磁控管管芯、磁控管和微波炉的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供了一种磁控管管芯，包括：A侧管壳；耦合天线，设置在所述A侧管壳内且与所述A侧管壳的轴线重合，所述耦合天线上设置有与所述A侧管壳构成间隙电容的多个容性结构。本实用新型还提出了一种磁控管和一种微波炉。通过本实用新型的技术方案，能够滤除通过耦合天线的谐波，进而有效地抑制了磁控管的谐波输出，改善了磁控管的EMC性能。同时，相比于现有技术中设置扼流结构的方案，本申请的技术方案能够有效降低产品的生产成本。
【专利说明】磁控管管芯、磁控管和微波炉
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及磁控管【技术领域】，具体而言，涉及一种磁控管管芯、一种磁控管和一种微波炉。
【背景技术】
[0002]目前，磁控管应用最广泛的是电子真空管，由于其相比于其他类型的真空管来说，具有效率高、体积小、功率大、工作电压低、方便使用等一系列优点，因此被广泛用作包括家用微波炉在内的微波应用设备的微波发生源。
[0003]随着电子电气产品雨后春笋般快速涌现，使得有限的频谱资源变得越来越紧张。为了在一方面控制电子设备抢占日益紧张的频谱资源，缓解日益严峻的电磁环境，另一方面提倡绿色家电，提高人们生活质量，保护人们身体健康，欧美和中国都制订了相关的电磁测试及电磁兼容(Electromagnetic Compatibility, EMC)认证标准。微波炉作为应用最广泛、家庭常用的微波设备，其EMC认证越来越引起关注，作为微波炉的核心部件磁控管的EMC性能好坏直接决定微波炉EMC性能，故磁控管的EMC性能成为磁控管行业研究的重点。由于磁控管EMC相关的理论还很不成熟，还没能找到谐波产生的根源和物理机理，因此，改善磁控管EMC性能的研究都集中在如何抑制磁控管的谐波输出上。
[0004]微波炉磁控管主要由真空管芯、散热部分、磁回路等构成，其中，真空管芯一般由阳极谐振系统、阴极发射系统、能量输出系统构成。如图1所示，阳极谐振系统是由阳极筒I’、叶片2’、大交连环3’和小交连环4’构成；阴极发射系统主要包括螺旋灯丝5’和支杆组件6’。
[0005]磁控管阴极发射系统与阳极谐振系统被同轴的安装在一起，在阳极谐振系统的轴向方向上下对称地安装一对锥状的磁极，分别为A侧磁极7’和K侧磁极8’。散热片11’为散热系统，将阳极筒I’的热量散发到空气中，降低阳极筒温度。
[0006]能量输出系统一般分为轴向输出和径向输出，轴向输出又分为同轴线输出和陶瓷输出，径向输出又分为水平极化输出和垂直极化输出。图2中示出了磁控管管芯的轴向同轴线输出结构，包括:耦合天线91’、A侧管壳92’、陶瓷输出窗93’、排气管94’、天线帽95’。
[0007]现有技术中一般通过以下几种方式来抑制磁控管的谐波输出:
[0008](I)在能量输出系统中的A侧管壳92’增加扼流结构来抑制谐波输出；
[0009](2)在高压输入系统中的K侧管壳增加扼流结构抑制谐波从支杆组件6’泄露；
[0010](3)优化磁极及交连环来抑制谐波输出。
[0011]由于在A侧管壳92’或K侧管壳增加扼流结构的方案有传输线理论支撑，故比较成熟，且被广泛应用到磁控管中用来抑制高次谐波。然而扼流结构抑制频带很窄，导致一个扼流结构只能抑制一个频点，若需要抑制多个频点，则需要精加工和精装配，导致成本增加(材料成本、精加工成本、组装工序成本、物料管理成本)，而且很难保证加工和组装的一致性，即产品一致性难以保证。具体地，如图2所示，现有技术中加扼流结构97’用于抑制五次谐波，加扼流结构96’用于抑制3次谐波。此外，优化磁极和交连环的方案由于优化空间小，因此很难协调磁控管的工作效率和EMC性能。
