专利名称：具有非等距排列的发光二极管的背光模块的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种背光模块，特别是一种具有非等距排列的发光二极管的背光模 块。
背景技术：
参考图1，显示现有侧光式背光模块的俯视示意图。该背光模块1包括一导光板 11及多个发光二极管13。该导光板11具有一入光面111、一出光面112及一底面，该底面 及/或该出光面112具有多个网点12。这些发光二极管13位于一基板14上，这些发光二 极管13面对该导光板11的该入光面111。参考图2，显示现有侧光式背光模块中导光板上网点的分布曲线示意图。在该背光 模块1中，在平行该导光板11入光面111的方向(A到B方向)，这些网点12的密度分布 方式为位于该导光板11的两侧最密，位于该导光板11的中央次密，位于该导光板11的侧 边与中央间的位置最疏。亦即，在图1中，沿着A到B的方向，这些网点12的分布为最密、 最疏、次密、最疏、最密，使得图2的曲线呈现类W形。此外，在垂直该导光板11入光面111 的方向(I到II方向)，这些网点12的密度分布方式为越靠近该导光板11入光面111越 疏，越远离该导光板11入光面111越密。亦即，在图1中，沿着I到II的方向，这些网点12 的分布为疏至密。参考图3，显示现有侧光式背光模块中发光二极管的分布曲线示意图。在该背光模 块1中，这些发光二极管13均勻分布于该基板14上，换言之，这些发光二极管13间的间距 皆相等。亦即，在图1中，沿着A到B的方向，这些发光二极管13的分布密度皆相同，使得 图3的曲线呈现水平线。在该背光模块1中，由于位于最二外侧的发光二极管13只具一相邻发光二极管， 因此该导光板11两侧端的亮度较暗。为了改善此一缺点，必须通过上述这些网点12的分 布方式，将光源重新分布，由侧边出光方向导向垂直出射的正向光源，以寻求较佳的亮度分布。参考图4，显示现有侧光式背光模块中该导光板的出光面的亮度分布曲线示意图。 在该背光模块1中，虽然这些网点12的分布经由特殊设计，但是实际上该导光板11两侧端 的亮度仍然偏暗。亦即，在图1中，沿着A到B的方向，该导光板11的出光面112的亮度的 分布为由暗逐渐转亮，持续一段距离后再由亮逐渐转暗，使得图4的曲线呈现梯形。因此，有必要提供一创新且富进步性的具有非等距排列的发光二极管的背光模 块，以解决上述导光板网点制作不易及亮度不均勻的问题。
发明内容
本发明提供一种具有非等距排列的发光二极管的背光模块，其包括一导光板及多 个发光二极管。该导光板具有一入光面、一出光面及一底面，该出光面相对设置于该底面， 该入光面设置于该出光面与该底面之间，且该导光板具有多个网点。
这些发光二极管位于一基板上，这些发光二极管面对该导光板的该入光面，该基 板依序定义出一第一分布区域、一第二分布区域、一第三分布区域、一第四分布区域及一第 五分布区域，该第一分布区域及该第五分布区域分别位于该基板的两侧，该第二分布区域 位于该第一分布区域及该第三分布区域之间，该第四分布区域位于该第三分布区域及该第 五分布区域之间，其中位于该第一分布区域内的发光二极管的分布密度大于位于该第二分 布区域内的发光二极管的分布密度，位于该第三分布区域内的发光二极管的分布密度大于 位于该第二分布区域内的发光二极管的分布密度，位于该第五分布区域内的发光二极管的 分布密度大于位于该第四分布区域内的发光二极管的分布密度，位于该第三分布区域内的 发光二极管的分布密度大于位于该第四分布区域内的发光二极管的分布密度。在本发明中，由于这些发光二极管的特殊排列方式，可使该导光板在不需要特殊 网点排列的情况下，即可使其出光面具有较高亮度及较均勻的亮度分布，而且可以提供较 佳的设计空间。
21D本发明中导光板的第五实施例
22网点
23发光二极管
24基板
111入光面
112出光面
211入光面
212出光面
213底面
214突出部
215双凸透镜
216脊轴
E第一分布区域
F第二分布区域
G第三分布区域
H第四分布区域
I第五分布区域
P1第一间距
P2第二间距
P3第二间距
P4第三间距
P5第三间距
P6第四间距
P7第四间距
P8第五间距
