专利名称：软片式承载器的接合垫开口制程及其激光成孔方法
技术领域：
本发明涉及一种承载器的接合垫开口制程，特别是涉及一种可折弯(Flexible)的软片式承载器(Film carrier)的接合垫开口制程及其激光成孔(laser drilling)方法。
背景技术：
随着科技的进步与生活品质的持续提升，加上3C产业的整合与持续成长，使得集成电路(Integrated circuit，IC)的应用领域越来越广。为了使结构脆弱的集成电路裸芯片(die)能受到有效的保护，并同时使集成电路裸芯片能与外界相互传递讯号，才发展出芯片封装(package)技术。目前已经研发出的芯片封装技术众多，以芯片接合技术来说，常见的芯片接合技术为打线(Wire Bonding，W/B)、覆晶(Flip Chip，F/C)及卷带式自动接合(Tape Automatic Bonding，TAB)等，其中卷带式自动接合技术是将芯片接合于一软片式承载器上，而封装完成后的封装体不但体积小、重量轻，且由于软片本身具有可折弯的特性，故可使得封装体在后续组装上更具有弹性。
图1A至图1D是现有习知的一种软片式承载器的接合垫开口制程。请参阅图1A所示，首先，先提供一薄膜110与一金属层120，其中金属层120是形成在薄膜110上。请参阅图1B所示，之后，使用一冲压模具(图中未示)对薄膜110进行冲孔(Punch)，而产生多个传动孔130。薄膜110及金属层120是藉由这些传动孔130而配置在一输送带(图中未示)上，并藉由此输送带而带动薄膜110及金属层120前进。
请参阅图1C所示，接着，蚀刻(etching)薄膜110而在薄膜110上形成多个开口112，其中这些开口112是暴露出局部的金属层120。请参阅图1D所示，之后，蚀刻并图案化金属层120，使得这些开口112所暴露的金属层120可作为多个接合垫122，以与外界电性连接(图中未示)。接着，进行一成品检测步骤，以确保薄膜110与金属层120的图案的外观良好，而完成习软片式承载器的接合垫的制作。
值得注意的是，由于现有习知软片式承载器的接合垫开口制程是以蚀刻制程而于薄膜110上形成多个开口112，故需蚀刻液等化学药剂，当此蚀刻液的后续环保处理不当时，则排放的蚀刻液将容易对环境造成污染。此外，要完成一蚀刻制程通常需要经过涂布光阻、光阻曝光、显影、蚀刻及去光阻等多道步骤，因此会明显地耗费软片式承载器的接合垫的制作时间。
由此可见，上述现有的软片式承载器的接合垫开口制程在方法与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决软片式承载器的接合垫开口制程存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般方法中又没有适切的方法能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。
有鉴于上述现有的软片式承载器的接合垫开口制程存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新的软片式承载器的接合垫开口制程及其激光成孔方法，能够改进一般现有的软片式承载器的接合垫开口制程，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经反复试作及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。
发明内容
本发明的目的在于，克服现有的软片式承载器的接合垫开口制程存在的缺陷，而提供一种新的软片式承载器的接合垫开口制程，所要解决的技术问题是使其因不需蚀刻软片式承载器的薄膜，就可以在薄膜上形成多个开孔，故对环境所造成的污染程度较低，从而更加适于实用。
本发明的另一目的在于，提供一种软片式承载器的接合垫开口制程，所要解决的技术问题是使其可以节省软片式承载器的接合垫的制作时间，从而更加适于实用。
本发明的再一目的在于，提供一种激光成孔方法，所要解决的技术问题是使其因不需蚀刻软片式承载器的薄膜，就可在薄膜上形成多个开孔，故对环境所造成的污染程度较低，从而更加适于实用。
本发明的还一目的在于，提供一种激光成孔方法，所要解决的技术问题是使其可以节省软片式承载器的接合垫的制作时间，从而更加适于实用。
