专利名称：准分子放电灯的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种进行利用紫外线的树脂硬化、用于半导体基板或 玻璃基板等的表面清洗、杀菌、光化学反应等的紫外线放射所使用的 放电灯，尤其涉及一种利用介质阻挡放电，获得稀有气体与氟的准分 子发光的准分子放电灯。
背景技术：
封入有稀有气体与卤素的准分子放电灯具有与高压水银灯或金属 卤素灯等其它灯完全不同的放射特性，尤其是可高效率地产生在高压 水银灯或金属卤素灯等灯中无法获得的波长的紫外线。
准分子放电灯可通过组合所封入的稀有气体与卣素来选择所放射
紫外线的波长。例如，在氩(Ar)与氟(F)的组合中可获得193nm附 近的紫外线，在氪(Kr)与氟(F)的组合中，可获得248nm附近的紫 外线，在氙(Xe)与氟(F)的组合中，可获得351nm附近的紫外线。 尤其是，在半导体的光刻法所使用的能够获得193nm的波长的紫外线 的ArF准分子放电灯、或能够获得248nm的波长的紫外线的KrF准分 子放电灯，可用于光阻的特性试验、光罩的检査等。
在专利文献1中公开了一种用金属氧化物的钝化层覆盖由石英玻 璃构成的放电容器的内表面，在放电容器内封入稀有气体与卤素的准 分子放电灯。其中记载了将作为卤素的氟或氯封入石英玻璃制的放电 容器而使用时，卤素原子及离子立即与石英玻璃反应，产生卤化硅及 氧，而不能进行准分子放电，因此必须覆盖石英玻璃内表面。
此外，在专利文献2中公开了一种将稀有气体与卤素封入蓝宝石
3制的放电容器的准分子放电灯。
专利文献1日本特开2003-59457号公报专利文献2日本专利第3178162号公报
根据专利文献1的记载，利用具有由金属铝(Al)、铪(Hf)、钇(Y)、或钪(Sc)中的至少一个形成的无定形构造的氧化物来覆盖石英玻璃制的放电容器的内壁，从而与未进行覆盖的灯比较，至少获得100倍的有效寿命。
但是，在专利文献1的实施例中记载一种将作为稀有气体的氙(Xe)与作为卤素的氟(F)组合而成的准分子放电灯，但是填充在直径20mm、长度20cm的放电容器内的气体与氙(Xe)与六氟化硫(SF6)混合在一起，为31mbar(3100Pa)的低压，输入功率也只是较小的20W。
在如上所述的作动条件下，放电容器并不能形成20(TC以上的高温，覆盖放电容器的内壁的氧化物被膜稳定，但是为了在工业上利用采用稀有气体及卤素的准分子放电灯，需要更强的光量，因此，准分子放电灯的直径为20mm、长度为20cm，如果不能达到输入功率为40W以上、气压为13000Pa以上，则无法获得充分的光量。
假设在专利文献1记载的灯中，提高封入压力，则放电容器的温度上升，氟与放电容器内表面的被膜发生反应，或透过被膜的不完全部分，氟与石英玻璃发生反应，因此发光效率会降低，或为了提高灯功率而想要提高输入电压时，由于电子温度上升，在内部电极与发光管内壁的间会产生溅射现象，有可能发生被膜剥离的现象。被膜剥离时，氟或氯等卤素会与石英玻璃反应而消耗，可预测到灯的发光强度会急速降低。
另一方面，在专利文献2公开了将稀有气体与卤素封入蓝宝石制的放电容器的准分子放电灯的一个实施例。
本案发明人等尝试制作了专利文献2的图3所示的灯构成的准分
