专利名称：彩色crt的内罩的制作方法
技术领域：
本发明涉及彩色CRT，特别是涉及彩色CRT的内罩，通过改进内罩的结构，可改善屏蔽效应，而由于改善了的屏蔽效应、因而通过减小与外磁场变化相关的电子束落点的变化度，可防止再现图像时因颜色混合所产生的彩色扩散现象。
背景技术：
图1是一局部侧视图，表示CRT的内部构造，其中有一传统技术制造的内罩。图2A和图2B分别是后视图和平面图，表示这个传统技术制造的内罩。
如图1所示，彩色CRT由一屏盘10和一锥体20构成其外形；屏盘10在其内表面涂以红、绿、蓝色的荧光材料11；锥体20用焊料玻璃固定在屏盘10的背面，保持一种约10-7乇的高度真空状态的内压力。
荫罩40具有供颜色选择的狭缝，通过框架30的媒介安在屏盘10的内侧，框架30借助弹簧50被支撑在屏盘10的内表面。
内罩60安在框架30的后侧，用于屏蔽地磁场之类磁场，以致从电子枪80射出的电子束71不受磁场的影响。
颈部70装在锥体20后侧，发射电子束71的电子枪80装在颈部70的内侧。
偏转线圈90装在锥体20与颈部70之间的边界部分，用于使电子枪射80射出的电子束71偏转到涂有荧光材料11的整个荧光面。
参考编号25指的是一加固屏盘10和锥体20连接部的安全带。
因此，当电子枪80发射电子束71时，电子束71通过荫罩40上的孔41，与屏盘10内表面上的荧光材料11相撞，使荧光材料11发光，通过屏盘10再现图像。
特别是，内罩60包括一平行CRT中心轴(X)延伸的垂直部分62，和整体形成在垂直部分62后部、向CRT中心轴(X)倾斜延伸的斜面部分63。
如图1所示，垂直部分62前做一前开口(Bf)，垂直于垂直部分62做一弯曲部分，以便内罩60可用夹子(C)固定在框架30上。
斜面部分63后侧做一相对小于前开口(Bf)的后开口(Br)。
然而，传统技术制造的彩色CRT的内罩60有几个问题。
例如，对照图2B，因为垂直部分62的高度(h1)对于垂直部分62和斜面部分63构成的内罩60的高度(H)来说太小，使斜面部分63离开锥体20一段大距离(d)，从而导致屏蔽地磁场的效率降低。
在把内罩60用于彩色CRT产品，并使用了一段时间的场合，因为屏蔽地磁场的效率降低，与外磁场变化相关的电子束的落点的变化度变大，结果产生了一个再现图像时因颜色混合而出现的彩色扩散问题。
当彩色扩散因这些因素而产生时，追求高图像质量的CRT产品的价值就降低，产品的可靠性也随之降低了。
发明内容
因此，本发明的目的是提供一种彩色CRT的内罩，这种内罩通过改进其结构，可改善屏蔽效应，而由于改善了的屏蔽效应、因而通过减小与外磁场变化相关的电子束落点的变化度，可防止再现图像时因颜色混合所产生的彩色扩散现象。
正如这里所实施和概括描述的，为实现这些和其他优点，根据本发明的目的，提供一种彩色CRT的内罩，以屏蔽地磁场。内罩装在位于屏盘和锥体内的框架上。内罩有一装在上述框架上、平行CRT中心轴的垂直部分，一位于垂直部分后侧、向CRT中心轴倾斜延伸的斜面部分，和一凹口，其中央部分下凹，位于框架对面、斜面部分的末端；而设由垂直部分和斜面部分构成的内罩的总高度是‘V’，则垂直部分的高度(V1)满足关系式0.18≤V1/V≤0.25；再设从垂直部分开始点到凹口部分的最小高度是V2，则垂直部分的高度V1满足关系式0.40≤V1/V2≤0.54。