本发明目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种软片式承载器的接合垫开口制程，适用于制造一用于喷墨芯片的软性电路板的接合垫，该软片式承载器的接合垫开口制程至少包括以下步骤提供一薄膜与一金属层，其中该金属层是配置在该薄膜上；以及藉由一激光而在该薄膜的相对于该金属层的一表面上形成至少一开口，其中该开口是暴露出局部的该金属层，并作为预定的一接合垫的开口。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的软片式承载器的接合垫开口制程，其中在提供该金属层之后，更包括图案化该金属层，其中该开口所暴露出局部的该金属层是作为该接合垫。
前述的软片式承载器的接合垫开口制程，其中在激光该薄膜之后，更包括图案化该金属层，其中该开口所暴露出局部的该金属层是作为该接合垫。
前述的软片式承载器的接合垫开口制程，其中在提供该薄膜之后，更包括形成至少一成孔记号在该薄膜上。
前述的软片式承载器的接合垫开口制程，其中所述的开口是藉由该激光贯穿该成孔记号与该薄膜而形成。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下的技术方案来实现。依据本发明提出的一种激光成孔方法，适用于将一软片式承载器穿孔，该软片式承载器包括一薄膜与图案化的一金属层，而该金属层是配置在该薄膜上，该激光成孔方法至少包括以下步骤藉由一激光在该薄膜的相对于该金属层的一表面上形成至少一开口，其中该开口是暴露出局部的该金属层，并作为一接合垫的开口。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的激光成孔方法，在形成该开口之前，更包括形成至少一成孔记号在该薄膜上。
前述的激光成孔方法，其中所述的开口是藉由该激光贯穿该成孔记号与该薄膜而形成。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案可知，本发明的主要技术内容如下为达本发明的上述目的，本发明提出一种软片式承载器的接合垫开口制程，适用于制造一用于喷墨芯片的软性电路板的接合垫，此软片式承载器的接合垫开口制程至少包括下列步骤。首先，提供一薄膜与一金属层，其中金属层是形成在薄膜的上表面。接着，藉由一激光而于薄膜的下表面形成至少一开口，其中此开口是暴露出局部的金属层，并作为预定的一接合垫的开口。
依照本发明的较佳实施例所述的软片式承载器的接合垫开口制程，其中在提供金属层之后或者是在激光薄膜之后，更包括图案化此金属层，其中开口所暴露出局部的金属层是作为此接合垫。
为达本发明的上述目的，本发明另提出一种激光成孔方法，适用于将一软片式承载器穿孔，其中软片式承载器包括一薄膜与图案化的一金属层，且金属层是形成于薄膜的上表面。此激光成孔方法至少包括以下的步骤藉由一激光而在薄膜的下表面形成至少一开口，其中此开口是暴露出局部的金属层，并作为至少一接合垫的开口。
依照本发明的较佳实施例所述的软片式承载器的接合垫开口制程及其激光成孔方法，更包括在薄膜上形成至少一成孔记号，且此开口是藉由激光贯穿此成孔记号及薄膜而形成。
经由上述可知，本发明是有关于一种软片式承载器的接合垫开口制程及其激光成孔方法，该软片式承载器的接合垫开口制程包括下列步骤。首先，提供一薄膜与一金属层，其中金属层是覆盖在薄膜的上表面。接着，藉由一激光加工于薄膜的下表面形成多个开口，其中这些开口是暴露出金属层，以作为后续图案化金属层对外电性连接的多个接合垫的接触窗口。相较于现有习知软片式承载器的接合垫开口制程，由于本发明是藉由激光加工形成多个开口在薄膜上，故可符合简易、快速、低污染性地制作软片式承载器的接合垫的需求。
借由上述技术方案，本发明软片式承载器的接合垫开口制程及其激光成孔方法至少具有下列优点基于上述，本发明的软片式承载器的接合垫开口制程及其激光成孔方法因仅藉由激光就可贯穿此成孔记号及薄膜而形成。因此，相较于现有习知软片式承载器的接合垫开口制程的多道步骤的蚀刻制程，本发明的软片式承载器的接合垫开口制程将毋须蚀刻液等化学药剂，就可在薄膜上形成多个开孔，故对环境所造成的污染程度较低，并可有效地减少制作软片式承载器的接合垫的制程步骤，以显著地节省其制作时间。
综上所述，本发明特殊的软片式承载器的接合垫开口制程及其激光成孔方法，因不需蚀刻软片式承载器的薄膜，就可在薄膜上形成多个开孔，故对环境所造成的污染程度较低。本发明软片式承载器的接合垫开口制程，可节省软片式承载器的接合垫的制作时间。本发明特殊的激光成孔方法，因不需蚀刻软片式承载器的薄膜，就可在薄膜上形成多个开孔，故对环境所造成的污染程度较低。本发明的激光成孔方法，可节省软片式承载器的接合垫的制作时间。其具有上述诸多的优点及实用价值，并在同类方法中未见有类似的设计公开发表或使用而确属创新，其不论在方法上或功能上皆有较大的改进，在技术上有较大的进步，并产生了好用及实用的效果，且较现有的软片式承载器的接合垫开口制程具有增进的多项功效，从而更加适于实用，而具有产业的广泛利用价值，诚为一新颖、进步、实用的新设计。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，以下特举一较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