[0012]因此，如何能够在尽量降低成本的前提下，有效抑制磁控管的谐波输出，进而改善磁控管的EMC性能成为亟待解决的技术问题。
实用新型内容
[0013]本实用新型旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。
[0014]为此，本实用新型的一个目的在于提出了一种能够滤除通过耦合天线的谐波，进而有效地抑制了磁控管的谐波输出，改善了磁控管EMC性能的磁控管管芯。
[0015]本实用新型的另一个目的在于相应提出了一种磁控管和一种微波炉。
[0016]为实现上述目的，根据本实用新型的第一方面的实施例，提出一种磁控管管芯，包括:A侧管壳；耦合天线，设置在所述A侧管壳内且与所述A侧管壳的轴线重合，所述耦合天线上设置有与所述A侧管壳构成间隙电容的多个容性结构。
[0017]根据本实用新型的实施例的磁控管管芯，由于耦合天线与A侧管壳的轴线重合，即耦合天线与A侧管壳同轴，因此构成了同轴输出的能量输出系统；同时由于耦合天线上流过的是高频电流，因此耦合天线可以等效为电感，电感与由容性结构和A侧管壳构成的间隙电容形成了同轴低通滤波器，进而能够滤除通过耦合天线的谐波，有效地抑制了磁控管的谐波输出，改善了磁控管的EMC性能。同时，相比于现有技术中设置扼流结构的方案，本申请的技术方案能够有效降低产品的生产成本。
[0018]另外，根据本实用新型的上述实施例的磁控管管芯，还可以具有如下附加的技术特征:
[0019]根据本实用新型的一个实施例，每个所述容性结构包括:圆柱形容性结构、圆台形容性结构或具有锥顶结构的柱形容性结构。
[0020]根据本实用新型的一个实施例，所述圆柱形容性结构的高度处于1.5毫米至5毫米之间，所述圆柱形的容性结构的底面直径处于4毫米至10毫米之间。
[0021]根据本实用新型的一个实施例，所述具有锥顶结构的柱形容性结构中柱形的高度处于1.5毫米至5毫米之间，所述具有锥顶结构的柱形容性结构中柱形的底面直径处于4毫米至10毫米，所述具有锥顶结构的柱形容性结构中的锥顶结构的倾角处于90度至160度之间。
[0022]根据本实用新型的一个实施例，所述圆台形容性结构的高度处于I毫米至4毫米之间。
[0023]作为一种优选的实施例，所述耦合天线上设置有两个所述容性结构，两个所述容性结构之间的距离处于2毫米至5毫米之间。其中，两个容性结构可以是两个圆柱形容性结构、两个圆台形容性结构、两个具有锥顶结构的柱形容性结构、一个圆柱形容性结构和一个圆台形容性结构、一个圆柱形容性结构和一个具有锥顶结构的柱形容性结构、一个圆台形容性结构和一个具有锥顶结构的柱形容性结构。
[0024]而在耦合天线上设置有两个圆台形容性结构时，两个所述圆台形容性结构中的第一圆台形容性结构的两个底面的直径分别处于6毫米至8毫米之间和7毫米至9毫米之间，两个所述圆台形容性结构中的第二圆台形容性结构的两个底面的直径分别处于6毫米至8毫米之间和8毫米至11毫米之间。其中，根据本实用新型的一个实施例，两个所述圆台形容性结构之间的距离处于3毫米至5毫米之间。
[0025]对于设置有两个容性结构的耦合天线，其横截面为圆形，两个所述容性结构之间的耦合天线的直径处于I毫米至2毫米之间，两个所述容性结构之外的耦合天线的直径处于1.5毫米至4毫米之间。当然，对于设置有多个容性结构的耦合天线，多个容性结构之间的耦合天线的直径也可以处于I毫米至2毫米之间，多个容性结构之外的耦合天线的直径也可以处于1.5毫米至4毫米之间。