子放电灯，使用专利文献l记载的氩(Ar)与氟化物(SF6)作为封入气体。即，使用圆筒状的蓝宝石管作为放电容器，尝试制作了将一对外部电极沿着管壁配设在管轴方向的ArF准分子放电灯。但是，以作为工业用所需的2W/cr^的高管壁负载条件(输入功率相对于电极面积的比例)点灯后，在点灯后仅10小时，氩-氟的发光波长193nm的放射即会消灭。在专利文献1中已提及到在由氧化铝的结晶质构成的放电容器中无法检测出对于氟的阻挡作用，而上述情况是其符合的结果。
发明内容
本发明的目的在提供一种可在高管壁负载条件下将灯点灯并保持高光量，并且可长时间作动的稀有气体卤素准分子放电灯。
本发明为解决上述课题，采用如下所示的方案。
第1方案是一种准分子放电灯，在由蓝宝石、YAG、或单晶氧化钇中的至少一个构成的放电容器的外表面设置至少一个外部电极，在所述放电容器内封入氩(Ar)与含有氟(F)原子的气体，其特征在于由所述放电容器的内表面至lOOpm为止的深度区域所包含的金属杂质浓度为600wtppm以下。
第2方案是在第1方案的准分子放电灯中，所述放电容器构成为管状，在该放电容器内封入有氩(Ar)、六氟化硫(SF6)以及氦(He)或氖(Ne)，在所述放电容器的外表面，沿着管轴方向设置至少一个外部电极，所述放电容器跨过整周在所述放电容器的两端侧具有未设置外部电极的外表面部分。
第3方案是在第1方案的准分子放电灯中，所述放电容器构成为
5大致长方体状，在该放电容器内封入有氩(Ar)、六氟化硫(SF6)以 及氦(He)或氖(Ne)，在所述放电容器的外表面，沿着长边方向设 置至少一个外部电极，所述放电容器跨过整周在所述放电容器的端侧
具有未设置外部电极的外表面部分。
第4方案是在第2方案或第3方案的准分子放电灯中，所述氖(Ne) 占全封入气体的摩尔浓度为90%以上、99.5%以下。
第5方案是在第2方案或第3方案的准分子放电灯中，所述氦(He) 占全封入气体的摩尔浓度为卯％以上、99.5%以下。
发明效果
通过本发明，除了放电容器使用具有良好热传导性的蓝宝石、 YAG、氧化钇这样的耐等离子体性高、且具有透光性的高熔点材料的 单晶材料以外，由于降低放电容器的内表面区域的金属杂质浓度，因 此卣素与金属杂质接触的机会变少，因而可抑制在放电容器内壁面的 卤素的反应，可防止准分子发光的紫外线的发光强度衰减。
此外，当其结构为具有管状或大致长方体状的放电容器，在放电 容器的外表面，沿着管轴方向或长边方向设置至少一个外部电极，在 放电容器内封入氩(Ar)与六氟化硫(SF6)，放电容器跨过整周在其 容器端部侧具有未设置电极的外表面部分时，封入氦(He)或氖(Ne) 时，由于具有高于氩(Ar)的热传导率，因此由放电容器内的放电部 发出的热会迅速传播至放电部以外的区域，能够将放电容器内的气体 温度保持为较低，因此可防止灯的发光效率降低。
图1是由通过第1实施方式的发明的准分子放电灯的管轴的剖面 观看到的剖面图及由垂直于管轴的剖面A-A观看到的剖面图。
图2是表示氖(Ne)占全封入气体的摩尔浓度与发光效率的关系
6的图表。
图3是表示氦(He)占全封入气体的摩尔浓度与发光效率的关系 的图表。
图4是表示比较实验1的结果的表。 图5是表示比较实验2的结果的表。
图6是由平行于第2实施方式的发明的准分子放电灯的长边方向 的剖面观看到的剖面图及由剖面A-A观看到的剖面图。
具体实施例方式
利用图1至图5，说明本发明的一个实施方式。
图1 (a)是由通过本实施方式的发明的准分子放电灯的管轴的剖 面观看到的剖面图，图1 (b)由垂直于图1 (a)所示的准分子放电灯 的管轴的剖面A-A观看到的剖面图。