图1A至图1D是现有习知的一种软片式承载器的接合垫开口制程。
图2A至图2D是本发明较佳实施例的一种软片式承载器的接合垫开口制程。
图2E是图2D的软片式承载器，其焊罩层形成于部分的金属层上的结构示意图。
图2F是图2E的软片式承载器，其金属保护层形成于未被焊罩层覆盖的金属层上的结构示意图。
图2G是图2F的软片式承载器，其形成一芯片窗的结构示意图。
图3是本发明较佳实施例的一种软片式承载器，其具有多个成孔记号在薄膜上的示意图。
110薄膜 112开口120金属层122接合垫130传动孔210薄膜212开口 214成孔记号220金属层222表面224图案 226接合垫230传动孔240焊罩层250金属保护层260接触窗口具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的软片式承载器的接合垫开口制程及其激光成孔方法其具体实施方式
、方法、步骤、特征及其功效，详细说明如后。
图2A至图2D是本发明较佳实施例的一种软片式承载器的接合垫开口制程。本发明软片式承载器是适用于电性连接一喷墨匣上的喷墨芯片。请参阅图2A所示，首先，先提供一薄膜210与一金属层220，而此薄膜210的材质例如为聚乙酰胺(polyimide)等，且金属层220的材质例如为铜箔或其他金属等，其中将金属层220形成在薄膜210上的方法包括例如一溅镀(sputtering)、压合(laminate)及涂布(coating)等制程，而此种一薄膜210与一金属层220接合的软片式承载器是为两层板的型式；若是金属层220是藉由一粘着层(图中未示)而压合(Laminate)在薄膜210上时，则此种一薄膜210、一粘着层与一金属层220接合的软片式承载器是为三层板的型式。请参阅图2B所示，之后，例如使用一冲压模具(图中未示)对薄膜210进行冲孔(Punch)而产生多个传动孔230，其中薄膜210及金属层220是藉由这些传动孔230而配置在一输送带(图中未示)上，并藉由此输送带而带动薄膜210及金属层220前进。
请参阅图2C所示，接着，使用一激光而贯穿薄膜210至金属层220的表面222上以烧灼出多个开212，其中这些开212是暴露出局部的金属层220。请参阅图2D所示，之后，蚀刻金属层220并形成具有一图案224的金属层220，使得此暴露的局部的金属层220可作为多个接合垫226；其中这些接合垫226是可与外界电性连接(图中未示)。至于此蚀刻制程例如包括涂布光阻在金属层220上、光阻曝光、显影、蚀刻金属层220及去光阻等多道步骤(皆未绘示)，在此便不再赘述。之后，例如进行一成品检测步骤，以确保薄膜210与金属层220的图案外观良好，以完成软片式承载器的接合垫的制作。
当然，本发明软片式承载器的接合垫开口制程，亦可先以蚀刻制程而图案化金属层220之后，再以较低能量的激光贯穿薄膜210而形成这些开口212，皆包括在本发明欲保护的范围内。
至于在制作完成本发明的软片式承载器的接合垫开口之后的后续制程，更包括下列的步骤。图2E是图2D的软片式承载器，其焊罩层形成于部分的金属层上的结构示意图。请参阅图2E所示，然后，使用例如一印刷(printing)制程而将一焊罩层240形成于部分的金属层230上。图2F绘示为图2E的软片式承载器，其金属保护层形成于未被焊罩层覆盖的金属层上的结构示意图。请参阅图2F所示，再者，使用例如一电镀(plating)制程而将一金属保护层250形成于未被焊罩层240覆盖的金属层220上。图2G绘示为图2F的软片式承载器，其形成一接触窗口的结构示意图。请参阅图2G所示，接着，例如使用一冲压模具(图中未示)对薄膜210与金属层220进行冲孔(Punch)而产生一接触窗口(window)260，其中金属层220所形成的多条引脚是横跨至接触窗口260中，这些引脚是可与一喷墨芯片的多个焊垫(bonding pad)电性连接(皆未绘示)。之后，例如进行一成品检测步骤，以确保软片式承载器的制作良好，而完成本发明的用于喷墨芯片的两层(仅包括薄膜210与金属层220时)或三层(若包括薄膜210、金属层220及一粘着层时)的软片式承载器的制作(简称ink process)。
