专利名称：一种荧光灯用高温ZnInHg汞齐的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于制造节能灯的电光源材料，具体涉及一种荧光灯用高温 ZnInHg 萊齐。
背景技术：
目前，使用汞齐来控制荧光灯或节能灯的灯管内的汞气压，已经普遍被技术人员 所接受，为获得最高的光效，一般都使汞气压处于0. 8Pa，汞齐的元素不同，将直接影响保证 0. 8 汞气压的温度范围。在节能灯中广泛使用的BHnHg高温汞齐，存在如下缺点，一是合 金熔点低，在制灯封离工艺中易掉汞，二是所制备的汞齐强度低，在注汞器中易破碎，影响 灯管汞量的精确控制。
发明内容
发明目的针对现有技术中存在的不足，本发明的目的是提供一种荧光灯用高温 ZnInHg汞齐，以实现使其具有高温、熔点高、强度大等特点。
发明内容
为了实现上述发明目的，本发明采用的技术方案为一种荧光灯用高 温SHnHg汞齐，由Zn、In和Hg组成，质量含量分别为45% 65%、30% 40%、3% 15%。上述荧光灯用高温a^nHg汞齐，Zn、In和Hg的质量含量优选分别为50%飞0%、 35% 40% 和 5% 10%。采用常规合金汞齐的制备方法即可获得本发明所述的汞齐，传统灯用高温汞齐由 BiInHg组成，采用本发明的汞齐材料则由a^nHg组成，制备的汞齐可以获得与GZ、JF等相 同或相近的汞蒸气压与温度特性曲性，完全可替代GZ、JF等BHnHg汞齐。有益效果本发明的荧光灯用高温a^nHg汞齐，与现有广泛使用的BihHg高温汞 齐相比，具有明显的优点包括熔点高、强度大，同时，可以获得与BHnHg相同线或相近的 汞蒸气压与温度特性曲线，完全可替代GZ、JF等BHnHg汞齐。
图1是BihHg与a^nHg的汞气压温度特性曲线图。
具体实施例方式下面结合具体实施例对本发明做进一步的解释。实施例1
一种荧光灯用高温a^nHg汞齐，各组分的质量含量为&ι45%、In40%和Hgl5%。采用 常规合金汞齐的制备方法即可获得本发明高温a^nHg汞齐，可广泛使用于荧光灯和节能 灯，所制备的汞齐可以获得与GZ、JF等相同或相近的汞蒸气压与温度特性曲性，完全可替 代GZ、JF等BHnHg汞齐。实施例2一种荧光灯用高温a^nHg汞齐，各组分的质量含量为Zn65%、In30%和Hg5%。采用常规 合金汞齐的制备方法即可获得本发明高温a^nHg汞齐，可广泛使用于荧光灯和节能灯，所 制备的汞齐可以获得与GZ、JF等相同或相近的汞蒸气压与温度特性曲性，完全可替代GZ、 JF等BHnHg汞齐。实施例3
一种荧光灯用高温a^nHg汞齐，各组分的质量含量为Zn60%、In37%和Hg3%。采用常规 合金汞齐的制备方法即可获得本发明高温SiInHg汞齐，可广泛使用于荧光灯和节能灯，所 制备的汞齐可以获得与GZ、JF等相同或相近的汞蒸气压与温度特性曲性，完全可替代GZ、 JF等BHnHg汞齐。实施例4
一种荧光灯用高温a^nHg汞齐，各组分的质量含量为&150%、In40%和Hgl0%。采用 常规合金汞齐的制备方法即可获得本发明高温SiInHg汞齐，可广泛使用于荧光灯和节能 灯，所制备的汞齐可以获得与GZ、JF等相同或相近的汞蒸气压与温度特性曲性，完全可替 代GZ、JF等BHnHg汞齐。实施例5
一种荧光灯用高温a^nHg汞齐，各组分的质量含量为Zn57%、In34%和Hg9%。采用常规 合金汞齐的制备方法即可获得本发明高温SiInHg汞齐，可广泛使用于荧光灯和节能灯，所 制备的汞齐可以获得与GZ、JF等相同或相近的汞蒸气压与温度特性曲性，完全可替代GZ、 JF等BHnHg汞齐。实施例6
一种荧光灯用高温a^nHg汞齐，各组分的质量含量为Zn47%、In35%和Hg8%。采用常规 合金汞齐的制备方法即可获得本发明高温SiInHg汞齐，可广泛使用于荧光灯和节能灯，所 制备的汞齐可以获得与GZ、JF等相同或相近的汞蒸气压与温度特性曲性，完全可替代GZ、 JF等BHnHg汞齐。传统灯用高温汞齐由BihHg组成，采用本发明的汞齐材料则由a^nHg组成，任选 上述实施例制备的汞齐可以获得与GZ、JF等相同或相近的汞蒸气压与温度特性曲性，如图 1所示，完全可替代GZ、JF等BihHg汞齐。
权利要求
1.一种荧光灯用高温SiMlg汞齐，其特征在于由ZnJn和Hg组成，质量含量分别为 45% 65%、30% 40% 和 3% 15%。
2.根据权利要求1所述的荧光灯用高温a^nHg汞齐，其特征在于所述的ZnJn和Hg 的质量含量分别为50% 60%、35% 40%和5% 10%。
全文摘要
本发明公开了一种荧光灯用高温ZnInHg汞齐，由Zn、In和Hg组成，质量含量分别为45%~65%、30%~40%和3%~15%。本发明的荧光灯用高温ZnInHg汞齐，与现有广泛使用的BiInHg高温汞齐相比，具有明显的优点包括熔点高、强度大，同时，可以获得与BiInHg相同线或相近的汞蒸气压与温度特性曲线，完全可替代GZ、JF等BiInHg汞齐。
文档编号H01J61/24GK102087951SQ201110062040
公开日2011年6月8日 申请日期2011年3月15日 优先权日2011年3月15日
发明者朱加才, 朱圣武, 石广宏, 陈家荣 申请人:扬州市邗江神珠电子器材厂