[0026]根据本实用新型的一个实施例，所述多个容性结构与所述耦合天线为一体式结构。
[0027]根据本实用新型的实施例的磁控管管芯，通过将容性结构与耦合天线设置为一体式结构，能够更便于工业设计。当然，容性结构与耦合天线也可以是分体式结构。
[0028]根据本实用新型的一个实施例，还包括:A侧磁极，与所述A侧管壳相连接，所述A侧磁极的轴线与所述A侧管壳的轴线重合，所述耦合天线穿过所述A侧磁极设置在所述A侧管壳内。
[0029]根据本实用新型的一个实施例，所述多个容性结构中距离所述A侧磁极和所述A侧管壳的连接面最近的容性结构与所述连接面之间的距离处于I毫米至3毫米之间。
[0030]根据本实用新型的一个实施例，所述A侧磁极上开设有供所述耦合天线穿过的天线孔和与所述天线孔连接的缺口。
[0031]根据本实用新型的实施例的磁控管管芯，相比于现有技术中仅设置天线孔的结构，通过在A侧磁极上设置与天线孔连接的缺口，可以便于耦合天线与A侧磁极的安装。优选地，A侧磁极为帽型磁极。
[0032]根据本实用新型的一个实施例，所述天线孔的直径处于3毫米至5毫米之间，所述缺口包括矩形缺口，所述矩形缺口的宽度处于2毫米至3毫米之间。
[0033]根据本实用新型的一个实施例，所述A侧磁极与所述A侧管壳通过焊接或挤压的方式相连接。
[0034]根据本实用新型第二方面的实施例，还提出了一种磁控管，包括:上述任一项实施例中所述的磁控管管芯。
[0035]根据本实用新型第三方面的实施例，还提出了一种微波炉，包括:上述实施例中所述的磁控管。
[0036]本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。
【专利附图】
【附图说明】
[0037]本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中:
[0038]图1示出了现有技术中提出的磁控管的结构示意图；
[0039]图2示出了现有技术中提出的磁控管管芯的结构示意图；
[0040]图3示出了根据本实用新型的实施例的磁控管管芯的结构示意图；
[0041]图4A示出了根据本实用新型的实施例的在耦合天线上设置两个圆柱形容性结构的不意图；
[0042]图4B示出了根据本实用新型的实施例的在耦合天线上设置一个圆柱形容性结构和一个具有锥顶结构的柱形容性结构的示意图；
[0043]图4C示出了根据本实用新型的实施例的在耦合天线上设置两个具有锥顶结构的柱形容性结构的示意图；
[0044]图4D示出了根据本实用新型的实施例的在耦合天线上设置两个圆台形容性结构的不意图；
[0045]图5A示出了根据本实用新型的实施例的A侧磁极的第一视角的结构示意图；
[0046]图5B示出了根据本实用新型的实施例的A侧磁极的第二视角的结构示意图；
[0047]图5C示出了根据本实用新型的实施例的A侧磁极的第三视角的结构示意图；
[0048]图6示出了根据本实用新型的实施例的磁控管的结构示意图；
[0049]图7示出了根据本实用新型的实施例的两个圆柱形容性结构与耦合天线构成低通滤波器的结构示意图；
[0050]图8示出了根据本实用新型的实施例的低通滤波器的工作频率示意图；
[0051]图9A示出了根据本实用新型的实施例的圆柱形容性结构的底面直径与衰减频带之间的关系不意图；
[0052]图9B示出了根据本实用新型的实施例的圆柱形容性结构的高度与衰减频带之间的关系不意图；
[0053]图9C示出了根据本实用新型的实施例的圆柱形容性结构到A侧磁极和A侧管壳的连接面的距离与衰减频带之间的关系示意图；
