一种LED灯的制作方法

文档序号:14867781发布日期:2018-07-04 23:42阅读:199来源:国知局
一种LED灯的制作方法

本实用新型涉及照明领域,更确切地说是一种LED灯。



背景技术:

目前市场上的LED灯有照明类和景观气氛类,照明类只能发出白色光,至多可以从冷光到暖光连续调节,或者调节灯具的亮暗程度不至于太刺眼也不至于太暗看不清物体,而景观气氛类发出由三原色(红绿蓝)混合而成或一种原色的颜色光,以按照气氛的渲染要求,调节一定色域内的光颜色。如果想在两种模式间切换,使用者需要安装两种类型的灯具,两套控制系统,成本将提高,方便性降低。



技术实现要素:

本实用新型的目的是提供一种LED灯,其可以方便安装和使用,将照明类和景观气氛类结合在一个灯具里,同时两个模式间任意切换,使用者需要安装两种类型的灯具,两套控制系统,成本将提高,方便性降低功能。

本实用新型采用以下技术方案:

一种LED灯,包括RGB三色光源模块和白光冷暖色温光源模块,所述RGB三色光源模块和白光冷暖色温光源模块分别与控制器的引脚连接,控制器通过一遥控器控制,且控制器通过一DC电源转换器进行电源供电。

所述RGB三色光源模块包括三个并联的发光二极管。

白光冷暖色温光源模块包括两个串联的发光二极管。

本实用新型的优点是:将照明类和景观气氛类结合在一个灯具里,同时两个模式间任意切换,使用者需要安装两种类型的灯具,两套控制系统,成本将提高,方便性降低功能,白色光时可以调节冷暖色温以及发光的亮度;彩色光时可以调节红黄蓝混合比例,呈现颜色变化。

附图说明

下面结合实施例和附图对本实用新型进行详细说明,其中:

图1是本实用新型的电路图。

图2是图1的电路框图。

图3是本实用新型的遥控器的内部电路图。

图4是图3中的彩色RGB驱动电路的电路图。

图5是图3中的冷暖光驱动电路的电路图。

具体实施方式

下面结合附图进一步阐述本实用新型的具体实施方式:

如图1、2所示,一种LED灯,包括一灯具6,灯具6内部设有和白光冷暖色温光源模块5,所述RGB三色光源模块4和白光冷暖色温光源模块5分别与控制器2的引脚连接,控制器2通过一遥控器3控制,且控制器通过一DC电源器1进行电源供电。

所述RGB三色光源模块包括三个并联的发光二极管。白光冷暖色温光源模块包括两个串联的发光二极管。

DC电源1、与控制器2连接在一起,给控制器2供电。然后把控制器2的V+、R-、G、-B、分别与灯具6上的RGB三色光源模块4连接,把控制器2的Vc+、Vw+分别与灯具6上的白光冷暖色温光源模块5连接。在遥控器3工作情况下,可以控制控制器2输出控制信号,来控制灯具6中的RGB三色光源模块4和白光冷暖色温光源模块5的工作与否,或者工作顺序和工作强度。以此来实现色温、颜色、亮度的调节。

如图3所示,本实用新型的遥控器3包括MCU微控制模块,其型号为STM8S208,且MCU微控制模块连接控制遥控接收模块、彩色RGB驱动电路及冷暖光驱动电路,供电模块为MCU微控制模块、彩色RGB驱动电路和冷暖光驱动电路供电。

如图4所示,彩色RGB驱动电路包括场效应晶体管NMOS1、场效应晶体管NMOS2、场效应晶体管NMOS3,且场效应晶体管NMOS1、场效应晶体管NMOS2、场效应晶体管NMOS3的栅极分别连接彩色R控制信号、彩色G控制信号、彩色B控制信号,场效应晶体管NMOS1、场效应晶体管NMOS2、场效应晶体管NMOS3的源极接地,场效应晶体管NMOS1、场效应晶体管NMOS2、场效应晶体管NMOS3的漏极输出R-、G-、B-信号,与RGB三色光源模块4进行通信。

如图5所示,冷暖光驱动电路包括场效应晶体管NMOS4、场效应晶体管NMOS5、场效应晶体管PMOS1、场效应晶体管PMOS2。场效应晶体管PMOS1和场效应晶体管NMOS4的栅极连接电源,漏极输出Vc+信号控制白光冷暖色温光源模块,场效应晶体管PMOS2和场效应晶体管NMOS5的栅极连接电源,漏极输出Vw+信号控制白光冷暖色温光源模块,场效应晶体管NMOS4、场效应晶体管NMOS5、场效应晶体管PMOS1、场效应晶体管PMOS2的源极接地。

本实用新型专利所达到的技术效果和优点:

1.灯具功能多,可以调节色温、颜色、亮度。满足用户各种舒适度感受的需求,随意可调,调节方便,成本低廉。

2.通过3种光参数的调整,大大提高用户的使用体验舒适度。

3.连续的无级调节,最大限度提高适用范围。

本产品是一款照明产品,选用了先进的零部件,以及控制方式,经过精心设计以使得他们高效得匹配运行。最大亮点可以在白光照明模式和彩光照明模式间切换并进行自由调节。不需要安装两种类型的灯具,两套控制系统,可以在一盏灯上全部实现调节。产品功能全面,满足各类需求。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

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