如上述图所示，该准分子放电灯1的放电容器2为直管状，对于 150 400nm的紫外线具有透光性，并且由吸收氟离子较少的蓝宝石、 YAG、单晶氧化钇中的任一单晶构成的材料构成。此外，在放电容器2 内封入氩(Ar)及化学稳定性较高的六氟化硫(SF6)，作为发光气体， 而且封入占全封入气体的摩尔浓度为卯％以上、99.5%以下的氦(He) 或氖(Ne)，作为缓冲气体。在准分子放电灯1点灯时，发光气体形 成氩离子及氟离子。其中，作为放电容器，与YAG或氧化钇相比，蓝 宝石的透光性更优，也可以确定使用EFG法(Edge-defined Film-fed Growth Method,边缘限定硅膜生长)的板材、管材的生产方法，因此 容易进行工业生产，较为优选。
通常由于作为材料的蓝宝石、YAG、单晶氧化钇的单晶的任一个 都经由使用金属坩埚的制造步骤来制造放电容器2，因此含有作为金属 杂质的钼(Mo)、铁(Fe)、铬(Cr)等过渡金属。作为放电容器2 的材料，对使用蓝宝石的情况进行了例示，在放电容器2的内表面，存在由于单晶成长时的原子排列时发生的排他现象所离析的钼(Mo)、 铁(Fe)、铬(Cr)等金属杂质。当存在上述金属杂质时，在放电时 SF6分为F2与S， F2与金属杂质发生反应而产生金属卤化物，由准分子 放电灯所放射的193nm的光束会减少，造成短寿命的原因。经化学分 析的结果，判断出该金属杂质由放电容器2的内表面至大致100数+(im 的深度为止进行离析。另外，所谓由放电容器2的内表面至lOOpm的 深度的意思是指，蓝宝石结晶成长时金属杂质由于离析而主要存在的 深度，而且在点灯时由于灯管温度上升等，能够在灯管内表面扩散的 距离。
因此，在本发明中，将放电容器2的内表面用磷酸或硫酸进行化 学蚀刻处理，形成为由放电容器2的内表面至100(Lim为止的范围内的 钼(Mo)、铁(Fe)、铬(Cr)等金属杂质总和浓度为600ppm以下 的状态。其中，除了化学蚀刻以外，也可以通过机械研磨，将表面的 金属杂质浓度形成为50ppm以下的状态。此外，在灯的制造工序中， 一般而言为了对于放电容器将吸附在容器内壁的水分去除，例如在真 空炉或干燥空气炉内进行干燥处理，但是在本发明的灯中，最好例如 在50(TC以上的充分高的温度下进行热处理，从而优选尽量减少放电容 器2内壁的水分量。
如图1 (a)所示，放电容器2的管轴方向的两端开放，在其两端 设有作为杯状的金属制盖件的盖构件3、 4。盖构件3、 4的材料例如为 镍(Ni)。考虑到散热性，盖构件3、 4以金属材料最为适合，但是如 果散热性不成问题，则也可以为氧化铝等陶瓷。在放电容器2与盖构 件3、 4之间填充密封材料5、 6，由此放电容器2与盖构件3、 4结合 并被密闭。作为密封材料5、 6的材料，可以使用例如由银与铜的合金 (Ag-Cu合金)构成的焊材。在第2盖构件4设有气体配管7，通过气 体配管7将放电容器2的内部空间8进行排气而减压后，封入作为发 光气体的氩(Ar)与化学稳定性高的六氟化硫(SF6)、以及作为缓冲 气体的氦(He)或氖(Ne)。在封入上述气体之后，气体配管7利用
8压接等形成密封部9，由此形成为密闭构造。
在放电容器2的外表面，以使一对外部电极IO、 ll彼此电性分离 的方式进行配置，并且以沿着放电容器2的管轴方向延伸的方式设置。 此外，外部电极IO、 11与密封材料5、 6及盖构件3、 4也分离设置。 外部电极10、 ll例如通过将铜(Cu)制成膏状并涂布在放电容器2的 外表面而形成，或通过粘结剂等，将板状的例如铝粘结在放电容器2 的外表面而形成。在外部电极IO、 ll的长边方向的一端，通过例如焊 材14、 15等与引线12、 13电连接。外部电极IO、 ll间的沿面最短距 离构成为比隔着外部电极10、 11间的放电空间的最短距离长。这是为 了形成为仅在放电空间发生放电的构造。
