圈5或第二闭合环线圈6链接。
第一闭合环线圈5和第二闭合环线圈6还分别设置在面板侧的上水平偏转线圈2a和下水平偏转线圈2b处。利用这种设置，泄漏到偏转系统2前面的磁场也与第一闭合环线圈5和第二闭合环线圈6形成链接。
已知在垂直方向上的磁漏主要是由于水平偏转磁场引起的。这意味着磁漏随水平偏转磁场的周期变化而变化。同时，从第一闭合环线圈5和第二闭合环线圈6产生与水平偏转磁场的变化相抵触的电动势。利用该电动势，各第一闭合环线圈5和第二闭合环线圈6在与磁漏相反的方向上产生磁场即抵消磁场。通过抵消从最接近用户的面板1a到泄漏源附近的宽空间中产生的泄漏磁场，抵消磁场可减少磁漏。
第一闭合环线圈5和第二闭合环线圈6分别通过接地线5a和5b接地。这样，可屏蔽电场泄漏并由此防止其增大。
下面详细说明减少磁场和电场泄漏的效果。图6是帮助说明由第一闭合环线圈5和第二闭合环线圈6产生的抵消磁场与偏转系统2的磁漏之间关系的图，其中该关系是从图4所示的CRT装置的左侧观察的。
如早先所述，第一闭合环线圈5设置在偏转系统2的上面，而第二闭合环线圈6设置在偏转系统2的下面。照那样，偏转系统2的磁漏7与第一闭合环线圈5和第二闭合环线圈6构成链接。其中，按照磁漏7的周期变化，流过第一闭合环线圈5和第二闭合环线圈6的感应电流变化，于是产生抵消磁场8。如图6所示，第一闭合环线圈5和第二闭合环线圈6用作一对作为产生抵消磁场8的抵消线圈。
对磁漏7的抵消作用随各第一闭合环线圈5和第二闭合环线圈6的设置位置而变化。在本实施例中，适当确定第一闭合环线圈5和第二闭合环线圈6的各设置方向，以便产生具有相反极性的抵消磁场8和有效地抵消磁漏7。
尽管这种设置肯定会阻碍用户的观看，但理想的仍是使第一闭合环线圈5和第二闭合环线圈6水平地跨过面板1a的有效显示区域40和位于与CRT1的轴平行的平面内。利用线圈5和6的这种理想设置，磁漏7和抵消磁场8的矢量方向彼此相对，从而可最有效地抵消磁漏7。这是由于，如图6所示，设置各闭合环线圈5和6，使包括闭合环线圈5和6的平面垂直于包括磁漏7的平面，即意味着从闭合环线圈5和6产生其矢量与磁漏的矢量相差180°的抵消磁场。
图6中所示的状态是抵消磁漏的理想状态。实际上，正如所述，如果第一闭合环线圈5和第二闭合环线圈6水平地跨过面板1a的有效显示区域40，那么它们将阻碍用户的观看。当然，本发明的CRT装置不能采用图6中所示的配置。
在本实施例中，如图4所示，第一闭合环线圈5和第二闭合环线圈6分别沿有效显示区域40的顶部边缘40a和底部边缘40b设置，以便在实际应用中获得最大的抵消效果。正如容易被理解的，闭合环线圈5和6的各设置位置在实际应用中没有问题。
在本实施例的情况下将作为抵消线圈的闭合环线圈设置在面板1a的上部和下部更好。可是，闭合环线圈可以设置在面板1a的上部或下部。利用仅设置在上部的闭合环线圈，将主要抵消偏转系统2上部的磁漏。而利用仅设置在面板1a下部的闭合环线圈，将主要抵消偏转系统2下部的磁漏。显然，当闭合环线圈可以设置在面板1a的上部和下部时，可有效地抵消偏转系统2上部和下部的磁漏。
抵消线圈可以由多于两个的闭合环线圈构成。例如，当三个闭合环线圈用作抵消线圈时，两个线圈可以设置在CRT1的上部，而其余的闭合环线圈可以设置在CRT1的下部。
由于第一闭合环线圈5和第二闭合环线圈6分别通过接地线5a和5b接地，因而闭合环线圈5和6为相同的地电位。同样，在第一闭合环线圈5和第二闭合环线圈6的电动势电压之间不能存在差别，以便在闭合环线圈5和6之间不产生电场。因此，由于闭合环线圈5和6用作从偏转系统2泄漏的电场的屏蔽，因而它们不仅可防止不希望的电场泄漏增加，而且还可靠地降低电场。
(实验)利用使用本发明CRT装置的40厘米(17英寸)计算机监视器进行实验。在该实验中，测量偏转系统，可发现与常规装置相比的减小的效果。