图3是本发明较佳实施例的一种软片式承载器，其具有多个成孔记号在薄膜上的示意图。请参阅图3所示，值得注意的是，本发明的另一软片式承载器的接合垫开口制程，亦可以对薄膜210进行冲孔之后，再在薄膜210上形成多个成孔记号214。接着，请参阅图2C所示，藉由较低能量的激光贯穿这些成孔记号214及薄膜210至金属层220的表面222上而形成这些开口212，以完成本发明软片式承载器的接合垫开口的制作，至于其他步骤则与图2A、2B、2D、2E、2F及2G所代表的步骤相同，故在此便不再赘述。此外，本实施例软片式承载器的定位孔制程亦可以一激光而围绕着这些成孔记号214的周围而于薄膜210上烧灼出多个开口212，亦包含在本发明的保护的范围内。
值得注意的是，上述的激光在薄膜210上烧灼出多个开口212的步骤(如图2C所示)，未必要在形成传动孔230的步骤(如图2B所示)之后执行，亦可以在图2A、2C、2D、2E、2F或2G的步骤之后才进行，亦包含在本发明的保护的范围内。
此外，相较于现有习知软片式承载器的接合垫开口制程，本发明的软片式承载器的接合垫开口制程将以一较低能量的激光就可弹性地在薄膜210上烧灼出多个开口212，而毋须蚀刻制程的涂布光阻、光阻曝光、显影、蚀刻沉积层及去光阻等多道步骤，故可有效地减少制作软片式承载器的接合垫的制程步骤，以显著地节省其制作时间。另外，因本发明的软片式承载器的接合垫开口制程将毋需蚀刻液等化学药剂来蚀刻薄膜210以形成这些开口212，故对环境所造成的污染程度较低。
综上所述，由于本发明软片式承载器的接合垫开口制程及其激光成孔方法因仅藉由一激光制程就可在薄膜上烧灼出多个开口以显露出部分的金属层，当此金属层经图案化之后，这些经开口而显露的金属层即成为接合垫。因此，相较于现有习知软片式承载器的接合垫开口制程，本发明将可符合简单、快速地、低污染地制作软片式承载器的接合垫的需求。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的方法及技术内容作出些许的更动或修饰为等同变化的等效实施例，但是凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
权利要求
1.一种软片式承载器的接合垫开口制程，适用于制造一用于喷墨芯片的软性电路板的接合垫，其特征在于该软片式承载器的接合垫开口制程至少包括以下步骤提供一薄膜与一金属层，其中该金属层是配置在该薄膜上；以及藉由一激光而在该薄膜的相对于该金属层的一表面上形成至少一开口，其中该开口是暴露出局部的该金属层，并作为预定的一接合垫的开口。
2.根据权利要求1所述的软片式承载器的接合垫开口制程，其特征在于其中在提供该金属层之后，更包括图案化该金属层，其中该开口所暴露出局部的该金属层是作为该接合垫。
3.根据权利要求1所述的软片式承载器的接合垫开口制程，其特征在于其中在激光该薄膜之后，更包括图案化该金属层，其中该开口所暴露出局部的该金属层是作为该接合垫。
4.根据权利要求1所述的软片式承载器的接合垫开口制程，其特征在于其中在提供该薄膜之后，更包括形成至少一成孔记号在该薄膜上。
5.根据权利要求4所述的软片式承载器的接合垫开口制程，其特征在于其中所述的开口是藉由该激光贯穿该成孔记号与该薄膜而形成。
6.一种激光成孔方法，适用于将一软片式承载器穿孔，该软片式承载器包括一薄膜与图案化的一金属层，而该金属层是配置在该薄膜上，其特征在于该激光成孔方法至少包括以下步骤藉由一激光在该薄膜的相对于该金属层的一表面上形成至少一开口，其中该开口是暴露出局部的该金属层，并作为一接合垫的开口。
7.根据权利要求6所述的激光成孔方法，其特征在于在形成该开口之前，更包括形成至少一成孔记号在该薄膜上。
8.根据权利要求7所述的激光成孔方法，其特征在于其中所述的开口是藉由该激光贯穿该成孔记号与该薄膜而形成。
全文摘要
本发明是关于一种软片式承载器的接合垫开口制程及其激光成孔方法，该软片式承载器的接合垫开口制程包括下列步骤。首先，提供一薄膜与一金属层，其中金属层是覆盖在薄膜的上表面。接着，藉由一激光加工于薄膜的下表面形成多个开口，其中这些开口是暴露出金属层，以作为后续图案化金属层对外电性连接的多个接合垫的接触窗口。相较于现有习知软片式承载器的接合垫开口制程，由于本发明是藉由激光加工形成多个开口在薄膜上，故可符合简易、快速、低污染性地制作软片式承载器的接合垫的需求。
文档编号B23K26/00GK1783440SQ20041009555
公开日2006年6月7日 申请日期2004年11月29日 优先权日2004年11月29日
发明者胡迪群, 吴建男, 林仁杰 申请人:晶强电子股份有限公司