场发射阴极装置及场发射显示器的制作方法

专利名称：场发射阴极装置及场发射显示器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种场发射阴极装置及场发射显示器。
背景技术：
场发射显示器是继阴极射线管(CRT)显示器和液晶(LCD)显示器之后，最具发展 潜力的下一代新兴技术。相对于现有的显示器，场发射显示器具有显示效果好、视角大、功 耗小以及体积小等优点，近年来越来越受到重视。一般而言，场发射显示器的结构可以分为二极型和三极型。所谓二极型即包括有 阳极和阴极的场发射装置，这种结构由于需要施加高电压，而且均勻性以及电子发射难以 控制，仅适用于字符显示，不适用于图形和图像显示。三极型则是在二极型场发射装置的基 础上增加栅网来控制电子发射的场发射装置，可以实现在较低电压条件下发出电子，而且 电子发射容易通过栅网来精确控制。因此，三极型场发射显示器中，这种由产生电子的阴极 和引出电子并将电子加速的栅网构成的场发射阴极装置成为目前较为常用的一种场发射 阴极装置。请参阅图1和图2，现有技术中提供一种场发射阴极装置100，其包括一绝缘基底 102 ；多个条形阴极电极104，该多个条形阴极电极104平行且间隔设置于该绝缘基底102 表面；多个场发射元件106，该多个场发射元件106间隔设置于多个条形阴极电极104的表 面；多个介质条108，该多个介质条108平行且间隔设置于绝缘基底102之上，该多个介质 条108与多个条形阴极电极104相互垂直，该多个介质条108覆盖上述多个条形阴极电极 104的部分区域，并相对于每个场发射元件106设有通孔；多个条形栅网110通过所述介质 条108支撑，该多个条形栅网110与条形阴极电极104异面垂直。一固定层113设置于所 述条形栅网110的远离介质条108的上方。由于栅网110的材料多为金属，而介质条108 的材料多为绝缘材料，因此，栅网110与介质条108之间的结合不牢固。固定层113用于固 定栅网110，使栅网110不易变形。所述场发射阴极装置100在应用过程中，场发射元件106在栅网110的电压下发 射出电子，该部分电子穿过栅网110。由于固定层113覆盖部分阴极104，且固定层113仅 对应场发射元件106的位置设有通孔。因此，固定层113的边缘与场发射元件106的边缘 距离很近。穿过栅网110的电子受到靠近固定层113的栅网110的电压的吸引进而打在固 定层113上。固定层113在电子的打击下发射出了较多的二次电子。该部分二次电子是由 固定层113发射出，且其方向杂乱无章，进而导致像素点边界发散呈现不规则图形的现象。 固定层113发射出二次电子后荷电逐渐形成一高电位，从而进一步吸引穿过栅网110的电 子，使电子偏离其垂直于阴极电极104飞行的方向。请参阅图3，应用所述场发射阴极装置 100的场发射显示器的像素点边界发散呈现不规则图形的现象。

发明内容
有鉴于此，确有必要提供一种工作状态时能够获得清晰像素的场发射阴极装置及场发射显示器。—种场发射阴极装置，包括一绝缘基底；多个条形阴极相互平行且等间隔设置 于该绝缘基底的表面；多个隔离体间隔设置于所述绝缘基底的表面；多个条形栅网相互平 行且等间隔设置，该多个条形栅网与多个条形阴极异面垂直且交叉设置，每一条形栅网均 通过所述隔离体支撑，与所述条形阴极间隔设置；多个场发射元件分别设置于所述多个条 形阴极与所述多个条形栅网的交叉位置并与所述条形阴极电连接；多个固定层分别对应于 所述多个隔离体设置于所述条形栅网表面，将条形栅网夹持于所述固定层与隔离体之间， 所述多个隔离体分别位于所述多个条形阴极之间并与所述条形阴极间隔设置，所述场发射 阴极装置进一步满足以下条件D1 ^ D2/10，其中，所述隔离体的宽度定义为D1，相邻两个 场发射元件的中心线之间的距离定义为D2。