用于本实验的闭合环线圈由包覆乙烯基树脂的多丝铜线(kv0.75型)构成。闭合环线圈的周长大约为110cm。如图4所示，作为第一闭合环线圈5和第二闭合环线圈6的两个闭合环线圈分别沿有效显示区域40的顶部边缘40a和底部边缘40b设置。在40厘米计算机监视器的情况下，面板1a高为29.5cm和宽为37.2cm，有效显示区域40的高为24.3cm和宽为32.4cm。
图7是与没有闭合环线圈的常规CRT装置相比的在CRT装置(即计算机监视器)外部测量的磁漏结果表。最左边的列中的度数表示进行测量的位置(以下称该装置为“测量位置”)。所有测量位置位于假想的圆上，该圆通过分另位于距CRT装置前后各50cm距离处的两点。按反时针方向，从距CRT装置前面50cm距离处的点(用0°表示)开始测量表示测量位置的该度数。
如图7中所示的表可知，除在CRT装置后面的几个位置之外，与没有抵消线圈的常规装置情况相比，使用本发明可减少测量位置上的磁漏。在泄漏通常最大的0°测量位置上的磁漏减少到20.4nT，而在常规装置的情况下它为22.9nT。按照瑞典MPR II标准，在该位置，磁漏必须等于或小于25nT。本实施例的CRT装置的磁漏比该规定界限低得多。如表中所示，没有抵消线圈的常规CRT装置的磁漏也比25nT的界限低得多。可是，因提供给CRT装置的制备的元件的不均匀性，因而泄漏容易超过该界限。在本实施例中，通过有意地减少磁漏，任何制得的CRT装置的泄漏可容易地低于该界限。
接着，进行另一个实验，测量电场泄漏和通过与常规装置相比来了解减少的效果。在本实验中，将在上面的实验中测试并显示有减少效果的闭合环线圈接地。利用该结构，闭合环线圈用作泄漏电场的屏蔽，从而可减少电场泄漏。在本实验中，在CRT装置前面50cm和30cm的距离处进行测量。结果示于图9的表中。
如该表所示，在CRT装置前面50cm距离处，电场泄漏为1.2V/m。该泄漏值比瑞典MPR II标准规定的2.5V/m的界限低得多。
第二实施例图10是本发明第二实施例的CRT装置的透视外部图。第二实施例的CRT装置包括CRT1、偏转系统2、电子枪11、增强带(或防爆带)3、闭合线圈5。CRT1包括面板1a和锥体1b。偏转系统2包括上水平偏转线圈2a、下水平偏转线圈2b、垂直偏转线圈(未示出)和磁芯(未示出)。增强带3设置在面板1a的外边缘，第一至第四耳朵4a-4d分别形成在增强带3的四个角上。
在CRT装置的上部设置闭合环线圈5。更明确地讲，闭合环线圈5正好设置在面板1a的有效显示区域40的顶部边缘40a之上。同时，闭合环线圈5设置在面板侧的第一耳朵4a和第二耳朵4b下面并在上水平偏转线圈2a的开口附近。
由绝缘材料制备的板71通过安装部件(未示出)安装在上水平偏转线圈2a上。板71配备差动(differential)线圈50，用作校正交叉失会聚(cross-misconvergence)的公知线圈。闭合环线圈5的一部分围绕差动线圈50设置，以便闭合环线圈5可从差动线圈50获得感应电动势。
图11A是水平偏转线圈2、差动线圈50和闭合环线圈5的示意性电路图。如该电路图所示，构成差动线圈50的线圈51和52分别通过端子61和62与上水平偏转线圈2a和下水平偏转线圈2b串联连接。闭合环线圈5与差动线圈50磁耦合。该电路通过端子63和64连接到水平偏转电路的输出端子上。
图11B表示配置在水平偏转电路末级的水平输出电路的典型实例。由水平驱动电路(未示出)将与水平同步信号同步的脉冲电压提供给用作开关的晶体管82的基极81。通过用于消除交流电流成分的轭流线圈87，正向电流被供给晶体管82的集电极。每当脉冲电压提供给基极81时，晶体管82便导通。对电容器83充电同时晶体管82不导通，和放电同时晶体管导通。然后，与脉冲电压同步地重复充电/放电操作，以便产生公知的锯齿水平偏转电流。
