等离子显示器的制作方法

文档序号:2966851阅读:194来源:国知局
专利名称:等离子显示器的制作方法
技术领域
本发明涉及等离子显示器,特别涉及其基板的电极结构。
背景技术
通常情况下,等离子显示器(Plasma Display Panel以下简称PDP)是利用,由碱石灰(Soda-lime)玻璃制成的前面玻璃和背面玻璃之间的隔栅来形成一个单位的,内部被充入了含有氖(Ne)、氦(He)或氖氦混合气体(Ne+He)等主要放电气体和少量氙气体的惰性气体的单元。在高频电压的作用而发生放电时,惰性气体产生真空紫外线(Vacuum Ultraviolet rays)并使被设置在隔栅之间的荧光体发光而显示图像。
这种PDP与作为现有主要显示手段的阴极线管(CRT)相比,其结构简单、制作容易、并且其外形具有能够薄型化的特征,因而作为新一代的显示装置,备受关注。
图1是对普通PDP装置构造进行概略显示的立体图。如图1所示,PDP是,将用来显示图像的前面基板10和用来形成后面的背面基板20,以细微的间隔平行设置在一起的。
前面基板10的下方设置有维持电极11,该维持电极在各个像素中依靠扫描电极的Y电极和维持电极的Z电极之间相互进行表面放电而维持单元发光。维持电极11上成对地设置着,用透明ITO物质制成的透明电极11a和为了降低透明电极的电阻而用金属材料制成的总线电极11b。
上述由ITO物质制成的透明电极11a是利用真空沉积、CVD、溅射(sputtering)法等方法制成的。
上述总线电极11b是利用丝网印刷法(screen printing)、层压(lamination)法等制成的,大部分选择银(Ag)作为主要的电极材料。
上述维持电极11被设置在电介质层12的内部。
上述电介质层12负责控制放电电流,并在电极对之间起绝缘作用。
上述电介质层12大部分使用氧化铅(PbO)作为介电材料的主要成份,并且烧制温度为580℃,其厚度维持在30um以上40um以下。
电介质层12的下面设置有利用氧化镁(MgO)制成的保护膜13,以此来防止电介质层因受到放电所产生的离子溅射而损伤,同时使2次电子的产生变得更加容易。
背面基板20的电介质层上平行地排列着多个用来形成放电空间,即单元的隔栅21。图1中所显示的隔栅21是条状(stripe type)的。除此还有,利用横隔栅和竖隔栅形成的栅格形状的井状(well type)隔栅。
背面基板20的电介质层和隔栅为了提高自身的反射特性并对介电率进行调节,而将TiO2(二氧化钛)、Al2O3(三氧化二铝)以百分之几十的比例与氧化铅混合在一起形成混合粉末,然后再添加有机溶媒,制成糊(paste)状。
通常情况下,背面基板20的电介质层是利用丝网印刷法制成的,隔栅21是利用喷砂(sandblasting)法、丝网印刷法、感光法、蚀刻(etching)法等多种方法制成的。
背面基板20的电介质层厚度大约为20um,隔栅21的厚度维持在120um以上150um以下。
隔栅21之间涂有能够释放出在寻址放电时用来进行图像显示的可视光线的R、G、B荧光层23。
在隔栅21之间的空间内,与所述维持电极11相交叉的背面基板20上的、寻址电极22的X电极负责进行寻址放电进而产生真空紫外线。
所述寻址电极22的X电极是利用丝网印刷法、层压法等制成的,大部分都使用传导性良好的银电极。
普通等离子显示器的驱动方法是经过复位区间的同时,使所有单元初始化,然后按顺序外加上扫描脉冲,而进行寻址。
此时,放电空间内在复位区间发生的涂层粒子(priming particle)对寻址放电有所帮助,它可以使放电更顺利的发生。
这种涂层粒子的特征在于通过复位区间并在放电空间内产生而且存在一段时间之后其数量就会减少。