一种场发射显示器，其包括一阳极装置及与该阳极装置间隔设置的一场发射阴极 装置，该场发射阴极装置包括一绝缘基底；多个条形阴极相互平行且等间隔设置于该绝 缘基底的表面；多个隔离体间隔设置于所述绝缘基底的表面；多个条形栅网相互平行且等 间隔设置，并与多个条形阴极异面垂直，且每一条形栅网均通过隔离体支撑，与所述条形阴 极间隔设置；多个场发射元件分别设置于所述多个条形阴极与所述多个条形栅网的交叉位 置并与所述条形阴极电连接；多个固定层分别对应于所述多个隔离体设置于栅网表面，将 栅网夹持固定于所述固定层与隔离体之间，所述多个隔离体分别位于所述多个条形阴极之 间并与所述条形阴极间隔设置，所述隔离体的设置进一步满足以下条件(1)D1 ^ D2/10, 其中，所述隔离体的宽度定义为D1，相邻两个场发射元件的中心线之间的距离定义为D2。与现有技术相比，本发明提供的场发射阴极装置以及场发射显示器中采用的隔离 体的宽度小于相邻两场发射元件的中心线之间的距离的十分之一，因此，隔离体的宽度远 小于相邻两场发射元件的中心线之间的距离，进一步地，位于隔离体之上的固定层的宽度 远小于相邻两场发射元件的中心线之间的距离。因此当栅网上施加电压时，可有效降低由 场发射元件发射出的电子打到固定层上的几率。从而减轻固定层的荷电效应，进而使场发 射元件发射出的电子均沿着垂直于场发射元件表面的方向飞行，而不偏转向固定层，在应 用时可有效消除像素点边界发散呈现不规则图形的现象。


图1为现有技术中的场发射阴极装置的俯视图。图2为图1中场发射阴极装置沿II-II线的剖视图。图3为现有技术中的场发射显示器的显示效果图。图4是本发明第一实施例提供的场发射阴极装置的立体结构示意图。图5为图4中场发射阴极装置沿V-V线的剖视图。图6为本发明第一实施例提供的场发射阴极装置的俯视图。图7为本发明第二实施例提供的场发射阴极装置的俯视图。图8为本发明第三实施例提供的场发射阴极装置的俯视图。图9为采用本发明实施例提供的场发射阴极装置的场发射显示器的剖面图。图10为图9中的场发射显示器的显示效果图。主要元件符号说明
10、100、202
12、102、204,214
14、104、206
16、106、222
18、108、208
20、110、210
22,224,113
24,226
162,222
121
122
200
216
218
212
222
场发射阴极装置 绝缘基底 阴极电极 场发射元件 隔离体 栅网 固定层 导电层 电子发射体
色缘基底12的第一表面 色缘基底12的第二表面 场发射显示器 透明阳极 荧光层 阳极装置 色缘支撑体
具体实施例方式以下将结合附图详细说明本发明实施例提供的场发射阴极装置及场发射显示器。请参阅图4和图5，本发明第一实施例提供一种场发射阴极装置10，其包括一绝 缘基底12、多个条形阴极14、多个场发射元件16、多个隔离体18、多个条形栅网20、多个固 定层22以及多个导电层M。所述多个条形阴极14相互平行且等间隔设置于该绝缘基底 12表面。所述多个隔离体18间隔设置于所述绝缘基底12表面，并设置于所述多个条形阴 极14之间。所述多个隔离体18与所述条形阴极14间隔设置。所述多个条形栅网20相互 平行且等间隔设置，并与条形阴极14异面垂直且交叉设置。每一条形栅网20通过多个隔 离体18支撑。所述多个场发射元件16分别设置于所述多个条形阴极14与所述多个条形 栅网20的交叉位置并与所述条形阴极14电连接。所述多个固定层22分别对应于所述多 个隔离体18设置于栅网20表面，将栅网20夹持固定于所述固定层22与隔离体18之间。 所述多个导电层M分别设置于所述多个固定层22远离栅网20的表面。所述绝缘基底12的材料为玻璃、陶瓷或二氧化硅等绝缘材料。本实施例中，所述 绝缘基底12材料为玻璃。所述绝缘基底12用于承载所述多个条形阴极14、多个场发射元 件16、多个隔离体18及多个条形栅网20。所述绝缘基底12包括一第一表面121以及一与 第一表面121相对的第二表面122。在所述绝缘基底12的第一表面121定义相互垂直的第 一方向X和第二方向Y。所述第一方向X与第二方向Y均平行于所述第一表面121。所述多个条形阴极14中的每个条形阴极14的形状均为长条形或带状，所述多个 条形阴极14相互平行且等间距地间隔设置于绝缘基底12的第一表面121。所述每个条形 阴极14均平行于所述第一方向X。