专利名称：一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法
技术领域：
本发明涉及场发射显示(FED)器件领域，特别是涉及到场发射显示器件中阳极屏的制备。
背景技术：
FED器件的荧光屏(简称阳极)是一种以带有条状的ΙΤ0(氧化铟 锡)导电层的 玻璃为衬底，在带有ITO导电条上涂加荧光粉。由于FED器件工作电压较高，以及器件本身 在工作时各个电极条之间不能有任何串扰，因此对条状ITO电极间的绝缘性要求非常高。 一般的光刻方法不能满足FED器件工艺的要求。因为利用普通的光刻方法，得到的ITO条 电极之间局部区域绝缘性较低，使得FED器件工作时出现干扰亮点，甚至引起条形电极间 的导通。另外，在ITO条上涂加荧光粉工艺时，也要采用另一种的套刻技术，这时由于利用 普通的光刻ITO层的方法使得ITO和周围衬底玻璃表面之间的视觉反差极差，而造成ITO 条图形的轮廓不清，套刻时对版基本无法实现。
发明内容
本发明为解决现有制作场发射阳极屏时存在ITO电极条局部区域绝缘性低而产 生干扰亮点，并且ITO层和衬底玻璃表面的视觉反差小，造成ITO条图形不清楚的问题，提 供一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法。一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法，该方法由以下步骤实现步骤一、将ITO玻璃采用光刻方法进行光刻、腐蚀，获得腐蚀后的ITO玻璃；步骤二、采用ITO玻璃深化腐蚀液对步骤一获得的ITO玻璃进行深化腐蚀；步骤三、对步骤二获得的深化腐蚀后的ITO玻璃旋涂荧光粉，通过光刻方法实现 场发射显示器件阳极屏的制备；步骤二所述的ITO玻璃深化腐蚀液的制备方法为取H2O HF = 3 1的混合液 刻蚀ITO条形电极的玻璃衬底，所述HF的浓度为40%的HF的水溶液；本发明的有益效果本发明方法增加了 ITO电极条之间的电阻率，ITO导电电极 条间的电阻值> 1000ΜΩ，并且提高了电极之间的绝缘性能，且不损伤电极条上的ITO材料 层；本发明能够使ITO层表面与周围的玻璃表面之间视觉反差明显增加，ITO条的轮廓清 晰，本发明为光刻套版对准奠定了基础。
图1为本发明所述一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法获得的阳极屏示意 图；图中1、ITO电极，2、ITO玻璃衬底。
具体实施方式
具体实施方式
一、结合图1说明本实施方式，一种场发射显示器件中阳极屏的制 备方法；该方法由以下步骤实现步骤一、将ITO玻璃采用光刻方法进行光刻、腐蚀，获得腐蚀后的ITO玻璃；步骤二、采用ITO玻璃深化腐蚀液对步骤一获得的ITO玻璃进行深化腐蚀；步骤三、对步骤二获得的深化腐蚀后的ITO玻璃旋涂荧光粉，通过光刻方法实现 场发射显示器件阳极屏的制备；步骤二所述的ITO玻璃深化腐蚀液的制备方法为取H2O HF = 3 1的混合液 刻蚀ITO条形电极1的玻璃衬底，所述HF的浓度为40%的HF的水溶液。本实施方式中对ITO玻璃进行深化腐蚀的方法为将深化腐蚀液放入塑料容器 内，将步骤一获得腐蚀后的ITO玻璃衬底2按一定的倾斜角度放置在深化腐蚀液塑料容器， 然后将深化腐蚀液均勻的喷洒在ITO玻璃衬底2表面；腐蚀时间小于20秒，采用净水对深 化腐蚀后的ITO玻璃衬底表面清洗，获得深化腐蚀后的ITO玻璃。本实施方式所述的清洗时间为1分钟；所述ITO玻璃衬底2表面的腐蚀深度为3 5μ ；所述的ITO玻璃衬底2的腐蚀速率为lOu/min。所述ITO玻璃衬底2按一定的倾斜角 度放置在深化腐蚀液塑料容器，一定的倾斜角度可以为60°。本实施方式所述的深化腐蚀液的特点是只腐蚀玻璃衬底，对ITO条形电极1没有 任何影响。本发明的制作过程工艺简单、效果明显，由于氢氟酸对ITO玻璃的腐蚀作用，使得 ITO玻璃的表面变得不平，从面使得经过氢氟酸腐蚀的地方透光较差，而没有经过氢氟酸腐 蚀(有ITO条)处透光性相对要好，没有经过氢氟酸腐蚀处为ITO条形电极的位置，从而形 成大的反差，提高制作场发射器件中阳极屏的质量。
权利要求
一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法，其特征是，该方法由以下步骤实现步骤一、将ITO玻璃采用光刻方法进行光刻、腐蚀，获得腐蚀后的ITO玻璃；步骤二、采用ITO玻璃深化腐蚀液对步骤一获得的ITO玻璃进行深化腐蚀；步骤三、对步骤二获得的深化腐蚀后的ITO玻璃旋涂荧光粉，通过光刻方法实现场发射显示器件阳极屏的制备；步骤二所述的ITO玻璃深化腐蚀液的制备方法为取H2O∶HF＝3∶1的混合液刻蚀ITO条形电极(1)的玻璃衬底，所述HF的浓度为40％的HF的水溶液。
2.根据权利要求1所述的一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法，其特征在于，对 ITO玻璃进行深化腐蚀的方法为将深化腐蚀液放入塑料容器内，将步骤一获得腐蚀后的 ITO玻璃衬底(2)按一定的倾斜角度放置在深化腐蚀液塑料容器，然后将深化腐蚀液均勻 的喷洒在ITO玻璃衬底(2)表面；腐蚀时间小于20秒，采用净水对深化腐蚀后的ITO玻璃 衬底表面清洗，获得深化腐蚀后的ITO玻璃。
3.根据权利要求2所述的一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法，其特征在于，所 述清洗时间为1分钟。
4.根据权利要求2所述的一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法，其特征在于，所 述ITO玻璃衬底⑵表面的腐蚀深度为3 5 μ。
5.根据权利要求2所述的一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法，其特征在于，所 述的ITO玻璃衬底(2)的腐蚀速率为lOu/min。
6.根据权利要求2所述的一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法，其特征在于，所 述ITO玻璃衬底(2)按一定的倾斜角度放置在深化腐蚀液塑料容器，一定的倾斜角度为 60° 。
全文摘要
一种场发射显示器件中阳极屏的制备方法，涉及场发射显示器件领域，它解决了现有制作场发射阳极屏时存在ITO电极条局部区域绝缘性低而产生干扰亮点，并且ITO层和衬底玻璃表面的视觉反差小，造成ITO条图形不清楚的问题，将ITO玻璃采用光刻方法进行光刻、腐蚀，采用ITO玻璃深化腐蚀液对ITO玻璃进行深化腐蚀；对深化腐蚀后的ITO玻璃旋涂荧光粉，通过光刻方法实现场发射显示器件阳极屏的制备；ITO玻璃深化腐蚀液的制备方法为取H2O∶HF＝3∶1的混合液刻蚀ITO条形电极的玻璃衬底，所述HF的浓度为40％的HF的水溶液。本发明适用于场发射器件中套版光刻技术。
文档编号H01J9/20GK101866797SQ20101022899
公开日2010年10月20日 申请日期2010年7月16日 优先权日2010年7月16日
发明者孙晓娟, 宋航, 李志明, 缪国庆, 蒋红, 陈一仁, 黎大兵 申请人:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所