准分子放电灯1点灯时，在一对外部电极10、 11之间施加电压时， 隔着放电容器2，在外部电极10、 11间发生放电。在发光气体为氩(Ar) 与六氟化硫(SF6)时，上述气体被电离，形成氩离子与氟离子，形成 由氩-氟所构成的准分子分子，从放电容器2放射193nm波长的光。
在放电容器2的管轴方向上，外部电极IO、 ll设在远离密封材料 5、 6与盖构件3、 4的位置，由此在放电容器2的内部空间8，在由位 于管轴方向的L1的范围的外部电极10、 11的端部至密封材料5、 6为 止的范围L2不会发生放电。g卩，放电容器2跨过整周在放电容器2的 两端侧具有未设有外部电极10、 11的外表面部分，因此与L1的范围 所对应的内部空间相比较，L2的范围所对应的内部空间温度较低，成 为冷却区域。因此，当在放电容器2的内部空间8封入如六氟化硫(SF6) 之类的化学稳定性较高的气体作为发光气体时，在不发生放电的放电 容器2的管轴方向的L2的区域中，会发生因放电而电离的氟离子会回 到电离前的六氟化硫的反应。由此，在放电容器2的内部空间8中， 在由位于管轴方向的L1的范围的外部电极10、11的端部至密封材料5、 6为止之间，与氟离子的接触被抑制，可抑制构成密封材料5、 6或盖 构件3、 4的材料与氟离子的反应。以下说明用来避免沿面放电的绝缘用的距离与冷却用的距离的关
系。在作为盖构件3、 4的金属制盖件中，为了使卤素与金属盖(metal cap)不发生反应，必须使放电不会接触到金属盖。其条件是使外部电 极10、 11与作为金属盖的盖构件3、 4的距离比外部电极10、 11间的 放电气体中的距离(放电间隙(discharge gap))长。在放电容器2内 封入有六氟化硫(SF6)的情况下，由于六氟化硫(SF6)所具有的绝缘 性，用以稳定保持放电的电压会变高。当以较高的电压进行驱动时， 会有并非为放电气体的放电，而是在外部电极IO、 ll间产生沿面放电
的危险性。因此，不发生沿面放电而在放电气体中稳定地保持放电所 需要的条件虽然较小程度地取决于六氟化硫(SF6)浓度、放电气压， 但是在能够获得实用的准分子光发光效率的全压100Torr ( 13330Pa) 以上时，通过使沿面最短距离比放电间隙(隔着外部电极间10、 11的 放电空间的最短距离)长来达成。
另一方面，为了冷却放电容器2，作为散热部的金属盖件即盖构件 3、 4与外部电极10、 ll的距离愈近愈为有利。
因此，不会发生因卤素与金属盖件的反应而导致的卤素量的降低， 而且不发生沿面放电而稳定维持放电所需的要件为放电间隙《沿面 最短距离、而且放电间隙<外部电极与金属盖件间的距离。
图2是表示作为缓冲气体的氖(Ne)占全封入气体的摩尔浓度与 发光效率的关系的图表。
该图表是表示使用氩(Ar)作为有助于发光的稀有气体，使用SF6 作为含氟的气体，使用Ne作为缓冲气体，全压为100、 200、 400Torr， 使氖(Ne)占氩(Ar)与氖(Ne)的总和的摩尔浓度改变时的准分子 发光(193nm)效率(相对值)。如该图所示，照度充分稳定的是氖(Ne)的比率为90%以上的区 域，但是在氖(Ne)的比率极高(99.5%以上)的区域中，发光效率降 低情形变得显著。