所述多个条形阴极14的材料可选择为铜、铝、金或银等 金属，或铟锡氧化物(ITO)等导电材料。本实施例中，所述每个条形阴极14为银电极。所述多个条形栅网20中的每个条形栅网20的形状均为长条形或带状，所述多个条形栅网20相互平行且等间距间隔设置。优选地，所述多个条形栅网20之间的间距与所 述多个条形阴极14之间的间距相等。所述多个条形栅网20与多个条形阴极14异面垂直 且交叉设置。在相互交叉的位置，所述条形栅网20与所述条形阴极14在垂直于所述第一 表面121方向上的间距大于等于18微米。所述条形栅网20为一网状结构，其包括多个均 勻分布的栅孔，栅孔的孔径为3微米至1000微米。优选地，所述条形栅网20为一金属网。 本实施例中，所述条形栅网20为一不锈钢网，所述条形栅网20与所述多个条形阴极14之 间的间距为20微米。所述多个场发射元件16相互间隔分布于多个条形阴极14远离绝缘基底12的表 面，优选地，所述多个场发射元件16呈矩阵排列。所述场发射元件16可仅设置在所述条形 阴极13与所述条形栅网20的交叉位置。本技术领域人员可理解，所述场发射元件16也可 设置在所述整个条形阴极14的表面。每一场发射元件16包括多个电子发射体162，该每 一电子发射体162可选择为金属微尖、硅尖、碳纳米管或其它电子发射体。所述场发射元件 16中的电子发射体162可以为碳纳米管阵列、碳纳米管线、碳纳米管浆料或者碳纳米管膜。 本实施例中，所述场发射元件16为一碳纳米管阵列。所述多个隔离体18用于支撑栅网20。通过所述多个隔离体18使所述栅网20与 所述条形阴极14在垂直于所述第一表面121方向上间隔一定距离且彼此绝缘。所述多个 隔离体18仅设置在位于所述条形阴极14之间的所述绝缘基底12的第一表面121。所述隔 离体18与所述条形阴极14间隔设置。优选地，所述隔离体18为条形，且平行于所述条形 阴极14设置。所述每一隔离体18距与之相邻的两条形阴极14之间的距离相等。所述每 一隔离体18距与之相邻的两场发射元件16之间的距离相等。所述隔离体18的材料为玻璃、陶瓷或二氧化硅等绝缘材料。本实施例中，所述多 个隔离体18中的每个隔离体均为一长方体，其具有长、宽、高三个尺寸。所述每个隔离体18 的长度方向平行于第一方向X。所述每个隔离体18的宽度方向平行于第二方向Y。所述每 个隔离体18的高度方向为垂直于绝缘基底12的第一表面121。本实施例中沿第一方向X， 在相邻的两个条形阴极14之间设置多个隔离体18分别支撑每个条形栅网20。请参阅图6，为降低荷电效应的影响，所述场发射阴极装置10进一步满足以下条 件(I)Dl ≤ D2/10，其中，所述隔离体18的宽度定义为Dl，相邻两个场发射元件16的 中心线之间的距离定义为D2。(2)0. 125 ≤ D3/D2 ≤ 0. 48，其中，所述场发射元件16的径向尺寸定义为D3。(3)5μπι≤ H≤ 100 μ m ；其中，所述隔离体18的高度定义为H。条件式(1)限定隔离体18在Y方向的宽度Dl与相邻两个场发射元件16之间的 距离D2之间的关系。在相邻两个场发射元件16的中心线之间的距离D2 —定的条件下，隔 离体18的宽度小于D2的十分之一，因此，隔离体18的宽度较小，进一步地位于隔离体18 之上的固定层22的宽度也较小。固定层22的远离栅网20的表面的宽度也较小，固定层 22的的远离栅网20的表面的面积也越小。因此，场发射元件16发射出的电子通过栅网20 后，可减少电子打到固定层22的远离栅网20的表面的几率，从而可有效减轻荷电效应。一 般地D2小于等于5毫米。可选择地，D2的范围大于等于3毫米且小于等于5毫米。Dl小 于等于500微米且大于等于100微米。优选地Dl的范围为200微米至400微米。隔离体18的宽度应保证可使其支撑栅网20并保持栅网20不变形。本实施例中，所述D2为1. 5毫 米。Dl为300微米。条件式(2)限制场发射元件16的径向尺寸，尤其是场发射元件16沿Y方向的尺 寸。进一步地，可以使得所述隔离体18与场发射元件16之间的距离D4较大。即，隔离体 18的边缘与场发射元件16的边缘的距离较大。D4大于等于150微米。