具体实施例方式参考图5，显示本发明背光模块的优选实施例的俯视示意图。参考图9，显示本发 明中导光板的第一实施例的剖视示意图，其中图9是图5中沿C-D线的局部剖视放大示意 图。该背光模块2包括一导光板21及多个发光二极管23。该导光板21具有一入光面211、 一出光面212及一底面213，该导光板21具有多个网点22，其中这些网点22可设置于该底 面213或该出光面212、或该底面213及该出光面212。在本实施例中，这些网点22设置于 该底面213。这些网点22用以破坏光线于该导光板21中的全反射而使光线射出该导光板21， 且这些网点22为印刷网点或结构网点。这些发光二极管23位于一基板M上，这些发光二极管23面对该导光板21的该 入光面211。参考图6，显示本发明背光模块的优选实施例中网点的分布曲线示意图。在图5的 该背光模块2中，这些网点22的分布方式不需经由特殊设计。在本实施例中，在平行该导光板21入光面211的方向(C到D方向)，这些网点22均勻分布，这些网点22间的间距皆 相等。亦即，在图5中，沿着C到D的方向，这些网点22的分布密度皆相同，使得图6的曲 线呈现水平线。此外，在垂直该导光板21入光面211的方向(III到IV方向)，这些网点 22的密度分布方式为越靠近该导光板21入光面211越疏，越远离该导光板21入光面211 越密。亦即，在图5中，沿着III到IV的方向，这些网点22的分布为疏至密。参考图7，显示本发明背光模块的优选实施例中发光二极管的分布曲线示意图。在 图5的该背光模块2中，这些网点22的密度分布如下所述。在该基板M依序定义出一第 一分布区域E、一第二分布区域F、一第三分布区域G、一第四分布区域H及一第五分布区域 I。该第一分布区域E及该第五分布区域I分别位于该基板M的两侧，该第三分布区域G 系位于该基板M的中央，该第二分布区域F系位于该第一分布区域E及该第三分布区域G 之间，该第四分布区域H位于该第三分布区域G及该第五分布区域I之间。位于该第一分 布区域E内的发光二极管23的分布密度大于位于该第二分布区域F内的发光二极管23的 分布密度，位于该第三分布区域G内的发光二极管23的分布密度大于位于该第二分布区域 F内的发光二极管23的分布密度，位于该第五分布区域I内的发光二极管23的分布密度大 于位于该第四分布区域H内的发光二极管23的分布密度，位于该第三分布区域G内的发光 二极管23的分布密度大于位于该第四分布区域H内的发光二极管23的分布密度。优选地，位于该第一分布区域E内的发光二极管23的分布密度大于位于该第三分 布区域G内的发光二极管23的分布密度，位于该第五分布区域I内的发光二极管23的分 布密度大于位于该第三分布区域G内的发光二极管23的分布密度。而且，位于该第一分布 区域E及该第五分布区域I内的发光二极管23的分布密度相等，位于该第二分布区域F及 该第四分布区域H内的发光二极管23的分布密度相等。换言之，位于该第一分布区域E内的发光二极管23间的间距为第一间距P1，位于 该第二分布区域F内的发光二极管23间的间距为第二间距P2，P3,位于该第三分布区域G 内的发光二极管23间的间距为第三间距P4，P5,位于该第四分布区域H内的发光二极管23 间的间距为第四间距P6，P7,位于该第五分布区域I内的发光二极管23间的间距为第五间 距P8。该第一间距P1小于该第二间距P2，P3,该第三间距P4，P5小于该第二间距P2，P3,该第 五间距P8小于该第四间距P6，P7,该第三间距P4，P5小于该第四间距P6，P70优选地，该第一 间距P1小于该第三间距P4，P5,该第五间距P8小于该第三间距P4，P5,该第一间距P1等于该 第五间距P8,该第二间距P2，P3等于该第四间距P6，P7。因此，在图5中，沿着C到D的方向，这些发光二极管23的分布情况由该基板M 的区域E勹依序为密、疏、密、疏、密，优选为最密、疏、次密、疏、最密，使得图7的曲线呈 现类W形。参考图8，显示本发明侧光式背光模块的优选实施例中该导光板的出光面的亮度 分布曲线示意图。在该背光模块2中，沿着图5中C到D的方向，该导光板21的出光面212 的亮度的分布大致上为均亮，仅于中央区域的亮度稍高，使得图8的曲线呈现中间略微突 起的水平线。在该背光模块2中，由于这些发光二极管23的特殊排列方式，可使该导光板21在 不需要特殊网点排列的情况下，即可使其出光面212具有较高亮度及较均勻的亮度分布， 而且可以提供较佳的设计空间。