[0054]图1OA示出了现有技术中的磁控管EMC测试频谱示意图；
[0055]图1OB示出了根据本实用新型的实施例的磁控管EMC测试频谱示意图。
【具体实施方式】
[0056]为了能够更清楚地理解本实用新型的上述目的、特征和优点，下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0057]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型，但是，本实用新型还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本实用新型的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
[0058]图3示出了根据本实用新型的实施例的磁控管管芯的结构示意图。
[0059]如图3所示，根据本实用新型的实施例的磁控管管芯，包括:A侧管壳I ;耦合天线2，设置在所述A侧管壳I内且与所述A侧管壳I的轴线重合，所述耦合天线2上设置有与所述A侧管壳I构成间隙电容的多个容性结构21。
[0060]由于耦合天线2与A侧管壳I的轴线重合，即耦合天线2与A侧管壳I同轴，因此构成了同轴输出的能量输出系统；同时由于耦合天线2上流过的是高频电流，因此耦合天线2可以等效为电感，电感与由容性结构21和A侧管壳I构成的间隙电容形成了同轴低通滤波器，进而能够滤除通过耦合天线2的谐波，有效地抑制了磁控管的谐波输出，改善了磁控管的EMC性能。同时，相比于现有技术中设置扼流结构的方案，本申请的技术方案能够有效降低产品的生产成本。
[0061]另外，根据本实用新型的上述实施例的磁控管管芯，还可以具有如下附加的技术特征:
[0062]根据本实用新型的一个实施例，每个所述容性结构21包括:圆柱形容性结构、圆台形容性结构或具有锥顶结构的柱形容性结构。
[0063]作为一种优选的实施例，所述耦合天线上设置有两个所述容性结构21，两个所述容性结构21之间的距离处于2毫米至5毫米之间。
[0064]其中，两个容性结构可以有多种组成结构，以下列举其中的几种组成结构:
[0065]实施例一:
[0066]如图4A所示，两个容性结构为两个圆柱形容性结构。优选地，两个圆柱形容性结构的直径满足4mm < Φ0 ^ 10mm，两个圆柱形容性结构的厚度可以不一致，但厚度满足
1.5mm ^ H1 ^ 5mm,两个圆柱形容性结构之间的间距满足2mm ^ H2 ^ 5mm,f禹合天线的内径?菌足 1.5mm ^ Φ a ^ 4mm, 1mm ^ Φ L ^ 2mm。
[0067]实施例二:
[0068]如图4B所示，两个容性结构为一个圆柱形容性结构和一个具有锥顶结构的柱形容性结构。优选地，圆柱形容性结构的直径满足4mm < Φ。< 10mm,圆柱形容性结构的厚度满足1.5mm ^ H1 ^ 5mm,圆柱形容性结构与具有锥顶结构的柱形容性结构之间的间距满足2mm < H2 < 5mm,稱合天线的内径满足1.5mm ^ Φa ^ 4mm, Imm < < 2mm。具有锥顶结构的柱形容性结构的柱形的底面直径满足4mm < Φ。’ < 10mm,具有锥顶结构的柱形容性结构的柱形的高度满足1.5mm < H3 < 5mm,具有锥顶结构的柱形容性结构的锥顶结构的倾角满足 90° ( Θ ( 160。。
[0069]实施例三:
[0070]如图4C所示，两个容性结构为两个具有锥顶结构的柱形容性结构。优选地，两个具有锥顶结构的柱形容性结构的柱形的底面直径均满足4mm <10mm，具有锥顶结构的柱形容性结构的柱形的高度均满足1.5mm ^ H3 ^ 5mm，具有锥顶结构的柱形容性结构的锥顶结构的均倾角满足90° ( Θ 160°。两个具有锥顶结构的柱形容性结构之间的间距满足2臟< H2 < 5臟,率禹合天线的内径满足1.5臟< Φ a < 4mm, I臟< Φ L < 2臟。
[0071]实施例四:
[0072]如图4D所示，两个容性结构为两个圆台形容性结构。优选地，两个圆台形容性结构中的第一圆台形容性结构的两个底面的直径分别满足6mm ( ( 8mm,7mm彡Φ&彡9mm,两个圆台形容性结构中的第二圆台形容性结构的两个底面的直径分别满足6mm ^ ΦΛ1 ^ 8mm, 8mm (I lmm,两个圆台形容性结构之间的距离满足3mm < H5 < 5mm,两个圆台形容性结构的高度满足lmm ^ H4 4mm。
[0073]实施例五:
[0074]两个容性结构为一个圆柱形容性结构和一个圆台形容性结构。
[0075]实施例六:
[0076]两个容性结构为一个圆台形容性结构和一个具有锥顶结构的柱形容性结构。
[0077]根据本实用新型的一个实施例，所述多个容性结构21与所述耦合天线2为一体式结构。
[0078]通过将容性结构21与耦合天线2设置为一体式结构，能够更便于工业设计。当然，容性结构21与耦合天线2也可以是分体式结构。
[0079]根据本实用新型的一个实施例，如图3所示，还包括:A侧磁极3，与所述A侧管壳I相连接，所述A侧磁极3的轴线与所述A侧管壳I的轴线重合，所述耦合天线2穿过所述A侧磁极3设置在所述A侧管壳I内。
[0080]根据本实用新型的一个实施例，所述多个容性结构21中距离所述A侧磁极3和所述A侧管壳I的连接面最近的容性结构21与所述连接面之间的距离H处于I毫米至3毫米之间。
[0081]根据本实用新型的一个实施例，如图5A至图5C所示，A侧磁极3上开设有供所述率禹合天线2穿过的天线孔31和与所述天线孔31连接的缺口 32。
[0082]通过在A侧磁极3上设置与天线孔31连接的缺口 32，可以便于耦合天线2与A侧磁极3的安装。优选地，A侧磁极3为帽型磁极。
[0083]根据本实用新型的一个实施例,所述天线孔31的直径满足3mm ( Φ。」彡5mm,所述缺口 32包括矩形缺口，所述矩形缺口的宽度满足2mm ( Lcj ( 3mm。
[0084]根据本实用新型的一个实施例，所述A侧磁极3与所述A侧管壳I通过焊接或挤压的方式相连接。
[0085]如图3所示，磁控管管芯还包括:陶瓷输出窗4、排气管5、天线帽6。
[0086]如图6所述，本实用新型还提出了一种磁控管，包括:上述实施例中所述的磁控管管芯。
[0087]同时，本实用新型还提出了一种微波炉，包括:上述实施例中所述的磁控管。
[0088]以下结合图7至图10B，以上述实施例一，即两个容性结构为两个圆柱形容性结构为例详细说明书本实用新型的技术方案。
[0089]如图7所示，两个圆柱形容性结构与A侧管壳之间的间隙电容和耦合天线形成的电感构成η型低通滤波器。圆柱形容性结构和A侧管壳同轴安装，间隙距离保持不变，可以将同轴展开看成平板研究，平板电容器的电容计算公式是:
[0090]C = #，其中，ε为极板之间填充介质的介电常数，S为极板正对面积，d为两极
a
板之间的距离。
[0091]考虑本实用新型的模型，将同轴线沿角向展开计算圆柱形容性结构与A侧管壳的正对面积51 = 2, +也,2，A侧管壳的内表面与圆柱形容性结构之间的间隙i/ = rA_ -代/ 2，因此，圆柱形容性结构与A侧管壳之间的间隙电容为:
广2πr^+^/2