可选择地，D4为200 微米。进而固定层22的边缘与场发射元件16的边缘的距离也较大，因此，可进一步减少场 发射元件16发射出的电子，打到固定层22的几率，从而可进一步地减轻荷电效应。D3小 于等于MOO微米。优选地，D3大于等于500微米且小于等于1300微米。可选择地，D3为 1000微米。本实施例中，D3为400微米，D4为250微米。条件式(3)限定所述隔离体18的高度H大于等于5微米且小于等于100微米。优 选地，隔离体18的高度H大于等于10微米且小于等于15微米。本发明中隔离体18的高 度较低，则栅网20的高度较低，栅网20仅需施加较低的电压就可以从场发射元件中拔出电 子。栅网20的电压较小，进而固定层22附近的栅网20的对场发射元件16发射出的电子 的吸引力也越小，进而，场发射元件16发射出的电子不易在固定层22附近的栅网20的电 压作用下打到固定层22的表面，可进一步地减轻荷电效应。本技术领域人员可以理解，条件式O)、(3)是可选择地，非本发明的必要技术特 征，本技术领域人员可依据所述场发射阴极装置10的不同应用情形而进行调整。多个固定层22分别对应所述多个隔离体18设置，将多个条形栅网20固定于所述 隔离体18与固定层22之间。所述固定层22仅覆盖栅网20的位于隔离体18之上的区域 的表面。栅网20设置于所述固定层22与所述隔离体18之间。如此可使栅网20不易因为 发生变形造成栅网20和条形阴极14之间的间距不均勻，进而影响场发射阴极装置10均勻 地发射电子。因此，该场发射阴极装置10结构稳定，不易受外界环境的影响。所述固定层22填充栅网20的位于隔离体18上方的栅孔。通过栅网20的栅孔， 固定层22与隔离体18结合在一起，从而固定栅网20。所述固定层22的材料可以为绝缘介 质，例如，玻璃、陶瓷或者二氧化硅。优选地，固定层22的材料与隔离体18的材料相同，如 此可使固定层22与隔离体18较好的相容并牢固的结合，进而牢固地固定栅网20。通常，所 述固定层22可采用丝网印刷的方法制备，在制备过程中，所述固定层22会渗透到所述栅网 20的栅孔内，并与所述隔离体18接触，实现更好地固定。而所述固定层22对应栅网20的 非栅孔区域的厚度极小，通常小于等于10微米，固定层22不会影响导电层M与栅网20的 电连接。所述导电层M的材料可以为金属、合金、氧化铟锡、锑锡氧化物、导电银胶、导电 聚合物或碳纳米管。本实施例中，所述导电层M的材料为银浆料。采用丝网印刷的方法于 固定层22上制备导电层M。在制备过程中，导电层M为流体状的银浆料，因此，银浆料容 易沿着固定层22、栅网20和隔离体18的侧壁流淌至绝缘基板12。由于隔离体18和条形 阴极14间隔设置且保持一定距离，防止了阴极14和栅网20短路。所述导电层M为可选 择结构。所述导电层M覆盖固定层22的远离栅网20的表面，进而使固定层22可产生二 次电子的面积减小。所述导电层M还可导出电子发射体162发射出的一部分落到导电层 M上电子，减少或避免该部分电子轰击所述隔离体18产生二次电子。另外，电子发射体162发射出的一小部分电子直接轰击所述隔离体18，使得该隔离体18发射二次电子，并在该隔 离体18上产生正电荷，而该正电荷可以通过所述导电层M及栅网20导走，减少或避免所 述隔离体18上积累正电荷，进而使得该隔离体18周围的电位基本不发生变化，从而减少电 子发射体162发射的电子向四周发散的可能性，使电子集中射向预定位置，进而使得利用 该场发射阴极装置10的场发射显示器的图像显示清晰、显示效果较好。所述导电层M为 可选择结构。场发射阴极装置10在应用时，分别施加不同电压给阴极14和栅网20。一般情况 下，阴极14为接地或零电压，栅网20的电压为几十伏至几百伏左右。阴极14上场发射元 件16中的电子发射体162所发出的电子在栅网20的电场作用下，向栅网20的方向运动， 通过栅网20的栅孔发射出去。由于所述多个阴极14之间相互绝缘、所述多个栅网20之间 相互绝缘，因此，通过选择性地在某些阴极14和某些栅网20之间施加不同的电压，可控制 不同位置的场发射元件16发射电子，实现场发射阴极装置10的寻址功能，满足其在场发射 显示器中的应用。