因此,上述对寻址放电有所帮助的涂层粒子的存在时间会对放电效率产生影响。
即,当涂层粒子随着寻址的进行而逐渐减少时,会导致寻址放电能力也相对应下降的问题。
在驱动等离子显示器时,通常从基板左侧上部的第一扫描线开始外加扫描脉冲和寻址信号。
然后,沿着扫描线向下方进行,直到外加给最后的扫描线,寻址信号也被外加给最后的线。因此,对被设置在基板下部的最后扫描线来讲,由于外加第一复位脉冲所产生的涂层粒子在参与放电之前还需要耗费一定的时间。
由于需要一定的时间,所以涂层粒子的数量就变少了,因而存在着与外加最初扫描脉冲时的放电相比,放电效果不理想的问题。
由此会引发,当在整个基板上进行影像显示时,出现画面各部分的辉度不一致,进而无法体现清晰协调的影像的问题。
图2a和图2b是表示对寻址电极100沿着扫描方向逐渐变宽的结构进行显示的示意图。
图2a和图2b中所显示的电极结构,对解决上述涂层粒子不足时所引起的放电问题提供了应对方案。
因此,如图2a和图2b所示,通过使寻址电极100的面积沿扫描方向逐渐变大的方式,可以达到防止寻址能力下降的效果。
但是,在通过使寻址电极100的面积逐渐变大的方式来使用横隔栅110的井状隔栅结构中,存在着基板上的静电容量增大的问题。
即,虽然可以解决涂层粒子的不足问题,但是又带来了静电容量增大的新问题。
因此,急需一种能够在防止寻址能力下降的同时,即便使用横隔栅110也能够防止静电容量增大的结构。

发明内容
本发明正是为解决所述问题而开发的,其目的在于提供一种能够解决在进行扫描的同时由于涂层粒子的减少而导致寻址能力下降的问题的等离子显示器。
并且,其目的还在于提供一种能够解决当寻址电极的面积增大时所产生的静电容量增大的问题的等离子显示器。
本发明是一种等离子显示器包括,前面基板和背面基板,该显示器,将作为扫描电极的总线电极设置在前面基板上,将隔栅及X电极设置在背面基板上。所述寻址电极包括,以寻址电极为基准向左侧、右侧或左右两侧方向形成的突出部和凹陷部,所述突出部的特征在于它被设置在与所述扫描电极相交叉的部位。
并且,所述隔栅的特征在于它被设置在寻址电极的凹陷部。
并且,所述突出部的形状特征在于它的形状是圆形或多角形的。
并且,所述寻址电极的特征在于它在垂直方向上被设置成宽度相同的形态,但从某一个规定的位置开始设置有突出部。
综上所述,本发明改变了寻址电极的形状,从而达到了提高电极寻址能力的效果。


图1为普通PDP装置结构进行概略显示的立体图。
图2a和图2b为沿着扫描方向对寻址电极被加宽的结构进行显示的示意图。
图3为以本发明第1实施例为依据的寻址电极的形状进行显示的示意图。
图4a和图4b为对寻址电极的面积被增加时所产生的效果进行显示的示意图。
图5为以本发明第2实施例为依据的寻址电极的形状进行显示的示意图。
具体实施例方式
下面将参照附图对本发明的具体实施例进行详细说明。
<实施例1>
图3是以本发明第1实施例为依据的寻址电极的形状进行显示的示意图。
如图3所示,本发明的等离子显示器的寻址电极100,可以在垂直方向上被设置成宽度相同的形态,然后从某一个规定的位置开始设置突出部200。即,突出部的特征在于它的面积沿着扫描方向逐渐变大。
例如,当1线中包括768线的扫描线时,扫描线的一半即从1线到389线是在垂直方向上宽度相同的寻址电极100形状,从390线开始到768线为止可以在寻址电极100内设置突出部200。
并且,当1线中包含768线的扫描线时,扫描线的3/4即从1线开始到576线为止是在垂直方向上宽度相同的寻址电极100,从577线开始到768线为止,可以在寻址电极100内设置突出部200。
