专利名称：Led灯的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及到一种LED灯。
背景技术：
(Light Emitting Diode),发光二极管,是一种固态的半导体器件,它可以直接把电转化为光。LED所需要的电流为稳恒的直流电流，而一般的外接电源都采用交流电流，因此LED灯中还必须设置有一个交流变直流的驱动电路组。现有技术中的LED灯采用传统的LED芯片，传统的单个LED芯片的额定电压在3
3.3V之间，额定电流在20mA左右，由于单个的传统LED芯片额定电压不够，因此采用多串多并的方式，多个LED芯片使得该电路的电流也叠加至很高的范围，电流一般在150mA 1500mA的范围内，由于电流过大，根据P=I2R,当输入电流过大时，LED芯片和驱动电路组将
产生大量的热量。此时若将驱动电路组离LED芯片过近或者将驱动电路组设置在LED芯片的基板上时，驱动电路组产生的热量与LED芯片产生的热量将形成叠加，热量过于集中造成散热不良，就极可能造成产品损坏。因此如附图4和附图5所示，传统的LED灯都将驱动电路组与LED芯片分离设置。但是如果驱动电路组设置在LED芯片相对较远的位置时，一来该LED灯的尺寸肯定会相应变大，二来该LED灯的生产成本也会相应增加。
发明内容针对上述问题，本实用新型的主要目的是提供一种LED灯，用于减小该LED灯工作时散发的热量以将驱动电路组设置在LED芯片的基板上。为了解决上述难题，本实用新型采取的方案是一种LED灯，它包括灯壳、罩在灯壳上的灯罩、基板、驱动电路组，所述基板上设置有驱动电路组和LED芯片，所述驱动电路组与所述LED芯片相电连，所述LED芯片为高压直流LED。优选地，它包括多个LED芯片，多个LED芯片之间相互串联，并且其中一个LED芯片与所述驱动电路组相电连。优选地，所述驱动电路组位于基板的中心，多个LED芯片绕基板的中心圆周排布。优选地，所述高压直流LED的额定工作电压在IOV 300V之间。 优选地，所述高压直流LED的额定工作电流在IOmA IOOmA之间。优选地，所述驱动电路组包括一 AC/DC变换模块。优选地，所述LED芯片和所述驱动电路组设置在基板位于灯罩内的上侧面上。优选地，所述LED芯片设置在基板位于灯罩内的上侧面上，所述驱动电路组设置在基板位于灯罩外的下侧面上，基板为双面覆铜板。在本实用新型中，采用了高压直流LED。高压直流LED是一种高功率LED，是LED生产厂家提供一种串联好的小功率LED以集成的大功率LED芯片，它是集成LED中的一种。而就主要组件高功率白光LED技术来说，高压直流LED发光效率的基本门坎要求达到100
lm/Wo相比低压LED，高压直流LED有两大明显竞争优势第一，在同样输出功率下，高压直流LED所需的驱动电流大大低于低压LED。第二，高压直流LED可以大幅降低AC-DC转换效率损失，电路设计更加简易。高压直流LED可以带来LED照明灯具成本和重量的有效降低，但其更重要的意义是大幅降低了对散热系统的设计要求。本实用新型采用以上结构，具有以下优点I、灯壳设计较各易，广品小型化；2、省去驱动电路组独立设置的成本；3、省去LED芯片与驱动电路组相连接的材料以及工时。
附图I为本实用新型的第一实施例的主视图。附图2为本实用新型的第一实施例的俯视图。附图3为本实用新型的第二实施例的主视图。附图4为现有技术中的主视图。附图5为现有技术中的俯视图。附图中1、灯壳；2、灯罩；3、基板；4、驱动电路组；5、LED芯片。
具体实施方式