本发明第二实施例提供一种场发射阴极装置。请参阅图7，该场发射阴极装置的结 构与第一实施例中的场发射阴极装置10的结构相似，其区别在于，在位于所述条形阴极14 之间设置隔离体18时，沿第一方向X，相邻的两个条形阴极14之间仅设置一个隔离体18同 时支撑所述多个条形栅网20。当相邻的两个条形阴极14之间仅设置一个隔离体18同时支 撑所述多个条形栅网20时，所述固定层22可仅对应设置于所述隔离体18支撑栅网20位 置，也可设置于整个隔离体18表面。本发明第三实施例提供一种场发射阴极装置。该场发射阴极装置的结构与第一实 施例中的场发射阴极装置10的结构相似，其区别在于，所述隔离体无需设置在任意两个相 邻的条形阴极之间，在确保所述隔离体能对条形栅网提供足够的支撑力的前提下，可在第 二方向Y上每间隔N个条形阴极或场发射元件设置一个隔离体，其中N为大于1的整数。所 述隔离体的数量越少，则位于隔离体之上的固定层的面积也越少，则固定层产生荷电效应 的几率也越小。例如，请参阅图8，沿所述第二方向Y，可每间隔三个场发射元件16设置有 一个隔离体18。所述多个隔离体18的最少数量不限。在保证所述栅网20不变形的条件 下，所述隔离体18的数量应尽量少。请参见图9，本发明进一步提供一种使用上述场发射阴极装置10的场发射显示器 200，该场发射显示器200包括一阳极装置212及与该阳极装置212间隔设置的一场发射阴 极装置202。所述阳极装置212与所述场发射阴极装置202相对且保持一定距离间隔设置。 所述场发射阴极装置202可采用第一实施例中的场发射阴极装置10。该场发射阴极装置202包括一绝缘基底204、多个条形阴极206、多个场发射元件 222、多个隔离体208、多个条形栅网210、一固定层224以及一导电层226。所述阳极装置 212与场发射阴极装置202中的条形栅网210保持一定距离间隔设置。所述阳极装置212包括一玻璃基底214，一透明阳极216及涂覆于透明阳极216上 的多个荧光层218。所述透明阳极216可为氧化铟锡薄膜。所述阳极装置212通过一绝缘 支撑体220与场发射阴极装置202中的绝缘基底204间隔设置，阳极装置212与场发射阴 极装置202的边缘密封设置，使得场发射阴极装置202与阳极装置212之间形成一真空环 境。所述场发射阴极装置202中的场发射元件222与阳极装置212中的荧光层218 —一对应设置，构成一像素单元。场发射显示器200在应用时，分别施加不同电压给条形阴极206、条形栅网210和 阳极216。阴极206上场发射元件222中的电子发射体所发出的电子在栅网210的电场作 用下，向栅网210的方向运动，通过栅网210的栅孔发射出去，在阳极216的电场作用下，最 终打到阳极216，打在涂覆透明阳极216上的荧光层218，发出荧光，实现场发射显示器200 的显示功能。由于条形阴极206之间相互绝缘、条形栅网210之间相互绝缘，因此，通过选择 性地在不同的条形阴极206和条形栅网210之间施加不同的电压，可控制不同位置的场发 射元件222发射电子，电子打在阳极装置212的荧光层218的不同位置，从而使荧光层218 的不同位置发光，使场发射显示器200根据需要显示不同的画面。本发明提供的场发射阴极装置以及场发射显示器中采用的隔离体的宽度小于相 邻两场发射元件的中心线之间的距离的十分之一，因此，隔离体的宽度远小于相邻两场发 射元件的中心线之间的距离，进一步地，位于隔离体之上的固定层的宽度远小于相邻两场 发射元件的中心线之间的距离。因此当栅网上施加电压时，可有效降低由场发射元件发射 出的电子打到固定层上的几率。从而减轻固定层的荷电效应，进而使场发射元件发射出的 电子均沿着垂直于场发射元件表面的方向飞行，而不偏转向固定层，在应用时可有效消除 像素点边界发散呈现不规则图形的现象。进一步地，场发射元件的径向尺寸与相邻两场发射元件的中心线之间的距离的比 值的范围为0. 125至0. 48，因此，隔离体与场发射元件之间的距离较大。进一步地，固定层 与场发射元件之间的距离也较大，因此可有效降低由场发射元件发射出的电子打到固定层 上的几率。从而减轻固定层的荷电效应。另外，本领域技术人员还可在本发明精神内做其他变化，当然，这些依据本发明精 神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内。