[0092]Cj = Sq.-~—-----H1 ；
rk -^/2 2
[0093]其中，ε ^为真空介电常数，可以取l，rk为和圆柱形容性结构正对处的A侧管壳内径，0。/2为圆柱形容性结构的底面半径，H1为圆柱形容性结构的高度。
[0094]由上述公式可知，间隙电容Cj与圆柱形容性结构的高度H1成正比，与圆柱形容性结构和A侧管壳之间的距离(ι\-φε/2)成反比。即当A侧管壳不变时，圆柱形容性结构的底面半径增加，圆柱形容性结构和A侧管壳之间的距离减小，间隙电容增大。
[0095]如图7所示，耦合天线等效成电感U、L2和L3，与间隙电容Cp Cj2 一起构成π型低通滤波电路。低通滤波器使频率低的微波低损耗的通过，高频率微波会产生衰减，从而滤除高次谐波。如图8所示，截止频率f。是指低损耗通过滤波器最高微波频率，截止频率往低频端频带称为通带(Ο-f。频带)，截止频率往高频端频率称为阻带或衰减频带(f。以上频段)。
[0096]为了分析方便，不妨设Cjl = Cj2 = C，则该型低通滤波电路的截止频率为:
2
G)c = ,「，
[0097]从上述公式可得滤波电路的截止圆频率ω。和间隙电容Cj及耦合天线电感L2成反比关系。当耦合天线的尺寸不变时，η型滤波器的等效电感L2不变，电容&增加时，截止频率ω。降低，即频带左移。
[0098]因结构较复杂，理论推导非常复杂，故利用计算机按照设计的尺寸建模，模拟计算不同的尺寸滤波天线，可以得到不同的抑制频带，给出各尺寸与抑制频带的关系图，如图9Α所示。
[0099]从图9Α可看出，本申请的技术方案抑制的频带范围非常宽，一个具有容性结构的率禹合天线可以抑制多个谐波点，且圆柱形容性结构的底面半径Φ。在3.5mm-5.5mm范围内时，对8GHz-14GHz频段的谐波有较好的抑制作用。圆柱形容性结构的高度不变，直径Φ。增大时，阻带往低频挪动，且半径每变化1mm，频带挪动2GHz左右，变化非常明显，与上述理论分析非常相符。
[0100]图9B示出了在其他参数不变时，圆柱形容性结构的高度与谐振频率之间的曲线图，从图9B中可以看出，圆柱形容性结构的高度增加，频带向低频端移动，且圆柱形容性结构的高度在范围内时，对8GHz-14GHz频段内的谐波有1dB以上的抑制，与上述理论分析相一致。
[0101]图9C示出了在其他参数不变时，圆柱形容性结构到A侧磁极和A侧管壳的连接面的距离与谐振频率之间的曲线图，从图9C中可以看出，距离变化1mm，频带漂移非常小，表明衰减频带随尺寸变化不敏感，组装公差要求低，正因为耦合天线抑制频带宽，圆柱形容性结构到A侧磁极和A侧管壳的连接面的距离对频带漂移影响小，故加工要求和装配要求可以大大降低，从而简化加工难度，节省制造成本。
[0102]根据上述分析可知，本实用新型提出的技术方案抑制频带非常宽，1dB抑制频带达8GHz，即可以同时抑制多个谐波点，是一种宽带抑制，且抑制深度非常深；结构加工公差要求相对宽松，组装公差要求松，具有可制造性。因此，本实用新型的技术方案在不增加工序和人力成本的情况下，提高磁控管的EMC性能和产品一致性，为磁控管的EMC改善提供一种新思路。
[0103]如图1OA所示为现有技术中磁控管的EMC测试频谱图，图1OB所示为本实用新型提出的磁控管的EMC测试频谱图。可见，采用本实用新型提出的磁控管，8GHz以上测试频谱变得非常纯净，电磁兼容性能更好，与上述分析理论分析及计算机模拟结果非常相符。
[0104]以上结合附图详细说明了本实用新型的技术方案，本实用新型提出了一种新的磁控管管芯结构，能够滤除通过耦合天线的谐波，进而有效地抑制了磁控管的谐波输出，改善了磁控管的EMC性能。同时，相比于现有技术中设置扼流结构的方案，本申请的技术方案能够有效降低产品的生产成本。