以下结合附图1-5对本实用新型的较佳实施例进行详细阐述，以使本实用新型的优点和特征能更易于被本领域的技术人员理解，从而对本实用新型的保护范围作出更为清楚明确的界定。本实用新型中的一种LED灯，它包括灯壳I、罩在灯壳I上的灯罩2、基板3，所述基板3上设置有驱动电路组4和LED芯片5，所述驱动电路组4与所述LED芯片5相电连，所述LED芯片5为高压直流LED。由于采用了高压直流LED，LED芯片5发出的热量较小，不会影响到驱动电路组4，因此驱动电路组4能够同样设置在基板3上。本实用新型的第一实施例如附图I和2所示，一种LED灯，它包括灯壳I、罩在灯壳I上的灯罩2、基板3、驱动电路组4、LED芯片5。LED芯片5和驱动电路组4设置在基板3位于灯罩2内的上侧面上。驱动电路组4设置在基板3的中心，驱动电路组4中包括AC/DC变换模块，该变换模块将外接的交流电源变换为适用于LED芯片5的稳恒的直流电流。LED芯片5采用三个高压直流LED相串联，其中一个高压直流LED与驱动电路组4相连，其额定工作电源为20V，额定电流在IOmA 100mA。三个高压直流LED绕驱动电路组4均匀的圆周排布。此种结构更加节约了尺寸，同时也满足了照明均匀和基板3的热量均匀。本实用新型的第二实施例如附图3所示，一种LED灯，它包括灯壳I、罩在灯壳I上的灯罩2、基板3、驱动电路组4、LED芯片5。LED芯片5设置在基板3位于灯罩2内的上侧面上，所述驱动电路组4设置在基板3位于灯罩2外的下侧面上，所述基板3为双面覆铜板。驱动电路组4设置在基板3的中心，驱动电路组4中包括AC/DC变换模块，该变换模块将外接的交流电源变换为适用于LED芯片5的稳恒的直流电流。LED芯片5采用三个高压直流LED相串联，其中一个高压直流LED与驱动电路组4相连，其额定工作电源为IOV 300V，额定电流在IOmA 100mA。三个高压直流LED绕驱动电路组4均匀的圆周排布。此种结构更加节约了尺寸，同时也满足了照明均匀和基板3的热量均匀。本实用新型采用以上结构，具有以下优点I、灯壳I设计较容易，产品小型化；2、省去驱动电路组4独立设置的成本；3、省去LED芯片5与驱动电路组4相连接的材料以及工时。上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之 内。
权利要求1.一种LED灯，它包括灯壳、罩在灯壳上的灯罩、基板，其特征在于所述基板上设置有驱动电路组和LED芯片，所述驱动电路组与所述LED芯片相电连，所述LED芯片为高压直流LED。
2.根据权利要求I所述的LED灯，其特征在于它包括多个LED芯片，多个LED芯片之间相互串联，并且其中一个LED芯片与所述驱动电路组相电连。
3.根据权利要求2所述的LED灯，其特征在于所述驱动电路组位于基板的中心，多个LED芯片绕基板的中心圆周排布。
4.根据权利要求I所述的LED灯，其特征在于所述高压直流LED的额定工作电压在IOV 300V之间。
5.根据权利要求I所述的LED灯，其特征在于所述高压直流LED的额定工作电流在IOmA IOOmA 之间。
6.根据权利要求I所述的LED灯，其特征在于所述驱动电路组包括一AC/DC变换模块。
7.根据权利要求I所述的的LED灯，其特征在于所述LED芯片和所述驱动电路组设置在基板位于灯罩内的上侧面上。
8.根据权利要求I所述的的LED灯，其特征在于所述LED芯片设置在基板位于灯罩内的上侧面上，所述驱动电路组设置在基板位于灯罩外的下侧面上，所述基板为双面覆铜板。
专利摘要本实用新型公开了一种LED灯，它包括灯壳、罩在灯壳上的灯罩、基板，所述基板上设置有驱动电路组和LED芯片，所述驱动电路组与所述LED芯片相电连，所述LED芯片为高压直流LED。它包括多个LED芯片，多个LED芯片之间相互串联，并且其中一个LED芯片与所述驱动电路组相电连。所述驱动电路组位于基板的中心，多个LED芯片绕基板的中心圆周排布。所述高压直流LED的额定工作电压在10V～300V之间。所述高压直流LED的额定工作电流在10mA～100mA之间。所述驱动电路组包括一AC/DC变换模块。本实用新型采用以上结构，具有以下优点1、散热量小，尺寸小，生产成本大幅降低；2、更换简单，再利用率高。
文档编号F21V23/00GK202511045SQ20122006802
公开日2012年10月31日 申请日期2012年2月28日 优先权日2012年2月28日
发明者萧标颖 申请人:苏州东亚欣业节能照明有限公司