权利要求
1.一种场发射阴极装置，包括一绝缘基底；多个条形阴极相互平行且等间隔设置于该绝缘基底的表面；多个隔离体间隔设置于所述绝缘基底的表面；多个条形栅网相互平行且等间隔设置，该多个条形栅网与多个条形阴极异面垂直且交 叉设置，每一条形栅网均通过所述隔离体支撑，与所述条形阴极间隔设置；多个场发射元件分别设置于所述多个条形阴极与所述多个条形栅网的交叉位置并与 所述条形阴极电连接；多个固定层分别对应于所述多个隔离体设置于所述条形栅网表面，将条形栅网夹持于 所述固定层与隔离体之间，其特征在于，所述多个隔离体分别位于所述多个条形阴极之间并与所述条形阴极间隔 设置，所述场发射阴极装置满足以下条件Dl < D2/10，其中，所述隔离体的宽度定义为D1，相邻两个场发射元件的中心线之间的 距离定义为D2。
2.如权利要求1所述的场发射阴极装置，其特征在于，D2小于等于5毫米。
3.如权利要求1所述的场发射阴极装置，其特征在于，Dl小于等于500微米且大于等 于100微米。
4.如权利要求1所述的场发射阴极装置，其特征在于，所述场发射阴极装置进一步满 足以下条件0. 125 ^ D3/D2 ^ 0. 48，其中，所述场发射元件的径向尺寸定义为D3。
5.如权利要求4所述的场发射阴极装置，其特征在于，所述隔离体与场发射元件之间 的距离大于等于150微米。
6.如权利要求1所述的场发射阴极装置，其特征在于，所述场发射阴极装置进一步满 足以下条件5 μ m彡H彡100 μ m ；其中，所述隔离体的高度定义为H。
7.如权利要求1所述的场发射阴极装置，其特征在于，所述多个隔离体中的每一隔离 体距与之相邻的两场发射元件之间的距离相等。
8.如权利要求1所述的场发射阴极装置，其特征在于，沿平行于条形阴极的方向，相邻 的两个条形阴极之间仅设置一个隔离体，该隔离体支撑多个条形栅网。
9.如权利要求1所述的场发射阴极装置，其特征在于，沿平行于条形阴极的方向，相邻 的两个条形阴极之间设置多个隔离体，每个隔离体支撑一个条形栅网。
10.如权利要求1所述的场发射阴极装置，其特征在于，沿平行于条形栅网的方向，每 间隔多个条形阴极设置一个隔离体。
11.如权利要求1所述的场发射阴极装置，其特征在于，所述固定层填充条形栅网的位 于隔离体上方的栅孔，与隔离体结合在一起，将所述条形栅网固定于所述隔离体与固定层 之间。
12.如权利要求11所述的场发射阴极装置，其特征在于，所述固定层对应栅网的非栅 孔区域的厚度小于等于10微米。
13.如权利要求1所述的场发射阴极装置，其特征在于，进一步包括多个导电层分别设 置于所述多个固定层远离条形栅网的表面。
14.一种场发射显示器，其包括一阳极装置及一如权利要求1至13中任一项所述的场发射阴极装置与该阳极装置间隔设置。
全文摘要
本发明涉及一种场发射阴极装置，包括一绝缘基底；多个条形阴极；多个隔离体；多个条形栅网；多个场发射元件分别设置于所述多个条形阴极与所述多个条形栅网的交叉位置并与所述条形阴极电连接；多个固定层分别对应于所述多个隔离体设置于所述条形栅网表面，将条形栅网夹持于所述固定层与隔离体之间，所述多个隔离体分别位于所述多个条形阴极之间并与所述条形阴极间隔设置，所述场发射阴极装置进一步满足以下条件D1≤D2/10，其中，所述隔离体的宽度定义为D1，相邻两个场发射元件的中心线之间的距离定义为D2。本发明还涉及采用该种场发射阴极装置的场发射显示器。
文档编号H01J31/12GK102074441SQ201010600408
公开日2011年5月25日 申请日期2010年12月22日 优先权日2010年12月22日
发明者唐洁, 范守善, 郝海燕 申请人:清华大学, 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司