[0105]以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种磁控管管芯，其特征在于，包括: A侧管壳； 耦合天线，设置在所述A侧管壳内且与所述A侧管壳的轴线重合，所述耦合天线上设置有与所述A侧管壳构成间隙电容的多个容性结构。
2.根据权利要求1所述的磁控管管芯，其特征在于，每个所述容性结构包括:圆柱形容性结构、圆台形容性结构或具有锥顶结构的柱形容性结构。
3.根据权利要求2所述的磁控管管芯，其特征在于，所述圆柱形容性结构的高度处于1.5毫米至5毫米之间，所述圆柱形的容性结构的底面直径处于4毫米至10毫米之间。
4.根据权利要求2所述的磁控管管芯，其特征在于，所述具有锥顶结构的柱形容性结构中柱形的高度处于1.5毫米至5毫米之间，所述具有锥顶结构的柱形容性结构中柱形的底面直径处于4毫米至10毫米，所述具有锥顶结构的柱形容性结构中的锥顶结构的倾角处于90度至160度之间。
5.根据权利要求2所述的磁控管管芯，其特征在于，所述圆台形容性结构的高度处于I毫米至4毫米之间。
6.根据权利要求2至5中任一项所述的磁控管管芯，其特征在于，所述耦合天线上设置有两个所述容性结构，两个所述容性结构之间的距离处于2毫米至5毫米之间。
7.根据权利要求6所述的磁控管管芯，其特征在于，所述耦合天线上设置有两个所述圆台形容性结构，两个所述圆台形容性结构中的第一圆台形容性结构的两个底面的直径分别处于6毫米至8毫米之间和7毫米至9毫米之间，两个所述圆台形容性结构中的第二圆台形容性结构的两个底面的直径分别处于6毫米至8毫米之间和8毫米至11毫米之间。
8.根据权利要求7所述的磁控管管芯，其特征在于，两个所述圆台形容性结构之间的距离处于3毫米至5毫米之间。
9.根据权利要求6所述的磁控管管芯，其特征在于，所述耦合天线的横截面为圆形，两个所述容性结构之间的耦合天线的直径处于I毫米至2毫米之间，两个所述容性结构之外的耦合天线的直径处于1.5毫米至4毫米之间。
10.根据权利要求1至5中任一项所述的磁控管管芯，其特征在于，所述多个容性结构与所述耦合天线为一体式结构。
11.根据权利要求1至5中任一项所述的磁控管管芯，其特征在于，还包括: A侧磁极，与所述A侧管壳相连接，所述A侧磁极的轴线与所述A侧管壳的轴线重合，所述耦合天线穿过所述A侧磁极设置在所述A侧管壳内。
12.根据权利要求11所述的磁控管管芯，其特征在于，所述多个容性结构中距离所述A侧磁极和所述A侧管壳的连接面最近的容性结构与所述连接面之间的距离处于I毫米至3毫米之间。
13.根据权利要求11所述的磁控管管芯，其特征在于，所述A侧磁极上开设有供所述耦合天线穿过的天线孔和与所述天线孔连接的缺口。
14.根据权利要求13所述的磁控管管芯，其特征在于，所述天线孔的直径处于3毫米至5毫米之间，所述缺口包括矩形缺口，所述矩形缺口的宽度处于2毫米至3毫米之间。
15.根据权利要求11所述的磁控管管芯，其特征在于，所述A侧磁极与所述A侧管壳通过焊接或挤压的方式相连接。
16.一种磁控管，其特征在于，包括:如权利要求1至15中任一项所述的磁控管管芯。
17.—种微波炉，其特征在于，包括:如权利要求16所述的磁控管。
【文档编号】H01J23/54GK204011357SQ201420482599
【公开日】2014年12月10日 申请日期:2014年8月25日 优先权日:2014年8月25日
【发明者】胡孔一, 刘志勇 申请人:广东威特真空电子制造有限公司