当施加超过预定值的具有相反极性的电压时，与电容器83并联连接的阻尼二极管84导通。利用阻尼二极管84的导通，在包括偏转线圈2a和2b以及电容器83的LC电路中引起短路，从而防止不希望的谐振发生。
输出端子89通过包括串联连接的线性线圈85和电容器86的线性校正电路接地。线性校正电路是众所周知的用于校正偏转电流以获得电子束水平偏转的线性的电路。线性线圈85由可饱和的线圈构成，线圈85的自感随偏转电流各点的饱和电平而改变。利用其自感的变化，线性线圈85获得偏转电流的线性。电容器86校正偏转电流成为S形方式，以便它还可校正在面板1a中央、右侧和左侧产生的偏转畸变。
通常，按与CRT装置分开的方式，为显示装置配置这种水平输出电路。通过以可拆卸方式连接到输出端子88和89的端子63和64(参见图11A)，将产生的水平偏转电流提供给水平偏转线圈2a和2b和差动线圈50。
图12表示围绕差动线圈50设置闭合环线圈5的一部分。构成差动线圈50的导线分开地绕在两个线圈线轴53上，以形成第一差动线圈51和第二差动线圈52。然后围绕第一差动线圈51和第二差动线圈52设置闭合环线圈5的一部分，形成感应线圈部分54。闭合环线圈5的一部分也可围绕第一差动线圈51和第二差动线圈52中的一个设置。感应线圈部分54形成为可在一个方向上产生电动势，以产生抵消偏转线圈2a和2b的漏磁的磁场。
图13表示第一差动线圈51和第二差动线圈52以及闭合环线圈5的磁耦合部分的结构例。围绕一部分闭合环线圈5设置的差动线圈50被固定到由例如酚醛塑料等绝缘材料构成的板71上。板71还包括连接到水平偏转线圈2a和2b的端子61和62以及连接到水平偏转电路的端子64。
正如参照图6在第一实施例中所述的那样，利用流过闭合环线圈5的电流产生的抵消磁场8抵消水平偏转线圈2的磁漏7。本实施例与第一实施例的不同之处在于使感应线圈部分54产生的感应电压所引起的电流流过闭合环线圈5，有目的地产生本实施例中的抵消磁场8。利用该感应电压，闭合环线圈5产生与电场泄漏方向相反的方向上的电场，以便还可抵消泄漏电场。
(实验)利用使用本发明CRT装置的40厘米(17英寸)计算机监视器进行实验。如第一实施例中的实验那样，测量偏转系统，可发现与常规装置相比的减小的效果。
用于本实验的差动线圈通过围绕其内径为6mm的内空的圆柱形线轴缠绕绞合线而制成。将十二根铜丝系成束，制成绞合线，其中各铜丝的厚度为Φ0.25mm。在线轴的空间内设置拧入磁体，以便可变地控制感应的偏置。对于本实验来说，感应设定为约15μH。闭合环线圈5的一部分设置为围绕差动线圈的感应线圈，以便产生抵消磁漏和电场泄漏的电动势。
在本实施例中，获得由30匝构成的感应线圈部分54和其峰值约10V的感应电压。通过使感应电压应用于其余闭合环线圈5，产生用于抵消磁漏和泄漏电场的抵消磁场和电场。图14和图15分别表示磁漏和泄漏电场的测量结果。
在泄漏最大的0°测量位置的磁漏被减少到19.3nT，而在常规装置的情况下它为22.9nT。同时，如图15的表中所示，在CRT装置前面30cm距离处电场泄漏为0.8v/m。该泄漏值低于TCO标准在该位置(在CRT装置前面30cm距离处)规定的1.0v/m的界限并还低于在MPR II标准在该位置规定的2.5v/m的界限。
在第二实施例中，闭合环线圈5与差动线圈50磁耦合。可是，当水平偏转电流包括其电流与水平偏转电流同步变化的线圈时，闭合环线圈5可绕在线圈上。例如，水平偏转电流可包括线圈，例如串联连接到水平偏转线圈的线性线圈85(参见图11B)，或随脉冲电压变化而改变流过的电流大小的轭流线圈87。
在第二实施例中，闭合环线圈仅设置在CRT1的上部。显然，在CRT1的下部设置闭合环线圈也可有效地减少磁漏和电场泄漏。在这种情况下，设置在CRT1下部的一部分闭合环线圈不必围绕差动线圈50设置。这是因为利用设置在CRT1上部的闭合环线圈就可足够地抵消磁漏。
