专利名称：真空管阴极支持体本体的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种真空管阴极支持体本体，特别是一种改善磁控管 电磁兼容性能的真空管阴极支持体本体，属于真空管的技术改造。
背景技术：
常见用于磁控管的其空管，其阴极支持体本体的金属间隙比较大，由 于微波可以通过一定范围的金属间隙，并且可以无损耗的穿透由氧化铝陶 瓷制成的阴极支持体本体，故其傲波屏蔽效果较差，微波可以通过间隙向 支持体本体外大量泄漏，而这些外泄能量直接危及磁控管的正常工作，降
低磁控管的EMC性能(电磁兼容性)，其性能比较差。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种结构简单合理、制作成 本低、微波泄漏率低、电磁兼容性能好的真空管阴极支持体本体，以克服 现有技术中的不足之处。
本实用新型解决上述技术问题采用的技术方案是 一种真空管阴极支 持体本体，包括设置在真空管阴极支持体本体上供阴极引线穿出的通孔，
其结构特征是支持体本体顶端与金厲側管相接。
上述的支持体本体顶端设置有突出的台阶，该台阶设置在金属侧管中， 第一金属板和第二金厲板并排盖压在台阶上，第一金属板和第二金属板外 边缘超出台阶所在范围，并靠近金属侧管内壁。
上述的台阶髙度L-入/4,其中X为微波波长。
上述的金属側管中部向外延展后，其顶端再次向外延展。 上述的第一金属板和第二金属板中间靠近，并保持一定间隙。 本实用新型将阴极支持体本体上第一金属板和第二金属板与金属侧管 之间的间隙尽可能的设置为最小，以最大限度的避免内腔微波向金属板外 泄漏，同时于阴极支持体本体顶面设置高度为L的台阶，并通过喇叭状的 金属侧管的扼流作用，切实削减并消除通过支持体顶面向外泄漏的少量微 波，达到二次抑制的作用，有效改善磁控管电磁兼容性能。
附困说明
图1为本实用新型一实施例剖面结构示意图。
具体实施方式
下面结合附围及实施例对本实用新型作进一步描述。
参见
图1，本真空管阴极支持体本体，包括设置在真空管阴极支持体 本体l上供阴极引线穿出的通孔，支持体本体l呈凸字形，其顶端设置有
突出的台阶l.l，该台阶设置在金属側管2中，金属侧管2呈喇叭状，其 中部向外延展后，顶端再次向外延展。第一金属板3和第二金属板4并排 盖压在台阶l.l上，台阶1.1高度I^入/4,其中入为微波波长。第一金属 板3和第二金属板4外边缘超出台阶1.1所在范围，并靠近金属侧管2内 壁。第一金属板3和第二金属板4中间靠近，并保持一定间隙。
图中，Al为第一金属板与第二金属板之间的间隙，A2为第一金属板 外边缘与金属側管内壁之间的间隙，A3为第二金属板外边缘与金属侧管 内壁之间的间隙。
权利要求1.一种真空管阴极支持体本体，包括设置在真空管阴极支持体本体(1)上供阴极引线穿出的通孔，其特征是所述的支持体本体顶端与金属侧管(2)相接。
2. 根据权利要求1所述的真空管阴极支持体本体，其特征是所述的支持体 本体(l)顶端设置有突出的台阶(l.l),该台阶设置在金属侧管(2)中，第 一金属板(3)和第二金属板(4)并排盖压在台阶上，第一金属板和第二金 属板外边缘超出台阶所在范围，并靠近金属侧管(2)内壁。
3. 根据权利要求2所述的真空管阴极支持体本体，其特征是所述的台阶 (1.1)高度L-入/4，其中入为傲波波长。
4. 根据权利要求2所述的真空管阴极支持体本体，其特征是所述的金属侧 管(2)呈喇叭状，其中部向外延展后，顶端再次向外延展。
5. 根据权利要求2所述的真空管阴极支持体本体，其特征是所述的第一金 属板(3)和第二金属板(4)中间靠近，并保持一定间隙。
6. 根据权利要求1或2所述的真空管阴极支持体本体，其特征是所述的支 持体本体(1)呈凸字形。
专利摘要一种真空管阴极支持体本体，包括设置在真空管阴极支持体本体上供阴极引线穿出的通孔，支持体本体底端与金属侧管相接。支持体本体一端设置有突出的台阶，该台阶设置在金属侧管中，第一金属板和第二金属板并排盖压在台阶上，第一金属板和第二金属板外边缘超出台阶所在范围，并靠近金属侧管内壁。台阶高度L＝λ/4，其中λ为微波波长。金属侧管中部向外延展后，其顶端再次向外延展。第一金属板和第二金属板中间靠近，并保持一定间隙。本实用新型通过喇叭状的金属侧管的扼流作用，切实削减并消除通过支持体本体顶面向外泄漏的少量微波，达到二次抑制的作用，有效改善磁控管电磁兼容性能。其具有制作成本低、微波泄漏率低、电磁兼容性能好的特点。
文档编号H01J23/15GK201060840SQ200720150610
公开日2008年5月14日 申请日期2007年5月8日 优先权日2007年5月8日
发明者陈锦聪 申请人:广东格兰仕集团有限公司