一种闪光灯的制作方法_2

文档序号:10438898阅读:来源:国知局
2的高为0.22mm,形状为上窄下宽(从上到下渐变),最上端的宽度为0.04mm、最下端的宽度为0.10mm,且该隔离墙2具体为由高反胶形成的反射胶墙。具体来说,该反射胶墙由点胶机将高反胶滴注到底板上经过烘烤成型的梯形胶柱。
[0038]本实施例中闪光灯的制备过程为:
[0039]首先,将白光LED芯片3和紫光LED芯片4采用共晶或银胶工艺固晶在底板I上,过回流炉或烘烤。完成上述工艺后,使用焊线机对两个LED芯片进行焊线工艺操作,其中,紫光LED芯片4焊2根金线,白光LED芯片3焊I根金线。完成上述操作后,转入压平面胶工艺。平面胶选用耐紫外光胶水,同时具高折射率。平面胶厚度要高于胶墙高度至少为0.23_。完成压膜后,产品置于温度约150°C烤箱中烘烤约2h,至胶水交联固化反应完全。最后,将整块陶瓷底板切割得到图2中所示高反射胶型紫外白光二合一闪光灯。
[0040]实施例2:
[0041]如图3所示(包括图3(a)和图3(b),其中图3(a)为俯视结构示意图,图3(b)为侧面结构示意图),在本实施例中,底板I的长为3.1mm(毫米)、宽为2.1mm的;隔离墙2的高为0.22mm,形状为上窄下宽(从上到下渐变),最上端的宽度为0.04mm、最下端的宽度为0.10mm,且该隔离墙2具体为表面镀有高反射率金属的金属反射墙与底板I一体成型,具体来说,该高反射率金属可以为Al(铝)或Ag(银)或Pt(铂)或Au(金)。
[0042]本实施例中闪光灯的制备过程为:
[0043]首先,将白光LED芯片3和紫光LED芯片4采用共晶或银胶工艺固晶在底板I上,过回流炉或烘烤。完成上述工艺后,使用焊线机对两颗LED芯片进行焊线工艺操作,其中白光LED芯片3焊I根金线,紫光LED芯片4焊I根金线。完成上述操作后,转入压平面胶工艺。平面胶选用耐紫外光胶水,同时具高折射率。平面胶厚度要高于镀金属墙高度至少为0.23_。完成压膜后,产品置于温度约150°C烤箱中烘烤约2h,至胶水交联固化反应完全。最后,将整块陶瓷底板切割得到图2中所示高反射胶型紫外白光二合一闪光灯。
[0044]实施例3:
[0045]如图4所示(包括图4(a)和图4(b),其中图4(a)为俯视结构示意图,图4(b)为侧面结构示意图),在本实施例中,底板I的长为4.33mm(毫米)、宽为2.75mm的;隔离墙2的高为
0.22mm,形状为上窄下宽(从上到下渐变),最上端的宽度为0.10mm、最下端的宽度为0.16mm0
[0046]另外,在本实施方式中,在底板I上于白光LED芯片和紫光LED芯片周围包括一个碗杯状挡板,隔离墙2、挡板与底板一体成型,都为陶瓷材料,且在隔离墙2和碗杯状挡板表面镀有高反射性金属,如Al、Ag、Pt、Au等。
[0047]本实施例中闪光灯的制备过程为:
[0048]首先,将白光LED芯片3和紫光LED芯片4采用共晶或银胶工艺固晶在底板I上,过回流炉或烘烤。完成上述工艺后,使用焊线机对两颗LED芯片进行焊线工艺操作,其中白光LED芯片3焊I根金线,紫光LED芯片4焊I根金线。完成上述操作后,转入压平面胶工艺。平面胶选用耐紫外光胶水,同时具高折射率。平面胶高度同碗壁高度一致。完成压膜后,产品置于温度约150°C烤箱中烘烤约2h,至胶水交联固化反应完全。最后,将整块陶瓷底板切割得到图2中所示高反射胶型紫外白光二合一闪光灯。
[0049]以上所述,仅为本发明中的【具体实施方式】,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉该技术的人在本发明中可以轻易想到更改隔离厚度和高度,可变换或替换都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。
【主权项】
1.一种闪光灯,其特征在于,所述闪光灯包括LED光源和与所述LED光源匹配的透镜、底板和隔离墙,所述透镜设于所述LED光源上方; 所述LED光源由至少两颗LED芯片集成,且所述至少两颗LED芯片共用一个所述透镜,所述至少两颗LED芯片中包括一颗白光LED芯片和至少一颗紫光LED芯片; 所述隔离墙固设于所述底板上位于所述白光LED芯片和所述紫光LED芯片之间。2.根据权利要求1所述的闪光灯,其特征在于: 所述LED光源中的所述至少有两颗LED芯片于同一底板上共同封装; 所述隔离墙为反射胶墙,所述反射胶墙于所述白光LED芯片和所述紫光LED芯片之间固设于所述底板表面; 或, 所述隔离墙为金属反射墙,所述金属反射墙与所述底板一体成型或所述底板单独成型、固设在所述底板表面。3.根据权利要求2所述的闪光灯,其特征在于: 所述隔离墙为由高反胶形成的反射胶墙; 或, 所述隔离墙为由高反射金属Al或Ag或Pt或Au形成的金属反射墙,所述金属反射墙的厚度范围为10-200um、高度范围为100-200um或所述金属反射墙的厚度大于等于所述白光LED芯片的厚度。4.根据权利要求1或2或3所述的闪光灯,其特征在于: 所述底板上于所述紫光LED芯片的外侧包括一碗杯状的挡板,所述紫光LED芯片且所述挡板的垂直高度大于所述白光LED芯片的厚度;所述挡板固设于所述底板表面或所述挡板与所述底板一体成型,且所述紫光LED芯片于所述底板表面设于所述碗杯状挡板内部。5.根据权利要求4所述的闪光灯,其特征在于: 在所述LED光源中,每两颗LED芯片之间的距离范围为0.lmm-lmm。6.根据权利要求1或2或3或5所述的闪光灯,其特征在于: 所述紫光LED芯片波长范围为360nm-420nm; 所述白光LED芯片中包括蓝光LED芯片/紫光LED芯片和荧光薄膜。7.根据权利要求6所述的闪光灯,其特征在于,所述白光LED芯片和所述至少一颗紫光LED芯片均为垂直结构芯片。
【专利摘要】本实用新型提供了一种闪光灯,所述闪光灯包括LED光源和与所述LED光源匹配的透镜和底板,所述透镜设于所述LED光源上方;所述LED由至少两颗LED芯片集成,所述至少两颗LED芯片共用一个透镜,且至少两颗LED芯片包括白光LED芯片和至少一颗紫光LED芯片;隔离墙固设于底板上位于白光LED芯片和紫光LED芯片之间。由于白光LED芯片与紫光LED芯片使用过程中互不影响,避免了紫光LED芯片使用过程中激发荧光粉或荧光薄膜,产生白光,影响荧光效果。
【IPC分类】F21V13/00, F21Y115/10, F21V33/00, F21V19/00, F21K9/64
【公开号】CN205350927
【申请号】CN201521138888
【发明人】刘乐功, 魏水林, 李锡雨, 曹明焕
【申请人】晶能光电(江西)有限公司
【公开日】2016年6月29日
【申请日】2015年12月31日
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