图3是表示作为缓冲气体的氦(He)占全封入气体的摩尔浓度与 发光效率的关系的图表。
该图表是表示使用氩(Ar)作为有助于发光的稀有气体，使用SF6 作为含氟的气体，使用Ne作为缓冲气体，全压为100、 200、 400Torr， 使氦(He)占氩(Ar)与氦(He)的总和的摩尔浓度改变时的准分子 发光(193nm)效率(相对值)。
如该图所示，照度充分稳定的是氦(He)的比率为90%以上的区 域，但是在氦(He)的比率极高(99.5%以上)的区域中，发光效率降 低情形变得显著。
以下表示用以进行后述的比较实验的本发明的准分子放电灯的实 施例。
(1) 放电容器的规格材料单晶蓝宝石；形状圆筒形；壁厚 lmm;长度200mm;直径10mm;距离放电容器内表面100pm的深 度中的平均金属杂质浓度200wtppm以下
(2) 电极的规格材料银(印刷膏状材料)；形状相对于圆
筒形的放电容器的轴对称地相对；长度140mm;宽度2mm;隔着 放电空间的电极间分离距离10mm
(3) 盖构件的规格材料镍；盖构件与外部电极间的距离30mm
(4) 密封材料的规格材料Ag-Cu合金(银焊材)
(5) 封入气体的规格Ar: 1.58xl03Pa、 SF6: 1.6xl0屮a、 Ne: 7.84xl04Pa、全压8.0xl()4pa
(6) 点灯条件施加3kV (O-Peak) 、 70kHz的脉冲电压(7) 由放电容器内表面至100pm为止的金属杂质浓度为 600wtppm以下。作为为此的实现方案，如果为蓝宝石管，即以氟酸进 行化学蚀刻，或通过离子束进行干式蚀刻或机械切削。
(8) 杂质浓度的测定是在蓝宝石管中放入磷酸62%、硫酸38% 的混合液，将蓝宝石管的两端以铁氟龙(亍7口y，注册商标)胶带 密封，在置于接通的微波炉中的状态下放置5小时左右。之后，回收 液体，利用ICP (电感耦合等离子体发射光谱分析)，以校准曲线法
(calibration curve method)进行定量分析。
其中，在以上说明中对蓝宝石管进行了叙述，但是，即使为YAG 或单晶氧化钇，在结晶成长时金属杂质进行离析这一点与蓝宝石为共 同的问题，即使在使用YAG或单晶氧化钇作为放电容器的情形下，也 必须去除内表面的金属杂质。
(比较实验1)
分自各制作3支将具有图1所示形状的放电容器的内表面进行 化学蚀刻，将由放电容器内表面至100pm为止的深度区域所包含的金 属杂质浓度设为600wtppm以下的由蓝宝石管所构成的ArF准分子放电 灯；及在结晶成长后，未将具有图1所示形状的放电容器的内表面进 行化学蚀刻的由蓝宝石管所构成的ArF准分子放电灯，改变灯管负载， 调查193nm的发光强度的时间上的变化。
图4是表示比较实验1的结果的表。如该图所示，可知与未施行 化学蚀刻的准分子灯4、 5、 6相比较，在放电容器的内表面施行了化 学蚀刻的准分子灯l、 2、 3的光输出寿命得到大幅改善。
(比较实验2)
准备将具有图1所示形状的放电容器的内表面置入磷酸62%、硫 酸38%的混合液且放入微波炉，各自经5小时、4小时、3小时、2小 时清洗处理后的ArF准分子放电灯7、 8、 9、 10、及未对具有图1所示
12形状的放电容器的内表面进行清洗处理的ArF准分子放电灯11、 12。对于准备的ArF准分子放电灯7 12，调査由ArF准分子放电灯放射的193nm的光束维持特性。在此所谓光束维持率是指将点灯初始设为100%的情形下经过400小时时(对灯要求的点灯时间)的光束维持的比例。