参考图10，显示本发明中导光板的第二实施例的剖视示意图。该导光板21A的 出光面212为一微结构面，该微结构面具有至少一微结构，且该微结构的形状为V型槽 (V-Cut)，二个V型槽间形成一突出部214。该突出部214的顶端具有一脊轴216，且该脊轴 216方向垂直于该基板M(图5)的一长边。以图5为例，该脊轴216方向垂直图5中的C-D 线。在本实施例中，这些网点22分布于该出光面212，即该微结构面上。参考图11，显示本发明中导光板的第三实施例的剖视示意图。本实施例的导光板 21B与该第二实施例的导光板21A(图10)大致相同，其不同处在于，在本实施例中，这些网 点22分布于该底面213。参考图12，显示本发明中导光板的第四实施例的剖视示意图。该导光板21C的 出光面212为一微结构面，该微结构面具有至少一微结构，且该微结构的形状为双凸透镜 (Lenticular) 215。在本实施例中，这些网点22分布于该出光面212，即该微结构面上。参考图13，显示本发明中导光板的第五实施例的剖视示意图。本实施例的导光板 21D与该第四实施例的导光板21C(图12)大致相同，其不同处在于，在本实施例中，这些网 点22分布于该底面213。上述实施例仅为说明本发明的原理及其功效，并非限制本发明，因此本领域技术 人员对上述实施例进行修改及变化仍不脱本发明的精神。本发明的保护范围应如申请专利 的权利要求所列。
权利要求
1.一种具有非等距排列的发光二极管的背光模块，包括一导光板，其具有一入光面、一出光面及一底面，该出光面相对设置于该底面，该入光 面设置于该出光面与该底面之间，且该导光板具有多个网点；及多个发光二极管，位于一基板上，这些发光二极管面对该导光板的该入光面，该基板依 序定义出一第一分布区域、一第二分布区域、一第三分布区域、一第四分布区域及一第五分 布区域，该第一分布区域及该第五分布区域分别位于该基板的两侧，该第二分布区域位于 该第一分布区域及该第三分布区域之间，该第四分布区域位于该第三分布区域及该第五分 布区域之间，其中位于该第一分布区域内的发光二极管的分布密度大于位于该第二分布区 域内的发光二极管的分布密度，位于该第三分布区域内的发光二极管的分布密度大于位于 该第二分布区域内的发光二极管的分布密度，位于该第五分布区域内的发光二极管的分布 密度大于位于该第四分布区域内的发光二极管的分布密度，位于该第三分布区域内的发光 二极管的分布密度大于位于该第四分布区域内的发光二极管的分布密度。
2.如权利要求1所述的背光模块，其中该第三分布区域位于该基板的中央。
3.如权利要求1所述的背光模块，其中位于该第一分布区域内的发光二极管的分布密 度大于位于该第三分布区域内的发光二极管的分布密度。
4.如权利要求1所述的背光模块，其中位于该第五分布区域内的发光二极管的分布密 度大于位于该第三分布区域内的发光二极管的分布密度。
5.如权利要求1所述的背光模块，其中位于该第一分布区域及该第五分布区域内的发 光二极管的分布密度相等。
6.如权利要求1所述的背光模块，其中位于该第二分布区域及该第四分布区域内的发 光二极管的分布密度相等。
7.如权利要求1所述的背光模块，其中在平行该入光面的方向，这些网点均勻分布。
8.如权利要求1所述的背光模块，其中这些网点设置于该底面。
9.如权利要求1所述的背光模块，其中这些网点设置于该出光面。
10.如权利要求1所述的背光模块，其中这些网点设置于该出光面及该底面。
11.如权利要求8所述的背光模块，其中该出光面为一微结构面，该微结构面包含至少 一微结构，且该微结构为一突出部，该突出部的顶端具有一脊轴，且该脊轴方向垂直该基板 的一长边。
12.如权利要求9所述的背光模块，其中该底面为一微结构面，该微结构面包含至少一 微结构，且该微结构为一突出部，该突出部的顶端具有一脊轴，且该脊轴方向垂直该基板的 一长边。
13.如权利要求1所述的背光模块，其中该出光面为一微结构面，该微结构面包含至少 一微结构，且该微结构为一突出部，该突出部的顶端具有一脊轴，且该脊轴方向垂直该基板 的一长边，这些网点分布于该微结构面上。
14.如权利要求1所述的背光模块，其中该底面为一微结构面，该微结构面包含至少一 微结构，且该微结构为一突出部，该突出部的顶端具有一脊轴，且该脊轴方向垂直该基板的 一长边，这些网点分布于该微结构面上。
全文摘要
本发明公开了一种具有非等距排列的发光二极管的背光模块，其包括一导光板及多个发光二极管。这些发光二极管位于一基板上，该基板依序定义出一第一分布区域、一第二分布区域、一第三分布区域、一第四分布区域及一第五分布区域，其中位于该第一及第三分布区域内的发光二极管的分布密度大于位于该第二分布区域内的发光二极管的分布密度，位于该第三及第五分布区域内的发光二极管的分布密度大于位于该第四分布区域内的发光二极管的分布密度。由此，可使该导光板具有较高亮度及较均匀的亮度分布。
文档编号F21S8/00GK102141214SQ201010102270
公开日2011年8月3日 申请日期2010年1月28日 优先权日2010年1月28日
发明者杜珮姗, 王子昌 申请人:奇菱科技股份有限公司