一种用于晶片加工的装置制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种用于晶片加工的装置，包含加热板、安装在加热板上部的腔室，以及安装在腔室底端的导向环，该腔室充有等离子体，刻蚀时，晶片放置在加热板上，导向环内壁开设有导向口，该导向口对应在晶片边缘位置的上方，等离子体可以通过导向口吹向晶片的边缘。导向口设为弧形或为三角状或为阶梯状，该装置能够提高晶片定位的范围，改善晶片刻蚀的均匀度。
【专利说明】—种用于晶片加工的装置【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体加工装置，具体涉及一种用于晶片加工的装置。
【背景技术】
[0002]刻蚀晶片是将晶片4’放置在加热板I’上，再向晶片4’吹等离子体5’，该晶片4’尺寸与导向环3’直径基本一样。现有技术中，由于石英管尺寸已经固定且无法移动，所采用导向环3’内壁边缘为直角，晶片刻蚀时，因为位于腔室中的晶片每次定位会有一定的偏差，即如图1所示，晶片4’向右稍微偏离，就会造成晶片边缘无法直接接触到等离子体，从而降低晶片边缘的刻蚀率，影响了晶片刻蚀的均匀度。
【发明内容】
[0003]本发明提供了一种用于晶片加工的装置，该装置能够提高晶片定位的范围及边缘刻蚀率，改善晶片刻蚀的均匀度。
[0004]为了达到上述目的，本发明通过以下技术方案实现:
一种用于晶片加工的装置，包含加热板、安装在加热板上部的腔室，以及安装在腔室底端的导向环，该腔室充有等离子体，刻蚀时，晶片放置在加热板上，其特点是，所述的导向环内壁开设有导向口，该导向口对应在晶片边缘位置的上方，等离子体可以通过导向口吹向晶片的边缘。
[0005]所述的导向口设为弧形或为三角状或为阶梯状。
[0006]所述的导向环采用铝材料制成
本发明一种用于晶片加工的装置与现有技术相比具有以下优点:
本发明由于在导向环内壁开设有导向口，可以将等离子体通过导向口吹向晶片的边缘，提高晶片定位的范围，改善晶片刻蚀的均匀度。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]图1为现有技术中导向环结构示意图及等离子体流向示意图；
图2为本发明一种用于晶片加工的装置结构示意图；
图3为本发明导向环的结构示意图及等离子体流向示意图。
【具体实施方式】
[0008]以下结合附图，通过详细说明一个较佳的具体实施例，对本发明做进一步阐述。
[0009]如图2、图3所示，一种用于晶片加工的装置，包含加热板1、安装在加热板I上部的腔室2，安装在腔室2底端的导向环3，缠绕在腔室2外部的线圈7，贴在腔室2内壁上的石英管6，该腔 室2充有等离子体5，所述的导向环3采用铝材料制成，刻蚀时，晶片4放置在加热板I上，所述的导向环3内壁开设有导向口 31，该导向口 31对应在晶片4边缘位置的上方，当线圈7通电后，产生等离子体5流向整块晶片的表面，并通过导向口吹向晶片4的边缘，即使在晶片定位出现小偏离的情况下，也能将等离子体5引入到晶片4的边缘，提高了晶片定位的范围，改善晶片刻蚀的均匀度。
[0010]所述的导向口 31设为弧形或为三角状或为阶梯状，本实施例中，导向口 31设为弧形(参见图3)。
[0011]综上所述，本发明一种用于晶片加工的装置，该装置能够提高晶片定位的范围，改善晶片刻蚀的均匀度。
[0012]尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。
【权利要求】
1.一种用于晶片加工的装置，包含加热板(I)、安装在加热板(I)上部的腔室(2)，以及安装在腔室(2)底端的导向环(3)，该腔室(2)充有等离子体(5)，刻蚀时，晶片(4)放置在加热板(I)上，其特征在于，所述的导向环(3 )内壁开设有导向口(31)，该导向口(31)对应在晶片(4)边缘位置的上方，等离子体(5)可以通过导向口吹向晶片(4)的边缘。
2.如权利要求1所述的用于晶片加工的装置，其特征在于，所述的导向口(31)设为弧形或为三角状或为阶梯状。
3.如权利要求1所述的用于晶片加工的装置，其特征在于，所述的导向环(3)采用铝材料制成。
【文档编号】H01J37/32GK103839744SQ201210470952
【公开日】2014年6月4日 申请日期:2012年11月20日 优先权日:2012年11月20日
【发明者】蔡辉 申请人:上海华虹宏力半导体制造有限公司