如上所述,可以从某一个规定位置开始设置突出部200,从而可以满足基板制作者想要的性能,并以最有效的形态来制作寻址电极100。
由于设置有突出部200,所以除突出部200以外也可以包含凹陷部230。
所述凹陷部230的上部设置有横隔栅110。
并且,所述突出部200的上部设置有扫描电极。
并且,所述突出部200的形状可以制成圆形或多角形状。因此,它可以被制作成圆形,也可以被制作成直四角形或正四角形、菱形等多种形状。
因此,为了获得基板制作者想要的性能,可以制作成最具效率的形状,也可以利用非常方便并且经济的方法进行制作。
即,在制作寻址电极100的突出部200时有很广的选择范围。
如上所述,由于突出部200被设置在寻址电极100的后半部,所以能够解决由于基板后半部的涂层粒子不足而发生的放电问题。
而且,由于只在放电开始空间上设置突出部200,所以能够防止发生不必要的静电容量,同时还能够提高放电效率。
即,由于寻址电极的凹陷部230上设置有隔栅,所以就不会发生通过横隔栅110的不必要的静电容量。
因此,能够解决在使用横隔栅110时发生的静电容量问题。
图4a和图4b是表示对寻址电极100的面积增大时发生的效果进行显示的示意图。
如图4a和图4b所显示,当有效寻址电极100的面积变大时寻址电压将会降低,并且放电延迟时间也将缩短。
图4a左侧所示的图示是对寻址电极100的宽度不变时的状态进行显示的示意图,而右侧所示的是对寻址电极100的上部宽度为A、下部宽度为B的状态下进行显示的示意图。
图4b显示的是在所述寻址电极100的宽度中,当A>B时,寻址电压和放电延迟时间的变化情况。
即,当寻址电极100的宽度变大、面积变大时,寻址电压会降低,放电延迟时间被缩短,进而能够在放电空间,利用少量的电压引起正确的放电。
利用上述效果,在本发明中,从寻址电极100的某个规定位置开始设置突出部200,以此来扩大放电空间上寻址电极100的面积,从而能够在基板上发生有效的放电。
<实施例2>
图5是以本发明第2实施例为依据的寻址电极的形状进行显示的示意图。
如图5所示,所述寻址电极100,设置有第1突出部210,并且从某个规定位置开始增加设置第2突出部220。即,突出部的特征在于利用扫描方向上的方块单位来逐渐加大面积。
所述第2突出部220的面积比所述第1突出部210的面积大,并且所述第1突出部210和第2突出部220可以是圆形或多角形的形状。
例如,当1线为768线的扫描线时,扫描线的一半即从1线开始至389线为止设置有第1突出部210,并且可以从390线开始至768线为止在寻址电极100内设置第2突出部220。
所述第2突出部220的面积可以比所述第1突出部210的面积大。
因此,由于将最小的第1突出部210设置在寻址电极100上,所以能够提高放电的效果。
并且,由于从寻址电极100的某个规定位置开始设置比第1突出部210大的第2突出部220,所以放电开始地点的电极面积变大,因而即使在电极后半部也能够引发理想的放电。
因此,能够解决由于寻址电极100后半部的涂层粒子不足而引起的无法引发理想放电的问题。
并且,由于突出部200只被设置在寻址电极100的放电空间上,所以能够防止,持续或阶段性地增大寻址电极100的面积时所发生的静电容量的增大。
即,只在放电开始空间上设置突出部200,在其他的空间上维持寻址电极100的条状形态,就能够防止在放电开始空间以外的空间上发生不必要的静电容量。
所述寻址电极100在垂直方向上被设置成宽度相同的形态,但从某个规定位置开始设置有第1突出部210,然后再从某个规定位置开始增加设置第2突出部220,并且所述第2突出部220的面积要比所述第1突出部210的面积大,而且所述第1突出部210和第2突出部220可以是圆形或多角形的形状。