尽管已参照附图借助实例详细说明了本发明，但应该指出，本领域的技术人员显然还可进行各种改变和修改。
因此，这种改变和修改不脱离本发明的范围，那么它们就应当被认为包括在本发明范围中。
权利要求
1.一种阴极射线管装置，包括具有面板和锥体的阴极射线管；设置在锥体的颈部内且将电子束发射到面板内表面上的电子枪；设置于锥体的颈部上并使电子枪发射的电子束偏转的偏转系统；和抵消线圈，具有至少一个闭合环线圈且与偏转系统的磁漏磁链接，并产生在一个方向上的磁场以便抵消磁漏，其中各闭合环线圈设置在第一位置或第二位置，第一位置在阴极射线管的顶部，闭合环线圈的一部分沿面板有效显示区域的顶部边缘设置，第二位置在阴极射线管的底部，并且闭合环线圈的一部分沿所述有效显示区域的底部边缘设置。
2.如权利要求1的阴极射线管装置，其中闭合环线圈还设置在面板的右侧和左侧角部附近和面板侧的偏转系统的开口附近。
3.如权利要求1的阴极射线管装置，还包括设置在面板外边缘上的增强带；其中分别在相应于面板右上和左上角部的各预定位置的增强带上形成第一和第二耳朵，其中至少一个闭合环线圈沿有效显示区域的顶部边缘设置，并且在第一和第二耳朵下和在面板侧的偏转系统的开口附近。
4.如权利要求1的阴极射线管装置，还包括设置在面板外边缘上的增强带；其中分别在相应于面板右下和左下角部的各预定位置的增强带上形成第一和第二耳朵，其中至少一个闭合环线圈沿有效显示区域的顶部边缘设置，并且在第一和第二耳朵之上和在面板侧的偏转系统的开口附近。
5.如权利要求1的阴极射线管装置，还包括校正线圈，与偏转系统的水平偏转线圈串联连接并且用于校正交叉误会聚，其中各闭合环线圈中的另一对与校正线圈磁耦合，以便抵消线圈产生在一个方向上的磁场以抵消磁漏。
6.如权利要求5的阴极射线管装置，其中各闭合环线圈中的其它部分围绕校正线圈设置，用于与校正线圈磁耦合。
7.如权利要求6的阴极射线管装置，其中校正线圈还固定到设置于预定位置的偏转系统的外表面上的板上。
8.如权利要求1的阴极射线管装置，其中抵消线圈在闭合环线圈的一点接地。
9.一种阴极射线管装置，包括具有面板和锥体的阴极射线管；设置在锥体的颈部内且将电子束发射到面板内表面上的电子枪；设置于锥体的颈部上并使电子枪发射的电子束偏转的偏转系统；流过电流的第一线圈，该电流与流过水平偏转线圈中的偏转电流变化同步地变化；和第二线圈，具有至少一个闭合环线圈且与偏转系统的磁漏磁链接，并产生在一个方向上的磁场以便抵消磁漏，其中各闭合环线圈的一部分与第一线圈磁耦合，以便产生电动势，该电动势导致在与磁漏链接产生的磁场相同的方向上的磁场，从而进一步抵消磁漏。
10.如权利要求9的阴极射线管装置，其中第一线圈是用于校正交叉误会聚且与偏转系统串联连接的线圈。
11.如权利要求10的阴极射线管装置，其中闭合环线圈的一部分围绕校正线圈设置，用于与校正线圈磁耦合。
12.如权利要求11的阴极射线管装置，其中校正线圈固定到预定位置的偏转系统的外表面之上的板上。
13.如权利要求9的阴极射线管装置，其中各闭合环线圈设置在第一位置或第二位置并相对偏转系统的开口朝面板侧布置，第一位置在阴极射线管的顶部，闭合环线圈的一部分沿面板有效显示区域的顶部边缘设置，第二位置在阴极射线管的底部，并且闭合环线圈的一部分沿所述有效显示区域的底部边缘设置。
全文摘要
闭合环线圈分别设置在阴极射线管的顶部或底部。这两个闭合环线圈用作一对抵消线圈。各闭合环线圈设置成与偏转系统的磁漏链接,该对闭合环线圈几乎与面板有效显示区域的顶部或底部边缘平行。
文档编号H01J29/76GK1268762SQ0010832
公开日2000年10月4日 申请日期2000年3月30日 优先权日1999年3月31日
发明者内田由纪夫, 岩本智昭, 岩崎胜世 申请人:松下电子工业株式会社