设由框架一例垂直部分所成前开口的截面积是‘Af’，由框架对侧斜面部分所成后开口的截面积是‘Ar’，则内罩被设计成满足关系式0.56≤Ar/Af≤0.78。
当与附图合看时，下述关于本发明的详细描述将使本发明前述的和其他的目的、特点和优点变得更清楚。
下面的附图可提供对本发明的进一步理解，其体现本发明，并构成本发明一部分。它们表示了本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。
在这些附图中图1是一局部侧视图，表示一彩色CRT的内部结构，其中内罩是用传统技术制作的；图2A和图2B分别是一后视图和一平面图，表示传统技术制造的内罩；图3是一局部剖侧视图，表示一彩色CRT，其中内罩是据本发明一优选
具体实施例方式
下面将详细介绍本发明的优选实施例，某些实施例示于附图中。
彩色CRT可以有多个实施例，下面将描述其中最优选的实施例。
图3是一局部剖侧视图，表示一彩色CRT，其中内罩是据本发明一优选图4A和图4B分别是一前视图和一后视图，表示一据本发明优选实施例制作的彩色CRT的内罩，而图5是一据本发明优选实施例沿图4中A-A线所作截面图。
本发明所用参考编号与前面传统技术介绍中所用的一样。
本发明内罩60包括一平行CRT中心轴(X)延伸的垂直部分62，如图5所示，和一在在垂直部分62后部、向CRT中心轴(X)倾斜延伸的斜面部分63。
特别是，内罩60的垂直部分62和斜面部分63按下述条件设计。
设具有垂直部分62和斜面部分63的内罩的总高度是‘V’，则垂直部分62的高度(V1)占总高度(V)的18-25％。
确定垂直部分62的高度的理由在于，如果垂直部分62的高度(V1)大于总高度(V)的25％，斜面部分63将离锥体20内壁太近，结果荫罩会因插入石墨隔离部件受到阻挡，而且工艺性降低。
反之，如果垂直部分62的高度(V1)小于总高度(V)的18％，则垂直部分62的高度(V1)太低，以致内罩60的斜面部分离锥体20内表面太远，引起消磁效应降低。
凹口部分65做在斜面部分63的后端，其中央是凹口。参照图5，设凹口部分从垂直部分62前部到凹口部分65的最小高度是V2，则垂直部分62的高度V1将被设计成占凹口部分最小高度V2的40-54％。
斜面部分63的凹口部分65包括一垂直方向的短侧部和一水平方向的长侧部。这样的设计可根据消气器的安装位置选择采用。
垂直部分62的高度V1被设计成占凹口部分最小高度V2的40-54％的理由在于，如果垂直部分62的高度V1低于凹口部分最小高度V2的40％，外磁场的影响将急剧增加，产生落点误差。
而如果垂直部分62的高度V1大于凹口部分最小高度V2的54％，则不能均匀消气，以致真空度降低。
在框架30对侧斜面部分63所成后开口(Br)的截面积(Ar)可与框架一侧垂直部分62所成前开口(Bf)的截面积(Af)相比时，内罩60将设计成满足关系式0.56≤Ar/Af≤0.78。
设计前开口Bf和后开口Br的理由在于，如果Ar/Af低于0.56，不仅在电子束偏转路线上发生干涉，而且内罩60的斜面部分63离锥体20内表面太远，引起消磁效应迅速降低。
而如果Ar/Af高于0.78，则内罩60的斜面部分63离锥体20内表面太近，荫罩会因插入石墨隔离部件受到阻挡，而且工艺性降低。此外，因为电子束与内罩60之间的空间加大，外磁场的影响急剧增大，因而出现落点误差。