图5是表示比较实验2的结果的表。如该图所示，如ArF准分子放电灯7所示，经过400小时时，虽然会有光束上升的灯，但是在经过400小时的时间点，70%以下可谓为已达寿命(更换时期)，因此将由放电容器内表面至100pm为止的深度区域所包含的金属杂质浓度600wtppm称为金属杂质浓度的上限。表面金属杂质浓度越高，光束衰减越大可以认为是由于氟的减少。
接着，使用图6说明本发明的第2实施方式。
图6 (a)是由平行于本实施方式的发明的准分子放电灯的长边方向的剖面观看到的剖面图，图6 (b)是由剖面A-A观看图6 (a)的准
分子放电灯的剖面图。
如上述图所示，该准分子放电灯21的放电容器22是大致长方体状，对于150 400nm的紫外线具有透光性，并且由吸收氟离子较少的蓝宝石、YAG、单晶氧化钇中的任一单晶构成的材料构成。此外，在放电容器22内封入氩(Ar)与化学稳定性高的六氟化硫(SF6)作为发光气体，而且封入占全封入气体的摩尔浓度为90%以上、99.5%以下的氦(He)或氖(Ne)作为缓冲气体。准分子放电灯1点灯时，发光气体形成氩离子及氟离子。
将放电容器22的内表面用磷酸或硫酸进行化学蚀刻处理，形成为由放电容器22的内表面至100pm的范围内的钼(Mo)、铁(Fe)、铬(Cr)等金属杂质总和浓度为600ppm以下的状态。其中，除了化学蚀刻以外，通过机械研磨，也可以将表面的金属杂质浓度形成为50ppm以下的状态。
如图6(a)所示，放电容器22的长边方向中的一端开放，在该处设置作为杯状的金属制盖件的盖构件23。盖构件23的材料例如为科瓦铁镍钴合金(kovar)。盖构件23若考虑到散热性，以金属材料最为适合，但是如果散热性不成问题，则也可以为氧化铝等陶瓷。在放电容器22与盖构件23之间填充例如由Ag-Cu合金构成的密封材料24，由此放电容器22与盖构件23结合并被密闭。作为密封材料24的材料，使用例如由银与铜的合金(Ag-Cu合金)构成的焊材。在盖构件23上设有气体配管25，通过气体配管25将放电容器22的内部空间26进行排气而减压后，封入作为发光气体的氩(Ar)与化学稳定性高的六氟化硫(SF6)、及作为缓冲气体的氦(He)或氖(Ne)。在封入上述气体后，气体配管25利用压接等形成密封部27，由此成为密闭构造。
在放电容器22的外表面， 一对例如由金(Au)构成的板状外部电极28与网状外部电极29相互电性分离地配置，并且以沿着放电容器22的长边方向延伸的方式设置。此外，外部电极28、 29远离密封材料24及盖构件23设置。在外部电极28、 29的长边方向的一端通过例如焊材32、 33等与引线30、 31电连接。外部电极28、 29间的沿面最短距离构成为比隔着外部电极28、 29间的放电空间的最短距离长。这是为了形成为仅在放电空间发生放电的构造。
准分子放电灯21点灯时，如果在一对外部电极28、 29之间施加电压，会隔着放电容器22而在外部电极28、 29间发生放电。在发光气体为氩(Ar)与六氟化硫(SF6)的情况下，上述气体被电离，形成氩离子与氟离子，形成由氩-氟所构成的准分子分子，由放电容器2放射193nm的波长的光。
