一种采用混合导电线封装的驱控IC与LED集成幻彩灯珠的制作方法

文档序号:17921800发布日期:2019-06-15 00:09阅读:251来源:国知局
一种采用混合导电线封装的驱控IC与LED集成幻彩灯珠的制作方法

本实用新型涉及一种驱控IC与LED集成幻彩灯珠,更具体地说,是涉及一种采用混合导电线封装的驱控IC与LED集成幻彩灯珠。



背景技术:

Led幻彩灯条又叫Led全彩灯条、led梦幻灯条、led数字灯条等多种叫法,该产品采用恒流IC进行单点控制,选用5050RGB贴片灯珠,贴装于FPCB(柔性线路板)上,耐折易弯曲防水等级达到IP68,每卷长度为5米,灯条用3M胶纸或者卡扣螺丝固定,采用低电压直流供电安全方便,多种发光颜色,色彩绚丽。

现有IC与LED集成灯珠通常都是采用一种导电线封装,为了兼顾电极对电极间邦线要求,而采用纯金或高含金量导电线,导致品质与成本平衡性差。



技术实现要素:

为克服现有技术中的上述缺陷,本实用新型提供一种品质与成本平衡性高的采用混合导电线封装的驱控IC与LED集成幻彩灯珠。

为实现上述目的,本实用新型提供一种采用混合导电线封装的驱控IC与LED集成幻彩灯珠,包括引线架,设置于引线架上的引线架金属导电层、发光二极管晶片、驱控IC和若干根导电线,所述若干根导电线包括用于将发光二极管晶片导电电极、驱控IC功能电极与引线架金属导电层电连接的合金导电线以及将发光二极管晶片导电电极与驱控IC功能电极电连接的金含量为8%以上的导电线。

作为优选的,所述发光二极管晶片包括G晶片、R晶片和B晶片。

作为优选的,所述驱控IC具有VCC接口、DIN接口、GND接口、DOUT接口、B晶片接口、R晶片接口和G晶片接口。

作为优选的,所述用于将发光二极管晶片、驱控IC与引线架金属导电层电连接的导电线包括用于连接引线架金属导电层与驱控IC的VCC接口的第一导电线,用于连接引线架金属导电层与驱控IC的DIN接口的第二导电线,用于连接引线架金属导电层与驱控IC的GND接口的第三导电线,用于连接引线架金属导电层与驱控IC的DOUT接口的第四导电线,用于连接引线架金属导电层与G晶片的第八导电线,用于连接引线架金属导电层与B晶片的第九导电线,所述将发光二极管晶片导电电极与驱控IC功能电极电连接的导电线包括用于连接B晶片与驱控IC的B晶片接口的第五导电线,用于R晶片与驱控IC的R晶片接口的第六导电线,用于连接G晶片与驱控IC的G晶片接口的第七导电线。

作为优选的,所述发光二极管晶片导电电极与驱控IC功能电极连接的导电线为金含量为50%的导电线。

作为优选的,所述引线架金属导电层、发光二极管晶片和驱控IC之间填充有防护胶体。

作为优选的,所述发光二极管晶片和驱控IC底部具有连接胶体。

作为优选的,所述连接胶体为导电胶或固晶胶。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果在于:

本实用新型包括引线架,设置于引线架上的引线架金属导电层、发光二极管晶片、驱控IC和若干根导电线,所述若干根导电线包括用于将发光二极管晶片导电电极、驱控IC功能电极与引线架金属导电层电连接的导电线合金导电线以及将发光二极管晶片导电电极与驱控IC功能电极电连接的含金量为8%以上的导电线。在驱控IC与LED集成封装邦线工序时,对邦线工序进行切分,电极连接电极,电极连接引线架的导电层分步邦线,并采用不同导电线材质。使得在对电极与电极端的导电线和电极与引线架导电层的导电线分别焊接时焊接机台的功率及压力参数具有最大兼容性,缩小机台参数跨度,有利于机台稳定,从而实现品质的稳定性提高,从而解决单一导电线焊接参数与成本及品质平衡。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型实施例提供的一种采用混合导电线封装的驱控IC与LED集成幻彩灯珠的结构示意图;