因此，在把满足这些条件制造的内罩60用于彩色CRT时，如图3所示，内罩60与锥体之间的空间d’与采用传统技术制造的内罩的情况相比减小了。减小的原因在于，锥体20变窄了，具有较陡的斜度，其特定的一部分处于对应于内罩60的垂直部分62与斜面部分63之间结合部的部分处。
下面表1对比表示了采用本发明改进内罩与传统技术制作内罩的电子束落点变化量和磁场冗余度表1
如表1所示，与传统内罩相比，本发明内罩明显显示出优异的效应。
正如至此所描述的，本发明彩色CRT的内罩有许多优点。
例如，通过减小与外磁场变化相关的电子枪落点变化度，防止了再现图像时因颜色混合所产生的彩色扩散现象的出现。
此外，因为起因于颜色混合的彩色扩散现象被防止，内罩为获得高质量图像作出了贡献，因而改善了产品的可靠性。
由于本发明可以在不背离其精神或基本特征的情况下以几种形式实施，所以上述实施例，除非另有说明，应理解为不受上述描述的任何细节的限制，并应在所附权利要求中规定的精神和范围内，给予广泛的解释，故所有落在权利要求范围内的变化和改进，或此类等价物，都为所附权利要求所覆盖。
权利要求
1.一种彩色CRT，具有一内罩，装在位于屏盘和锥体内的框架上，以屏蔽地磁场，其特征在于所述内罩包括一装在框架上、平行CRT中心轴形成的垂直部分，一位于垂直部分后侧、向CRT中心轴倾斜延伸的斜面部分，和一凹口，其中央部分下凹，位于框架对面、斜面部分的末端；设由垂直部分和斜面部分构成的内罩的总高度是‘V’，则垂直部分的高度(V1)满足关系式0.18≤V1/V≤0.25；设从垂直部分开始点到凹口部分的最小高度是V2，则垂直部分的高度V1满足关系式0.40≤V1/V2≤0.54。
2.一种彩色CRT，具有一内罩，装在位于屏盘和锥体内的框架上，以屏蔽地磁场，其特征在于所述内罩包括有一装在框架上、平行CRT中心轴形成的垂直部分，和一位于垂直部分后侧、向CRT中心轴倾斜延伸的斜面部分；设由垂直部分和斜面部分构成的内罩的总高度是‘V’，则垂直部分的高度(V1)满足关系式0.18≤V1/V≤0.25。
3.根据权利要求2的彩色CRT，其中设由框架一侧垂直部分所成前开口的截面积是‘Af’，由框架对侧斜面部分所成后开口的截面积是‘Ar’，则内罩被设计成满足关系式0.56≤Ar/Af≤0.78。
4.一种彩色CRT，具有装在位于屏盘和锥体内的框架上的内罩，以屏蔽地磁场，其特征在于所述内罩包括有一装在框架上、平行CRT中心轴形成的垂直部分，一位于垂直部分后侧、向CRT中心轴倾斜延伸的斜面部分，和一凹口，其中央部分下凹，位于框架对面、斜面部分的末端；设从垂直部分开始点到凹口部分的最小高度是V2，则垂直部分的高度V1满足关系式0.40≤V1/V2≤0.54。
5.根据权利要求4的彩色CRT，其中设由框架一侧垂直部分所成前开口的截面积是‘Af’，由框架对侧斜面部分所成后开口的截面积是‘Ar’，则内罩被设计成满足关系式0.56≤Ar/Af≤0.78。
全文摘要
一种彩色CRT,具有装在一位于一屏盘和一锥体内的框架上的内罩,以屏蔽地磁场。内罩包括:一装在上述框架上、平行CRT中心轴的垂直部分,一位于垂直部分后侧、向CRT中心轴倾斜延伸的斜面部分,和一凹口,其中央部分下凹,位于框架对面、斜面部分的末端;设由垂直部分和斜面部分构成的内罩的总高度是‘V’,则垂直部分的高度(V
文档编号H01J29/06GK1357904SQ0113756
公开日2002年7月10日 申请日期2001年10月30日 优先权日2000年12月15日
发明者李浩道 申请人:Lg电子株式会社