在放电容器22的长边方向上，将外部电极28、 29设在远离密封材料24与盖构件23的位置上，由此在放电容器22的内部空间26中，由位于长边方向的L3的范围的外部电极28、29的端部至密封材料424为止的范围L4不发生放电。即，放电容器22跨过整周在放电容器22的一端侧具有未设有外部电极28、 29的表面部分，因此，与L3的范围所对应的内部空间相比，L4的范围所对应的内部空间温度较低，成为冷却区域。因此，当在放电容器22的内部空间26封入有如六氟化硫(SF6)之类的化学稳定性较高的气体作为发光气体时，在未发生放电的放电容器22的长边方向的L4的区域中，会发生因放电而电离的氟离子回到电离前的六氟化硫的反应。由此，在放电容器22的内部空间26中，在由位于长边方向的L3的范围的外部电极28、 29的端部至密封材料24为止之间，与氟离子的接触被抑制，可以抑制构成密封材料24或盖构件23的材料与氟离子的反应。不会发生因卤素与金属盖件的反应导致卤素量降低，而且不会发生沿面放电而稳定维持放电所需的要件为放电间隙(隔着外部电极28、 29间的放电空间的最短距离)《沿面最短距离、而且放电间隙(隔着外部电极28、 29间的放电空间的最短距离)<外部电极与金属盖件间的距离。
此外，在本实施方式的准分子放电灯21中，如图2所示，照度充分稳定的是氖(Ne)的比率为90%以上的区域，但是在氖(Ne)的比率极高(99.5%以上)的区域中，发光效率降低情形变得显著，此外，如图3所示，照度充分稳定的是氦(He)的比率为90%以上的区域，但是在氦(He)的比率极高(99.5%以上)的区域中，发光效率降低情形变得显著。
此外，在本实施方式的准分子放电灯21中，也可以获得与在比较实验1及比较实验2中得到的结果相同的实验结果。
权利要求
1.一种准分子放电灯，在由蓝宝石、YAG、或单晶氧化钇中的至少一个构成的放电容器的外表面设置至少一个外部电极，在所述放电容器内封入氩(Ar)与含有氟(F)原子的气体，其特征在于由所述放电容器的内表面至100μm为止的深度区域所包含的金属杂质浓度为600wtppm以下。
2. 根据权利要求l所述的准分子放电灯，其特征在于， 所述放电容器构成为管状，在该放电容器内封入有氩(Ar)、六氟化硫(SF6)以及氦(He)或氖(Ne)，在所述放电容器的外表面，沿着管轴方向设置至少一个外部电极，所述 放电容器跨过整周在所述放电容器的两端侧具有未设置外部电极的外表面 部分。
3. 根据权利要求1所述的准分子放电灯，其特征在于，所述放电容器 构成为大致长方体状，在该放电容器内封入有氩(Ar)、六氟化硫(SF6) 以及氦(He)或氖(Ne)，在所述放电容器的外表面，沿着长边方向设置至 少一个外部电极，所述放电容器跨过整周在所述放电容器的端侧具有未设置 外部电极的外表面部分。
4. 根据权利要求2或3所述的准分子放电灯，其中，所述氖(Ne)占 全封入气体的摩尔浓度为90%以上、99.5%以下。
5. 根据权利要求2或3所述的准分子放电灯，其中，所述氦(He)占 全封入气体的摩尔浓度为90%以上、99.5%以下。
全文摘要
本发明提供一种在高管壁负载条件下，可将灯点灯并保持高光量，并且可长时间作动的稀有气体卤素准分子放电灯。本发明的准分子放电灯在由蓝宝石、YAG、或单晶氧化钇中的至少一个构成的放电容器(2)的外表面设置至少一个外部电极(10、11)，在放电容器(2)内封入氩(Ar)与含有氟(F)原子的气体，其特征在于由放电容器(2)的内表面至100μm为止的深度区域所包含的金属杂质浓度为600wtppm以下。
文档编号H01J65/00GK101494155SQ20091000990
公开日2009年7月29日 申请日期2009年1月22日 优先权日2008年1月22日
发明者小田史彦, 森本幸裕 申请人:优志旺电机株式会社