例如,当1线为768线的扫描线时,扫描线的1/3即从1线开始至256线为止的寻址电极100在垂直方向呈现宽度相同的状态,从257线开始至512线为止设置有第1突出部210,从513线开始至768线为止可以增加设置第2突出部220。
所述第2突出部220的面积可以比所述第1突出部210的面积大。
即,寻址电极100的前半部被制作成在垂直方向上宽度相同的状态,中半部被增加设置很小的第1突出部210,而后半部可以被增加设置了比第1突出部210大的第2突出部220。
并且,所述第1突出部210、第2突出部220可以被制作成圆形或多角形的形状。
如上所述,由于将一个寻址电极100分成三个阶段并且设置有突出部200,所以能够解决在中半部和后半部由于涂层粒子不足而发生的放电问题。
并且,由于突出部200只是被设置在寻址电极100的放电空间上,所以能够防止由于持续或阶段性增大寻址电极100的面积而引发的静电容量的增大。
即,由于只在放电开始空间上设置突出部200,除此之外的空间均维持寻址电极100的条状形态,所以能够防止在放电开始空间以外的空间上发生不必要的静电容量。
所述突出部200的面积可以持续增大。
即,从某个位置开始设置所述突出部200,并且只在寻址电极100的放电开始部上设置突出部200,突出部200可以以面积逐渐变大的形态被设置在寻址电极100的中半部或后半部。
因此,能够解决由于寻址电极100的中半部和后半部的涂层粒子不足而发生的放电问题。
并且,由于突出部200只被设置在寻址电极100的放电空间上,所以能够防止当寻址电极100的面积持续增大时发生的静电容量的增大。
通过所述的说明,本领域熟练技术人员完全可以在不偏离本发明技术思想的范围内,进行多样的变更以及修改。
因此,本发明的技术性范围并不局限于说明书的内容,必须要根据权利范围来确定其技术性范围。由本发明中权利要求范围的思想、范围及其等价概念所引伸出来的所有变更或形态改变均应被解释为属于本发明的范畴之内。
权利要求
1.一种等离子显示器,包括设有相当于扫描电极的总线电极的前面基板和设有隔栅和X电极的背面基板,其特征在于所述寻址电极包括以寻址电极为基准向左侧、右侧或左右两侧方向设置的突出部和凹陷部;所述突出部被设置在与所述扫描电极相交叉的部位。
2.如权利要求1所述的等离子显示器,其特征在于所述隔栅被设置在寻址电极的凹陷部。
3.如权利要求1所述的等离子显示器,其特征在于所述突出部的形状是圆形或多角形。
4.如权利要求1所述的等离子显示器,其特征在于所述寻址电极在垂直方向上被设置成宽度相同的形态,并且从某个规定的位置开始增加设置突出部。
5.如权利要求1所述的等离子显示器,其特征在于所述突出部的面积是沿着扫描方向逐渐变大的。
6.如权利要求1所述的等离子显示器,其特征在于所述突出部在扫描方向上以方块为面积单位逐渐增大。
全文摘要
本发明涉及等离子显示器,特别涉及基板的电极结构。本发明的等离子显示器包括设有相当于扫描电极的总线电极的前面基板和设有隔栅和X电极的背面基板。其能够通过对寻址电极形状的改变来提高电极寻址能力;所述寻址电极中包括以寻址电极为基准向左侧、右侧或左右两侧方向设置的突出部和凹陷部;突出部设置在与所述扫描电极相交叉的部位。
文档编号H01J17/04GK1979741SQ20051012285
公开日2007年6月13日 申请日期2005年12月6日 优先权日2005年12月6日
发明者闵丙国 申请人:乐金电子(南京)等离子有限公司
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