图2是本实用新型实施例提供的一种采用混合导电线封装的驱控IC与LED集成幻彩灯珠的驱控IC的结构图。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

本实用新型的实施例提供一种采用混合导电线封装的驱控IC与LED集成幻彩灯珠。

请参考图1和图2,本实用新型提供一种采用混合导电线封装的驱控IC与LED集成幻彩灯珠,包括引线架1,设置于引线架1上的引线架金属导电层2、发光二极管晶片3、驱控IC5和若干根导电线4,所述若干根导电线4包括用于将发光二极管晶片3、驱控IC5与引线架金属导电层2电连接的合金导电线以及将发光二极管晶片3导电电极与驱控IC5功能电极电连接的金含量为8%以上的导电线,基于幻彩灯珠的要求可以采用不同含金量的导电线,一般采用含金量较高的导电线,本实施例中所述发光二极管晶片导电电极与驱控IC功能电极连接的导电线为金含量为50%的导电线。由于导电线对应邦线位,其特征在于都是实现电极与引线架导电层形成通路,焊接时焊接机台的功率及压力参数具有最大兼容性,缩小机台参数跨度,有利于机台稳定,从而实现品质的稳定性提高。同理,由于导电线对应邦线位,其特征在于都是实现电极与电极间形成通路,焊接时焊接机台的功率及压力参数具有最大兼容性,缩小机台参数跨度,有利于机台稳定,从而实现品质的稳定性提高。

本实施例中采用的发光二极管晶片3包括G晶片、R晶片和B晶片。本实施例中采用的驱控IC5具有VCC接口、DIN接口、GND接口、DOUT接口、B晶片接口、R晶片接口和G晶片接口。

所述用于将发光二极管晶片3、驱控IC5与引线架金属导电层2电连接的导电线包括用于连接引线架金属导电层2与驱控IC5的VCC接口的第一导电线8,用于连接引线架金属导电层2与驱控IC5的DIN接口的第二导电线10,用于连接引线架金属导电层2与驱控IC5的GND接口的第三导电线11,用于连接引线架金属导电层2与驱控IC5的DOUT接口的第四导电线12,用于连接引线架金属导电层2与G晶片的第八导电线9,用于连接引线架金属导电层2与B晶片的第九导电线13,所述将发光二极管晶片3导电电极与驱控IC5功能电极电连接的导电线包括用于连接B晶片与驱控IC5的B晶片接口的第五导电线16,用于R晶片与驱控IC5的R晶片接口的第六导电线15,用于连接G晶片与驱控IC5的G晶片接口的第七导电线14。

所述引线架金属导电层2、发光二极管晶片3和驱控IC5之间填充有防护胶体6。导电线4完成邦定后在引线架1杯内填充防护胶体6,将导电线4及发光二极管晶片3,驱控IC5遮盖,并通过烘烤固化,从而形成保护层。

所述发光二极管晶片3和驱控IC5底部具有连接胶体7,所述连接胶体7为导电胶或固晶胶,引线架金属导电层2上通过导电胶或固晶粘接胶将发光二极管晶片3及驱控IC5按预定位置粘接在引线架1上并通过高温烘烤固定。

所述的驱控IC5并不局限于本实施例所述,其还适用于多类IC与多类LED集成封装灯珠产品。

所述发光二极管晶片3并不局限于本实施例中采用的RGB三种颜色,也可以是任意1-3种颜色的单一颜色或两个以上颜色的组合。

上述实施例为本实用新型较佳的实施方式,但本实用新型的实施方式并不受上述实施例的限制,其他的任何未背离本实用新型的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化,均应为等效的置换方式,都包含在本实用新型的保护范围之内。

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